JP6307101B2 - リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置、および物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6307101B2
JP6307101B2 JP2016030264A JP2016030264A JP6307101B2 JP 6307101 B2 JP6307101 B2 JP 6307101B2 JP 2016030264 A JP2016030264 A JP 2016030264A JP 2016030264 A JP2016030264 A JP 2016030264A JP 6307101 B2 JP6307101 B2 JP 6307101B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
vibration
processing unit
actuator
detection unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016030264A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017147413A (ja
Inventor
哲司 岡田
哲司 岡田
浅野 俊哉
俊哉 浅野
直城 丸山
直城 丸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2016030264A priority Critical patent/JP6307101B2/ja
Priority to US15/428,488 priority patent/US9977346B2/en
Publication of JP2017147413A publication Critical patent/JP2017147413A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6307101B2 publication Critical patent/JP6307101B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Vibration Prevention Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

本発明は、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
リソグラフィ装置では、基板にパターンを形成する処理を行う処理部、および当該処理部と異なる機構が共通のベース定盤上に設けられることがある。このような構成のリソグラフィ装置では、例えば、当該機構で発生した振動がベース定盤を介して処理部伝わると、処理部においてオーバーレイ精度や転写精度が低下しうる。そのため、リソグラフィ装置では、処理部に作用を与えるアクチュエータを設け、当該機構からベース定盤を介して処理部に伝わる振動が低減するように当該アクチュエータを制御することが好ましい。
特許文献1には、共通の固定台(ベース定盤)に設置された第1リソグラフィ装置(処理部)および第2リソグラフィ装置(機構)を有するリソグラフィシステムが開示されている。当該リソグラフィシステムでは、第2リソグラフィ装置における移動体の駆動により発生し、固定台を介して第1リソグラフィ装置の除振対象物に伝わる振動を低減するように、当該移動体の駆動指示情報に基づいて、当該除振対象物に加える力が制御される。
特開2012−142542号公報
機構から処理部に伝わる振動を低減するには、処理部と機構との間におけるベース定盤の振動を検出する検出部を設け、処理部に加える力を検出部の出力信号に基づいて制御してもよさそうである。しかしながら、この検出部では、機構で発生した振動だけでなく、処理部で発生した振動も同時に検出されうる。そのため、検出部の出力信号をそのまま用いると、アクチュエータによる振動等の振動制御が困難になりうる。
そこで、本発明は、処理部の振動制御に有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、パターンを形成する処理を基板に行うリソグラフィ装置であって、前記処理を行う処理部と、前記処理部に作用を与えるアクチュエータと、前記処理部を支持する支持部の振動を検出する検出部と、前記アクチュエータを制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記処理部から前記検出部に伝わった振動の推定を行い、前記検出部により検出された振動から前記推定により得られた振動を除去した振動に基づいて前記アクチュエータを制御することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、処理部の振動制御に有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
インプリント装置を示す概略図である。 第1実施形態および第2実施形態のインプリント装置を示す概略図である。 第3実施形態のインプリント装置を示す概略図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、リソグラフィ装置として、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置を用いて説明するが、それに限られるものではない。例えば、マスクのパターンを基板に転写する露光装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。
[インプリント装置]
