KR102114406B1 - 마이크로 led 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법 - Google Patents

마이크로 led 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102114406B1
KR102114406B1 KR1020180133409A KR20180133409A KR102114406B1 KR 102114406 B1 KR102114406 B1 KR 102114406B1 KR 1020180133409 A KR1020180133409 A KR 1020180133409A KR 20180133409 A KR20180133409 A KR 20180133409A KR 102114406 B1 KR102114406 B1 KR 102114406B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flexible
metal
substrate
micro led
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020180133409A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200050614A (ko
Inventor
김진모
김영우
김정현
문성재
신현호
고명진
Original Assignee
한국광기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국광기술원 filed Critical 한국광기술원
Priority to KR1020180133409A priority Critical patent/KR102114406B1/ko
Publication of KR20200050614A publication Critical patent/KR20200050614A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102114406B1 publication Critical patent/KR102114406B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

마이크로 LED 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법을 개시한다.
본 실시예의 일 측면에 의하면, 고집적 소자 내 사용될 고집적 소자용 플렉서블(Flexible) 기판을 제조하는 방법에 있어서, 임시 기판 상에 메탈을 증착하는 제1 증착과정과 상기 제1 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제1 식각과정과 상기 전극 패턴 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하는 코팅과정과 코팅된 플렉서블 폴리머를 기 설정된 패턴으로 현상(Develop)하여 비아(Via)를 형성하는 현상과정과 상기 현상과정에서 형성된 비아 내에 메탈을 주입하는 주입과정과 코팅된 플렉서블 폴리머 상에 메탈을 증착하는 제2 증착과정 및 상기 제2 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제2 식각과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 소자용 플렉서블 기판 제조방법을 제공한다.

Description

마이크로 LED 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법{Flexible Substrate for Micro LED and Method for the Substrate}
본 발명은 마이크로 LED용 플렉서블 기판과 그를 제조하는 방법에 관한 것이다.
이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.
도 21은 종래의 마이크로 LED를 도시한 도면이다.
종래의 마이크로 LED(2100)는 R LED(2110), G LED(2114) 및 B LED(2118)를 포함하며, 각 마이크로 LED(2100)에 각 LED를 제어하는 픽셀 드라이버(2120)가 패키지(2100) 외부에 연결된다.
이때, 종래의 마이크로 LED(2100) 내 포함된 기판(2130)은 복수의 층으로 구현된다. 기판(2130)은 각 LED에 전원을 공급하기 위한 층, 접지층, 회로층 및 전극층을 포함하고 있습니다. 각 LED 또는 LED 패키지의 집적도가 낮을 경우, 기판 내 각 층은 하나의 층에 모두 구현될 수 있다. 그러나 LED가 미세 단위까지 작아지며 집적도가 높아짐에 따라, 마이크로 LED(2100) 내 기판(2130)은 각 층을 하나의 층으로 구현하지 못하고, 다층으로 구현되어야 한다.
종래의 마이크로 LED(2100) 내 기판(2130)은 전술한 대로 다층으로 구현되어야 하고, 각 층 내 전원 공급을 위한 층, 접지층, 회로층 등 다양한 성질의 층이 다수 적층되기 때문에, 플렉서블(Flexible)한 특성을 구현할 수 없었다.
또한, 종래의 마이크로 LED는 다음과 같은 불편을 야기한다.
도 22는 종래의 마이크로 LED를 포함한 디스플레이 패널 내부를 도시한 도면이다.
종래의 디스플레이 패널(2200)은 종래의 마이크로 LED를 포함한다. 이때, 종래의 마이크로 LED는 패키지 외부에 픽셀 드라이버에 의해 제어되는데, 픽셀 드라이버는 제어할 수 있는 소자의 개수에 제한이 존재하였다. 마이크로 LED 내 각 소자를 모두 제어하여야 하기 때문에, 픽셀 드라이버는 몇 개의 마이크로 LED와 연결되어, 몇 개의 마이크로 LED만을 제어할 수 밖에 없었다. 이에 따라, 마이크로 LED이 사용되는 디스플레이 패널의 픽셀 숫자가 늘어날수록, 상당히 많은 수의 픽셀 드라이버가 사용되어야 하였다. 예를 들어, 디스플레이 패널(1800)이 384*216 화소인 경우, 드라이버 IC(2210)는 개략적으로 190여개가 필요하게 된다.
따라서 종래의 마이크로 LED 패키지(2210)는 플렉서블한 특성을 가질 수 없는 문제와 함께, 디스플레이 패널(2200)에 사용될 경우, 제어를 위해 상당히 많은 양의 드라이버 ID가 사용되어야만 하는 불편을 갖는다.
