JP6320713B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、樹脂基板に薄膜トランジスタを形成した表示パネルを有する表示装置及びその製造方法に関し、特に、樹脂基板を挟んで互いに反対側に設けた薄膜トランジスタと電子部品とを接続する技術に関する。

携帯電話機、テレビ、携帯情報端末、デジタルカメラ、マルチメディアプレーヤ、モニターなど、種々な情報機器の表示装置として、液晶表示パネルや有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示パネルなどの表示パネルが利用されている。

このような表示パネルを用いた表示装置では、プラスチック等のフレキシブルな樹脂基板に液晶素子や有機ＥＬ素子等の表示素子を設けたフレキシブルディスプレイが開発されている。フレキシブルディスプレイは、非常に薄くて軽いものとすることができ、しかも可撓性を有することから、外部から応力が加わっても破損しにくいとう利点があり、例えば円柱状の柱に設置して曲面を保ったまま動画や画像を表示させる使用や、筒状に巻いて保管や持ち運びができるロールアップスクリーンとしての使用が期待されている。

また、このような表示パネルには、表示素子をスイッチングするための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられており、この薄膜トランジスタを制御するために種々な電子部品が設けられている。
電子部品は、例えば、フレキシブル樹脂基板に、直接的に半導体チップを設けたものや、回路基板上に半導体チップを設けたもの等、表示パネルの設計に応じて種々なものが採用される。

近年、電子部品としてフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）が多く用いられており、ＦＰＣの可撓性を利用して限られたスペースに電子部品を配置することができるようにしている。
図１には、従来例に係る表示パネルの概略構成を示してある。この表示パネルは、概略、ＴＦＴ１が設けられた基板２と、カラーフィルタ３が設けられた基板４とを重合させ、ＴＦＴ１に接続するＦＰＣ５の端部を基板２に取付けて、ＦＰＣ５を基板２の背面側へ折り曲げて配置している。

このようにＦＰＣ５を用いると、ＴＦＴ１に接続した状態の電子部品をＴＦＴ１とは反対側の基板２の背面側に配置することができ、表示パネルをその表示面と平行なサイズを抑えたコンパクトなものとすることができる。
しかしながら、このようにＦＰＣを折り曲げて配置すると、ＦＰＣ５とＴＦＴ１との接続部に曲げ応力がかかって配線の断裂等が生じやすいという懸念があった。

また、表示面と平行なサイズを抑えることができるといっても、ＦＰＣの折り曲げ部分は表示パネルの表示面からはみ出すため、この折り曲げ部分でデッドスペースが生じて十分なコンパクト化が実現できなかった。
更には、特に、フレキシブル樹脂基板を用いたフレキシブルディスプレイにおいては、上記懸念に加えて、曲げ応力によってディスプレイ（表示パネル）自体に曲げが生じて、表示性能にも悪影響を及ぼす懸念があった。

特許文献１には、ＴＦＴが設けられたＴＦＴガラス基板と対向ガラス基板とで液晶を挟んだ表示装置において、対向ガラス基板に貫通孔を設けて、対向ガラス基板上に設けた回路部を貫通孔を通してＴＦＴに接続する発明が記載されている。

特開２００７−１１０３０号公報

本発明は、上記従来の事情に鑑みなされたものであり、フレキシブルな樹脂基板を用いた表示パネルを有する表示装置において、電子部品の配置に伴う応力の発生やデッドスペースの発生を防止することができ、しかも、表示パネルの表示性能への悪影響も防止することができる表示装置及びその製造方法を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために、本発明の表示装置及びその製造方法は、以下のような技術的特徴を有している。
（１）貫通する孔が設けられたフレキシブルな樹脂基板と、前記樹脂基板の一方の面側に設けられた薄膜トランジスタと、前記樹脂基板の他方の面側に設けられた電子部品と、を有し、前記孔の内部に導電体を設けて、前記薄膜トランジスタと電子部品とを当該導電体を介して接続すると共に、前記導電体が、前記薄膜トランジスタを構成する金属層と同じ金属層で形成されていることを特徴とする表示装置。

（２）（１）の表示装置において、前記導電体は、前記孔の内周面に設けられた金属層であることを特徴とする。

（３）（２）の表示装置において、前記金属層は、前記孔の端部から前記孔の外側に位置する周縁部へ延びる延在部を有し、当該延在部で前記薄膜トランジスタに接続されていることを特徴とする。

（４）（２）又は（３）の表示装置において、前記金属層は、前記樹脂基板に下地層を介して設けられていることを特徴とする。

（５）（２）乃至（４）のいずれかの表示装置において、内周面に金属層が設けられた前記孔には、導電性樹脂が充填されていることを特徴とする。

（６）（１）乃至（５）のいずれかの表示装置において、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、或いは液晶表示装置であることを特徴とする。

（７）（１）乃至（６）のいずれかの表示装置において、前記電子部品は、フレキシブル配線基板、ドライバＩＣ、プリント回路基板の何れかであることを特徴とする。

（８）フレキシブルな樹脂基板に孔を貫通させて形成する工程と、前記樹脂基板の一方の面側に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタが形成された樹脂基板の他方の面側に電子部品を設ける工程と、を有し、前記薄膜トランジスタを形成する工程では、当該薄膜トランジスタを構成する金属層の形成と共に前記孔の内周面に金属層を設け、前記電子部品を設ける工程では、当該電子部品と前記薄膜トランジスタとを前記孔の金属層を介して接続することを特徴とする表示装置の製造方法。

（９）（８）の表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタを形成する工程では、前記金属層を前記孔の内周面から当該孔の外側に位置する周縁部まで延在して設け、前記金属層の前記周縁部に位置する部分と前記薄膜トランジスタとを接続する工程を有することを特徴とする。

（１０）（８）又は（９）に記載の表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタを形成する工程では、前記樹脂基板の一方の面側に下地層を設け、前記金属層を当該下地層を介して前記樹脂基板に設けることを特徴とする。

（１１）（８）乃至（１０）のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、表示パネルは有機エレクトロルミネッセンス表示パネルであり、前記薄膜トランジスタが形成された樹脂基板の一方の面に、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス積層構造を形成する工程を有することを特徴とする。

（１２）（８）乃至（１０）のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、表示パネルは液晶表示パネルであり、前記薄膜トランジスタが形成された樹脂基板の一方の面と、他の樹脂基板との間に液晶層を封入する工程を有することを特徴とする。

本発明によると、フレキシブルな樹脂基板を用いた表示パネルを有する表示装置において、電子部品の配置に伴う応力の発生やデッドスペースの発生を防止でき、しかも、表示装置の表示性能への悪影響も防止することができ、表示装置の信頼性向上及びコンパクト化を実現することができる。

従来の表示パネルの一例を示す概略側面図である。 本発明の一例に係る表示パネルを説明する概略側面図であり、（ａ）はトップエミッション型の表示パネルの一例、（ｂ）はボトムエミッション型の表示パネルの一例である。 本発明の一例に係る表示パネルの製造方法の概略を説明する図である。 本発明の一例に係る液晶表示パネルの製造工程の詳細を説明する図である。 本発明の一例に係る液晶表示パネルの製造工程の詳細を説明する図である。 本発明の一例に係る液晶表示パネルの製造工程の詳細を説明する図である。 本発明の一例に係る液晶表示パネルの製造工程の詳細を説明する図である。 本発明の一例に係る液晶表示パネルの製造工程の詳細を説明する図である。 本発明の一例に係る液晶表示パネルの製造工程の詳細を説明する図である。 本発明の一例に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程の詳細を説明する図である。 本発明の一例に係る有機ＥＬ表示パネルの製造工程の詳細を説明する図である。 本発明に係る孔内部の導電体の態様例を示す図である。

まず、本発明の実施例に係る表示パネルの主要な特徴を説明する。
図２（ａ）はトップエミッション型の表示パネルの概要を示し、図２（ｂ）はボトムエミッション型の表示パネルの概要を示している。
図２に示すように、表示パネルは、貫通する孔Ｈが設けられたフレキシブルな樹脂基板ＳＵＢ１（ＳＵＢ２）と、樹脂基板ＳＵＢ１（ＳＵＢ２）の一方の面側に設けられた薄膜トランジスタＴＦＴと、樹脂基板ＳＵＢ１（ＳＵＢ２）の他方の面側に設けられた電子部品ＦＰＣと、を有し、孔Ｈの内部に導電体Ｅを設けて、薄膜トランジスタＴＦＴと電子部品ＦＰＣとを当該導電体Ｅを介して接続したことを特徴とする。
なお、図２中のＣＦはカラーフィルタ（あるいはバリア層）である。

このように孔Ｈの内部に設けた導電体Ｅを介して、電子部品であるフレキシブル配線基板ＦＰＣを薄膜トランジスタＴＦＴと接続した構成とすることで、フレキシブル配線基板ＦＰＣを折り曲げることなく配置することができる。このため、フレキシブル配線基板ＦＰＣの折り曲げるによる配線の断裂やデッドスペースの発生を防止することができる。しかも、フレキシブル配線基板ＦＰＣの折り曲げるによる応力でフレキシブルな表示パネル自体が曲げ変形を受けてしまうことも防止することができる。

次に、本発明の実施例に係る表示パネルの製造方法について、その主要な特徴を説明する。
図２（ａ）に示したトップエミッション型のフレキシブル表示パネルの製造方法について、図３（ａ）乃至（ｆ）にその概要を順次示してある。

まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基材Ｇ１上にポリイミドなどの有機膜層ＳＵＢ１を形成して、この有機膜層によって、フレキシブルな樹脂基板ＳＵＢ１を形成する。
次いで、図３（ｂ）に示すように、樹脂基板ＳＵＢ１をパターンエッチングして貫通孔Ｈを形成する。
次いで、図３（ｃ）に示すように、孔Ｈが形成された樹脂基板ＳＵＢ１上に公知の方法で薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、このトランジスタ形成工程において、メタルスパッタ等により、薄膜トランジスタＴＦＴに接続した金属膜層Ｅを孔Ｈの内周面に設け、この金属膜層によって、孔Ｈの内部に導電体Ｅを設ける。この導電体Ｅは、薄膜トランジスタＴＦＴを構成する金属層の形成（例えば電極の形成）と同じ工程で孔Ｈの内周面に形成される。

次いで、図３（ｄ）に示すように、ガラス基材Ｇ２上にポリイミドなどの有機膜層ＳＵＢ２を形成して、この有機膜層によって、フレキシブルな樹脂基板ＳＵＢ２を形成し、更に、樹脂基板ＳＵＢ２上にカラーフィルタ（あるいはバリア層）ＣＦを形成して、これを、カラーフィルタＣＦを薄膜トランジスタＴＦＴとの間に液晶（表示素子）を封入して貼り合わせる。

次いで、図３（ｅ）に示すようにガラス基材Ｇ１を剥離して、図３（ｆ）に示すように、樹脂基板ＳＵＢ１の薄膜トランジスタＴＦＴと反対側の面にフレキシブル配線基板ＦＰＣを圧着して設ける。この際、フレキシブル配線基板ＦＰＣの端子を導電体Ｅに接続する。
次いで、ガラス基材Ｇ２を剥離して、図２（ａ）に示すようにフレキシブル表示パネルとする。

したがって、上記のように製造された表示パネルは、表示素子をスイッチングする薄膜トランジスタＴＦＴが、電子部品であるフレキシブル配線基板ＦＰＣに孔Ｈ内の導電体Ｅを介して接続されて動作制御される。
なお、フレキシブル配線基板ＦＰＣの他、半導体チップ（ドライバＩＣ）や駆動回路基板（プリント回路基板ともいう）を電子部品として設ける場合でも同様である。

なお、ボトムエミッション型のフレキシブル表示パネルの製造方法については、上記とほぼ同様であるが、樹脂基板ＳＵＢ２に導電体Ｅが設けられる孔Ｈが形成され、この樹脂基板ＳＵＢ２にフレキシブル配線基板ＦＰＣが設けられ、フレキシブル配線基板ＦＰＣが樹脂基板ＳＵＢ２の反対側の面側（薄膜トランジスタＴＦＴが設けられた側）に設けられた薄膜トランジスタＴＦＴに導電体Ｅを介して接続される。

次に、本発明の実施例に係るフレキシブル表示パネル及びその製造方法を、図４乃至図９を参照して詳細に説明する。
本実施例の表示パネルは、液晶素子を表示素子としたフレキシブル表示パネルであり、その製造工程を図４乃至図９に順次示してある。

まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基材１１上にポリイミドなどの有機膜層１２を成膜して形成して、この有機膜層によって、フレキシブルな樹脂基板１２を形成する。
次いで、図４（ｂ）に示すように、樹脂基板１２をパターンエッチングして当該基板を貫通する貫通孔１３を形成し、更に、樹脂基板１２上に下地層１４を形成する。なお、下地層１４として、酸素等の侵入を防止するために窒化ケイ素や酸化ケイ素などから成るバリア層１４を用いるのが好ましく、本実施例ではバリア層１４を用いている。

次いで、図４（ｃ）に示すように、バリア層１４上に半導体層１５を成膜して形成する。
次いで、図４（ｄ）に示すように、薄膜トランジスタを構成する半導体層１５をパターンエッチングして成形した後、絶縁膜１６を成膜して形成する。
次いで、図４（ｅ）に示すように、アルミ、モリブデン、タングステン、チタンなどの金属膜１７をスパッタリング成膜して形成し、図５（ａ）に示すように、この金属膜１７をパターンエッチングしてゲート配線を形成する。

次いで、図５（ｂ）に示すように、無機絶縁膜１８を成膜して形成する。
次いで、図５（ｃ）に示すように、無機絶縁膜１８をパターンエッチングして、孔１３の部分及びゲート配線の部分などの所定の箇所の無機絶縁膜１８を除去する。これにより、ゲート配線１７の一部が露呈し、また、孔１３の内周面の無機絶縁膜１８が除去されるとともに、孔１３の底面の下地層（バリア層）１４及び絶縁膜１６も除去される。すなわち、孔１３の底面でガラス基材１１が露呈した状態となる。

次いで、図５（ｄ）に示すように、アルミ、モリブデン、タングステン、チタンなどの金属膜１９をスパッタリング成膜して形成し、図５（ｅ）に示すように、この金属膜１９をパターンエッチングして薄膜トランジスタを構成するドレイン配線１９ａを形成する。
このドレイン配線１９ａを形成する工程では、孔１３及びその周縁部の金属膜１９も残したパターンエッチングを行い、これによって、孔１３の底面を含む内周面に金属層１９ｂを設け、更に、金属層１９ｂから孔１３の周縁部に延びる延在部１９ｃを設ける。したがって、薄膜トランジスタを形成するのと同じ工程において、電子部品（本実施例では、後述するレキシブル配線基板３１）と薄膜トランジスタとを接続するための導電体（金属層１９ｂ、１９ｃ）を形成することができるため、電子部品と薄膜トランジスタとを接続するための構造を特段の工程を追加することなく形成することができる。

この金属層１９ｂは、下地層（バリア層）１４及び絶縁膜１６を介して孔１３の内周面に設けられており、樹脂基板１２に対する絶縁性が高められている。なお、設計に応じて、このような下地層（バリア層）１４や絶縁膜１６を介在させることなく、金属層１９ｂを孔１３の内周面に直接的に設けることも可能である。

また、金属層１９ｂを孔１３の底面にも形成することにより、後述するフレキシブル回線基板３１との接続における電気抵抗を低減できる効果が得られるが、設計に応じて、金属層１９ｂを孔１３の底面に形成することなく、孔１３の内周面だけに形成することも可能である。
また、延在部１９ｃを設けることにより、後述する画素電極２４との接続電気抵抗を低減できる効果が得られるが、設計に応じて、延在部１９ｃを設けずに、孔１３内の金属層１９ｂに画素電極２４を直接的に接続することも可能である。

次いで、図６（ａ）に示すように、無機絶縁膜２０を成膜して形成し、図６（ｂ）に示すように、無機絶縁膜２０をパターンエッチングして、ドレイン配線１９ａの部分及び延在部１９ｃの部分などの所定の箇所の無機絶縁膜２０を除去する。これにより、ドレイン配線１９ａが露呈し、また、延在部１９ｃが露呈する。
次いで、図６（ｃ）に示すように、有機絶縁膜２１を成膜して形成した後、パターンエッチングして、ドレイン配線１９ａ及び延在部１９ｃを露呈させる。

次いで、図６（ｄ）に示すように、アルミ、モリブデン、タングステン、チタンなどの金属膜をスパッタリング成膜して形成し、この金属膜をパターンエッチングして共通電極２２を形成する。
次いで、図７（ａ）に示すように、無機絶縁膜２３を成膜して形成した後、パターンエッチングして、ドレイン配線１９ａ及び延在部１９ｃを露呈させる。
次いで、図７（ｂ）に示すように、アルミ、モリブデン、タングステン、チタンなどの金属膜２４をスパッタリング成膜して形成し、この金属膜をパターンエッチングして画素電極２４を形成する。
この画素電極２４を形成する工程では所要の箇所に金属膜が残され、画素電極２４がドレイン配線１９ａ及び延在部１９ｃに接続される。

次いで、図７（ｃ）に示すように、ガラス基材２５上にポリイミドなどの有機膜層２６を成膜して形成し、更に、カラーフィルタ２７を設けた対向基板と、上記の積層体（ＴＦＴ基板）とで液晶２８を挟んで封入する。この有機膜層２６によって、後述するように、フレキシブルな樹脂基板が形成される。
なお、ＴＦＴ基板と対向基板との間に、液晶層２８を保護するスペーサ２９が設けられる。

次いで、図８（ａ）に示すように、ガラス基材１１を剥離して除去し、図８（ｂ）に示すように、フレキシブル樹脂基板１２に孔１３を避けて偏光板３０を貼り付ける。
次いで、図９（ａ）に示すように、偏光板３０上に電子部品であるフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）３１を圧着して設け、この際に、孔１３内に設けられた金属層１９ｂとフレキシブル配線基板３１とを電気的に接続する。これにより、フレキシブル配線基板１３は金属層１９ｂ，１９を介して薄膜トランジスタに接続される。
なお、本実施例では、電子部品としてＦＰＣを示すが、本発明は、半導体チップなど薄膜トランジスタを制御するために用いる種々な電子部品を用いる場合にも適用することができる。

次いで、図９（ｂ）に示すように、ガラス基材２５を剥離して除去し、図９（ｃ）に示すように、フレキシブル樹脂基板２６に偏光板３２を貼り付ける。
上記一連の工程により、薄膜トランジスタが形成された樹脂基板１２の一方の面と、対向基板となる樹脂基板２６との間に液晶層２８を封入したフレキシブル液晶表示パネルを製造することができ、しかも、この液晶表示パネルをコンパクトな形態にして、電子部品３１の接続信頼性が高いものとすることができる。

次に、本発明の他の実施例に係るフレキシブル表示パネル及びその製造方法を、図１０及び図１１を参照して詳細に説明する。
本実施例の表示パネルは、有機ＥＬ素子を表示素子としたフレキシブル表示パネルであり、その製造工程を図１０及び図１１に順次示してある。
なお、図４乃至図９に示した実施例と同様な工程については説明を省略し、本実施例の特徴的な工程を説明する。すなわち、図４乃至図６に示した工程については同様であるので、図１０及び図１１には、当該工程以降の本実施例に特有な工程を示してある。

まず、上記実施例（図６（ｄ））では、有機絶縁膜２１上に共通電極として金属膜２２を形成したが、本実施例では、この金属膜２２を有機ＥＬ素子を構成する陰極電極とする。
そして、図１０（ａ）に示すように、この陰極電極２２上に有機半導体層３５を成膜して形成し、図１０（ｂ）に示すように、有機半導体層３５上にアルミ、モリブデン、タングステン、チタンなどの金属膜３６をスパッタリング成膜して形成し、この金属膜をパターンエッチングして透明な陽極電極３６を形成する。
これにより、陰極電極２２と陽極電極３６との間に有機半導体層３５を挟んだ積層構造の有機ＥＬ素子が形成される。なお、この有機ＥＬ素子は、薄膜トランジスタ（１５，１６，１７）により制御される。

次いで、図１０（ｃ）に示すように、樹脂等の透明な封止層３７を形成し、有機ＥＬ素子や薄膜トランジスタ等を覆って保護する。
次いで、図１１（ａ）に示すように、ガラス基材１１を剥離して除去し、図１１（ｂ）に示すように、フレキシブル樹脂基板１２に電子部品であるフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）３１を圧着して設け、この際に、孔１３内に設けられた金属層１９ｂとフレキシブル配線基板３１とを電気的に接続する。これにより、フレキシブル配線基板１３は金属層１９ｂ，１９を介して薄膜トランジスタに接続される。

図１２には、樹脂基板を貫通する孔１３に設けられる導電体（金属層）の変形例を示してある。
図１２（ａ）に示す例は、孔１３の内周面に金属層ＭＴを設け、孔１３の内部は空所とした構造である。
図１２（ｂ）に示す例は、上記空所に導電性樹脂ＥＭを充填した構造であり、導電性樹脂ＥＭを充填する工程を要するが、金属層ＭＴと導電性樹脂ＥＭとが相俟ってフレキシブル回線基板ＦＰＣとの接続面積を拡大することができ、電気抵抗を低減することができる。

本発明は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルといった表示素子の形式や、トップエミッション型やボトムエミッション型といった表示形式等にかかわらず、携帯電話機、テレビ、携帯情報端末、デジタルカメラ、マルチメディアプレーヤ、モニターなど、種々な情報機器の表示装置に用いられる表示パネルに広く利用することができる。

１２，ＳＵＢ１，ＳＵＢ２・・・・・樹脂基板、
１３，Ｈ・・・・・孔、
１４・・・・・下地層、
１９ｂ，Ｅ，ＭＴ・・・・・導電体（金属層）、
１９ｃ・・・・・延在部、
３１，ＦＰＣ・・・・・電子部品（フレキシブル配線基板）、
ＥＭ・・・・・導電性樹脂、

Claims (14)

1. 貫通する孔が設けられたフレキシブルな樹脂基板と、
   前記樹脂基板の一方の面側に設けられた薄膜トランジスタと、
   前記樹脂基板の他方の面側に設けられた電子部品と、を有し、
   前記孔の内部に導電体を設けて、前記薄膜トランジスタと電子部品とを当該導電体を介して接続すると共に、前記導電体が、前記薄膜トランジスタを構成する金属層と同じ金属層で形成されていることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置において、
   前記導電体は、前記孔の内周面に設けられた金属層であることを特徴とする表示装置。
3. 請求項２に記載の表示装置において、
   前記金属層は、前記孔の端部から前記孔の外側に位置する周縁部へ延びる延在部を有し、当該延在部で前記薄膜トランジスタに接続されていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項２又は３に記載の表示装置において、
   前記金属層は、前記樹脂基板に下地層を介して設けられていることを特徴とする表示装置。
5. 請求項２乃至４のいずれか１項に記載の表示装置において、
   前記孔には、前記金属層に接する導電性樹脂が充填されていることを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置において、
   有機エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする表示装置。
7. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置において、
   液晶表示装置であることを特徴とする表示装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置において、
   前記電子部品は、フレキシブル配線基板、ドライバＩＣ、プリント回路基板の何れかであることを特徴とする表示装置。
9. フレキシブルな樹脂基板に前記樹脂基板を貫通する孔を形成する工程と、
   前記樹脂基板の一方の面側に薄膜トランジスタを形成する工程と、
   前記薄膜トランジスタが形成された樹脂基板の他方の面側に電子部品を設ける工程と、を有し、
   前記薄膜トランジスタを形成する工程では、当該薄膜トランジスタを構成する金属層の形成と共に前記孔の内周面に金属層を設け、
   前記電子部品を設ける工程では、当該電子部品と前記薄膜トランジスタとを前記孔の金属層を介して接続することを特徴とする表示装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の表示装置の製造方法において、
    前記薄膜トランジスタを形成する工程では、前記金属層を前記孔の内周面から当該孔の外側に位置する周縁部まで延在して設け、
    前記金属層の前記周縁部に位置する部分と前記薄膜トランジスタとを接続する工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
11. 請求項９又は１０に記載の表示装置の製造方法において、
    前記薄膜トランジスタを形成する工程では、前記樹脂基板の一方の面側に下地層を設け、当該下地層を介して前記金属層を前記樹脂基板に設けることを特徴とする表示装置の製造方法。
12. 請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
    前記表示装置は、前記樹脂基板を含む表示パネルを有し、
    前記表示パネルは有機エレクトロルミネッセンス表示パネルであり、
    前記樹脂基板の前記一方の面に、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス積層構造を形成する工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
13. 請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
    前記表示装置は、前記樹脂基板と前記樹脂基板と対向する対向樹脂基板とを含む表示パネルを有し、
    前記表示パネルは液晶表示パネルであり、
    前記樹脂基板の前記一方の面と、前記対向樹脂基板との間に液晶層を封入する工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
14. 請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
    前記孔に、前記金属層に接する導電性樹脂を充填する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。

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