JP6319045B2 - 半導体素子の駆動回路及び半導体素子の駆動システム - Google Patents
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Description
(1)駆動電圧を正電圧からゼロ電圧に変化させ、
(2)その後、前記電気量の変化に基づいて駆動電圧をゼロ電圧から負電圧に変化させ、
(3)前記電気量が前記変化とは逆方向に変化すると、駆動電圧を負電圧から正電圧に変化させる。このように構成すれば、駆動対象素子の導通制御端子に負電圧を印加してセルフターンオンを防止できると共に、電気量変化検出手段により検出される電気量の変化に基づいて駆動電圧を負電圧から正電圧に変化させることで、逆導通損失の増加も抑制できる。
したがって、双方向チョッパ回路を構成する上アーム、下アーム側の2つの半導体素子を、交互に且つ排他的にオンオフ制御する際に、各半導体素子がセルフターンオンすることを確実に防止できる。
図1に示すように、直流電源1の両端(P,N)には、GaN−FET2及び3(半導体素子)の直列回路(ハーフブリッジ回路)が接続されており、GaN−FET2、3のゲートG1,G2には、それぞれ駆動回路4、5により駆動電圧が印加される。駆動回路4、5は、エッジ信号出力部6(H,L)、制御ロジック部7(H,L)及び3電圧出力回路8(H,L)を備えている。GaN−FET2、3の共通接続点Lと端子Nとの間には、負荷としてのコイル9及び直流電源10の直列回路が接続されている。
以下、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明する。図6に示すように、第2実施形態の駆動回路41及び42は、GaN−FET2及び3のドレイン電流の変化ではなく、ドレイン−ソース間電圧Vdsの変化を検出してゲート電圧を制御する。検出は、高耐圧ダイオード43(電気量変化検出手段、電圧変化検出手段)を用いて行う。
また、電圧VdsLの立上りエッジを検出するためのダイオード43H、43Lに、GaN−FET2、3と一体に形成されている温度検出用のセンスダイオードを用いるので、追加する素子を削減して全体を小型に構成できる。
図9に示すように、第3実施形態の3電圧出力回路70は、第2実施形態の構成より電源33を可変電源71(駆動電圧出力回路)に置き換えて、負電圧値決定回路72(電気量変化検出手段、駆動電圧制御手段)を追加している。そして、負電圧値決定回路72により可変電源71の電圧を複数レベルに変化させるように制御する。図10に示すように、信号VdsL_sensは、抵抗素子R2を介してコンパレータ73(1)〜73(3)の非反転入力端子に与えられており、また、抵抗素子R5を介してDフリップフロップ74(1)〜74(3)のクロック端子CLK(負論理)に与えられている。
第4実施形態の駆動回路81及び82は、第1〜第3実施形態の構成を統合したものである。図12に示すように、電流Idsのエッジを検出するエッジ信号出力部6(I)(電気量変化検出手段)と、電圧Vdsのエッジを検出するエッジ信号出力部6(V)(電気量変化検出手段)とを備えている。また、制御ロジック部44に替えて制御ロジック部83(駆動電圧制御手段)を備えている。
GaN−FETに替えてGaN−HEMTを用いてもよい。また、MOSFETを用いても良い。
ダイオード43に、独立した素子のダイオードを用いても良い。
第2実施形態において、微分回路14を削除しても良い。
第3実施形態において変化させる負電圧Vnの具体数値例は適宜変更して良い。また、3段階に切り換えるものに限らず、2段階や4段階以上に切り換えても良い。
双方向チョッパ回路への適用に限らず、単独の半導体素子を駆動する構成に適用しても良い。
Claims (11)
- 電源とグランドとの間に直列に接続される2つの半導体素子(2,3)の共通接続点に負荷(9,10)が接続されており、前記2つの半導体素子は、間にデッドタイムを挟んで何れか一方がオン、他方がオフされるよう駆動され、前記2つの半導体素子の1つ(駆動対象素子と称す)に駆動電圧を印加する駆動回路(4,5)において、
前記駆動対象素子の導通制御端子(ゲート)に印加する駆動電圧として、少なくとも正電圧、ゼロ電圧、負電圧の3レベルが出力可能である駆動電圧出力回路(8,70)と、
前記駆動対象素子の導通端子に流れる電流の変化、及び/又は前記駆動対象素子の導通端子間の電圧の変化を検出する電気量変化検出手段(6,12)と、
前記駆動対象素子をターンオフさせる際に、
(1)前記駆動電圧出力回路により印加する駆動電圧を正電圧からゼロ電圧に変化させ、(2)その後、前記電気量変化検出手段により検出される電気量の変化に基づいて、前記駆動電圧をゼロ電圧から負電圧に変化させ、
(3)前記電気量変化検出手段により検出される電気量が、前記変化とは逆方向に変化すると、前記駆動電圧を負電圧から正電圧に変化させるように制御する駆動電圧制御手段(7,44,83)とを備えることを特徴とする半導体素子の駆動回路。 - 前記駆動電圧制御手段(44)は、前記電気量変化検出手段により前記導通端子間の電圧の立上りエッジを検出すると、前記駆動電圧をゼロ電圧から負電圧に変化させ、
前記電気量変化検出手段により前記導通端子間の電圧の立下がりエッジを検出した後、前記導通端子間の電圧が前記駆動対象素子の逆導通時の電圧レベルに等しくなったことを検出すると、前記駆動電圧を負電圧から正電圧に変化させることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記駆動電圧制御手段(7)は、前記電気量変化検出手段により前記導通端子に流れる電流の立上りエッジを検出すると、前記駆動電圧をゼロ電圧から負電圧に変化させ、
前記電気量変化検出手段により前記導通端子に流れる電流の立下がりエッジを検出すると、前記駆動電圧を負電圧から正電圧に変化させることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記駆動電圧制御手段(83)は、前記電気量変化検出手段により前記導通端子間の電流の立上りエッジを検出すると、前記駆動電圧をゼロ電圧から負電圧に変化させ、
前記電気量変化検出手段により前記導通端子間の電圧の立下がりエッジを検出した後、前記導通端子間の電圧が前記駆動対象素子の逆導通時の電圧レベルに等しくなったことを検出すると、前記駆動電圧を負電圧から正電圧に変化させることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記電気量変化検出手段は、前記駆動対象素子の高電位側導通端子にカソードが接続されるダイオード(43)と、
このダイオードのアノードと前記駆動対象素子の低電位側導通端子との間に接続される抵抗素子(45)と、
この抵抗素子の端子電圧を基準電圧と比較するコンパレータ(15,16)と、
このコンパレータの出力信号が変化するエッジを検出するエッジ検出回路(64)とを備えてなる電圧変化検出回路(65)で構成されることを特徴とする請求項2又は4記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記ダイオードに、前記駆動対象素子の電圧を検出するために使用されるセンスダイオードを用いることを特徴とする請求項5記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記ダイオードに、前記駆動対象素子の電圧を検出するため、導通端子の一方が前記駆動対象素子の導通端子の一方に接続されているGaN−FET(Field Effect Transistor)を用いることを特徴とする請求項5記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記電気量変化検出手段は、前記導通端子に流れる電流を検出するコイル(12)と、
入力端子が前記コイルに接続される微分回路(14)と、
この微分回路の出力信号を基準電圧と比較するコンパレータ(15,16)と、
このコンパレータの出力信号が変化するエッジを検出するエッジ検出回路(34)とを備えてなる電流変化検出回路(36)で構成されることを特徴とする請求項3又は4記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記駆動電圧出力回路(70)は、前記負電圧のレベルを調整可能に構成され、
前記電気量変化検出手段は、前記電圧の立上りエッジ又は立下りエッジにおける電圧変化速度を検出可能に構成され、
前記駆動電圧制御手段(71,72)は、前記電圧変化速度に応じて、前記導通制御端子に印加する負電圧のレベルを決定することを特徴とする請求項2,又は請求項2を引用する請求項5記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記半導体素子は、GaN−FET(Field Effect Transistor),又はGaN−HEMT(High Electron Mobility Transistor)であることを特徴とする請求項1から9の何れか一項に記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記2つの半導体素子の導通制御端子にそれぞれ接続される、請求項1から10の何れか一項に記載の駆動回路を2つ備え、
前記2つの駆動回路により、前記2つの半導体素子が双方向チョッパ回路(40)として動作するように制御され、
前記双方向チョッパ回路に接続されている負荷の動作状態が力行,回生の何れであるかを判定する動作状態判定手段と(13)、
前記動作状態判定手段の判定結果に応じて、負電圧を印加させる駆動回路を選択する選択手段(35)とを更に備えることを特徴とする半導体素子の駆動システム。
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