본 발명의 일 실시예는, 마이크로 LED 패키지 내 사용될 플렉서블 기판과 그 기판을 제조하는 방법을 제공하는 데 일 목적이 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예는, 플렉서블한 기판 상에 미세 크기의 LED를 칩 사이즈로 패키징한 마이크로 LED 패키지와 마이크로 LED 패키지를 제조하는 방법을 제공하는 데 일 목적이 있다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 고집적 소자 내 사용될 고집적 소자용 플렉서블(Flexible) 기판을 제조하는 방법에 있어서, 임시 기판 상에 메탈을 증착하는 제1 증착과정과 상기 제1 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제1 식각과정과 상기 전극 패턴 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하는 코팅과정과 코팅된 플렉서블 폴리머를 기 설정된 패턴으로 현상(Develop)하여 비아(Via)를 형성하는 현상과정과 상기 현상과정에서 형성된 비아 내에 메탈을 주입하는 주입과정과 코팅된 플렉서블 폴리머 상에 메탈을 증착하는 제2 증착과정 및 상기 제2 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제2 식각과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 소자용 플렉서블 기판 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 고집적 소자용 플렉서블 기판 제조방법은, 플렉서블 폴리머가 복수의 층으로 형성된 고집적 소자용 플렉서블 기판이 제조되도록, 상기 제1 증착과정, 상기 제1 식각과정, 상기 코팅과정, 상기 현상과정, 상기 주입과정, 상기 제2 증착과정 및 상기 제2 식각과정을 복수 회 반복하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 임시 기판은 강성이 있는 재질로 평평하게 구현되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 임시 기판은 유리 또는 실리콘 웨이퍼로 구현되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 비아는 플렉서블 폴리머에서 기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈이 외부로 드러나도록 하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 플렉서블(Flexible) 기판을 포함하는 마이크로 LED 패키지를 제조하는 방법에 있어서, 임시 기판 상에 메탈을 증착하는 제1 증착과정과 상기 제1 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제1 식각과정과 상기 전극 패턴 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하는 코팅과정과 코팅된 플렉서블 폴리머를 기 설정된 패턴으로 현상(Develop)하여 비아(Via)를 형성하는 현상과정과 상기 현상과정에서 형성된 비아 내에 메탈을 주입하는 주입과정과 코팅된 플렉서블 폴리머 상에 메탈을 증착하는 제2 증착과정과 상기 제2 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제2 식각과정과 기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈상에 솔더를 형성하는 형성과정과 상기 솔더 상에 마이크로 LED와 드라이버 소자를 각각 본딩하는 본딩과정 및 상기 임시 기판을 제거하는 제거과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 패키지 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 마이크로 LED 패키지 제조방법은 플렉서블 폴리머가 복수의 층으로 형성된 고집적 소자용 플렉서블 기판이 제조되도록, 상기 제1 증착과정, 상기 제1 식각과정, 상기 코팅과정, 상기 현상과정, 상기 주입과정, 상기 제2 증착과정 및 상기 제2 식각과정을 복수 회 반복하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 임시 기판은 강성이 있는 재질로 평평하게 구현되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 임시 기판은 유리 또는 실리콘 웨이퍼로 구현되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 비아는 플렉서블 폴리머에서 기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈이 외부로 드러나도록 하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 고집적 소자 내 사용될 고집적 소자용 플렉서블(Flexible) 기판에 있어서, 기 설정된 패턴으로 식각된 제1 전극과 상기 제1 전극 상에 위치하고, 상기 제1 전극이 드러나는 위치마다 형성된 비아(Via)를 포함하는 플렉서블 폴리머와 상기 플렉서블 폴리머에 형성된 비아 내 주입되는 제2 전극 및 상기 플렉서블 폴리머 상에 위치하고, 상기 기 설정된 패턴으로 식각된 제3 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 플렉서블 기판은 상기 플렉서블 폴리머, 제2 전극 및 제3 전극을 순차적으로 복수 개 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 기 설정된 패턴으로 식각된 제1 전극과 상기 제1 전극 상에 위치하고, 상기 제1 전극이 드러나는 위치마다 형성된 비아(Via)를 포함하는 플렉서블 폴리머와 상기 플렉서블 폴리머에 형성된 비아 내 주입되는 제2 전극과 상기 플렉서블 폴리머 상에 위치하고, 상기 기 설정된 패턴으로 식각된 제3 전극과 상기 제3 전극의 각 패턴 상에 형성된 솔더 및 각 솔더 상에 본딩된 마이크로 LED 소자와 드라이버를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 마이크로 LED 패키지는 상기 플렉서블 폴리머, 제2 전극 및 제3 전극을 순차적으로 복수 개 포함하며, 상기 솔더는 최상층에 위치한 제3 전극 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판이 마이크로 LED 패키지와 같이 집적도가 높은 소자 내 포함되더라도, 플렉서블한 특성을 가질 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 플렉서블한 특성을 갖는 기판 상에 마이크로 LED와 드라이버 소자를 포함한 마이크로 LED 패키지를 구현함으로써, 플렉서블한 특성을 가지면서 제어를 위한 IC의 사용을 최소화할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 패키지를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 임시 기판을 배치하는 공정을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 임시 기판 상에 메탈을 증착하고 기 설정된 패턴으로 식각하는 공정을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 메탈 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하고 현상하여 비아를 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 형성된 비아 상에 메탈을 주입하는 공정을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 임시 기판 상에 메탈을 증착하고 기 설정된 패턴으로 식각하는 공정을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 메탈 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하고 현상하여 비아를 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 형성된 비아 상에 메탈을 주입하는 공정을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 각 공정을 반복하여 기판 내 복수의 층을 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 최상층 플렉서블 폴리머 층 상에 증착된 메탈을 전극 패턴으로 식각하는 공정을 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 메탈 상에 솔더를 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 솔더 상에 마이크로 LED와 드라이버 소자를 각각 본딩하는 공정을 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제1 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 캡슐화를 수행하는 공정을 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제1 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 임시 기판을 제거하고, 스캔/데이터 드라이버 IC를 본딩하는 공정을 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 마이크로 LED 패키지를 본딩하는 공정을 도시한 도면이다.