インプリント装置100の構成について説明する。インプリント装置100は、半導体デバイスなどの製造に使用され、モールド1を用いて基板上のインプリント材3にパターンを形成するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置100は、モールド1と基板上のインプリント材3(樹脂)とを接触させた状態で当該インプリント材3を硬化させる。そして、モールド1と基板2との間隔を広げ、硬化したインプリント材3からモールド1を剥離(離型)することにより、基板上のインプリント材3にパターンを形成することができる。インプリント材3を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と、光を用いる光硬化法とがあり、ここでは光硬化法を用いたインプリント装置について説明する。また、以下の図においては、基板2に照射される光の光軸に平行な方向をZ方向とし、Z方向に垂直な平面内において互いに直交する方向をX方向およびY方向としている。
図1は、インプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、パターンを形成する処理(インプリント処理)を基板2に行う処理部10と、ベース定盤5(支持部)から処理部10に伝わる振動を低減する振動低減部20と、ベース定盤5の振動を検出する検出部6とを含む。ここで、インプリント装置100に用いられるモールド1は、外周形状が矩形であり、基板2に対向する面に、三次元状の凹凸パターンが形成されたパターン部1aを含む。モールド1の材料としては、例えば石英など、紫外線を透過させることが可能な材料が用いられうる。また、基板2には、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板が用いられうる。基板2の被処理面には、後述する供給部14により、インプリント材が供給される。
まず、処理部10について説明する。処理部10は、光照射部11と、モールド保持部12と、基板ステージ13と、供給部14と、計測部15と、制御部16とを含み、制御部16以外の各要素は筐体17の内部に設けられうる。制御部16は、例えばCPUやメモリなどを含み、処理部10における各要素を制御する。
光照射部11は、インプリント処理の際に、モールド1と基板上のインプリント材3とを接触させた状態において、光4(紫外線)をモールド1を介して基板上のインプリント材3に照射し、当該インプリント材3を硬化させる。光照射部11は、例えば、インプリント材3を硬化させる光4(紫外線)を射出する光源111と、光源111から射出された光4をインプリント処理において最適な光に調整するための光学素子112とを含みうる。
モールド保持部12は、インプリント処理の際、モールド1と基板上のインプリント材3とを接触させたり剥離させたりするようにモールド1をZ方向に駆動する。モールド保持部12は、真空吸着力や静電力などによりモールド1を吸着するモールドチャック121と、モールド1をZ方向に駆動するモールド駆動部122とによって構成されうる。また、モールドチャック121およびモールド駆動部122は、それぞれの中心部(内側)に開口領域を有しており、光照射部11からの光4がモールド1を介して基板2に照射されるように構成されている。
基板ステージ13は、インプリント処理の際、モールド1と基板2との位置合わせが行われるように、基板2をX方向およびY方向に移動可能に構成される。基板ステージ13は、例えば、真空吸着力や静電力などによって基板2を吸着する基板チャック131と、基板2をX方向およびY方向に駆動する基板駆動部132とによって構成されうる。
供給部14は、基板上にインプリント材3(未硬化樹脂)を供給(塗布)する。上述したように、本実施形態のインプリント装置100では、光(紫外線)の照射によって硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂がインプリント材として用いられる。また、計測部15は、例えば撮像素子を有するスコープを含み、モールド上のマークおよび基板上のマークを検出し、モールド1と基板2との相対位置を計測する。
次に、振動低減部20について説明する。振動低減部20は、例えば、載置台21と、反力吸収部22と、複数の支持部材23と、複数のアクチュエータ24と、フィードフォワード制御部25(以下、FF制御部25と称する)とを含みうる。載置台21は、複数のブロック50(レベリングブロック)を介してベース定盤5(支持部)によって支持(固定)されており、複数の支持部材23を介して処理部10を支持する。
反力吸収部22は、例えば基板ステージ13の加減速などによる反力を相殺するように処理部10(筐体17)の側面に力を加えるように構成される。処理部10の側面に加えた力の反力は、載置台21およびブロック50を介してベース定盤5に伝わる。
複数の支持部材23は、処理部10と載置台21(ベース定盤5)との間に配置され、例えばバネまたはダンパ特性を有して処理部10を弾性的に支持する。即ち、支持部材23は、ベース定盤5から処理部10に伝わる振動を受動的に低減させる振動低減手段である。また、複数のアクチュエータ24は、処理部10と載置台21(ベース定盤5)との間に配置され、FF制御部25からの指令値に基づいて処理部10を駆動する(処理部10に作用を与える)。即ち、複数のアクチュエータ24は、ベース定盤5から処理部10(筐体17)に伝わる振動を能動的に低減させる振動低減手段である。アクチュエータ24としては、例えば、リニアモータやエアアクチュエータなどが用いられうる。
FF制御部25は、ベース定盤5の振動を検出する検出部6の出力信号に基づいて、各アクチュエータ24に供給される指令値(例えば電流値)を決定する補償器である。FF制御部25で行われる処理の詳細ついては後述する。ここで、検出部6としては、例えば、ベース定盤5に固定された加速度センサ、速度センサまたは変位センサが用いられうるが、それに限られるものではない。例えば、ベース定盤5に光を照射し、反射された光を用いてベース定盤5の変位を検出するレーザ干渉計が検出部6として用いられてもよい。
ここで、インプリント装置100の処理部10によるインプリント処理について説明する。当該インプリント処理は、制御部16によって制御されうる。制御部16は、基板2を基板ステージ13の上に搬送するように基板搬送部(不図示)を制御し、基板2を保持するように基板ステージ13を制御する。次に、制御部は、基板2が供給部14の下に配置されるように基板ステージ13を制御し、基板上の複数のショット領域のうちインプリント処理を行う対象のショット領域(対象ショット領域)にインプリント材3を供給するように供給部14を制御する。次に、制御部16は、インプリント材3が供給された対象ショット領域がモールド1の下に配置されるように基板ステージ13を制御する。
対象ショット領域がモールド1の下に配置された後、制御部16は、モールド1と基板上のインプリント材3とを接触させるようにモールド保持部12を制御する。そして、制御部16は、モールドと基板上のインプリントとが接触した状態において、計測部15の計測結果に基づいてモールド1と基板2との位置合わせを行った後、当該インプリント材3に光4を照射するように光照射部11を制御する。光4の照射により基板上のインプリント材が硬化した後、制御部16は、モールド1を基板上のインプリント材3から剥離させるようにモールド保持部12を制御する。これにより、基板上のインプリント材3に凹凸パターンを形成することができる。
<第1実施形態>
次に、本発明に係る第1実施形態のインプリント装置200aについて説明する。第1実施形態のインプリント装置200aは、スループットを向上させるため、図2(a)に示すように、複数の処理部10が共通(同一)のベース定盤上に設けられる、所謂クラスタ型に構成される。図2(a)は、複数の処理部10のうち、第1処理部10aおよび第2処理部10bが共通のベース定盤上に設けられたクラスタ型のインプリント装置200aの構成例を示す図である。インプリント装置200aでは、第1処理部10aおよび第2処理部10bにそれぞれ振動低減部20が設けられ、ベース定盤5から第1処理部10aおよび第2処理部10bの各々に伝わる振動を個別に制御することができるように構成されている。
例えば、図2(a)に示すインプリント装置200aにおいて、第1処理部10a(筐体17a)は第1振動低減部20aの上に搭載され、制御部16aによって制御される。第1振動低減部20aは、ベース定盤5によって支持された載置台21aと、反力吸収部22aと、複数の支持部材23aと、複数のアクチュエータ24aと、FF制御部25a(第1制御部)とを含みうる。また、第2処理部10b(筐体17b)は第2振動低減部20bの上に搭載され、制御部16bによって制御される。第2振動低減部20bは、ベース定盤5によって支持された載置台21bと、反力吸収部22bと、複数の支持部材23bと、複数のアクチュエータ24b(第2アクチュエータ)と、FF制御部25b(第2制御部)とを含みうる。各部における機能は、上述した通りである。ここで、第1実施形態では、第1振動低減部20aおよび第2振動低減部20bに対して共通の検出部6が設けられ、当該検出部6の出力信号が、第1振動低減部20aのFF制御部25aおよび第2振動低減部のFF制御部25bにおいて共通に用いられる。
このようなクラスタ型のインプリント装置200aでは、例えば、モールド保持部12や基板ステージ13などの移動体を駆動することにより第2処理部10bで発生した振動がベース定盤5を介して第1処理部10aに伝わりうる。即ち、第2処理部10bは、振動源としての駆動機構を含みうる。そして、第2処理部10bから第1処理部10aに伝わる振動は、第1処理部10aにおいてオーバーレイ精度や転写精度を低下させる原因となりうる。そのため、第1処理部10aと第2処理部10bとの間におけるベース定盤5の振動を検出する検出部6を設け、第1処理部10aに力を加える各アクチュエータ24aを、検出部6の出力信号に基づいて制御することが好ましい。
しかしながら、このように設けられた検出部6では、第2処理部10bで発生した振動だけでなく、第1処理部10aで発生した振動も同時に検出されうる。第1処理部10aで発生した振動は、第1処理部10aを中心とした同心円状に外側に向かってベース定盤5を伝播するため、検出部6によって検出された後では第1処理部10aに伝わらない。したがって、検出部6の出力信号を加工せずにそのまま用いると、第2処理部10aで発生した振動だけでなく、第1処理部10aで過去に発生した振動にも基づいて第1振動低減部20aのアクチュエータ24aを制御することとなる。即ち、第2処理部10aからベース定盤5を介して第1処理部10aに伝わる振動を低減させるように当該アクチュエータ24aを制御することが困難になりうる。
そこで、本実施形態のインプリント装置200aでは、第1振動低減部20aのFF制御部25aは、第1処理部10aから検出部6に伝わった振動の推定を行う。具体的には、FF制御部25aは、検出部6の出力信号61のうち、第1処理部10aで発生しベース定盤5を介して検出部6に伝わった振動に起因する第1信号成分32aを生成する。そして、FF制御部25aは、推定により得られた振動と検出部6により検出された振動とに基づいて、具体的には、検出部6の出力信号61から第1信号成分32aを除去した信号に基づいて、第1振動低減部20aのアクチュエータ24aを制御する。これにより、第2処理部10bから第1処理部10aに伝わる振動を低減させるように当該アクチュエータ24aを制御することができる。
ここで、本実施形態では、ベース定盤5に支持され且つ振動が発生する機構として、第1処理部10aと同様の構成を有する第2検出部10bを例示しているが、それに限られるものではない。例えば、モールド1や基板2を搬送する搬送部(搬送アーム)なども、当該機構の対象となりうる。また、第1処理部10aで発生した振動、および第2処理部10bで発生する振動は共に、モールド保持部12や基板ステージ13などの移動体を駆動したことに起因して発生する振動であるため、互いに共通の周波数帯域を含みうる。
[FF制御部25aの処理について]
以下に、第1振動低減部20aのFF制御部25aの構成および処理について説明する。FF制御部25aは、例えば、第1演算器26aと、減算器27aと、第2演算器28aと、第3演算器29aと、第4演算器30aとを有する。
第1演算器26aは、第1処理部10aで発生しベース定盤5を介して検出部6に伝わった振動に起因する第1信号成分32aを生成する(算出する)。第1信号成分32aは、検出部6の出力信号61に含まれる信号成分である。
例えば、第1演算器26aは、第1処理部10aにおいて振動を発生させる移動体(例えば基板ステージ13a)に供給される駆動指令値31a(例えば電流値)を制御部16aから取得する。このとき、第1演算器26aは、第1処理部10aで振動が発生してから当該振動が検出部6に伝わるまでの時間を考慮して、駆動指令値31aを制御部16aから取得するとよい。即ち、第1演算器26aは、検出部6が振動を検出したときより当該時間だけ前に移動体に供給された駆動指令値31aを制御部16aから取得するとよい。
また、第1演算器26aは、第1処理部10aの移動体(駆動機構)に供給される駆動指令値31aに基づいて、第1処理部10aから検出部6に伝わった振動の推定を行うための第1伝達関数の情報を有する。そして、第1演算器26aは、取得した駆動指令値31aに第1伝達関数を乗ずることにより第1信号成分32aを求めることができる。第1伝達関数は、第1処理部10aの移動体に供給される駆動指令値31aを入力とし、第1信号成分32aを出力とする伝達関数である。
第1伝達関数は、インプリント処理を行う前に、第1処理部10aの駆動機構で振動を発生させた場合に検出部6で検出された振動に基づいて、FF制御部25a(制御部16aと協働)によって予め求められうる。例えば、FF制御部25aは、第2処理部10bが振動を発生していない状態(移動体を駆動していない状態)において、第1処理部10aの移動体(基板ステージ13aなど)を駆動することにより第1処理部10aで振動を発生させる。そして、当該振動を検出部6に検出させる。FF制御部25aは、この工程で得られた結果(即ち、駆動指令値31aおよび検出部6の出力信号61)から第1伝達関数を求めることができる。
ここで、第1伝達関数は、第1処理部10aで振動を発生させる移動体ごと、パターンを形成するショット領域ごと、またはインプリント処理の工程ごとなど、第1処理部10aで振動を発生させる複数の処理の各々について求められてもよい。また、第1処理部10aで振動を発生させ、当該振動を検出部6に検出させる工程は、複数回行われてもよく、それにより得られた複数の結果を平均化することにより第1伝達関数を求めてもよい。
減算器27aは、検出部6の出力信号61から、第1演算器26aで求められた第1信号成分32aを減算する。これにより、検出部6の出力信号61から第1信号成分32aを除去した信号33aが得られる。
第2演算器28aは、減算器27aからの信号33aに第2伝達関数を乗ずることにより、第2処理部10bから第1処理部10aに伝わる振動に関する信号34aを求める。第2伝達関数は、検出部6の出力信号61から第1信号成分32aを除去した信号33aを入力とし、信号34aを出力とする伝達関数である。第2伝達関数は、インプリント処理を行う前に、FF制御部25a(制御部16bと協働)によって予め求められうる。第2伝達関数を求める際には、第1処理部10a(筐体17a)の振動を検出する振動計18(例えば加速センサ)が用いられうる。
例えば、FF制御部25aは、第1処理部10aが振動を発生していない状態(移動体を駆動していない状態)において、第2処理部10bの移動体(基板ステージ13bなど)を駆動することにより第2処理部10bで振動を発生させる。そして、当該振動を検出部6および振動計18に検出させる。これにより、FF制御部25aは、この工程で得られた検出部6の出力信号61および振動計18の出力信号に基づいて第2伝達関数を求めることができる。このとき、FF制御部25aは、第2処理部10bで発生した振動が検出部6で検出されてから第1処理部10aに伝わるまでの時間(以下、伝達時間と称する)を示す情報も求めることができる。
ここで、第2伝達関数は、第2処理部10bで振動を発生させる移動体ごと、パターンを形成するショット領域ごと、またはインプリント処理の工程ごとなど、第2処理部10bで振動を発生させる複数の処理の各々について求められてもよい。また、第2処理部10bで振動を発生させて、当該振動を検出部6および振動計18に検出させる工程は、複数回行われてもよく、それにより得られた複数の結果を平均化することにより第2伝達関数を求めてもよい。
第3演算器29aは、第2演算器28aからの信号34aに基づいて、第2処理部10bから第1処理部10aに伝わる振動を低減するために第1処理部10aに加えるべき力を求める。そして、第3演算器29aは、求めた力を各アクチュエータ24aに分配することにより、各アクチュエータ24aが第1処理部10aに加えるべき力を示す力情報35aを求める。ここで、減算器27aからの信号33aから力情報35aを求める方法は上述の方法に限られるものではなく、例えば、支持部材23aから第1処理部10a(筐体17a)に働く復元力と粘性抵抗力とを載置台21aの変位から求めてもよい。具体的には、減算器27aからの信号33aに、検出部6から載置台21aまでの振動伝達率を乗じ、さらに(K/s+C/s)を乗じることによって力情報35aを求めることができる。Kは支持部材23aのバネ定数、Cは支持部材23aの減衰定数、sはラプラス演算子である。
第4演算器30aは、第3演算器29aで求められた力情報35aに基づいて、各アクチュエータ24aに供給すべき指令値36a(例えば電流値)を求める。そして、第4演算器30aは、第2処理部10bから第1処理部10aに振動が伝わるタイミングにおいて当該振動を低減させる力が各アクチュエータ24aに生じるように、伝達時間を示す情報に基づいて、指令値36aを各アクチュエータ24aに供給する。ここで、各アクチュエータ24aには、指令値36aが供給されてから当該指令値36aに応じた動作を開始するまでの期間を示す応答遅れが生じる。そのため、第4演算器30aは、各アクチュエータ24aの応答遅れが補償されるように、指令値36aを各アクチュエータ24aに供給することとよい。例えば、第4演算器30aは、力情報35aにアクチュエータ24aの応答特性の逆数を乗じることにより、アクチュエータ24aの応答遅れを補償することができる。アクチュエータ24aの応答特性とは、指令値36aに対するアクチュエータ24aの出力のことであり、インプリント処理を行う前に予め計測されうる。
このようにFF制御部25aを構成することにより、第2実施形態のインプリント装置200aは、第2処理部10bからベース定盤5を介して第1処理部10aに伝わる振動を低減させるようにアクチュエータ24aを制御することができる。即ち、検出部6で検出された振動のうち第1処理部10aに伝わる振動を低減させるようにアクチュエータ24aを制御することができる。これにより、第1処理部10aにおいて、第2処理部10bで発生した振動の影響を低減し、基板上のインプリント材3にパターンを精度よく形成することができる。
[FF制御部25bの処理について]
次に、第2振動低減部20bのFF制御部25b(第2制御部)の構成および処理について説明する。FF制御部25bは、第1演算器26bと、減算器27bと、第2演算器28bと、第3演算器29bと、第4演算器30bとを有し、第1振動低減部20aのFF制御部25aと同様の処理が行われる。即ち、FF制御部25bは、第2処理部10bから検出部6に伝わった振動の推定として第2推定を行う。具体的には、FF制御部25bは、検出部6の出力信号61のうち、第2処理部10bで発生しベース定盤5を介して検出部6に伝わった振動に起因する第2信号成分32bを生成する。そして、FF制御部25bは、第2推定により得られた振動と検出部6により検出された振動とに基づいて、具体的には、検出部6の出力信号61から第2信号成分32bを除去した信号に基づいて、第2振動低減部20bのアクチュエータ24bを制御する。これにより、第1処理部10aから第2処理部10bに伝わる振動を低減させるように当該アクチュエータ24bを制御することができる。
第1演算器26bは、第2処理部10bにおいて振動を発生させる移動体(例えば基板ステージ13b)に供給される駆動指令値31bを制御部16bから取得する。そして、第1演算器26bは、取得した駆動指令値31bに第1伝達関数を乗ずることにより第2信号成分32bを求める。減算器27bは、検出部6の出力信号61から、第2信号成分32bを減算する。第2演算器28bは、減算器27bからの信号33bに第2伝達関数を乗ずることにより、第1処理部10aから第2処理部10bに伝わる振動に関する信号34bを求める。第3演算器29bは、第2演算器28bからの信号34bに基づいて、第1処理部10aから第2処理部10bに伝わる振動を低減するために各アクチュエータ24bが第2処理部10bに加えるべき力を示す力情報35bを求める。第4演算器30bは、第3演算器29bで求められた力情報35aに基づいて、各アクチュエータ24bに供給すべき指令値36b(例えば電流値)を求め、求めた指令値36bによって各アクチュエータを制御する。
このようにFF制御部25bを構成することにより、第2実施形態のインプリント装置200aは、第1処理部10aからベース定盤5を介して第2処理部10bに伝わる振動を低減させるようにアクチュエータ24bを制御することができる。即ち、検出部6で検出された振動のうち第2処理部10bに伝わる振動を低減させるようにアクチュエータ24bを制御することができる。これにより、第2処理部10bにおいて、第1処理部10aで発生した振動の影響を低減し、基板上のインプリント材3にパターンを精度よく形成することができる。
<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態のインプリント装置200bについて説明する。第1実施形態では、第1振動低減部20aおよび第2振動低減部20bに対して共通の検出部6を設ける例について説明した。第2実施形態では、第1振動低減部20aおよび第2振動低減部20bで個別に検出部6を設ける例について説明する。図2(b)は、第2実施形態のインプリント装置200bを示す図である。図2(b)に示すインプリント装置200bでは、第1振動低減部20aに対して第1検出部6aが設けられており、第2振動低減部20bに対して第2検出部6bが設けられている。それ以外の構成は、第1実施形態のインプリント装置200aと同様である。
第1検出部6aは、第2処理部10bで発生した振動が第1検出部6aで検出されてから第1処理部10aに伝わるまでの伝達時間が、FF制御部25aの演算時間とアクチュエータ24aの応答遅れとの和より大きくなるように配置されるとよい。そのため、第1検出部6aは、第1処理部10aより第2処理部10bの方が近いベース定盤5の箇所の振動を検出するように配置されるとよい。
同様に、第2検出部6bは、第1処理部10aで発生した振動が第2検出部6bで検出されてから第2処理部10bに伝わるまでの伝達時間が、FF制御部25bの演算時間とアクチュエータ24bの応答遅れとの和より大きくなるように配置されるとよい。そのため、第2検出部6bは、第2処理部10bより第1処理部10aの方が近いベース定盤5の箇所の振動を検出するように配置されるとよい。
<第3実施形態>
本発明に係る第3実施形態のインプリント装置300について説明する。図3は、第3実施形態のインプリント装置300を示す図である。第3実施形態のインプリント装置300は、共通のベース定盤上に設けられた第1処理部10a、第2処理部10bおよび第3処理部10cを含みうる。第3処理部10cは、第1処理部10aに関して第2処理部10bとは反対側に配置される。即ち、第3処理部10cは、第1処理部10aが第2処理部10bと第3処理部10cとの間に配置されるように配置される。
本実施形態では、ベース定盤5に支持され且つ振動が発生する第2機構として、第1処理部10aと同様の構成を有する第3検出部10cを例示しているが、それに限られるものではない。例えば、モールド1や基板2を搬送する搬送部(搬送アーム)なども、当該第2機構の対象となりうる。また、第1処理部10a、第2処理部10b、および第3処理部10cで発生する振動は共に、モールド保持部12や基板ステージ13などの移動体を駆動したことに起因して発生する振動であるため、互いに共通の周波数帯域を含みうる。
このように構成されたインプリント装置300では、第3処理部10cで発生した振動は、第3処理部10cを中心とした同心円状に外側に向かってベース定盤5を伝播し、第1処理部10aと第2処理部10bとの間に配置された検出部6に伝わる。そして、当該振動は、検出部6によって検出された後は、第1処理部10aに伝わらない。そのため、第3実施形態における第1振動低減部20aのFF制御部25aは、第3処理部10cから検出部6に伝わった振動の推定としての第3推定を行う。具体的には、FF制御部25aは、検出部6の出力信号のうち、第3処理部10cで発生しベース定盤5を介して検出部6に伝わった振動に起因する第3信号成分38aを生成する。そして、FF制御部25aは、第3推定により得られた振動にも基づいて、具体的には、検出部6の出力信号61から第3信号成分38aを更に除去した信号に基づいてアクチュエータ24aを制御する。
具体的には、FF制御部25aは、第5演算器37aを更に有する。第5演算器37aは、第3処理部10cで発生しベース定盤5を介して検出部6に伝わった振動に起因する第3信号成分38aを生成する。第3信号成分38aは、検出部6の出力信号61に含まれる信号成分である。
例えば、第5演算器37aは、第3処理部10cにおいて振動を発生させる移動体に供給される駆動指令値31cを、第3処理部10cを制御する制御部16cから取得する。このとき、第5演算器37aは、第3処理部10cで振動が発生してから当該振動が検出部6に伝わるまでの時間を考慮して、駆動指令値31cを制御部16cから取得するとよい。即ち、第5演算器37aは、検出部6が振動を検出したときより当該時間だけ前に移動体に供給された駆動指令値31cを制御部16cから取得するとよい。
そして、第5演算器37aは、取得した駆動指令値31cに第3伝達関数を乗ずることにより第3信号成分38aを求めることができる。第3伝達関数は、第3処理部の移動体に供給される駆動指令値31cを入力とし、第3信号成分38aを出力とする伝達関数である。第3伝達関数は、インプリント処理を行う前に、FF制御部25a(制御部16cと協働)によって予め求められうる。例えば、FF制御部25aは、第1処理部10aおよび第2処理部10bが振動を発生していない状態において、第3処理部10cの移動体を駆動することにより第3処理部10cで振動を発生させる。そして、当該振動を検出部6に検出させる。FF制御部25aは、この工程で得られた結果(即ち、駆動指令値31cおよび検出部6の出力信号61)から第3伝達関数を求めることができる。
減算器27aは、検出部6の出力信号61から第1信号成分32aおよび第3信号成分38aを減算する。第2〜第4演算器の処理は、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
ここで、FF制御部25aは、上述した方法と同様の方法により、第3処理部10cから第1処理部10aに伝わる振動を低減させるようにアクチュエータ24aを制御することができる。即ち、FF制御部25aは、第1処理部10aと第3処理部10cとの間におけるベース定盤5の振動を検出する検出部6’の出力信号にも基づいて、アクチュエータ24aを制御することができる。
また、FF制御部25aは、各アクチュエータ24aに供給する指令値36aを検出部6の出力信号61から算出する工程を繰り返すため、演算量が膨大となりうる。そのため、FF制御部25aは、検出部6の出力信号が閾値を超えたときに当該指令値36aを算出するように構成されてもよい。閾値は、例えば、モールド1のパターンを基板2に転写する際の転写精度に応じて設定されうる。例えば、第1処理部10aでの振動量と転写精度との関係をシミュレーションなどにより求め、転写精度の許容値に対応する振動量を当該関係から決定する。そして、決定した振動量を、第1処理部10aと検出部6との間の振動伝達率で除することにより得られた値が閾値として設定される。
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板上に上記のリソグラフィ装置を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
1:モールド、2:基板、5:ベース定盤、6:検出部、10:処理部、20:振動低減部、24:アクチュエータ、25:フィードフォワード制御部

Claims (10)

  1. パターンを形成する処理を基板に行うリソグラフィ装置であって、
    前記処理を行う処理部と、
    前記処理部に作用を与えるアクチュエータと、
    前記処理部を支持する支持部の振動を検出する検出部と、
    前記アクチュエータを制御する制御部と、
    を含み、
    前記制御部は、前記処理部から前記検出部に伝わった振動の推定を行い、前記検出部により検出された振動から前記推定により得られた振動を除去した振動に基づいて前記アクチュエータを制御することを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記処理部から前記検出部に伝わった振動と、前記処理部とは異なる機構から前記検出部に伝わった振動とは、互いに共通の周波数を有することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記処理部および前記機構はそれぞれ、振動源としての駆動機構を含むことを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記制御部は、前記処理部の前記駆動機構に供給される指令値に基づいて前記推定を行うための伝達関数の情報を有することを特徴とする請求項3に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記制御部は、前記処理部の前記駆動機構で振動を発生させた場合に前記検出部で検出された振動に基づいて、前記伝達関数の情報を得ることを特徴とする請求項4に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記制御部は、前記検出部で検出された振動のうち前記処理部に伝わる振動を低減させるように、前記アクチュエータを制御することを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記検出部は、前記処理部より前記機構に近いことを特徴とする請求項2乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記処理を行う第2処理部と、
    前記第2処理部に作用を与える第2アクチュエータと、
    前記第2アクチュエータを制御する第2制御部と、
    を含み、
    前記第2制御部は、前記第2処理部から前記検出部に伝わった振動の推定としての第2推定を行い、前記検出部により検出された振動から前記第2推定により得られた振動を除去した振動に基づいて前記第2アクチュエータを制御することを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記制御部は、前記処理部に関して前記機構とは反対側にある第2機構から前記検出部に伝わった振動の推定としての第3推定を行い、前記検出部により検出された振動から前記第3推定により得られた振動を除去した振動に基づいて前記アクチュエータを制御することを特徴とする請求項2乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  10. 請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを形成する処理を基板に行う工程と、
    前記工程で前記処理を行われた前記基板を加工する工程と、
    を含み、加工した前記基板を用いて物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
JP2016030264A 2016-02-19 2016-02-19 リソグラフィ装置、および物品の製造方法 Active JP6307101B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016030264A JP6307101B2 (ja) 2016-02-19 2016-02-19 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US15/428,488 US9977346B2 (en) 2016-02-19 2017-02-09 Lithography apparatus, and method of manufacturing article

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016030264A JP6307101B2 (ja) 2016-02-19 2016-02-19 リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017147413A JP2017147413A (ja) 2017-08-24
JP6307101B2 true JP6307101B2 (ja) 2018-04-04

Family

ID=59629920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016030264A Active JP6307101B2 (ja) 2016-02-19 2016-02-19 リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9977346B2 (ja)
JP (1) JP6307101B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018041809A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022039715A (ja) * 2020-08-28 2022-03-10 キヤノン株式会社 制御装置、インプリント装置および物品製造方法
KR20230039275A (ko) * 2021-09-14 2023-03-21 삼성전자주식회사 반도체 설비의 제진대 및 이를 포함하는 제진대 시스템
US20230143307A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-11 Brooks Automation US, LLC. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05263868A (ja) * 1992-03-18 1993-10-12 Tokkyo Kiki Kk 除振台の地動外乱制御方法
JPH0830335A (ja) * 1994-07-15 1996-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 周期的振動低減装置
JP3696928B2 (ja) * 1995-05-30 2005-09-21 キヤノン株式会社 能動除振装置および半導体露光装置
JP3440967B2 (ja) * 1995-11-01 2003-08-25 株式会社ブリヂストン 荷電粒子線装置
JP3507234B2 (ja) * 1996-01-11 2004-03-15 キヤノン株式会社 能動除振装置および能動除振方法
JPH09250591A (ja) * 1996-03-14 1997-09-22 Canon Inc 能動除振装置
JPH10141428A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Canon Inc 能動除振装置
US6490025B1 (en) * 1997-03-17 2002-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH1187235A (ja) * 1997-09-09 1999-03-30 Canon Inc 能動的除振装置
AU5447499A (en) * 1998-09-03 2000-03-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device and method for producing the same
JP2002031187A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Ebara Corp 磁気浮上装置を用いた除振装置
JP2002048184A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 制振装置
JP2002221249A (ja) * 2000-11-27 2002-08-09 Canon Inc 能動制振装置、その制御方法および能動制振装置を備えた露光装置
JP2004100953A (ja) * 2002-08-23 2004-04-02 Nikon Corp 制振装置及び露光装置
KR20060128912A (ko) * 2004-01-15 2006-12-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
JP5773761B2 (ja) 2010-12-17 2015-09-02 キヤノン株式会社 リソグラフィーシステム、及びそれを用いた物品の製造方法
JP5963600B2 (ja) * 2011-08-09 2016-08-03 キヤノン株式会社 除振装置
JP6182488B2 (ja) * 2014-03-25 2017-08-16 株式会社日立製作所 位置決め制御装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018041809A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170242346A1 (en) 2017-08-24
JP2017147413A (ja) 2017-08-24
US9977346B2 (en) 2018-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6307101B2 (ja) リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP6021606B2 (ja) インプリント装置、それを用いた物品の製造方法、およびインプリント方法
KR102032017B1 (ko) 리소그래피 장치, 리소그래피 방법, 프로그램, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법
JP6312379B2 (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、プログラム、物品の製造方法
KR102023236B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR101763002B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
JP7210162B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6306830B2 (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP5773761B2 (ja) リソグラフィーシステム、及びそれを用いた物品の製造方法
JP6120677B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6562795B2 (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP6333081B2 (ja) 振動制御装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2017157639A (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP2016162928A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR20180108447A (ko) 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법
JP2016082068A (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP5473575B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5379636B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
JP6864447B2 (ja) リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2015126126A (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP2016021440A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2018014440A (ja) リソグラフィーシステム、及びそれを用いた物品の製造方法
KR20180099480A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 기록 매체, 및 물품 제조 방법
US9927725B2 (en) Lithography apparatus, lithography method, program, lithography system, and article manufacturing method
TW202305878A (zh) 處理裝置和物品製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170828

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171024

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180209

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180309

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6307101

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151