JP6303997B2 - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Description
図1及び図4は本発明の実施の形態1に係る半導体レーザの製造方法を示す斜視図である。図2及び図3は本発明の実施の形態1に係る半導体レーザの製造方法を示す平面図である。図5から図7は本発明の実施の形態1に係る半導体レーザの製造方法を示す側面図である。
図10及び図11は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザの製造方法を示す側面図である。反射膜8の形成までは実施の形態1の図1〜5の工程と同様である。
Claims (8)
- 互いに分離部で隔てられた複数の半導体レーザを半導体基板に形成する工程と、
同じ平面に存在する前記複数の半導体レーザの共振端面と前記分離部の端面に反射膜を形成する工程と、
前記複数の半導体レーザの発光点上の前記反射膜を残しつつ、前記分離部上の前記反射膜を除去する工程と、
前記分離部上の前記反射膜を除去した後に前記分離部を境にして前記複数の半導体レーザを個々に分離する分離工程とを備え、
前記分離工程は、前記半導体基板の表面又は裏面における前記分離部に沿って前記半導体基板を劈開する工程であることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記分離部上の前記反射膜をレーザダイサーで除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記半導体基板にマークを形成する工程を更に備え、
前記マークを画像認識して前記レーザダイサーの位置合わせを行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記分離部上の前記反射膜を除去する際に前記レーザダイサーにより前記分離部に劈開導入溝を形成し、
前記分離工程において、前記劈開導入溝に沿って前記半導体基板を劈開して前記複数の半導体レーザを個々に分離することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記分離部上の前記反射膜を覆わずに前記発光点上の前記反射膜を覆うエッチングマスクを形成する工程を更に備え、
前記エッチングマスクを用いて前記反射膜を選択的にエッチングすることで前記分離部上の前記反射膜を除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記半導体基板にマークを形成する工程を更に備え、
前記マークを画像認識して前記エッチングマスクの位置合わせを行うことを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザの製造方法。 - 前記反射膜は多層膜であり、前記分離部上の前記反射膜の1層以上を除去することを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記半導体基板を冶具にセットして前記反射膜を形成し、
前記半導体基板を前記冶具にセットしたままで、前記分離部上の前記反射膜を除去することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の半導体レーザの製造方法。
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