도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 캡슐화를 수행하는 공정을 도시한 도면이다.
도 17은 본 발명의 제2 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 임시 기판을 제거하고, 스캔/데이터 드라이버 IC를 본딩하는 공정을 도시한 도면이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 포함한 디스플레이 패널 내부를 도시한 도면이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 기판을 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.
도 21은 종래의 마이크로 LED를 도시한 도면이다.
도 22는 종래의 마이크로 LED를 포함한 디스플레이 패널 내부를 도시한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에서, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 본 발명의 각 실시예에 포함된 각 구성, 과정, 공정 또는 방법 등은 기술적으로 상호간 모순되지 않는 범위 내에서 공유될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 패키지를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 패키지(100)는 플렉서블 기판(미도시), 마이크로 LED(110, 114, 118), 드라이버 소자(120) 및 몰드 레진(130)을 포함한다.
플렉서블 기판(미도시)은 전원, 데이터 및 스캔신호를 수신하기 위한 층을 구비하여, 플렉서블 기판(미도시) 상에 본딩된 드라이버 소자(120)로 전원, 데이터 및 스캔신호를 전달한다.
마이크로 LED 패키지(100)는 내부에 각 마이크로 LED(110, 114, 118)로 전원과 데이터를 분기시켜 공급하는 드라이버 소자(120)를 포함하고 있기 때문에, AM(Active Matrix) 방식으로 구동될 수 있다. 이에 따라, 플렉서블 기판(미도시)은 전원, 데이터 및 스캔신호를 수신하기 위한 최소한의 층만으로 구현될 수 있어, 플렉서블한 성질의 소재로 구현될 수 있다. 기판 내 너무 많은 층(예를 들어, 8개 층 이상)이 포함될 경우, 기판을 플렉서블 소재로 구현하는 것 자체가 곤란하거나, 기판이 구현되더라도, 낭창낭창해졌을 때 배선이 단락되는 등 사용이 곤란해지는 문제가 발생하게 된다. 플렉서블 기판(미도시)은 최소한의 층만으로 구현되기 때문에, 이러한 문제를 방지할 수 있다. 플렉서블 기판(미도시)을 제작하는 방법에 대해서는 도 2 내지 도 17을 참조하여 설명하기로 한다.
마이크로 LED(110, 114, 118)는 드라이버 소자(120)로부터 전원 신호 및 데이터 신호를 인가받아 동작한다.
마이크로 LED(110, 114, 118)는 컬러 필터 없이 스스로 발광한다. 마이크로 LED(110, 114, 118)는 색을 생성하기 위한 컬러 필터없이 스스로 출력하고자 하는 색의 광을 생성하여 출력하는 초소형 LED를 의미한다.
마이크로 LED(110, 114, 118)는 드라이버 소자(120)로부터 전원 신호 및 데이터 신호를 인가받아 동작한다. 마이크로 LED(110, 114, 118)는 일부 또는 전부가 전원 신호 및 데이터 신호에 따라 발광하며 색을 조합한다.
드라이버 소자(120)는 마이크로 LED(110, 114, 118)를 동작시키기 위한 각 신호를 외부 장치(미도시)로부터 수신한 후, 신호를 분석하여 각 마이크로 LED(110, 114, 118)로 분기시킨다. 여기서, 외부 장치는 마이크로 LED 패키지(100)로 신호와 전원을 공급하여 마이크로 LED 패키지(100)를 포함하는 디스플레이 장치를 동작시키기 위한 장치로서, 예를 들어, 디스플레이 장치 내 제어부(FPGA)일 수 있다.
마이크로 LED 패키지(100) 내 드라이버 소자(120)는 하나의 스캔(Scan)층, 하나의 전원(PWR)·접지(GND)층 및 하나의 데이터(Data)층과 연결된다. 분기 회로(210)는 하나의 스캔층과 연결된다. 하나의 마이크로 LED 패키지(100) 만이 동작하는 경우라면, 드라이버 소자(120)가 스캔층과 굳이 연결될 필요는 없다. 그러나 디스플레이 장치 내 수 많은 마이크로 LED 패키지가 존재하기 때문에, 각각의 마이크로 LED 패키지가 일괄적으로 제어될 수 있도록 스캔층이 각 마이크로 LED 패키지와 연결된다.
드라이버 소자(120)는 하나의 전원층 및 데이터층과 연결된다. 드라이버 소자(120)는 하나의 전원층과 연결되며, 스캔층으로 제공되는 스캔신호나 전원층으로 제공되는 전원신호를 분석하여 제공되는 전원신호를 마이크로 LED(110, 114, 118)중 어느 하나로 분기시킨다. 마찬가지로, 드라이버 소자(120)는 데이터신호에 대해서도 스캔신호나 데이터신호를 분석하여 제공되는 데이터신호를 마이크로 LED(110, 114, 118)중 어느 하나로 분기시킨다. 이에 따라, 마이크로 LED 패키지(100)는 종래의 마이크로 LED와 같이, 각 마이크로 LED로 제공할 전원신호나 데이터신호를 각각 수신할 필요가 없어 기판 내 층을 최소화할 수 있으며, 이에 따라, 기판이 플렉서블한 성질의 소재로 구현되더라도 이상이 발생하지 않는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 임시 기판을 배치하는 공정을 도시한 도면이다.
플렉서블 기판을 제조하기 위해, 전극으로 사용될 메탈이나 플렉서블 폴리머를 증착하기에 앞서, 임시 기판(210)이 배치되어야 한다. 플렉서블 폴리머가 플렉서블 기판의 제조에 이용되기 위해서는 플렉서블 폴리머에 패턴 등이 형성되어야 한다. 그러나 별도의 구성없이 플렉서블 폴리머에 직접 패턴 등을 형성하는 것은 플렉서블 폴리머의 성질 상 곤란하다. 따라서, 플렉서블 폴리머를 코팅하고 패턴을 형성하는데 용이하도록 임시 기판(210)이 배치된다. 임시 기판(210)은 강성이 있는 재질로 평평하게 구현될 수 있으며, 예를 들어, 유리 등의 소재로 평평하게 구현되거나, 실리콘 웨이퍼 등으로 구현될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 임시 기판 상에 메탈을 증착하고 기 설정된 패턴으로 식각하는 공정을 도시한 도면이다.
임시 기판(210) 상에 전극으로 사용될 메탈(310)이 증착된다.
임시 기판(210) 상에 증착된 메탈(310)이 기 설정된 전극 패턴으로 식각된다. 식각은 다양한 방법으로 수행될 수 있으며, 일 예로 다음과 같이 수행될 수 있다.
메탈(310) 상에 식각이 되기를 원하는 부분(320) 또는 메탈 상에 식각이 되지 않기를 원하는 부분에 포토 레지스트가 도포되고, 메탈(310)로 광이 조사된다. 이에 따라, 포토 레지스트 중 노광된 부분이 에칭액에 반응하여 식각되도록 성질이 변하거나, 포토 레지스트 중 노광된 부분이 에칭액에 반응하지 않도록 성질이 변하게 된다. 이후, 에칭과정을 거치며, 임시 기판(210) 상에 증착된 메탈(310)은 기 설정된 전극 패턴으로 식각된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 메탈 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하고 현상하여 비아를 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
식각된 전극 패턴 상으로 플렉서블 폴리머(410)가 코팅된다. 기판이 플렉서블한 성질을 갖도록 하기 위해, 식각된 전극 패턴 상 플렉서블 폴리머(410)가 코팅된다. 플렉서블 폴리머(410)가 코팅된 후, 플렉서블 폴리머(410)는 기 설정된 패턴으로 현상(Develop)되어 플렉서블 폴리머(410) 내 비아(Via)가 형성된다. 비아는 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 일 예로 다음과 같이 형성될 수 있다.
플렉서블 폴리머(410)가 코팅된 후, 플렉서블 폴리머(410) 상에 포토 레지스트, 특히, 광감성(Photosensitive) 포토 레지스트가 기 설정된 패턴으로 도포되고, 플렉서블 폴리머(510)로 광이 조사된다. 현상 과정을 거치며, 포토 레지스트 중 노광된 부분은 남고, 노광되지 않은 부분만이 제거된다. 이후 드라이(Dry) 과정을 거치며, 플렉서블 폴리머가 기 설정된 패턴으로 형성되어 비아(420)가 형성된다.
비아(420)는 기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈(310)이 외부로 드러나도록 하는 위치 상에 형성된다. 메탈(310) 상에 형성된 층(전원층, 접지층, 데이터층 및 스캔층 중 어느 하나)으로 인가되는 신호가 마이크로 LED 패키지 내 소자(주로 드라이버 소자(120))로 전달될 수 있도록, 비아(420)는 기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈(310)이 외부로 드러나도록 하는 위치 상에 형성된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 형성된 비아 상에 메탈을 주입하는 공정을 도시한 도면이다.
비아(420)가 형성된 후, 비아(420)에 메탈(510)이 주입된다. 전술한 바와 같이, 메탈(310) 상에 형성된 층으로 인가되는 신호가 마이크로 LED 패키지 내 소자(주로 드라이버 소자(120))로 전달되어야 하기 때문에, 비아(420)에 메탈(510)이 주입된다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 임시 기판 상에 메탈을 증착하고 기 설정된 패턴으로 식각하는 공정을 도시한 도면이다.
비아(420) 내 메탈(510)이 주입된 후, 코팅된 플렉서블 폴리머(410) 상에 메탈(610)을 추가로 증착하고, 기 설정된 패턴으로 식각한다. 메탈(310) 상에 형성된 층과 다른 하나의 층을 더 형성하기 위해, 코팅된 플렉서블 폴리머(410) 상에 메탈(610)을 추가로 증착하고, 기 설정된 패턴으로 식각한다. 이에 따라, 플렉서블 기판에 메탈(310) 상에 형성된 층과 다른 하나의 층이 메탈(610) 상에 형성된다.
도 6에는 메탈(310)의 모든 상단에 메탈(610)이 형성되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 반드시 그러한 것은 아니고, 경우에 따라, 메탈(610)은 특정 메탈(310)의 상단에 메탈(610)이 형성되지 않는 패턴으로 식각될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 메탈 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하고 현상하여 비아를 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
식각된 전극 패턴 상으로 플렉서블 폴리머(710)가 코팅된다. 이후, 플렉서블 폴리머(710)는 기 설정된 패턴으로 현상되어 플렉서블 폴리머(710) 내 비아(720)가 형성된다.
도 4를 참조하여 전술한 바와 같이, 각 메탈(310, 610) 상에 형성된 층으로 인가된 신호가 마이크로 LED 패키지 내 소자(주로 드라이버 소자(120))로 전달될 수 있도록, 비아(720)는 기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈(310) 또는 메탈(610)이 외부로 드러나도록 하는 위치 상에 형성된다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 형성된 비아 상에 메탈을 주입하는 공정을 도시한 도면이다.
비아(720)에 메탈(810)이 주입된다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 각 공정을 반복하여 기판 내 복수의 층을 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
이후, 플렉서블 기판 내 필요한 개수의 (메탈 상의) 층이 형성될 때까지, 도 6 내지 8에 도시된 공정이 반복된다. 이에 따라, 기판 내 필요한 각 층(전원층, 접지층, 스캔층 및 데이터층)이 형성된다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판을 제조하기 위해 최상층 플렉서블 폴리머 층 상에 증착된 메탈을 전극 패턴으로 식각하는 공정을 도시한 도면이다.
최상층 플렉서블 폴리머 층 상에 메탈(1010)이 증착되고, 메탈(1010)이 전극 패턴으로 식각된다. 마이크로 LED 패키지 내 소자(주로 드라이버 소자(120))와 각 전극이 연결될 수 있도록, 최상층 플렉서블 폴리머 층 상에 메탈(1010)이 증착되고, 메탈(1010)이 전극 패턴으로 식각된다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 메탈 상에 솔더를 형성하는 공정을 도시한 도면이고, 도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 솔더 상에 마이크로 LED와 드라이버 소자를 각각 본딩하는 공정을 도시한 도면이다.
최종적으로 전극 패턴으로 식각된 메탈(1010) 상에 각 소자가 본딩될 수 있도록 하는 솔더(Solder, 1110)가 형성되고, 솔더(1110) 상에 각 마이크로 LED(110, 114, 118)가 배치되며, 드라이버 소자(120)가 마이크로 LED(110, 114, 118)의 -y축 상에 배치된다.
도 10 내지 12에는 메탈이 최종적으로 마이크로 LED(110, 114, 118)와 연결되며, 각 마이크로 LED(110, 114, 118)에 복수 개가 연결되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의상 도시되어 있는 것으로서, 드라이버 소자에만 메탈이 연결될 수 있으며, 드라이버 소자와 하나의 메탈만이 연결될 수 있다.
도 13은 본 발명의 제1 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 캡슐화를 수행하는 공정을 도시한 도면이다.
본딩된 각 마이크로 LED(110, 114, 118)와 드라이버 소자(120)를 외부 충격으로부터 보호하기 위해, 캡슐화가 진행된다. 본딩한 각 마이크로 LED(110, 114, 118)와 드라이버 소자(120)는 투명 레진(Clear Resin, 1310)에 의해 캡슐화된다. 이때, 투명 레진(1310) 내에 블랙 카본(Black Carbon)이 포함될 수 있다. 블랙 카본은 외부에서 레진 내부에 위치한 각 소자들이 보이지 않도록 방지하며, 또한 외부에서 조사되는 빛이 레진 내부에 위치한 각 소자에 반사되는 것을 방지한다.
도 14는 본 발명의 제1 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 임시 기판을 제거하고, 스캔/데이터 드라이버 IC를 본딩하는 공정을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하여 설명한 대로, 임시 기판(210)은 플렉서블 기판과 플렉서블 기판을 포함한 마이크로 LED 패키지를 제조하기 위한 기판인 점에서, 모든 소자가 본딩된 후 제거된다.
이후, 전극(310)의 하단에 스캔/데이터 드라이버 IC가 본딩된다.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 마이크로 LED 패키지를 본딩하는 공정을 도시한 도면이다.
솔더(1110) 상에 내부에 각 마이크로 LED와 픽셀 드라이버 IC를 포함하는 마이크로 LED 패키지(1510)가 본딩된다.
제1 실시예와 같이, 솔더(1110) 상에 각 마이크로 LED(110, 114, 118)와 드라이버 소자가 배치될 수도 있으나, 도 15에 도시된 제2 실시예와 같이, 전술한 소자를 포함한 마이크로 LED 패키지(1510)가 본딩될 수도 있다.
도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 캡슐화를 수행하는 공정을 도시한 도면이다.
본딩된 마이크로 LED 패키지(1510)를 외부 충격으로부터 보호하기 위해, 캡슐화가 진행된다.
도 17은 본 발명의 제2 실시예에 따라 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하기 위해 임시 기판을 제거하고, 스캔/데이터 드라이버 IC를 본딩하는 공정을 도시한 도면이다.
이후, 임시 기판(210)이 제거되고, 전극(310)의 하단에 스캔/데이터 드라이버 IC가 본딩된다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 포함한 디스플레이 패널 내부를 도시한 도면이다.
디스플레이 패널(1800)은 복수의 드라이버 IC(1810)와 제어부(1820)를 포함한다.
제어부(1820)는 각 마이크로 LED 패키지로 전원, 데이터 및 스캔신호를 공급한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지는 내부에 드라이버 소자를 포함하기 때문에, 종래의 디스플레이 패널(2100)과 같이 각 드라이버 소자가 각각의 LED와 모두 연결될 필요가 없다. 드라이버 IC(1810)는 단지 각 LED 패키지 내 포함된 드라이버 소자와 전원, 데이터 및 스캔신호를 공급하기 위해 연결되면 된다. 이에 따라, 드라이버 IC(1810)가 제어할 수 있는 LED 패키지의 숫자가 현저히 증가하게 된다. 배경기술에서 든 예와 같이, 디스플레이 패널(1800)이 384*216 화소인 경우, 드라이버 IC(1810)는 스캔 신호를 제어하기 위한 드라이버 IC(1810) 3개와 데이터 신호를 제어하기 위한 드라이버 IC(1810) 6개 총 9개만 사용된다.
종래의 디스플레이 패널(2100)은 약 190여개가 사용되는 것에 비해, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지를 포함하는 디스플레이 패널(1800)은 9개만이 사용되면 된다. 이에 따라, 디스플레이 패널(1800)은 사용되는 드라이버 IC의 개수가 현저히 줄어, 제작비용과 소모되는 전류량이 현저히 줄어드는 장점이 있다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 기판을 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.
임시 가판 상에 메탈이 증착된다(S1910).
증착된 메탈이 기 설정된 전극 패턴으로 식각된다(S1920).
전극 패턴 상에 플렉서블 폴리머가 코팅된다(S1930).
플렉서블 폴리머는 기 설정된 패턴으로 현상되어 플렉서블 폴리머 내 비아가 형성된다(S1940).
비아 내 메탈이 주입된다(S1950).
플렉서블 폴리머 상에 메탈이 증착되고 기 설정된 전극 패턴으로 식각된다(S1960).
S1930 내지 S1960 과정이 반복되며, 복수의 층을 갖는 플렉서블 기판이 제조된다. 다만 이처럼 제조된 플렉서블 기판은 종래의 LED와 같이 너무 많은 층이 포함되는 것이 아니기 때문에, 마이크로 LED 패키지와 같이 고 집적된 소자 또는 패키지 내 사용될 수 있다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.
최상층 플렉서블 폴리머 층 상에 형성된 전극 패턴 상에 솔더가 형성된다(S2010).
솔더 상에 각 마이크로 LED와 드라이버 소자 또는 마이크로 LED 패키지가 본딩된다(S2020).
캡슐화가 진행된다(S2030).
임시 기판이 제거된다(S2040).
스캔/데이터 드라이버 IC가 전극의 하단에 본딩된다(S2050).
도 19 및 20에서는 각 과정을 순차적으로 실행하는 것으로 기재하고 있으나, 이는 본 발명의 일 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것이다. 다시 말해, 본 발명의 일 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 일 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 도 19 및 20에 기재된 순서를 변경하여 실행하거나 각 과정 중 하나 이상의 과정을 병렬적으로 실행하는 것으로 다양하게 수정 및 변형하여 적용 가능할 것이므로, 도 19 및 20은 시계열적인 순서로 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 19 및 20에 도시된 과정들은 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 즉, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드디스크 등), 광학적 판독 매체(예를 들면, 시디롬, 디브이디 등) 및 캐리어 웨이브(예를 들면, 인터넷을 통한 전송)와 같은 저장매체를 포함한다. 또한 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.
이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 마이크로 LED 패키지
110, 114, 118: 마이크로 LED
120: 드라이버 소자
130: 몰드 레진
210: 임시 기판
310, 510, 610, 810, 1010: 메탈
320, 620: 식각될 부분
410, 710: 플렉서블 폴리머
420, 720: 비아
1110: 솔더
1310, 1610: 투명 레진
1410, 1710: 스캔/데이터 드라이버 IC
1510: 마이크로 LED 패키지
1800, 2200: 디스플레이 패널
1810, 2210: 드라이버 IC
1820: 제어부
2100: 마이크로 LED
2110, 2114, 2118: LED
2120: 픽셀 드라이버
2130: 기판

Claims (14)

  1. 고집적 소자 내 사용될 고집적 소자용 플렉서블(Flexible) 기판을 제조하는 방법에 있어서,
    임시 기판 상에 메탈을 증착하는 제1 증착과정;
    상기 제1 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제1 식각과정;
    상기 전극 패턴 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하는 코팅과정;
    코팅된 플렉서블 폴리머를 기 설정된 패턴으로 현상(Develop)하여 비아(Via)를 형성하는 현상과정;
    상기 현상과정에서 형성된 비아 내에 메탈을 주입하는 주입과정;
    코팅된 플렉서블 폴리머 상에 메탈을 증착하는 제2 증착과정; 및
    상기 제2 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제2 식각과정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 소자용 플렉서블 기판 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    플렉서블 폴리머가 복수의 층으로 형성된 고집적 소자용 플렉서블 기판이 제조되도록, 상기 제1 증착과정, 상기 제1 식각과정, 상기 코팅과정, 상기 현상과정, 상기 주입과정, 상기 제2 증착과정 및 상기 제2 식각과정을 복수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 고집적 소자용 플렉서블 기판 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 임시 기판은,
    강성이 있는 재질로 평평하게 구현되는 것을 특징으로 하는 고집적 소자용 플렉서블 기판 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 임시 기판은,
    유리 또는 실리콘 웨이퍼로 구현되는 것을 특징으로 하는 고집적 소자용 플렉서블 기판 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비아는,
    플렉서블 폴리머에서 기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈이 외부로 드러나도록 하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 고집적 소자용 플렉서블 기판 제조방법.
  6. 플렉서블(Flexible) 기판을 포함하는 플렉서블 마이크로 LED 디스플레이를 제조하는 방법에 있어서,
    임시 기판 상에 메탈을 증착하는 제1 증착과정;
    상기 제1 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제1 식각과정;
    상기 전극 패턴 상에 플렉서블 폴리머를 코팅하는 코팅과정;
    코팅된 플렉서블 폴리머를 기 설정된 패턴으로 현상(Develop)하여 비아(Via)를 형성하는 현상과정;
    상기 현상과정에서 형성된 비아 내에 메탈을 주입하는 주입과정;
    코팅된 플렉서블 폴리머 상에 메탈을 증착하는 제2 증착과정;
    상기 제2 증착과정에 의해 증착된 메탈을 기 설정된 전극 패턴으로 식각하는 제2 식각과정;
    기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈상에 솔더를 형성하는 형성과정;
    상기 솔더 상에 마이크로 LED와 드라이버 소자를 각각 본딩하는 본딩과정; 및
    상기 임시 기판을 제거하는 제거과정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 패키지 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    플렉서블 폴리머가 복수의 층으로 형성된 고집적 소자용 플렉서블 기판이 제조되도록, 상기 제1 증착과정, 상기 제1 식각과정, 상기 코팅과정, 상기 현상과정, 상기 주입과정, 상기 제2 증착과정 및 상기 제2 식각과정을 복수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 패키지 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 임시 기판은,
    강성이 있는 재질로 평평하게 구현되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 패키지 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 임시 기판은,
    유리 또는 실리콘 웨이퍼로 구현되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 패키지 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 비아는,
    플렉서블 폴리머에서 기 설정된 전극 패턴으로 식각된 메탈이 외부로 드러나도록 하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 패키지 제조방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
KR1020180133409A 2018-11-02 2018-11-02 마이크로 led 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법 KR102114406B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180133409A KR102114406B1 (ko) 2018-11-02 2018-11-02 마이크로 led 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180133409A KR102114406B1 (ko) 2018-11-02 2018-11-02 마이크로 led 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200050614A KR20200050614A (ko) 2020-05-12
KR102114406B1 true KR102114406B1 (ko) 2020-06-17

Family

ID=70679244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180133409A KR102114406B1 (ko) 2018-11-02 2018-11-02 마이크로 led 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102114406B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102219252B1 (ko) * 2020-11-30 2021-02-24 한국광기술원 적층형 마이크로 led 패키지 및 그 제조 방법, 적층형 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치
KR102276372B1 (ko) * 2020-11-30 2021-07-12 한국광기술원 초박막 플렉시블 투명 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
WO2022092533A1 (ko) * 2020-10-30 2022-05-05 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 장치
WO2024053953A1 (ko) * 2022-09-07 2024-03-14 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116097440A (zh) * 2020-09-11 2023-05-09 华为技术有限公司 一种发光面板及其制备方法、电子设备
KR20220072535A (ko) * 2020-11-25 2022-06-02 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072361A (ja) 2013-10-03 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR101754528B1 (ko) 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 ｌｅｄ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ｌｅｄ 구조체 어레이의 이송방법 및 ｌｅｄ 구조체

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101332079B1 (ko) * 2012-03-29 2013-11-22 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판 제조 방법 및 이에 따라 제조된 다층 인쇄회로기판
KR101832411B1 (ko) * 2016-04-20 2018-02-26 한국과학기술연구원 비아홀 형성 방법, 다층 연성 인쇄회로기판, 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072361A (ja) 2013-10-03 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR101754528B1 (ko) 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 ｌｅｄ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ｌｅｄ 구조체 어레이의 이송방법 및 ｌｅｄ 구조체

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022092533A1 (ko) * 2020-10-30 2022-05-05 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 장치
KR102219252B1 (ko) * 2020-11-30 2021-02-24 한국광기술원 적층형 마이크로 led 패키지 및 그 제조 방법, 적층형 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치
KR102276372B1 (ko) * 2020-11-30 2021-07-12 한국광기술원 초박막 플렉시블 투명 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
WO2024053953A1 (ko) * 2022-09-07 2024-03-14 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200050614A (ko) 2020-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102114406B1 (ko) 마이크로 led 용 플렉서블 기판 및 기판 제조방법
US9818725B2 (en) Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
CN109075119B (zh) 集成器件制造方法
CN109155346B (zh) 用于将磷光体施加至发光二极管的方法以及其设备
US20190027639A1 (en) Apparatus and method for manufacturing led module
US20090053858A1 (en) Method of manufacturing semiconductor package using redistribution substrate
JP2017518650A (ja) 未パッケージ半導体デバイスを伴う回路アセンブリの製造
US20140048828A1 (en) Led display panel and led display apparatus
CN105895823A (zh) 显示设备
KR20200078535A (ko) 기판 접속 구조, 기판 실장 방법 및 마이크로 led 디스플레이
JP2011112737A (ja) 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び表示装置
CN106381464A (zh) 通用金属掩模板及其制造方法
CN107112385A (zh) 电子器件、光电子器件、器件装置和用于制造电子器件的方法
US10304787B2 (en) Semiconductor device, display panel, display device, and electronic device
US20180090066A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR102288309B1 (ko) 마이크로 led 디스플레이 제조방법
CN114787997A (zh) 形成多色磷光体转换led阵列
KR20210091385A (ko) 표시모듈 및 이의 제조 방법
KR102019252B1 (ko) 광 관리 시스템을 구비하는 발광 디스플레이
JP2009500830A (ja) 封止された集積回路パッケージにおける歪みを減らす方法
US11996505B2 (en) Vacuum injection molding for optoelectronic modules
CN113366657B (zh) 一种目标转移结构及其制造方法、以及发光二极管固定方法
CN101750637A (zh) 光学薄膜
US6331735B1 (en) Method to improve chip scale package electrostatic discharge performance and suppress marking artifacts
US20210210463A1 (en) Ceramic carrier and build up carrier for light-emitting diode (led) array

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant