JP6345853B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6345853B2 JP6345853B2 JP2017149564A JP2017149564A JP6345853B2 JP 6345853 B2 JP6345853 B2 JP 6345853B2 JP 2017149564 A JP2017149564 A JP 2017149564A JP 2017149564 A JP2017149564 A JP 2017149564A JP 6345853 B2 JP6345853 B2 JP 6345853B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- semiconductor
- heat treatment
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 256
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 106
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 67
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 67
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 53
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 575
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 125
- 239000010408 film Substances 0.000 description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 description 52
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 38
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 34
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 33
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 33
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 26
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 description 21
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 13
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 etc.) Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
- C01G15/006—Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G45/00—Compounds of manganese
- C01G45/006—Compounds containing, besides manganese, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G49/00—Compounds of iron
- C01G49/009—Compounds containing, besides iron, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G51/00—Compounds of cobalt
- C01G51/006—Compounds containing, besides cobalt, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G53/00—Compounds of nickel
- C01G53/006—Compounds containing, besides nickel, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02183—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing tantalum, e.g. Ta2O5
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
- H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/477—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Dram (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Description
られた材料であり、液晶ディスプレイなどで必要とされる透明電極材料として用いられて
いる。
、例えば、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などがあり、このよう
な半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタが既に知られ
ている(例えば、特許文献1乃至特許文献4、非特許文献1等参照)。
ホモロガス相を有するInGaO3(ZnO)m(m:自然数)は、In、Ga及びZn
を有する多元系酸化物半導体として知られている(例えば、非特許文献2乃至非特許文献
4等参照)。
ジスタのチャネル層として適用可能であることが確認されている(例えば、特許文献5、
非特許文献5および非特許文献6等参照)。
どから、酸化物半導体材料自体の性質は未だ解明に至っていない。このような事情と相ま
って、酸化物半導体を用いた半導体素子に関して、良好な特性が得られる作製条件は見出
されていないというのが現状である。
おいて開示する発明の一態様は、特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供するこ
とを目的の一とする。
どを覆う絶縁層を形成する工程の前に第1の熱処理を行い、半導体層などを覆う絶縁層を
形成する工程の後に第2の熱処理を行うものである。
る第1の導電層を形成する工程と、第1の導電層を覆うように第1の絶縁層を形成する工
程と、第1の導電層と一部が重畳するように、第1の絶縁層上に半導体層を形成する工程
と、半導体層と電気的に接続されるように第2の導電層を形成する工程と、半導体層およ
び第2の導電層を覆う第2の絶縁層を形成する工程と、第2の導電層と電気的に接続され
る第3の導電層を形成する工程と、半導体層を形成する工程の後、第2の絶縁層を形成す
る工程の前の第1の熱処理工程と、第2の絶縁層を形成する工程の後の第2の熱処理工程
と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
形成することが望ましい。また、半導体層中の水素の濃度は、第2の絶縁層中の水素の濃
度より高く、半導体層中の窒素の濃度は、第2の絶縁層中の窒素の濃度より高いことが望
ましい。第2の絶縁層の水素の濃度を1×1021atoms/cm3以下(好ましくは
、5×1020atoms/cm3以下)として、第2の絶縁層の窒素の濃度を1×10
19atoms/cm3以下としても良い。
ない。例えば、少なくとも半導体層の第2の絶縁層が形成される表面の少なくとも一部に
おいて、半導体層と第2の導電層が電気的に接続するように、半導体層および第2の導電
層を形成することができる。また、少なくとも半導体層の第1の絶縁層が形成される表面
の少なくとも一部において、半導体層と第2の導電層が電気的に接続するように、半導体
層および第2の導電層を形成することもできる。第2の導電層を積層構造とする場合には
、第2の導電層で半導体層の上下を挟み込むような構成としても良い。
ることができる。例えば、第1の熱処理工程を、第2の導電層を形成する工程の後、第2
の絶縁層を形成する工程の前に行っても良い。また、第2の熱処理工程は、第3の導電層
を形成する工程の後に行っても良い。
処理温度は、400℃以下であることが望ましい。
全般を指し、表示装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置に含まれる。
形成する工程の前に第1の熱処理を行い、半導体層などを覆う絶縁層を形成する工程の後
に第2の熱処理を行っている。これにより、特性の良い半導体素子を有する半導体装置を
提供することができる。
を用いた場合や、半導体層中の水素の濃度が、第2の絶縁層中の水素の濃度より高い場合
、半導体層中の窒素の濃度が、第2の絶縁層中の窒素の濃度より高い場合などにおいて特
に顕著である。
を提供することができる。
の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱するこ
となく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異な
る実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に
説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を
用い、その繰り返しの説明は省略する。また、本明細書中において半導体装置とは、半導
体特性を利用することで機能しうる装置全般を指すものとする。
本実施の形態では、半導体装置に用いられる半導体素子の作製方法の一例について、図面
を参照して説明する。
きる。ガラス基板は無アルカリガラス基板であることが好ましい。無アルカリガラス基板
には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケ
イ酸ガラス等のガラス材料が用いられる。他にも、基板100として、セラミック基板、
石英基板やサファイア基板等の絶縁体でなる絶縁性基板、シリコン等の半導体材料でなる
半導体基板の表面を絶縁材料で被覆したもの、金属やステンレス等の導電体でなる導電性
基板の表面を絶縁材料で被覆したものを用いることができる。また、作製工程の熱処理に
耐えられるのであれば、プラスチック基板を用いることもできる。
ン(W)、チタン(Ti)等の導電性材料で形成することが望ましい。形成方法としては
、スパッタリング法や真空蒸着法、CVD法などがある。なお、導電層102にアルミニ
ウム(または銅)を用いる場合、アルミニウム単体(または銅単体)では耐熱性が低く、
腐蝕しやすい等の問題点があるため、耐熱性導電性材料と組み合わせて形成することが好
ましい。
モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)から選
ばれた元素を含む金属、上述した元素を成分とする合金、上述した元素を組み合わせた合
金、または上述した元素を成分とする窒化物などを用いることができる。これらの耐熱性
導電性材料とアルミニウム(または銅)を積層させて、導電層102を形成すればよい。
ルカリ金属(Li、Cs、Na等)やアルカリ土類金属(Ca、Mg等)、その他の不純
物の拡散を防止する機能を有する。つまり、下地層を設けることより、半導体装置の信頼
性向上という課題を解決することができる。下地層は、窒化シリコン、酸化シリコンなど
の各種絶縁材料を用いて、単層構造または積層構造で形成すればよい。具体的には、例え
ば、基板100側から窒化シリコンと酸化シリコンを順に積層した構成とすることが好適
である。窒化シリコンは、不純物に対するブロッキング効果が高いためである。一方で、
窒化シリコンが半導体と接する場合には、半導体素子に不具合が発生する可能性もあるた
め、半導体と接する材料としては、酸化シリコンを適用するのがよい。
4を用いて導電層102を選択的にエッチングすることで、ゲート電極として機能する導
電層106を形成する(図1(B)参照)。
工程を経ることにより形成される。レジスト材料の塗布は、スピンコート法などの方法を
適用することができる。また、レジストマスク104は、液滴吐出法やスクリーン印刷法
などを用いて選択的に形成しても良い。この場合、フォトマスクを用いた露光、現像等の
工程が不要になるため、生産性向上という課題を解決することが可能である。なお、レジ
ストマスク104は、導電層102のエッチングにより導電層106が形成された後には
除去される。
とは、多段階の光量で露光を行うことが可能なマスクをいう。これを用いることで、一度
の露光および現像工程によって、複数(代表的には2種類)の厚さのレジストマスクを形
成することができる。つまり、多階調マスクを用いることで、工程数の増加を抑制するこ
とができる。
ても良い。また、後に形成されるゲート絶縁層等の被覆性を向上し、段切れを防止するた
めに、導電層106の端部がテーパー形状となるようエッチングすると良い。例えば、テ
ーパー角が20°以上90°未満となるような形状とすることが好ましい。ここで、「テ
ーパー角」とは、テーパー形状を有する層を断面方向から観察した際に、当該層の側面と
底面とがなす角をいう。
(図1(C)参照)。絶縁層108は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン
、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の材料を用いて形成することが
できる。また、これらの材料からなる膜を積層させて形成しても良い。これらの膜は、ス
パッタ法等を用いて厚さが5nm以上250nm以下となるように形成すると好ましい。
例えば、絶縁層108として、スパッタ法を用いて、酸化シリコン膜を100nmの厚さ
で形成することができる。他の方法(CVD法など)を用いて絶縁層108を形成する場
合には、膜中の水素や窒素などの影響を考慮すべきであるが、所定の絶縁層108が得ら
れるのであれば、作製方法については特に限定されない。例えば、絶縁層108中の水素
濃度、窒素濃度が、後に形成される半導体層中より低いことを目安とすればよい。より具
体的には、絶縁層108中の水素の濃度が1×1021atoms/cm3以下(好まし
くは、5×1020atoms/cm3以下)、絶縁層108中の窒素の濃度が1×10
19atoms/cm3以下とすれば良い。なお、良好な特性の絶縁層108を得るため
には、成膜の温度条件は400℃以下とすることが望ましいが、開示する発明の一態様が
これに限定して解釈されるものではない。また、上記濃度は、絶縁層108中での平均値
を示している。
縁層108を形成しても良い。例えば、絶縁層108の下層(導電層106と接する領域
)をプラズマCVD法により形成し、絶縁層108の上層をスパッタ法により形成するこ
とができる。プラズマCVD法は、段差被覆性の良い膜を形成することが容易であるため
、導電層106の直上に形成する膜を形成する方法として適している。また、スパッタ法
では、プラズマCVD法と比較して、膜中の水素濃度を低減することが容易であるため、
スパッタ法による膜を半導体層と接する領域に設けることで、絶縁層108中の水素が半
導体層中へ拡散することを防止できる。特に、酸化物半導体材料を用いて半導体層を形成
する場合には、水素が特性に与える影響は極めて大きいと考えられるため、このような構
成を採用することは効果的である。
量(原子数)が多いものを示し、例えば、酸化窒化シリコンとは、酸素が50原子%以上
70原子%以下、窒素が0.5原子%以上15原子%以下、シリコンが25原子%以上3
5原子%以下、水素が0.1原子%以上10原子%以下の範囲で含まれるものをいう。ま
た、窒化酸化物とは、その組成において、酸素よりも窒素の含有量(原子数)が多いもの
を示し、例えば、窒化酸化シリコンとは、酸素が5原子%以上30原子%以下、窒素が2
0原子%以上55原子%以下、シリコンが25原子%以上35原子%以下、水素が10原
子%以上25原子%以下の範囲で含まれるものをいう。但し、上記範囲は、ラザフォード
後方散乱法(RBS:Rutherford Backscattering Spec
trometry)や、水素前方散乱法(HFS:Hydrogen Forward
Scattering)を用いて測定した場合のものである。また、構成元素の含有比率
の合計は100原子%を超えない。
の形態においては、半導体層110に酸化物半導体材料(金属酸化物半導体材料)を用い
る。なお、開示する発明の一態様は、他の半導体材料を用いる場合にも適用できる。例え
ば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどのシリコン系の半導体材料や
、ゲルマニウム系の半導体材料などを用いても良い。また、シリコンゲルマニウムやシリ
コンカーバイド、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体材料を用いても良い
。
ものがある。ここで、Mは、ガリウム(Ga)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、マンガ
ン(Mn)、コバルト(Co)などから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示
す。例えばMとしてGaが選択される場合には、Gaのみの場合の他に、GaとNiや、
GaとFeなど、Ga以外の上記金属元素が選択される場合を含む。また、上記酸化物半
導体において、Mとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてFe、Niその他の
遷移金属元素、または該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。もちろん、酸化物
半導体材料は上記の材料に限定されず、酸化亜鉛や酸化インジウムをはじめとする各種酸
化物半導体材料を用いることができる。
合には、例えば、In、Ga、Znを含む酸化物半導体ターゲット(In2O3:Ga2
O3:ZnO=1:1:1)を用いたスパッタ法で形成することができる。該スパッタは
、例えば、基板100とターゲットとの距離を30mm〜500mm、圧力を0.1Pa
〜2.0Pa、直流(DC)電源を0.25kW〜5.0kW、温度を20℃〜100℃
、雰囲気をアルゴン等の希ガス雰囲気、酸素雰囲気、またはアルゴン等の希ガスと酸素と
の混合雰囲気とする条件で行うことができる。また、上記のスパッタ法としては、スパッ
タ用電源に高周波電源を用いるRFスパッタ法や、直流電源を用いるDCスパッタ法、パ
ルス的に直流バイアスを加えるパルスDCスパッタ法などを用いることができる。
半導体層110は、積層構造としても良い。例えば、絶縁層108上に、半導体層110
と同様の組成の半導体層(以下「通常の導電性の半導体層」と呼ぶ)を形成し、その後、
半導体層110と構成元素が同じでその構成比率が異なる半導体層(以下「導電性の高い
半導体層」と呼ぶ)を形成して、上記構成に代えることができる。この場合、導電性の高
い半導体層をソース電極(またはドレイン電極)と通常の導電性の半導体層との間に設け
ることになるため、素子特性の向上につながる。
ことで形成することができる。この場合、導電性の高い半導体層の成膜条件は、通常の導
電性の半導体層の成膜条件より、アルゴンガスの流量に対する酸素ガスの流量を小さいも
のとすると良い。より具体的には、導電性の高い半導体層の成膜条件は、希ガス(アルゴ
ン、又はヘリウムなど)雰囲気下、または、酸素ガス10%以下、希ガス90%以上の雰
囲気下とし、通常の導電性の半導体層の成膜条件は、酸素雰囲気下、または、希ガスに対
する酸素ガスの流量比が1以上の雰囲気下とする。このようにすることで、導電性の異な
る2種類の半導体層を形成することができる。
、絶縁層108と半導体層110の界面にゴミや水分が付着することを抑制することがで
きる。
12を用いて半導体層110を選択的にエッチングすることで、半導体層114を形成す
る(図1(E)参照)。ここで、レジストマスク112は、レジストマスク104と同様
の方法で形成することができる。また、レジストマスク112は、半導体層110のエッ
チングにより半導体層114が形成された後には除去される。
グを用いることができる。ここでは、酢酸と硝酸と燐酸との混合液を用いたウエットエッ
チングにより、半導体層110の不要な部分を除去して、半導体層114を形成する。な
お、上記のウエットエッチングに用いることができるエッチャント(エッチング液)は半
導体層110をエッチングできるものであればよく、上述したものに限られない。
スに酸素が添加されたガスを用いると良い。塩素を含有するガスを用いることで、導電層
や下地層と、半導体層110とのエッチング選択比がとりやすくなるためである。
や、ECR(Electron Cyclotron Resonance)やICP(
Inductively Coupled Plasma)などの高密度プラズマ源を用
いたドライエッチング装置を用いることができる。また、ICPエッチング装置と比べて
広い面積に渡って一様な放電が得られるECCP(Enhanced Capaciti
vely Coupled Plasma)モードのエッチング装置を用いても良い。E
CCPモードのエッチング装置であれば、基板として第10世代以降の基板を用いるよう
な場合においても対応が容易である。
(A)参照)。導電層116は、導電層102と同様の材料、方法によって形成すること
ができる。例えば、導電層116を、モリブデン膜やチタン膜の単層構造で形成すること
ができる。また、導電層116を積層構造で形成してもよく、例えば、アルミニウム膜と
チタン膜との積層構造とすることができる。また、チタン膜と、アルミニウム膜と、チタ
ン膜とを順に積層した3層構造としてもよい。また、モリブデン膜とアルミニウム膜とモ
リブデン膜とを順に積層した3層構造としてもよい。また、これらの積層構造に用いるア
ルミニウム膜として、ネオジムを含むアルミニウム(Al−Nd)膜を用いてもよい。さ
らに、導電層116を、シリコンを含むアルミニウムの単層構造としてもよい。
成し、該レジストマスクを用いて導電層116を選択的にエッチングすることで、ソース
電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層122およびソース電極またはドレ
イン電極の他方として機能する導電層124を形成する(図2(B)参照)。ここで、レ
ジストマスク118およびレジストマスク120は、レジストマスク104と同様の方法
で形成することができる。また、レジストマスク118およびレジストマスク120は、
導電層116のエッチングにより導電層122および導電層124が形成された後には除
去される。
を用いることができる。ここでは、ドライエッチングにより導電層116の不要な部分を
除去して、導電層122および導電層124を形成する。
一部が除去される構成(チャネルエッチ型)としているが、開示する発明の一態様はこれ
に限定されない。エッチングの進行を停止させる層(エッチストッパ)を半導体層114
と導電層116との間に形成して、半導体層114がエッチングされない構成(エッチス
トップ型)とすることもできる。
00℃〜400℃の熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気
、酸素雰囲気、水蒸気雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間〜
5時間程度とすればよい。ここでは、大気雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行うこ
ととする。なお、該熱処理のタイミングは、半導体層110を形成した後、層間絶縁層に
あたる絶縁層を形成する前であれば特に限定されない。例えば、半導体層110を形成し
た直後に上記の熱処理を行っても良い。また、半導体層114を形成した直後や、導電層
116を形成した直後であっても良い。当該熱処理(第1の熱処理)と後の熱処理(第2
の熱処理)とを行うことで、半導体素子の特性を飛躍的に向上させ、また、特性ばらつき
を低減させることができる。
層108の特性を変化させない(劣化させない)ために好適である。もちろん、開示する
発明の一態様がこれに限定して解釈されるものではない。
成する(図2(C)参照)。ここで、絶縁層126は、いわゆる層間絶縁層にあたる。絶
縁層126は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の材料を用いて形成す
ることができる。また、これらの材料からなる膜を積層させて形成しても良い。
満たしていることが望ましい。具体的には、例えば、絶縁層126中の水素濃度は、半導
体層114(または半導体層110)中の水素濃度より低いことが望ましい(半導体層1
14中の水素の濃度は、絶縁層126中の水素の濃度より高いことが望ましい)。また、
絶縁層126中の窒素の濃度は、半導体層114(または半導体層110)中の窒素の濃
度より低いことが望ましい(半導体層114中の窒素の濃度は、絶縁層126中の窒素の
濃度より高いことが望ましい)。絶縁層126中の水素濃度(または窒素濃度)を半導体
層114中の水素濃度(または窒素濃度)より低くすることで、絶縁層126中の水素(
または窒素)が半導体層114中に拡散して、素子特性が悪化することを抑制できると考
えられるからである。
21atoms/cm3以下(好ましくは、5×1020atoms/cm3以下)であ
れば、上述の条件を満たす。また、絶縁層126中の窒素の濃度が1×1019atom
s/cm3以下であれば、同様に上述の条件を満たす。なお、上記濃度は、絶縁層126
中での平均値を示している。
成された酸化シリコン膜を挙げることができる。スパッタ法を用いる場合には、CVD法
を用いる場合と比較して、膜中の水素濃度の低減が容易になるためである。もちろん、上
述の条件を満たすのであれば、CVD法を含む他の方法により形成しても良い。絶縁層1
26のその他の条件については、特に限定されない。例えば、絶縁層126の厚さについ
ては、実現可能な範囲であればどのような値を採っても良い。
成する(図2(D)参照)。本実施の形態においては代表的に、表示装置の画素電極とし
て機能する導電層128を形成する例について示す(図2(D)参照)が、開示する発明
の一態様はこれに限定されない。
熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気、水蒸
気雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間〜5時間程度とすれば
よい。ここでは、大気雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行うこととする。なお、該
熱処理のタイミングは、絶縁層126を形成した後であれば特に限定されない。例えば、
絶縁層126を形成した直後に上記の熱処理を行っても良いし、さらに他の絶縁層や導電
層などを形成した後に、上記の熱処理を行っても良い。当該熱処理(第2の熱処理)と先
の熱処理(第1の熱処理)とを行うことによって、半導体素子の特性を飛躍的に向上させ
、また、特性ばらつきを低減させることができる。
層126の欠陥を修復するという効果をも有している。絶縁層126は比較的低温で形成
されるため、膜中には欠陥が存在しており、そのまま使用した場合には素子特性に悪影響
を及ぼすおそれがある。このような絶縁層126中の欠陥を修復するという観点からも、
上述の熱処理は重要な役割を果たすと言える。
層108の特性を変化させない(劣化させない)ために好適である。もちろん、開示する
発明の一態様がこれに限定して解釈されるものではない。
形成する工程の前の熱処理と、絶縁層126を形成する工程の後の熱処理と、を併せて行
うことにより、優れた特性の半導体素子を提供することができる。これにより、優れた特
性の半導体素子を備えた半導体装置を提供することができる。
本実施の形態では、半導体装置に用いられる半導体素子の作製方法につき、上記実施の形
態と異なる一例について図面を参照して説明する。なお、本実施の形態における半導体装
置の作製工程は、多くの部分で先の実施の形態と共通している。したがって、以下におい
ては、重複する部分の説明は省略し、異なる点について詳細に説明する。
電層202、その他の詳細については、先の実施の形態(図1(A)の説明部分など)を
参照すればよい。また、基板200上には下地層を設けても良い。下地層の詳細について
も、先の実施の形態を参照することができる。
4を用いて導電層202を選択的にエッチングすることで、ゲート電極として機能する導
電層206を形成する(図3(B)参照)。レジストマスク204、導電層206、エッ
チング、その他の詳細については、先の実施の形態(図1(B)の説明部分など)を参照
することができる。
(図3(C)参照)。絶縁層208、その他の詳細については、先の実施の形態(図1(
C)の説明部分など)を参照すればよい。
10は、導電層202と同様の材料、方法によって形成することができる。つまり、詳細
については、先の実施の形態(図1(A)、図2(A)の説明部分など)を参照すればよ
い。
成し、該レジストマスクを用いて導電層210を選択的にエッチングすることで、ソース
電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層216およびソース電極またはドレ
イン電極の他方として機能する導電層218を形成する(図3(E)参照)。レジストマ
スク212およびレジストマスク214は、レジストマスク204と同様にして形成する
ことができる。つまり、レジストマスクの詳細については、先の実施の形態(図1(B)
、図2(B)の説明部分など)を参照すればよい。
を用いることができる。ここでは、ドライエッチングにより導電層210の不要な部分を
除去して、導電層216および導電層218を形成する。なお、本実施の形態においては
示していないが、当該エッチングにより絶縁層208の一部が除去されることがある。
する(図4(A)参照)。半導体層220の詳細については、先の実施の形態(図1(D
)の説明部分など)を参照することができる。
22を用いて半導体層220を選択的にエッチングすることで、半導体層224を形成す
る(図4(B)参照)。レジストマスク222の詳細については、先の実施の形態(図1
(B)、図1(E)の説明部分など)を参照すればよい。
グを用いることができる。ここでは、酢酸と硝酸と燐酸との混合液を用いたウエットエッ
チングにより、半導体層220の不要な部分を除去して、半導体層224を形成する。な
お、上記のウエットエッチングに用いることができるエッチャント(エッチング液)は半
導体層220をエッチングできるものであればよく、上述したものに限られない。
スに酸素が添加されたガスを用いると良い。塩素を含有するガスを用いることで、導電層
や下地層と、半導体層220とのエッチング選択比がとりやすくなるためである。なお、
エッチングのその他の詳細については、先の実施の形態を参照すればよい。
の熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気、水
蒸気雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間〜5時間程度とすれ
ばよい。ここでは、大気雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行うこととする。なお、
該熱処理のタイミングは、半導体層220を形成した後、層間絶縁層にあたる絶縁層を形
成する前であれば特に限定されない。例えば、半導体層220を形成した直後に上記の熱
処理を行っても良い。当該熱処理(第1の熱処理)と後の熱処理(第2の熱処理)とを行
うことで、半導体素子の特性を飛躍的に向上させ、また、特性ばらつきを低減させること
ができる。
層208の特性を変化させない(劣化させない)ために好適である。もちろん、開示する
発明の一態様がこれに限定して解釈されるものではない。
成する(図4(C)参照)。ここで、絶縁層226は、いわゆる層間絶縁層にあたる。絶
縁層226は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の材料を用いて形成す
ることができる。また、これらの材料からなる膜を積層させて形成しても良い。
満たしていることが望ましい。具体的には、例えば、絶縁層226中の水素濃度は、半導
体層224(または半導体層220)中の水素濃度より低いことが望ましい(半導体層2
24中の水素の濃度は、絶縁層226中の水素の濃度より高いことが望ましい)。また、
絶縁層226中の窒素の濃度は、半導体層224(または半導体層220)中の窒素の濃
度より低いことが望ましい(半導体層224中の窒素の濃度は、絶縁層226中の窒素の
濃度より高いことが望ましい)。絶縁層226中の水素濃度(または窒素濃度)を半導体
層224中の水素濃度(または窒素濃度)より低くすることで、絶縁層226中の水素(
または窒素)が半導体層224中に拡散して、素子特性が悪化することを抑制できると考
えられるからである。
21atoms/cm3以下(好ましくは、5×1020atoms/cm3以下)であ
れば、上述の条件を満たす。また、絶縁層226中の窒素の濃度が1×1019atom
s/cm3以下であれば、同様に上述の条件を満たす。なお、上記濃度は、絶縁層226
中での平均値を示している。
成された酸化シリコン膜を挙げることができる。スパッタ法を用いる場合には、CVD法
を用いる場合と比較して、膜中の水素濃度の低減が容易になるためである。もちろん、上
述の条件を満たすのであれば、CVD法を含む他の方法により形成しても良い。絶縁層2
26のその他の条件については、特に限定されない。例えば、絶縁層226の厚さについ
ては、実現可能な範囲であればどのような値を採っても良い。
成する(図4(D)参照)。本実施の形態においては代表的に、表示装置の画素電極とし
て機能する導電層228を形成する例について示す(図4(D)参照)が、開示する発明
の一態様はこれに限定されない。
熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気、水蒸
気雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間〜5時間程度とすれば
よい。ここでは、大気雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行うこととする。なお、該
熱処理のタイミングは、絶縁層226を形成した後であれば特に限定されない。例えば、
絶縁層226を形成した直後に上記の熱処理を行っても良いし、さらに他の絶縁層や導電
層などを形成した後に、上記の熱処理を行っても良い。当該熱処理(第2の熱処理)と先
の熱処理(第1の熱処理)とを行うことによって、半導体素子の特性を飛躍的に向上させ
、また、特性ばらつきを低減させることができる。
層226の欠陥を修復するという効果をも有している。絶縁層226は比較的低温で形成
されるため、膜中には欠陥が存在しており、そのまま使用した場合には素子特性に悪影響
を及ぼすおそれがある。このような絶縁層226中の欠陥を修復するという観点からも、
上述の熱処理は重要な役割を果たすと言える。
層208の特性を変化させない(劣化させない)ために好適である。もちろん、開示する
発明の一態様がこれに限定して解釈されるものではない。
形成する工程の前の熱処理と、絶縁層226を形成する工程の後の熱処理と、を併せて行
うことにより、優れた特性の半導体素子を提供することができる。これにより、優れた特
性の半導体素子を備えた半導体装置を提供することができる。
本実施の形態では、半導体装置の一例であるアクティブマトリクス基板の作製工程につい
て、図面を用いて説明する。なお、本実施の形態で示す作製工程は、多くの部分で先の実
施の形態と共通している。したがって、以下においては、重複する部分の説明は省略し、
異なる点について詳細に説明する。なお、以下の説明において、図5、図6は断面図を示
しており、図7は平面図を示している。また、図5および図6のA1−A2、B1−B2
はそれぞれ、図7のA1−A2、B1−B2に対応する領域を示す。また、本実施の形態
においてA1−A2に示す半導体素子は、先の実施の形態(実施の形態2)において示し
た半導体素子と類似する。
端子306)を形成する(図5(A)参照)。具体的には、基板上に導電層を形成した後
、レジストマスクを用いたエッチングにより各種配線、各種電極を形成する。本実施の形
態においては、先の実施の形態に示した方法と同様の方法で各種配線、各種電極を形成す
ることができるから、詳細については先の実施の形態(図1(A)、図1(B)、図3(
A)、図3(B)の説明部分など)を参照すればよい。なお、上記において、電極と配線
との区別は便宜的なものに過ぎないから、その機能は電極または配線の称呼に限定して解
釈されない。例えば、ゲート電極はゲート配線と同一物を指す場合がある。
よび作製方法を用いて、同時に形成することができる。このため、例えば、ゲート電極3
02と第1の端子306とを電気的に接続する構成とすることが可能である。ゲート電極
302の材料や作製方法の詳細については、先の実施の形態を参照することができる。
るようにゲート絶縁層308を選択的にエッチングして、コンタクトホールを形成する(
図5(B)参照)。ゲート絶縁層308についての詳細は、先の実施の形態(図1(C)
、図3(C)の説明部分など)を参照すればよい。エッチング処理については特に限定さ
れず、ウエットエッチングを用いても良いし、ドライエッチングを用いても良い。
択的にエッチングすることでソース電極310(またはドレイン電極)、ドレイン電極3
12(またはソース電極)、接続電極314、第2の端子316を形成する(図5(C)
参照)。なお、上記において、電極と配線との区別は便宜的なものに過ぎないから、その
機能は電極または配線の称呼に限定して解釈されない。例えば、ソース電極はソース配線
と同一物を指す場合がある。
A)、図2(B)、図3(D)、図3(E)の説明部分など)を参照すればよい。なお、
エッチング処理においてドライエッチングを用いる場合には、ウエットエッチングを用い
る場合と比較して配線構造の微細化が可能になるというメリットがある。接続電極314
は、ゲート絶縁層308に形成されたコンタクトホールを介して第1の端子306と直接
接続する構成とすることができる。また、第2の端子316は、ソース電極310と電気
的に接続する構成とすることができる。
成した後、該半導体層を選択的にエッチングして半導体層318を形成する(図6(A)
参照)。ここで、半導体層318は、ソース電極310およびドレイン電極312の一部
と接している。半導体層318の詳細についても、先の実施の形態(図1(D)、図1(
E)、図4(A)、図4(B)の説明部分など)を参照することができる。
の熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気、水
蒸気雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間〜5時間程度とすれ
ばよい。ここでは、大気雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を行うこととする。なお、
該熱処理のタイミングは、半導体層318を形成した後、層間絶縁層にあたる絶縁層を形
成する前であれば特に限定されない。例えば、半導体層318を形成した直後に上記の熱
処理を行っても良い。当該熱処理(第1の熱処理)と後の熱処理(第2の熱処理)とを行
うことで、半導体素子の特性を飛躍的に向上させ、また、特性ばらつきを低減させること
ができる。
させない(劣化させない)ために好適である。もちろん、開示する発明の一態様がこれに
限定して解釈されるものではない。
320を形成し、当該絶縁層320を選択的にエッチングしてドレイン電極312、接続
電極314、および第2の端子316に達するコンタクトホールを形成する(図6(B)
参照)。絶縁層320は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の材料を用
いて形成することができる。また、これらの材料からなる膜を積層させて形成しても良い
。
条件を満たしていることが望ましい。具体的には、例えば、絶縁層320中の水素濃度は
、半導体層318中の水素濃度より低いことが望ましい(半導体層318中の水素の濃度
は、絶縁層320中の水素の濃度より高いことが望ましい)。また、絶縁層320中の窒
素の濃度は、半導体層318中の窒素の濃度より低いことが望ましい(半導体層318中
の窒素の濃度は、絶縁層320中の窒素の濃度より高いことが望ましい)。絶縁層320
中の水素濃度(または窒素濃度)を半導体層318中の水素濃度(または窒素濃度)より
低くすることで、絶縁層320中の水素(または窒素)が半導体層318中に拡散して、
素子特性が悪化することを抑制できると考えられるからである。
21atoms/cm3以下(好ましくは、5×1020atoms/cm3以下)であ
れば、上述の条件を満たす。また、絶縁層320中の窒素の濃度が1×1019atom
s/cm3以下であれば、同様に上述の条件を満たす。なお、上記濃度は、絶縁層320
中での平均値を示している。
成された酸化シリコン膜を挙げることができる。スパッタ法を用いる場合には、CVD法
を用いる場合と比較して、膜中の水素濃度の低減が容易になるためである。もちろん、上
述の条件を満たすのであれば、CVD法を含む他の方法により形成しても良い。絶縁層3
20のその他の条件については、特に限定されない。例えば、絶縁層320の厚さについ
ては、実現可能な範囲であればどのような値を採っても良い。
的に接続する透明導電層324および第2の端子316と電気的に接続する透明導電層3
26を形成する(図6(C)、図7参照)。
、FPC(Flexible printed circuits)との接続に用いられ
る電極または配線として機能する。より具体的には、接続電極314上に形成された透明
導電層324をゲート配線の入力端子として機能する接続用の端子電極として用い、第2
の端子316上に形成された透明導電層326をソース配線の入力端子として機能する接
続用の端子電極として用いることができる。
形成することができる。
3)、酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3―SnO2、ITOと略記する)、酸化
インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)等の材料を用いて形成することができる
。例えば、上記材料を含有する膜をスパッタ法や真空蒸着法等を用いて形成した後、エッ
チングにより不要な部分を除去することで形成すれば良い。
500℃、代表的には200℃〜400℃の熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、
大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気、水蒸気雰囲気等とすることができる。また、熱処
理時間は、0.1時間〜5時間程度とすればよい。ここでは、大気雰囲気下で350℃、
1時間の熱処理を行うこととする。なお、該熱処理のタイミングは、絶縁層320を形成
した後であれば特に限定されない。例えば、絶縁層320を形成した直後に上記の熱処理
を行っても良いし、絶縁層320にコンタクトホールを形成した後に熱処理を行っても良
い。さらに他の絶縁層や導電層などを形成した後に、上記の熱処理を行っても良い。当該
熱処理(第2の熱処理)と先の熱処理(第1の熱処理)とを行うことによって、半導体素
子の特性を飛躍的に向上させ、また、特性ばらつきを低減させることができる。
層320の欠陥を修復するという効果をも有している。絶縁層320は比較的低温で形成
されるため、膜中には欠陥が存在しており、そのまま使用した場合には素子特性に悪影響
を及ぼすおそれがある。このような絶縁層320中の欠陥を修復するという観点からも、
上述の熱処理は重要な役割を果たすと言える。
させない(劣化させない)ために好適である。もちろん、開示する発明の一態様がこれに
限定して解釈されるものではない。
クティブマトリクス基板を完成させることができる。例えば、これを用いてアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置を作製する場合には、アクティブマトリクス基板と、対向電極
が設けられた対向基板との間に液晶層を設け、アクティブマトリクス基板と対向基板とを
固定すれば良い。
形成する工程の前の熱処理と、絶縁層320を形成する工程の後の熱処理と、を併せて行
うことにより、優れた特性の半導体素子を提供することができる。これにより、優れた特
性の半導体素子を備えた半導体装置を提供することができる。
その他の構成を形成する場合について説明しているが、開示される発明はこれに限定され
ない。実施の形態1などに示す方法を用いても良い。なお、本実施の形態は、先の実施の
形態と適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部や駆動回路
に用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製する例について説明す
る。また、駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオ
ンパネルを形成することができる。
光素子(発光表示素子ともいう)などを用いることができる。発光素子は、電流または電
圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Ele
ctro Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど
、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用しても良い。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、表示装置を構成する素
子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を各画素部に備える。素子基板は、具体
的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導
電膜の成膜後、エッチング前の状態であっても良い。
装置含む)などを指す。また、FPC(Flexible printed circu
it)、TAB(Tape Automated Bonding)テープ、TCP(T
ape Carrier Package)などのコネクターが取り付けられたモジュー
ル、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、表示素子にC
OG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジ
ュールなども全て表示装置に含むものとする。
1上に形成された薄膜トランジスタ4010、薄膜トランジスタ4011および液晶素子
4013を、第2の基板4006とシール材4005によって封止した、パネルの平面図
および断面図である。ここで、図8(A1)および図8(A2)は平面図を示し、図8(
B)は、図8(A1)および図8(A2)のM−Nにおける断面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また、画素部4002と走査線駆動回
路4004の上に、第2の基板4006が設けられている。つまり、画素部4002と走
査線駆動回路4004は、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また、第1の基板4001上のシー
ル材4005によって囲まれる領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半
導体膜または多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
イヤボンディング法、TAB法などを適宜用いることができる。図8(A1)は、COG
法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図8(A2)は、TAB法により
信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図8(B)では、画素部4002に含まれる薄膜ト
ランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011を
例示している。薄膜トランジスタ4010、薄膜トランジスタ4011上には絶縁層40
20、絶縁層4021が設けられている。
したトランジスタなどを適用することができる。なお、本実施の形態において、薄膜トラ
ンジスタ4010、薄膜トランジスタ4011はnチャネル型薄膜トランジスタとした。
気的に接続されている。そして、液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板4
006上に形成されている。上記の画素電極層4030と対向電極層4031、液晶層4
008により、液晶素子4013が形成される。なお、画素電極層4030、対向電極層
4031には、それぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、絶縁層4033が設けら
れ、画素電極層4030および対向電極層4031は、これらを介して液晶層4008を
挟持している。
テンレス)、セラミックス、プラスチックなどを用いることができる。プラスチックとし
ては、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)基板
、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルム、アクリル樹脂フ
ィルムなどを用いることができる。また、アルミニウム箔をPVFフィルムやポリエステ
ルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
るために、柱状のスペーサ4035が設けられている。柱状のスペーサ4035は絶縁膜
を選択的にエッチングすることで得られる。なお、柱状のスペーサに代えて球状のスペー
サを用いていても良い。また、対向電極層4031は、薄膜トランジスタ4010と同一
基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続される。例えば、一対の基板間に配置され
る導電性粒子を介して、対向電極層4031と共通電位線とを電気的に接続することがで
きる。なお、導電性粒子はシール材4005に含有させると良い。
り、昇温によってコレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブル
ー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶
組成物を用いると良い。これにより、温度範囲を改善することができる。ブルー相を示す
液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答時間が10μs〜100μsと短く、光学
的等方性を有するため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい、といった特徴を有
している。
反射型液晶表示装置としても良いし、半透過型液晶表示装置としても良い。
側に着色層、表示素子に用いる電極層を順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設
けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光板や着
色層の材料、作製条件などに合わせて適宜変更することができる。また、ブラックマトリ
クスとして機能する遮光膜を設けてもよい。
で得られたトランジスタを絶縁層4021で覆う構成を採用している。絶縁層4021と
しては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱
性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(l
ow−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラ
ス)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させて
、絶縁層4021を形成してもよい。
−Si結合を含む樹脂に相当する。置換基としては、有機基(例えばアルキル基やアリー
ル基)やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有していても良い。
、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン
印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイ
フコーター等を用いることができる。
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛
酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用
いることができる。
いう)を含む導電性組成物を用いても良い。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、
シート抵抗が1.0×104Ω/sq.以下、波長550nmにおける透光率が70%以
上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率は0.1
Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
種信号は、FPC4018から供給されている。
電膜から形成され、端子電極4016は、薄膜トランジスタ4010、薄膜トランジスタ
4011のソース電極層およびドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
て電気的に接続されている。
装する例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路を別
途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを
別途形成して実装しても良い。
いて構成する一例を示している。
その間にTFT等を含む素子層2603、配向膜や液晶層を含む液晶層2604、着色層
2605、偏光板2606などが設けられることにより表示領域が形成されている。着色
層2605はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合には、赤、緑、青の
各色に対応した着色層が、各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対向
基板2601の外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されて
いる。また、光源は冷陰極管2610と反射板2611により構成されている。回路基板
2612は、フレキシブル配線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部26
08と接続され、これによって、コントロール回路や電源回路などの外部回路が液晶モジ
ュールに組みこまれる。また、偏光板と液晶層との間には、位相差板を設けても良い。
n−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi−domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、図10を参照して半導体装置の一例であるアクティブマトリクス型の
電子ペーパーについて説明する。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ650は、先
の実施の形態において示したトランジスタなどと同様に作製することができる。
ストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を第1の電極層及び第2の電
極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差を生じさせることによって、
球形粒子の向きを制御して、表示を行う方法である。
ンタクトホールを介して、第1の電極層660と電気的に接続している。基板602には
第2の電極層670が設けられており、第1の電極層660と第2の電極層670との間
には、黒色領域680a及び白色領域680bを有する球形粒子680が設けられている
。また、球形粒子680の周囲は樹脂等の充填材682で満たされている(図10参照)
。図10において、第1の電極層660が画素電極に相当し、第2の電極層670が共通
電極に相当する。第2の電極層670は、薄膜トランジスタ650と同一基板上に設けら
れる共通電位線と電気的に接続される。
えば、透明な液体と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直
径10μm〜200μm程度のマイクロカプセルを用いると良い。第1の電極層と第2の
電極層によって電場が与えられると、白い微粒子と黒い微粒子が互いに逆方向に移動し、
白または黒が表示される。電気泳動表示素子は液晶表示素子に比べて反射率が高いため、
補助ライトが不要であり、また、明るさが十分ではない場所であっても表示部を認識する
ことが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像
を保持することが可能であるという利点も有している。
、本実施の形態は、先の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、半導体装置の一例である発光表示装置について説明する。ここでは、
表示素子としてエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を用いる場合について示す
。なお、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物である
か、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機
EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより発光する。このようなメカニズムから、
該発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するもの(ドナ
ー−アクセプター再結合型発光)である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟
み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子
遷移を利用するもの(局在型発光)である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素
子を用いて説明する。
合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図11(A)、図11(B)、図1
1(C)の半導体装置に用いられるTFT701、TFT711、TFT721は、先の
実施の形態で示すトランジスタと同様に作製することができる。
。ここで、透明とは、少なくとも発光波長における透過率が十分に高いことを意味する。
光の取り出し方式としては、基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を形成し、該基板
とは反対側の面から光を取り出す上面射出方式(上面取り出し方式)や、基板側の面から
光を取り出す下面射出方式(下面取り出し方式)、基板側およびその反対側の面から光を
取り出す両面射出方式(両面取り出し方式)などがある。
の断面図を示している。ここでは、発光素子702の陰極703と駆動用TFTであるT
FT701が電気的に接続されており、陰極703上に発光層704、陽極705が順に
積層されている。陰極703としては、仕事関数が小さく、光を反射する導電膜を用いる
ことができる。例えば、Ca、Al、MgAg、AlLi等の材料を用いて陰極703を
形成することが望ましい。発光層704は、単層で構成されていても、複数の層が積層さ
れるように構成されていても良い。複数の層で構成されている場合、陰極703上に電子
注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層すると良いが、も
ちろん、これらの層を全て設ける必要はない。陽極705は光を透過する導電性材料を用
いて形成する。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを
含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むイン
ジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物
、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いれば
良い。
ができる。図11(A)に示した画素の場合、発光素子702から発せられる光は、矢印
で示すように陽極705側に射出される。
の断面図を示している。ここでは、駆動用のTFT711と電気的に接続された透光性を
有する導電膜717上に、発光素子712の陰極713が形成されており、陰極713上
に発光層714、陽極715が順に積層されている。なお、陽極715が透光性を有する
場合、該陽極715上を覆うように遮蔽膜716を設けても良い。陰極713は、図11
(A)の場合と同様に、仕事関数が小さい導電性材料を用いることができる。ただしその
膜厚は、光を透過する程度(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例えば20n
m程度の膜厚を有するアルミニウム膜を、陰極713として用いることができる。発光層
714は、図11(A)と同様に、単層で構成されていても、複数の層が積層されるよう
に構成されていても良い。陽極715は、光を透過する必要はないが、図11(A)と同
様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成しても良い。遮蔽膜716には、光を反射
する金属等を用いることができるが、これに限定されない。例えば、黒の顔料を添加した
樹脂等を用いることもできる。
ができる。図11(B)に示した画素の場合、発光素子712から発せられる光は、矢印
で示すように陰極713側に射出される。
7上に、発光素子722の陰極723が形成されており、陰極723上に発光層724、
陽極725が順に積層されている。陰極723は、図11(A)の場合と同様に、仕事関
数が小さい導電性材料を用いることができる。ただしその膜厚は、光を透過する程度とす
る。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極723として用いることができる。発光
層724は、図11(A)と同様に、単層で構成されていても、複数の層が積層されるよ
うに構成されていても良い。陽極725は、図11(A)と同様に、透光性を有する導電
性材料を用いて形成することができる。
とができる。図11(C)に示した画素の場合、発光素子722から発せられる光は、矢
印で示すように陽極725側と陰極723側の両方に射出される。
として無機EL素子を用いることも可能である。また、ここでは、発光素子の駆動を制御
する薄膜トランジスタ(駆動用TFT)と発光素子が電気的に接続されている例を示した
が、駆動用TFTと発光素子との間に電流制御用TFTなどが接続されていてもよい。
、各種の変形が可能である。
て説明する。図12は、第1の基板4501上に形成された薄膜トランジスタ4509、
薄膜トランジスタ4510および発光素子4511を、第2の基板4506とシール材4
505によって封止したパネルの平面図および断面図である。ここで、図12(A)は平
面図を示し、図12(B)は、図12(A)のH−Iにおける断面図に相当する。
3b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bを囲むようにして、シール
材4505が設けられている。また、画素部4502、信号線駆動回路4503a、信号
線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bの上に第
2の基板4506が設けられている。つまり、画素部4502、信号線駆動回路4503
a、信号線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504b
は、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506とによって、充填材4
507と共に密封されている。このように、気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム
(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材などを用いてパッケージ
ング(封入)することが好ましい。
信号線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bは、
薄膜トランジスタを複数有しており、図12(B)では、画素部4502に含まれる薄膜
トランジスタ4510と、信号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ450
9を例示している。
たトランジスタを適用することができる。なお、本実施の形態において、薄膜トランジス
タ4509、薄膜トランジスタ4510はnチャネル型の薄膜トランジスタである。
極層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気
的に接続されている。なお発光素子4511の構成は、第1の電極層4517、電界発光
層4512、第2の電極層4513の積層構造であるが、本実施の形態に示した構成に限
定されない。発光素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511
の構成は適宜変えることができる。
特に、感光性を有する材料を用いて第1の電極層4517上に開口部を形成し、その開口
部の側壁が、連続した曲率を持つ傾斜面となるようにすることが好ましい。
ていても良い。
4513および隔壁4520上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜
、窒化酸化珪素膜、DLC膜等を形成することができる。
a、走査線駆動回路4504b、画素部4502などに与えられる各種信号は、FPC4
518a、FPC4518bから供給されている。
と同じ導電膜から形成され、端子電極4516は、薄膜トランジスタ4509や薄膜トラ
ンジスタ4510のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜から形成される例につ
いて示している。
して電気的に接続されている。
ある。透光性を有する基板としては、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルム
、アクリルフィルムなどがある。
熱硬化樹脂などを用いることができる。例えば、PVC(ポリビニルクロライド)、アク
リル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)、E
VA(エチレンビニルアセテート)などを用いることができる。本実施の形態では、充填
材として窒素を用いる例について示している。
λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを設けてもよい。また、表面
には反射防止処理を施しても良い。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込み
を低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
査線駆動回路4504bは、別途用意された基板上の単結晶半導体膜または多結晶半導体
膜によって形成されていても良い。また、信号線駆動回路のみ、若しくはその一部、また
は走査線駆動回路のみ、若しくはその一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の
形態は図12の構成に限定されない。
施の形態は、先の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示
するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペー
パーを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレ
ジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を
図13、図14に示す。
の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、電子ペーパーを用いれ
ば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩れることなく安定した画像
が得られる。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構成としてもよい。
紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、電子ペーパーを用い
れば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えることができる。また表示も崩
れることなく安定した画像が得られる。なお、車内広告は無線で情報を送受信できる構成
としてもよい。
筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐
体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動
作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能
となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図14では表示部2705)に文章を表示し、左側の表示部
(図14では表示部2707)に画像を表示することができる。
701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている
。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や
側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSB
ケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成
としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成とし
てもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器
としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、
コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォト
フレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報
端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
00は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601
を支持した構成を示している。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示
部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
れており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には表示部
9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また、図
16(A)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部988
6、LEDランプ9890、入力手段(操作キー9885、接続端子9887、センサ9
888(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9889)等を備え
ている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも半導体装
置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる
。図16(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータ
を読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有
する機能を有する。なお、図16(A)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定さ
れず、様々な機能を有することができる。
マシン9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロット
マシン9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン
投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述の
ものに限定されず、少なくとも半導体装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が
適宜設けられた構成とすることができる。
1001に組み込まれた表示部1002の他、操作ボタン1003、外部接続ポート10
04、スピーカ1005、マイク1006などを備えている。
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表
示部1002を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部1002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
有する検出装置を設けることで、携帯電話機1000の向き(縦か横か)を判断して、表
示部1002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
、表示部9412、及び操作ボタン9413を含む表示装置9410と、筐体9401に
操作ボタン9402、外部入力端子9403、マイク9404、スピーカ9405、及び
着信時に発光する発光部9406を含む通信装置9400とを有しており、表示機能を有
する表示装置9410は電話機能を有する通信装置9400と矢印の2方向に脱着可能で
ある。よって、表示装置9410と通信装置9400の短軸同士を取り付けることも、表
示装置9410と通信装置9400の長軸同士を取り付けることもできる。また、表示機
能のみを必要とする場合、通信装置9400より表示装置9410を取り外し、表示装置
9410を単独で用いることもできる。通信装置9400と表示装置9410とは無線通
信又は有線通信により画像又は入力情報を授受することができ、それぞれ充電可能なバッ
テリーを有する。
合の効果を確認した。以下、図面を参照して説明する。
。すなわち、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電層を形成した後に、大気
雰囲気下で350℃、1時間の熱処理(第1の熱処理)を行い、また、画素電極等として
機能する導電層を形成した後に大気雰囲気下で350℃、1時間の熱処理(第2の熱処理
)を行ったサンプルを用いた。トランジスタの半導体層にはインジウム、ガリウムおよび
亜鉛を含む酸化物半導体材料を用いた。また、トランジスタのチャネル長は100μm、
チャネル幅は100μmであった。なお、二次イオン質量分析法(SIMS:Secon
dary Ion Mass Spectroscopy)で測定した結果、第2の熱処
理後の半導体層中の水素濃度は8.0×1020〜1.0×1021atoms/cm3
、窒素濃度は1.0×1019〜1.5×1019atoms/cm3であることが分か
った(図18参照)。なお、熱処理前後において、半導体層中の水素濃度および窒素濃度
に大きな変化はなかった。
リコン膜を適用した。より具体的には、ターゲットとしてSiO2を用いた二種類の層間
絶縁層を作製した。作製条件は、基板温度を100℃、アルゴンの流量を40sccm、
酸素の流量を10sccm(試料1)、または、アルゴンの流量を25sccm、酸素の
流量を25sccm(試料2)としてチャンバー内の圧力を0.4Paに保ち、成膜速度
が8.7nm/minとなる条件で絶縁層を形成した。二次イオン質量分析法によって測
定した結果、第2の熱処理後の絶縁層中の水素濃度は2.5×1020〜3.0×102
0atoms/cm3、窒素濃度は6.0×1017〜7.0×1017atoms/c
m3であることが分かった(図18参照)。なお、熱処理前後において、絶縁層中の水素
濃度および窒素濃度に大きな変化はなかった。
濃度のプロファイルを図19に示す。図19において、横軸は深さ(nm)を表しており
、縦軸は密度(atoms/cm3)を表している。また、図19において、実線は水素
濃度のプロファイルを、破線は窒素濃度のプロファイルを表している。
、ドレイン電流(Id)を表している。ここで、図20(A)はドレイン電圧(Vd)を
10Vとした場合の電流−電圧特性であり、図20(B)はドレイン電圧(Vd)を0.
1Vとした場合の電流−電圧特性である。図20では、電流−電圧特性に大きなばらつき
は無い。このことから、第1の熱処理と第2の熱処理を行う場合には、良好な特性のトラ
ンジスタが得られることが分かる。
た。図21には、第1の熱処理を行い、第2の熱処理を行わない場合のトランジスタの電
流−電圧特性を、図22には、第2の熱処理を行い、第1の熱処理を行わない場合のトラ
ンジスタの電流−電圧特性を、それぞれ示す。共に、横軸はゲート電圧(Vg)、縦軸は
、ドレイン電流(Id)を表している。また、図21(A)および図22(A)はドレイ
ン電圧(Vd)を10Vとした場合の電流−電圧特性であり、図21(B)および図22
(B)はドレイン電圧(Vd)を0.1Vとした場合の電流−電圧特性である。
られないことが分かる。特性のばらつきもきわめて大きい。図20と、図21または図2
2との比較から、第1の熱処理と第2の熱処理をあわせて行う場合には、トランジスタ特
性の飛躍的向上および特性ばらつきの低減が実現されることが分かる。
−電圧特性を調査した結果、第1の熱処理を行わずに第2の熱処理を行う場合でもっとも
良好な特性が得られることが分かった。この場合、半導体層中の水素濃度は1.0×10
21atoms/cm3、窒素濃度は1.5×1019〜2.0×1019atoms/
cm3であり、絶縁層中の水素濃度は2.0×1021atoms/cm3、窒素濃度は
6.0×1020〜1.5×1021atoms/cm3であった。
中の窒素濃度が半導体層中の窒素濃度より低い場合には、第1の熱処理と第2の熱処理を
併せて行うことが極めて有効であると解される。
査を行った結果を示す。
層間絶縁層の作製の際の酸素流量について調査した。成膜の際の流量以外の層間絶縁層の
条件(層間絶縁層のパラメータ、成膜条件等)は同じとした。具体的には、層間絶縁層と
して、SiO2ターゲットを用いたスパッタ法(RFスパッタ法)による300nmの厚
さの酸化シリコン膜を適用した。流量に関しては、成膜雰囲気のアルゴンの流量を40s
ccm、酸素の流量を10sccmとした条件(条件1)、アルゴンの流量を30scc
m、酸素の流量を20sccmとした条件(条件2)、または、アルゴンの流量を20s
ccm、酸素の流量を30sccmとした条件(条件3)の3条件について調査を行った
。なお、成膜の際の基板温度は100℃、チャンバー内の圧力は0.4Paであった。
様である。すなわち、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電層を形成した後
に、大気雰囲気下で350℃、1時間の熱処理(第1の熱処理)を行い、また、画素電極
等として機能する導電層を形成した後に大気雰囲気下で350℃、1時間の熱処理(第2
の熱処理)を行った。また、トランジスタの半導体層にはインジウム、ガリウムおよび亜
鉛を含む酸化物半導体材料を用いた。トランジスタのチャネル長は20μm、チャネル幅
は20μmであった。
d)特性を示す。3条件の比較から、酸素流量が小さくなるにつれて、ノーマリーオフの
傾向が強まっていることが分かる。ノーマリーオフのトランジスタ実現の点からは、アル
ゴンおよび酸素の流量の和に対して、酸素の流量が0.5(つまり、〈Ar+O2〉:O
2=1:0.5)以下となる条件を採用することが望ましい。
次に、層間絶縁層として機能する絶縁層の成膜の際の圧力について調査した。成膜の際の
圧力以外の層間絶縁層の条件(層間絶縁層のパラメータ、成膜条件等)は同じとした。具
体的には、SiO2ターゲットを用いたスパッタ法(RFスパッタ法)による300nm
の厚さの酸化シリコン膜を適用した。また、アルゴンと酸素の流量比を一定(Ar:O2
=4:1)に保ったまま、チャンバー内の圧力を0.2Pa、0.4Pa、0.8Pa、
1.6Paと変更した4条件につき調査を行った。なお、成膜の際の基板温度は100℃
であった。
際の酸素流量について>と同様であるから省略する。
d)特性を示す。4条件の比較から、圧力が小さくなるにつれて立ち上がりが急峻になる
(S値が小さくなる)傾向にあることが分かる。十分なS値を確保するという点からは、
成膜時の圧力は0.6Pa以下とすることが望ましい。
層間絶縁層の作製の際の基板温度について調査した。ここでは、層間絶縁層として、Si
O2ターゲットを用いたスパッタ法(RFスパッタ法)による300nmの厚さの酸化シ
リコン膜を適用した。層間絶縁層の作製条件について、チャンバー内の圧力は0.4Pa
、成膜雰囲気のアルゴンの流量を40sccm、酸素の流量を10sccmとした。成膜
の際の基板温度については、100℃、200℃、250℃と変更した3条件につき調査
した。
際の酸素流量について>と同様であるから省略する。
高くなるにつれて、特性のばらつきが増大する傾向にあることが分かった。特性のばらつ
き抑制という点からは、成膜時の基板温度は200℃以下とすることが望ましい。
層間絶縁層の作製の際のターゲットについて調査した。ここでは、層間絶縁層として、S
iO2ターゲットを用いたスパッタ法(RFスパッタ法)による300nmの厚さの酸化
シリコン膜、または、Siターゲットを用いたスパッタ法(RFスパッタ法)による30
0nmの厚さの酸化シリコン膜を適用した。
際の酸素流量について>と同様であるから省略する。
、層間絶縁層形成時の酸素流量の影響を大きく受けることが分かった。また、SiO2タ
ーゲットを用いる場合と比較して、Siターゲットを用いる場合には、特性ばらつきの影
響が大きい傾向にあった。これらは、雰囲気における酸素との反応により成膜が進行する
原理、および酸化シリコン膜とトランジスタの半導体層(酸化物半導体材料)との応力差
に起因するものと考察される。しきい値電圧(Vth)制御の点からは、SiO2ターゲ
ットを用いることが望ましい。
層間絶縁層の膜厚について調査した。膜厚以外の層間絶縁層の条件(層間絶縁層のパラメ
ータ、成膜条件等)は同じとした。具体的には、上記と同様、SiO2ターゲットを用い
たスパッタ法(RFスパッタ法)による300nmの厚さの酸化シリコン膜を適用した。
膜厚は、200nm、300nm、400nmの3条件とした。
層間絶縁層の膜厚は、適宜変更することが可能と言える。
102 導電層
104 レジストマスク
106 導電層
108 絶縁層
110 半導体層
112 レジストマスク
114 半導体層
116 導電層
118 レジストマスク
120 レジストマスク
122 導電層
124 導電層
126 絶縁層
128 導電層
150 トランジスタ
200 基板
202 導電層
204 レジストマスク
206 導電層
208 絶縁層
210 導電層
212 レジストマスク
214 レジストマスク
216 導電層
218 導電層
220 半導体層
222 レジストマスク
224 半導体層
226 絶縁層
228 導電層
250 トランジスタ
300 基板
302 ゲート電極
304 容量配線
306 端子
308 ゲート絶縁層
310 ソース電極
312 ドレイン電極
314 接続電極
316 端子
318 半導体層
320 絶縁層
322 透明導電層
324 透明導電層
326 透明導電層
350 トランジスタ
602 基板
650 薄膜トランジスタ
660 電極層
670 電極層
680 球形粒子
682 充填材
701 TFT
702 発光素子
703 陰極
704 発光層
705 陽極
711 TFT
712 発光素子
713 陰極
714 発光層
715 陽極
716 遮蔽膜
717 導電膜
721 TFT
722 発光素子
723 陰極
724 発光層
725 陽極
727 導電膜
1000 携帯電話機
1001 筐体
1002 表示部
1003 操作ボタン
1004 外部接続ポート
1005 スピーカ
1006 マイク
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 素子層
2604 液晶層
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2631 ポスター
2632 車内広告
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 スペーサ
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4503b 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4504b 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4512 電界発光層
4513 電極層
4515 接続端子電極
4516 端子電極
4517 電極層
4518a FPC
4518b FPC
4519 異方性導電膜
4520 隔壁
680a 黒色領域
680b 白色領域
9400 通信装置
9401 筐体
9402 操作ボタン
9403 外部入力端子
9404 マイク
9405 スピーカ
9406 発光部
9410 表示装置
9411 筐体
9412 表示部
9413 操作ボタン
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
9881 筐体
9882 表示部
9883 表示部
9884 スピーカ部
9885 操作キー
9886 記録媒体挿入部
9887 接続端子
9888 センサ
9889 マイクロフォン
9890 LEDランプ
9891 筐体
9893 連結部
9900 スロットマシン
9901 筐体
9903 表示部
Claims (2)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の絶縁層と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極に接する領域を有する第1の層と、前記第1の層上に位置し且つ前記酸化物半導体層と接する領域を有する第2の層と、を有し、
前記第1の層は、水素の濃度が、前記第2の層の水素の濃度より高い領域を有し、
前記酸化物半導体層は、水素の濃度が、前記絶縁層の水素の濃度より高い領域を有し、
前記酸化物半導体層は、水素の濃度が、前記第2の層の水素の濃度より高い領域を有し、
前記絶縁層は、酸化シリコンを有することを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の絶縁層と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極に接する領域を有する第1の層と、前記第1の層上に位置し且つ前記酸化物半導体層と接する領域を有する第2の層と、を有し、
前記第1の層は、水素の濃度が、前記第2の層の水素の濃度より高い領域を有し、
前記酸化物半導体層は、水素の濃度が、前記絶縁層の水素の濃度より高い領域を有し、
前記酸化物半導体層は、水素の濃度が、前記第2の層の水素の濃度より高い領域を有し、
前記酸化物半導体層は、水素の濃度が、窒素の濃度よりも高い領域を有し、
前記絶縁層は、水素の濃度が、窒素の濃度よりも高い領域を有し、
前記絶縁層は、酸化シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009058929 | 2009-03-12 | ||
JP2009058929 | 2009-03-12 | ||
JP2009131059 | 2009-05-29 | ||
JP2009131059 | 2009-05-29 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015175305A Division JP6226927B2 (ja) | 2009-03-12 | 2015-09-07 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018098879A Division JP6525426B2 (ja) | 2009-03-12 | 2018-05-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017220677A JP2017220677A (ja) | 2017-12-14 |
JP6345853B2 true JP6345853B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=42728225
Family Applications (12)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010048937A Expired - Fee Related JP5096511B2 (ja) | 2009-03-12 | 2010-03-05 | 半導体装置の作製方法 |
JP2012206923A Active JP5635050B2 (ja) | 2009-03-12 | 2012-09-20 | 半導体装置 |
JP2014210369A Withdrawn JP2015029146A (ja) | 2009-03-12 | 2014-10-15 | 半導体装置 |
JP2015175305A Active JP6226927B2 (ja) | 2009-03-12 | 2015-09-07 | 半導体装置 |
JP2017149564A Active JP6345853B2 (ja) | 2009-03-12 | 2017-08-02 | 半導体装置 |
JP2018098879A Active JP6525426B2 (ja) | 2009-03-12 | 2018-05-23 | 半導体装置 |
JP2019087004A Active JP6685450B2 (ja) | 2009-03-12 | 2019-04-29 | 半導体装置 |
JP2020063636A Active JP6738980B2 (ja) | 2009-03-12 | 2020-03-31 | 半導体装置 |
JP2020123773A Active JP6913215B2 (ja) | 2009-03-12 | 2020-07-20 | 半導体装置 |
JP2021113976A Active JP7108753B2 (ja) | 2009-03-12 | 2021-07-09 | 表示装置 |
JP2022113628A Active JP7335395B2 (ja) | 2009-03-12 | 2022-07-15 | 表示装置 |
JP2023132792A Pending JP2023160832A (ja) | 2009-03-12 | 2023-08-17 | 表示装置 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010048937A Expired - Fee Related JP5096511B2 (ja) | 2009-03-12 | 2010-03-05 | 半導体装置の作製方法 |
JP2012206923A Active JP5635050B2 (ja) | 2009-03-12 | 2012-09-20 | 半導体装置 |
JP2014210369A Withdrawn JP2015029146A (ja) | 2009-03-12 | 2014-10-15 | 半導体装置 |
JP2015175305A Active JP6226927B2 (ja) | 2009-03-12 | 2015-09-07 | 半導体装置 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018098879A Active JP6525426B2 (ja) | 2009-03-12 | 2018-05-23 | 半導体装置 |
JP2019087004A Active JP6685450B2 (ja) | 2009-03-12 | 2019-04-29 | 半導体装置 |
JP2020063636A Active JP6738980B2 (ja) | 2009-03-12 | 2020-03-31 | 半導体装置 |
JP2020123773A Active JP6913215B2 (ja) | 2009-03-12 | 2020-07-20 | 半導体装置 |
JP2021113976A Active JP7108753B2 (ja) | 2009-03-12 | 2021-07-09 | 表示装置 |
JP2022113628A Active JP7335395B2 (ja) | 2009-03-12 | 2022-07-15 | 表示装置 |
JP2023132792A Pending JP2023160832A (ja) | 2009-03-12 | 2023-08-17 | 表示装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8993386B2 (ja) |
EP (1) | EP2406826B1 (ja) |
JP (12) | JP5096511B2 (ja) |
KR (7) | KR101906751B1 (ja) |
CN (1) | CN102349158B (ja) |
TW (1) | TWI525707B (ja) |
WO (1) | WO2010103935A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090202935A1 (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-13 | Yoshihiro Moriya | Carrier, two-component developer containing carrier and toner, and image forming method |
KR101906751B1 (ko) | 2009-03-12 | 2018-10-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI556323B (zh) | 2009-03-13 | 2016-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法 |
KR101809759B1 (ko) * | 2009-09-24 | 2018-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
WO2011145484A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8441010B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20120001179A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102143469B1 (ko) * | 2010-07-27 | 2020-08-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
TWI535032B (zh) | 2011-01-12 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US8912080B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of the semiconductor device |
JP5888990B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8536571B2 (en) * | 2011-01-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
WO2012096208A1 (ja) * | 2011-01-13 | 2012-07-19 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
KR101832361B1 (ko) * | 2011-01-19 | 2018-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP5766467B2 (ja) | 2011-03-02 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置 |
TWI541904B (zh) | 2011-03-11 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US9012904B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9219159B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
TWI545652B (zh) | 2011-03-25 | 2016-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8956944B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9960278B2 (en) | 2011-04-06 | 2018-05-01 | Yuhei Sato | Manufacturing method of semiconductor device |
US9478668B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US20120298998A1 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2013201201A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイ製造方法、画像表示装置 |
US10134852B2 (en) | 2012-06-29 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014042004A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP2015005672A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 出光興産株式会社 | 酸化物トランジスタ |
US9443987B2 (en) | 2013-08-23 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102210672B1 (ko) * | 2013-11-15 | 2021-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 소자의 제조 방법 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
US20150155313A1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2016001712A (ja) * | 2013-11-29 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9991392B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6537264B2 (ja) * | 2013-12-12 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102226601B1 (ko) * | 2014-12-02 | 2021-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널 및 그 제조방법 |
JP6539123B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-07-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法ならびにカメラ |
KR101753974B1 (ko) | 2015-08-26 | 2017-07-19 | 충북대학교 산학협력단 | 프리어닐링 공정을 이용한 산화물 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US10205008B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP7126823B2 (ja) | 2016-12-23 | 2022-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN110892504B (zh) * | 2017-07-06 | 2023-10-13 | 应用材料公司 | 形成多个沉积半导体层的堆叠结构的方法 |
CN114038759B (zh) * | 2021-09-30 | 2022-09-27 | 惠科股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管的制备方法 |
Family Cites Families (196)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59181573A (ja) | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Citizen Watch Co Ltd | アクテイブ基板形成法 |
JPS60170972A (ja) | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Sony Corp | 薄膜半導体装置 |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS60170972U (ja) | 1984-04-20 | 1985-11-13 | 住友電装株式会社 | クランプ |
JPS63104379A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜半導体装置 |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP2844342B2 (ja) | 1989-02-28 | 1999-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
FR2647785B1 (fr) | 1989-05-31 | 1991-09-06 | Adir | Nouveaux derives de la pyrrolidone, leur procede de preparation et les compositions pharmaceutiques les renfermant |
DE69107101T2 (de) | 1990-02-06 | 1995-05-24 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Herstellen eines Oxydfilms. |
JP2585118B2 (ja) | 1990-02-06 | 1997-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
JPH0449674A (ja) | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ |
US5849601A (en) | 1990-12-25 | 1998-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
JPH04302435A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
GB9206086D0 (en) | 1992-03-20 | 1992-05-06 | Philips Electronics Uk Ltd | Manufacturing electronic devices comprising,e.g.tfts and mims |
JP3173854B2 (ja) | 1992-03-25 | 2001-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及び作成された半導体装置 |
US5334855A (en) * | 1992-08-24 | 1994-08-02 | Motorola, Inc. | Diamond/phosphor polycrystalline led and display |
JP3338481B2 (ja) | 1992-09-08 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3173926B2 (ja) | 1993-08-12 | 2001-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置 |
US5840600A (en) | 1994-08-31 | 1998-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device and apparatus for treating semiconductor device |
JP3359794B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2002-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP2780673B2 (ja) * | 1995-06-13 | 1998-07-30 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
US5817548A (en) | 1995-11-10 | 1998-10-06 | Sony Corporation | Method for fabricating thin film transistor device |
TW439003B (en) | 1995-11-17 | 2001-06-07 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
US5847410A (en) | 1995-11-24 | 1998-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Semiconductor electro-optical device |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
TW367612B (en) | 1996-12-26 | 1999-08-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device having nonvolatile memory and method of manufacture thereof |
JP4149013B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2008-09-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6674136B1 (en) | 1999-03-04 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having driver circuit and pixel section provided over same substrate |
JP2000330134A (ja) | 1999-03-16 | 2000-11-30 | Furontekku:Kk | 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
KR100661825B1 (ko) | 1999-12-28 | 2006-12-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
JP2001257350A (ja) | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3719939B2 (ja) | 2000-06-02 | 2005-11-24 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置 |
JP4777500B2 (ja) | 2000-06-19 | 2011-09-21 | 三菱電機株式会社 | アレイ基板およびそれを用いた表示装置ならびにアレイ基板の製造方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
US6757031B2 (en) | 2001-02-09 | 2004-06-29 | Prime View International Co., Ltd. | Metal contact structure and method for thin film transistor array in liquid crystal display |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2002373867A (ja) | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体素子用導電性薄膜、半導体素子及びそれらの製造方法 |
JP4785300B2 (ja) | 2001-09-07 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気泳動型表示装置、表示装置、及び電子機器 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2003179233A (ja) | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US6885146B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
KR100991305B1 (ko) | 2002-04-19 | 2010-11-01 | 마크스 가부시기가이샤 | 전동스테이플러 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US7002176B2 (en) | 2002-05-31 | 2006-02-21 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical organic transistor |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US6858464B2 (en) * | 2002-06-19 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
JP4627961B2 (ja) | 2002-09-20 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP2003248240A (ja) | 2002-12-16 | 2003-09-05 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
CN1806322A (zh) * | 2003-06-20 | 2006-07-19 | 夏普株式会社 | 半导体装置及其制造方法以及电子设备 |
CN100474084C (zh) | 2003-07-14 | 2009-04-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器件 |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
TWI230462B (en) | 2003-09-15 | 2005-04-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Thin film transistor structure with self-aligned intra-gate |
JP4671665B2 (ja) | 2003-11-14 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7439086B2 (en) | 2003-11-14 | 2008-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display device |
US7371625B2 (en) * | 2004-02-13 | 2008-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
JP2005285975A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器 |
KR100603835B1 (ko) | 2004-05-24 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP4754918B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CN101057338B (zh) | 2004-11-10 | 2011-03-16 | 佳能株式会社 | 采用无定形氧化物的场效应晶体管 |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP4597805B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2010-12-15 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4873528B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2012-02-08 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5078246B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5427340B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2014-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2007115808A (ja) | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Toppan Printing Co Ltd | トランジスタ |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101103374B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
JP5099740B2 (ja) | 2005-12-19 | 2012-12-19 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ |
KR101229280B1 (ko) | 2005-12-28 | 2013-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 패널 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
JP5015471B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
JP5015472B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5110803B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
JP5135709B2 (ja) | 2006-04-28 | 2013-02-06 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
CN102332471B (zh) | 2006-05-26 | 2015-10-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
JP5235333B2 (ja) | 2006-05-26 | 2013-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2009528670A (ja) | 2006-06-02 | 2009-08-06 | 財団法人高知県産業振興センター | 半導体機器及びその製法 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP5116290B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP5105842B2 (ja) | 2006-12-05 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
WO2008069255A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus |
JP5305630B2 (ja) | 2006-12-05 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法 |
KR101146574B1 (ko) | 2006-12-05 | 2012-05-16 | 캐논 가부시끼가이샤 | 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치 |
KR101363555B1 (ko) * | 2006-12-14 | 2014-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US7875559B2 (en) | 2007-01-09 | 2011-01-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of manufacturing P-type ZnO semiconductor layer using atomic layer deposition and thin film transistor including the P-type ZnO semiconductor layer |
JP5365007B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2013-12-11 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP4662075B2 (ja) | 2007-02-02 | 2011-03-30 | 株式会社ブリヂストン | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR101312259B1 (ko) | 2007-02-09 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR100858088B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP5121254B2 (ja) | 2007-02-28 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP5197058B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 発光装置とその作製方法 |
WO2008126879A1 (en) | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and production method thereof |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
JP5215589B2 (ja) | 2007-05-11 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置 |
JP5261979B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2013-08-14 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5339772B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2013-11-13 | 富士フイルム株式会社 | 電子ディスプレイ |
KR101603180B1 (ko) * | 2007-08-02 | 2016-03-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 박막 반도체 물질들을 이용하는 박막 트랜지스터들 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
KR101412761B1 (ko) * | 2008-01-18 | 2014-07-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
US8258511B2 (en) * | 2008-07-02 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistors using multiple active channel layers |
TWI413260B (zh) | 2008-07-31 | 2013-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI491048B (zh) | 2008-07-31 | 2015-07-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
US9666719B2 (en) | 2008-07-31 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2010056541A (ja) | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP5608347B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US8129718B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR102246123B1 (ko) | 2008-09-19 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR101906751B1 (ko) | 2009-03-12 | 2018-10-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI556323B (zh) | 2009-03-13 | 2016-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法 |
JP5663214B2 (ja) | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2010
- 2010-02-19 KR KR1020177014207A patent/KR101906751B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-19 KR KR1020217041685A patent/KR102391280B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-19 CN CN201080011089.1A patent/CN102349158B/zh active Active
- 2010-02-19 KR KR1020207001350A patent/KR102159147B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-19 KR KR1020207036603A patent/KR102342672B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-19 EP EP10750689.1A patent/EP2406826B1/en active Active
- 2010-02-19 WO PCT/JP2010/053015 patent/WO2010103935A1/en active Application Filing
- 2010-02-19 KR KR1020117023866A patent/KR101743164B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-19 KR KR1020187028276A patent/KR102068632B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-19 KR KR1020207026852A patent/KR102195170B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-05 JP JP2010048937A patent/JP5096511B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-08 TW TW099106624A patent/TWI525707B/zh active
- 2010-03-09 US US12/720,089 patent/US8993386B2/en active Active
-
2012
- 2012-09-20 JP JP2012206923A patent/JP5635050B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-15 JP JP2014210369A patent/JP2015029146A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-03-24 US US14/666,753 patent/US9768281B2/en active Active
- 2015-09-07 JP JP2015175305A patent/JP6226927B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-02 JP JP2017149564A patent/JP6345853B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-23 JP JP2018098879A patent/JP6525426B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-29 JP JP2019087004A patent/JP6685450B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-31 JP JP2020063636A patent/JP6738980B2/ja active Active
- 2020-07-20 JP JP2020123773A patent/JP6913215B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-09 JP JP2021113976A patent/JP7108753B2/ja active Active
-
2022
- 2022-07-15 JP JP2022113628A patent/JP7335395B2/ja active Active
-
2023
- 2023-08-17 JP JP2023132792A patent/JP2023160832A/ja active Pending
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6738980B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5903144B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP6243478B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5719949B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171010 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6345853 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |