JP6335496B2 - アレイ基板及びその製造方法、ディスプレイ - Google Patents
アレイ基板及びその製造方法、ディスプレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6335496B2 JP6335496B2 JP2013255189A JP2013255189A JP6335496B2 JP 6335496 B2 JP6335496 B2 JP 6335496B2 JP 2013255189 A JP2013255189 A JP 2013255189A JP 2013255189 A JP2013255189 A JP 2013255189A JP 6335496 B2 JP6335496 B2 JP 6335496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- array substrate
- thin film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 70
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 36
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
2、2’ ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 第1の活性層
4’ 第2の活性層
5 絶縁層
6 第1のソース・ドレイン電極層
6’ 第2のソース・ドレイン電極層
7 パッシベーション層
8 半透過層
9 カラーフィルタ
10 樹脂層
11 第1の電極
12 画素画成層
13 発光層
14 第2の電極
101 陰極
102 有機発光層
103 陽極
103’ 半透過層
A 表示領域
Claims (15)
- 基板上にある複数の画素ユニットを有するアレイ基板であって、
画素ユニット毎は、薄膜トランジスタ領域及び薄膜トランジスタ領域以外の表示領域を備え、
薄膜トランジスタ構造は、薄膜トランジスタ領域に形成され、前記薄膜トランジスタ構造に駆動される有機発光ダイオードは、前記表示領域に位置され、
前記有機発光ダイオードは、基板から離れる方向に沿って、透明の第1の電極、発光層、光線を反射する第2の電極を順に備え、
半透過層は、前記表示領域に形成され、
カラーフィルタは、前記表示領域に形成され、且つ前記有機発光ダイオードの第2の電極と前記半透過層との間に位置し、
前記有機発光ダイオードの第2の電極及び前記半透過層は、マイクロキャビティ構造を形成し、異なる色の画素ユニットにおけるカラーフィルタが異なる厚みを有し、
前記薄膜トランジスタ構造は、基板上に形成される第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、前記第1のゲート電極及び第2のゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成される第1の活性層及び第2の活性層と、前記第1の活性層及び第2の活性層上に形成される絶縁層と、絶縁層上に形成され、且つ第1の活性層に対応する第1のソース電極及び第1のドレイン電極と、絶縁層上に形成され、且つ第2の活性層に対応する第2のソース電極及び第2のドレイン電極とを備え、
前記半透過層は、薄膜トランジスタ構造の第1のソース電極、第1のドレイン電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極の下方にさらに形成され、且つ前記半透過層のパターンは、前記第1のソース電極、第1のドレイン電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極のパターンと一致することを特徴とするアレイ基板。 - 前記第1のゲート電極、ゲート絶縁層、第1の活性層、絶縁層、第1のソース電極及び第1のドレイン電極は、スイッチング薄膜トランジスタを形成し、前記第2のゲート電極、ゲート絶縁層、第2の活性層、絶縁層、第2のソース電極及び第2のドレイン電極は、駆動薄膜トランジスタを形成し、
前記第1のドレイン電極は前記第2のゲート電極に接続され、前記駆動薄膜トランジスタの第2のドレイン電極は、前記有機発光ダイオードの第1の電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。 - 前記薄膜トランジスタ構造上に、パッシベーション層がさらに形成され、且つ前記パッシベーション層も前記表示領域に形成され、前記有機発光ダイオードは、前記パッシベーション層の上方に形成され、前記第1の電極は、前記パッシベーション層のビアホールを介して第2のドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項2に記載のアレイ基板。
- 前記絶縁層も前記表示領域に形成され、前記半透過層は前記絶縁層とパッシベーション層との間に形成されることを特徴とする請求項3に記載のアレイ基板。
- 前記カラーフィルタは前記パッシベーション層上に形成され、前記有機発光ダイオードの第1の電極は前記カラーフィルタの上方に位置することを特徴とする請求項3に記載のアレイ基板。
- 前記カラーフィルタの上方に樹脂層がさらに形成され、前記有機発光ダイオードの第1の電極は、前記樹脂層上に位置し、前記第1の電極は、樹脂層及びパッシベーション層を貫通するビアホールを介して前記第2のドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項5に記載のアレイ基板。
- 前記画素ユニットは、前記第1の電極上に位置する画素画成層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記半透過層は、銀、アルミニウム、モリブデン、銅、チタン及びクロムの中の何れか1つの金属、或いは、これらの中で何れか2つ以上の金属の合金からなり、且つ透過率が5%〜95%であることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記半透過層の厚みは10Å〜200Åであることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記カラーフィルタの厚みは1000Å〜40000Åであることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 異なる色の画素ユニットのカラーフィルタは、赤、緑、青であり、又は赤、緑、青、黄であり、又は赤、緑、青、白であることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記第1の電極は陽極であり、前記第2の電極は陰極であることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記第1の電極は陰極であり、前記第2の電極は陽極であることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記第2の電極は反射材料で形成され、或いは、前記第2の電極上に反射層が塗布されることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 請求項1に記載のアレイ基板を備えることを特徴とするディスプレイ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210537562.0 | 2012-12-12 | ||
CN201210537562.0A CN103000662B (zh) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014120476A JP2014120476A (ja) | 2014-06-30 |
JP6335496B2 true JP6335496B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=47929032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013255189A Active JP6335496B2 (ja) | 2012-12-12 | 2013-12-10 | アレイ基板及びその製造方法、ディスプレイ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9196660B2 (ja) |
EP (1) | EP2744007B1 (ja) |
JP (1) | JP6335496B2 (ja) |
KR (1) | KR101572519B1 (ja) |
CN (1) | CN103000662B (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102310902B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2021-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN104485429B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-08-08 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种具有光学谐振层的oled器件及其制备方法、显示器 |
CN104716167B (zh) | 2015-04-13 | 2017-07-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 |
KR102618593B1 (ko) | 2015-12-29 | 2023-12-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6731748B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2020-07-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102530166B1 (ko) * | 2016-05-13 | 2023-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자 |
CN106384741B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-07-19 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示装置及其制作方法 |
FR3057995B1 (fr) * | 2016-10-21 | 2019-03-29 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif d'affichage et procede de fabrication d'un tel dispositif |
US10560432B1 (en) * | 2017-06-09 | 2020-02-11 | Amazon Technologies, Inc. | Centralized management of remote endpoint devices |
GB201710542D0 (en) * | 2017-06-30 | 2017-08-16 | Sumitomo Chemical Co | White organic light emitting device |
CN107394049A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-11-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种白光oled器件 |
CN107785405B (zh) * | 2017-10-31 | 2020-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
KR102468318B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로 캐비티 구조를 갖는 고 개구율 마이크로 표시장치 |
CN108346675B (zh) * | 2017-12-28 | 2024-06-25 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 发光二极管led或激光二极管ld阵列器件及其制备方法 |
CN108682681B (zh) * | 2018-05-25 | 2021-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示器件 |
US11211587B2 (en) * | 2018-07-30 | 2021-12-28 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with structured electrode |
KR102043413B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2019-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
CN109300945B (zh) | 2018-09-27 | 2020-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制作方法、显示面板 |
CN110085775A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
US20220352481A1 (en) * | 2019-10-08 | 2022-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
CN110767841B (zh) * | 2019-10-31 | 2024-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN111029347B (zh) * | 2019-11-27 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制作方法及oled背板 |
US11984541B2 (en) | 2020-04-14 | 2024-05-14 | Raysolve Optoelectronics (Suzhou) Company Limited | Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same |
CN112310324A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示用基板及其制备方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6515428B1 (en) * | 2000-11-24 | 2003-02-04 | Industrial Technology Research Institute | Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method |
TWI228384B (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-21 | Ind Tech Res Inst | Active matrix organic light emitting diode |
TWI272039B (en) | 2004-06-18 | 2007-01-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence panel |
JP4731211B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2011-07-20 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンスパネル |
KR100656496B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2006-12-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀 칼라 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
JP4744862B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-08-10 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2006284611A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Alps Electric Co Ltd | 半透過型液晶表示パネル及びカラー液晶表示装置 |
CN100477276C (zh) * | 2005-07-05 | 2009-04-08 | 财团法人工业技术研究院 | 驱动有机发光二极管的薄膜晶体管及其制造方法 |
CN100585869C (zh) * | 2006-03-27 | 2010-01-27 | 财团法人工业技术研究院 | 有机发光二极管整合彩色滤光片接触电阻的结构及方法 |
KR20080047782A (ko) | 2006-11-27 | 2008-05-30 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
US8076838B2 (en) * | 2007-10-31 | 2011-12-13 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
JP2009205928A (ja) | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 微小共振器色変換el素子およびそれを用いた有機elディスプレイ |
KR101448003B1 (ko) | 2008-04-04 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101469031B1 (ko) | 2008-04-16 | 2014-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2009259731A (ja) | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
JP2010010020A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Seiko Epson Corp | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
JP5117326B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-01-16 | 富士フイルム株式会社 | カラー表示装置及びその製造方法 |
KR20100030865A (ko) | 2008-09-11 | 2010-03-19 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP5170020B2 (ja) * | 2008-10-03 | 2013-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置及び電子機器 |
JP2010287543A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びそれらの製造方法 |
KR101108158B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
JP5445364B2 (ja) | 2010-07-09 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、有機el装置の製造方法、ならびに電子機器 |
-
2012
- 2012-12-12 CN CN201210537562.0A patent/CN103000662B/zh active Active
-
2013
- 2013-12-04 EP EP13195595.7A patent/EP2744007B1/en active Active
- 2013-12-05 US US14/097,477 patent/US9196660B2/en active Active
- 2013-12-10 KR KR1020130153034A patent/KR101572519B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-10 JP JP2013255189A patent/JP6335496B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101572519B1 (ko) | 2015-11-27 |
US20140159007A1 (en) | 2014-06-12 |
EP2744007B1 (en) | 2021-04-14 |
CN103000662B (zh) | 2014-06-18 |
EP2744007A1 (en) | 2014-06-18 |
JP2014120476A (ja) | 2014-06-30 |
KR20140077111A (ko) | 2014-06-23 |
US9196660B2 (en) | 2015-11-24 |
CN103000662A (zh) | 2013-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6335496B2 (ja) | アレイ基板及びその製造方法、ディスプレイ | |
US9425245B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same, display device | |
US9246136B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof | |
US9166204B2 (en) | Organic light-emitting diode and method of fabricating the same | |
US10079358B2 (en) | Array substrate, method for manufacturing the same, and display device | |
US9269925B2 (en) | Array substrate including wavy transflective layer | |
TWI601283B (zh) | Display device | |
KR101990312B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
TWI500146B (zh) | 電激發光顯示面板之畫素結構 | |
KR20140089260A (ko) | 유기 발광 다이오드 마이크로-캐비티 구조 및 그 제조 방법 | |
JP2010251156A (ja) | カラー有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
JP2013073884A (ja) | 有機el表示装置 | |
US9899455B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP6731748B2 (ja) | 表示装置 | |
WO2017113743A1 (zh) | 有机电致发光显示装置及其制备方法 | |
KR101993430B1 (ko) | 마이크로 캐비티 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
CN108493210B (zh) | 一种有机发光显示面板及其有机发光显示装置 | |
TWI489625B (zh) | 有機發光顯示面板及其製作方法 | |
KR102089248B1 (ko) | 유기발광다이오드소자 및 그의 제조방법 | |
WO2021249312A1 (zh) | 显示面板、透明显示面板及其制作方法 | |
CN105514137B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
JP2020080299A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180501 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6335496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |