JP6298321B2 - Film with transparent conductive layer - Google Patents
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Description
本発明は、透明導電層が形成された透明導電層付きフィルム基板、特に、熱処理後のカール発生が抑制された透明導電層付きフィルムに関する。 The present invention relates to a film substrate with a transparent conductive layer on which a transparent conductive layer is formed, and more particularly to a film with a transparent conductive layer in which the occurrence of curling after heat treatment is suppressed.
タッチパネルやディスプレイなどの表示デバイス、発光デバイス、受光デバイスに用いられる透明導電層付きフィルムには、近年、プラスチックを材料としたフィルム基板が広く用いられている。フィルム基板を用いた透明電極付きフィルム基板は、その柔軟性から製造方法も多岐にわたり、バッチ式やロールトゥロール式などがあり、中でも大量生産への適用性の高さからロールトゥロール式の技術革新は目覚しく進歩している。ロールトゥロール式では、一般的にフィルムは原反ロールから巻き出され、多くの搬送ロールを経由し、巻取りロールで巻き取られる。 In recent years, film substrates made of plastic are widely used as films with a transparent conductive layer used for display devices such as touch panels and displays, light emitting devices, and light receiving devices. Film substrates with transparent electrodes using film substrates have a wide variety of manufacturing methods due to their flexibility, and include batch and roll-to-roll methods. Among them, roll-to-roll technology due to their high applicability to mass production. Innovation is making remarkable progress. In the roll-to-roll method, the film is generally unwound from a raw roll, and taken up by a take-up roll through many transport rolls.
しかし、厚み１００ミクロン以下のフィルム基板を用いる場合には、フィルムのカール（反り）が発生しやすく、特に、透明導電層付きフィルムのように、フィルムの表裏に形成された材料が異なる非対称構造の場合、表裏の応力の不均一さからフィルムがカールしやすくなり、デバイスを製造する工程において、設備の精度などに課題が生じる可能性があった。なお、特許文献１には、フィルム／ガラス構成のタッチパネルにおいて、剥離防止のため、ガラス板上の透明電極の端に傾斜端面を有する技術が記載されているが、フィルムのカールを防止することまでは記載されていない。 However, when a film substrate having a thickness of 100 microns or less is used, curling of the film is likely to occur, and in particular, the material formed on the front and back of the film has different asymmetric structures such as a film with a transparent conductive layer. In this case, the film tends to curl due to non-uniform stresses on the front and back, and there is a possibility that problems may arise in the accuracy of equipment in the process of manufacturing the device. In addition, in patent document 1, in the touch panel of a film / glass structure, the technique which has an inclined end surface in the edge of the transparent electrode on a glass plate is described in order to prevent peeling, but until curling of a film is prevented. Is not listed.
上記に鑑み、本発明は、特に厚みの薄いフィルム基板を用いた場合にカールの発生を抑制可能な透明導電層付きフィルムを提供することを目的とする。 In view of the above, an object of the present invention is to provide a film with a transparent conductive layer capable of suppressing the occurrence of curling, particularly when a thin film substrate is used.
本発明者らが鋭意検討した結果、フィルムの端部に傾斜を有しており、特に表面側からフィルム基板側に向かうに従って広幅になるような構造とすることで、カールを抑制可能であることを見出した。 As a result of intensive studies by the present inventors, the end of the film has an inclination, and curling can be suppressed particularly by adopting a structure that becomes wider from the surface side toward the film substrate side. I found.
すなわち、本願発明は、透明フィルム基板上に透明導電層を備え、幅が３００ｍｍ以上である透明電極付きフィルムにおいて、長手方向に直交する幅方向の両端には、透明電極付きフィルムの前記透明導電層側に向かって先細りとなる略傾斜領域が形成されており、上記傾斜領域は、前記透明電極付きフィルムの面方向を基準として３０〜６０°の傾斜を有している。上記傾斜領域は面一且つ直線であることが好ましい。また、上記傾斜領域は、前記幅方向の両端部分の全長に渡って形成されているのが好ましい。このような構成とすることで、カールの発生、すなわちフィルムが歪もうとする応力を効果的に抑制することができる。 That is, the present invention comprises a transparent film permeable transparent conductive layer on a substrate, the transparent electrode film width is greater than or equal to 300 mm, in the width direction at both ends perpendicular to the longitudinal side direction, said transparent transparent electrode film A substantially inclined region that is tapered toward the conductive layer side is formed, and the inclined region has an inclination of 30 to 60 ° with respect to the surface direction of the film with a transparent electrode . Upper Symbol inclined region is preferably flush and straight. Moreover, it is preferable that the said inclination area | region is formed over the full length of the both ends of the said width direction. By adopting such a configuration, the occurrence of curling, that is, the stress that the film tries to distort can be effectively suppressed.
本発明の他の形態として、上記透明導電層付きフィルムの少なくとも一面に粘着性の保護フィルムが貼付けされていてもよい。また、上記透明導電層は加熱工程により結晶化されていてもよい。 As another embodiment of the present invention, an adhesive protective film may be attached to at least one surface of the film with a transparent conductive layer. The transparent conductive layer may be crystallized by a heating process.
本発明によれば、透明導電層付きフィルムの長手方向に直交する幅方向の両端に、透明導電層付きフィルムの透明導電層側（上側）に向かって先細りとなる略傾斜領域を形成することで、フィルムのカールを抑制することが可能となり、フィルムの表裏において非対称な構造の積層フィルムの場合にも、良好な積層フィルムを製造することができる。 According to this invention, by forming the substantially inclined area | region which tapers toward the transparent conductive layer side (upper side) of a film with a transparent conductive layer in the both ends of the width direction orthogonal to the longitudinal direction of a film with a transparent conductive layer. The curling of the film can be suppressed, and a good laminated film can be produced even in the case of a laminated film having an asymmetric structure on the front and back of the film.
［透明導電層付きフィルムの構成］
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しつつ説明する。図１は、透明フィルム基板１０上にアンダーコート層２０、さらにその上に透明導電層３０を形成した透明導電層付きフィルム１００を示している。図２は、透明導電層付きフィルム１００を方形にカットした際の概略斜視図を示している。図３は、透明導電層付きフィルム１００をロール状態における長手方向に直交する幅方向に沿って切断した際の概略断面図を示している。
[Configuration of film with transparent conductive layer]
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a film 100 with a transparent conductive layer in which an undercoat layer 20 is formed on a transparent film substrate 10 and a transparent conductive layer 30 is further formed thereon. FIG. 2 shows a schematic perspective view when the film 100 with a transparent conductive layer is cut into a square. FIG. 3: has shown schematic sectional drawing at the time of cut | disconnecting the film 100 with a transparent conductive layer along the width direction orthogonal to the longitudinal direction in a roll state.
本願発明では、図１〜３に示すように、フィルムの幅方向の端部が、透明電極付きフィルムの透明導電層側（上側）に向かって先細りとなる略テーパー状にカットされ、その部分に傾斜領域が形成されるよう端部処理されている。そして、傾斜領域を、透明電極付きフィルムの面方向を基準として３０〜６０°の傾斜を有するように特定することで、フィルムのカールを抑制する効果を奏するものである。 In this invention, as shown in FIGS. 1-3, the edge part of the width direction of a film is cut in the substantially taper shape which tapers toward the transparent conductive layer side (upper side) of a film with a transparent electrode, End processing is performed to form an inclined region. And the effect which suppresses the curl of a film is show | played by specifying an inclination area | region so that it may have an inclination of 30-60 degrees on the basis of the surface direction of a film with a transparent electrode.
透明導電層付きフィルム１００は、ロール・トゥ・ロール方式で搬送される柔らかさを有し、且つ、少なくとも可視光領域において無色透明であるものが好ましい。透明導電層付きフィルム１００の厚みは１０〜１００ミクロン（μｍ）が好ましく、さらには１５〜７０ミクロン、特には２０〜５５ミクロンが好ましい。フィルム１００の膜厚が１００ミクロン以上では、一般に、フィルムの剛性によりカールを抑制することが可能であるため、本願においては、１００μｍ以下であることが好ましい。一方、フィルム１００の膜厚が１０ミクロン以下であれば、フィルムの剛性が働きにくいため、本願の端部処理を適用しても、カールを抑制することが困難になる傾向がある。また、透明導電層付きフィルムは一辺の長さが３００ｍｍ以上であると端部処理による効果を発揮し易いため好ましく、３００ｍｍ未満であると、本願の端部処理を施しても効果を確認しづらい傾向がある。 The film 100 with a transparent conductive layer has a softness conveyed by a roll-to-roll method, and is preferably colorless and transparent at least in the visible light region. The thickness of the film 100 with a transparent conductive layer is preferably 10 to 100 microns (μm), more preferably 15 to 70 microns, and particularly preferably 20 to 55 microns. When the film thickness of the film 100 is 100 microns or more, curling can generally be suppressed by the rigidity of the film. Therefore, in the present application, it is preferably 100 μm or less. On the other hand, if the film thickness of the film 100 is 10 microns or less, the rigidity of the film is difficult to work. Therefore, even when the end treatment of the present application is applied, curling tends to be difficult to suppress. Moreover, since the film with a transparent conductive layer is preferably 300 mm or longer on one side because the effect of edge treatment is easily exhibited, and less than 300 mm, it is difficult to confirm the effect even if the edge treatment of the present application is performed. Tend.
透明導電層付きフィルム１００透明フィルム基板を構成する透明フィルム基板１０は、少なくとも可視光領域で無色透明であり、ロール・トゥ・ロール方式で搬送され、透明電極層形成温度における耐熱性を有していれば、その材料は特に限定されない。透明フィルムの材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフテレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース系樹脂等が挙げられる。中でも、ポリエステル系樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましく用いられる。 Film 100 with transparent conductive layer The transparent film substrate 10 constituting the transparent film substrate is colorless and transparent at least in the visible light region, is conveyed in a roll-to-roll manner, and has heat resistance at the temperature at which the transparent electrode layer is formed. The material is not particularly limited. Examples of the transparent film material include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), and polyethylene naphthalate (PEN), cycloolefin resins, polycarbonate resins, polyimide resins, and cellulose resins. Can be mentioned. Of these, polyester resins are preferable, and polyethylene terephthalate is particularly preferably used.
また、延伸フィルムは、延伸による歪が分子鎖に残留するため、加熱された場合に熱収縮する性質を有している。このようなフィルムの熱収縮を低減させ、基材の熱収縮による不具合を抑止する方法としては、延伸の条件調整や延伸後の加熱によって応力を緩和し、熱収縮率を０．８％程度あるいはそれ以下に低減させることや、熱収縮開始温度が高められた二軸延伸フィルム（低熱収縮フィルム）を用いることが知られている。したがって、透明導電層付きフィルムの製造工程における基材の熱収縮による不具合を抑止する観点から、このような低熱収縮フィルムを基材として用いることが好ましい。 In addition, the stretched film has the property of being thermally contracted when heated because strain due to stretching remains in the molecular chain. As a method of reducing the heat shrinkage of such a film and suppressing problems due to the heat shrinkage of the base material, the stress is relaxed by adjusting the stretching conditions and heating after stretching, and the heat shrinkage rate is about 0.8% or It is known to use a biaxially stretched film (low heat shrink film) with a lower temperature or a heat shrink start temperature increased. Therefore, it is preferable to use such a low heat shrink film as a base material from the viewpoint of suppressing problems due to heat shrinkage of the base material in the process of manufacturing a film with a transparent conductive layer.
本発明にかかる透明導電層付きフィルムには、その薄さによって生じる取扱いの困難さを解消することと、傷などを防ぐ目的から保護フィルムが貼り合わされていても良い。保護フィルムは透明導電層付きフィルムのどちらの面に貼り合わされても構わないし、両面に貼り合わされても構わない。片面に貼り合わせる場合には、透明導電層付きフィルムと保護フィルムの厚みの和が１５０〜２００μｍとなるように保護フィルムの厚みを設定することで、既存のフィルム基板と同じ取扱いができるようになり、生産性の面から好ましく、特に、保護フィルムが透明導電層付きフィルムの底面に形成されると、カールを防ぐ効果が向上し好ましい。また、両面に貼り合わせる場合は、透明導電層付きフィルムと２枚の保護フィルムの厚みの合計が２００〜３５０μｍであるのが好ましい。保護フィルムは、粘着材を介して透明導電層付きフィルムに貼り合わされる。粘着材は、保護フィルムを透明導電層付きフィルムから剥離した後に、透明導電層付きフィルムに残らないものが良く、アクリル樹脂からなる粘着材が好ましく使用できる。 The film with a transparent conductive layer according to the present invention may be bonded with a protective film for the purpose of eliminating the difficulty of handling caused by its thinness and preventing scratches. The protective film may be bonded to either side of the film with a transparent conductive layer, or may be bonded to both sides. When pasting on one side, setting the thickness of the protective film so that the sum of the thickness of the film with the transparent conductive layer and the protective film is 150 to 200 μm enables the same handling as the existing film substrate. From the viewpoint of productivity, it is particularly preferable that the protective film is formed on the bottom surface of the film with a transparent conductive layer because the effect of preventing curling is improved. Moreover, when bonding together on both surfaces, it is preferable that the sum total of the thickness of a film with a transparent conductive layer and two protective films is 200-350 micrometers. The protective film is bonded to the film with a transparent conductive layer via an adhesive material. The adhesive is preferably one that does not remain on the film with the transparent conductive layer after the protective film is peeled off from the film with the transparent conductive layer, and an adhesive made of an acrylic resin can be preferably used.
保護フィルムの貼り合わせは公知のラミネーター等を使用することができ、ロールトゥロールによるプロセスも可能である。保護フィルム貼り合わせ後にスリット加工する場合には、本発明のスリット角度を保護フィルム側にも延長して、相似形とすることで、カール抑制が可能となる。また、透明導電層付きフィルムの傾斜領域の形状と、保護フィルムの傾斜領域の形状を異なるものとすることも出来、その場合、両者を剥がす作業が容易になり好ましい。 A known laminator or the like can be used for laminating the protective film, and a roll-to-roll process is also possible. When slitting is performed after the protective film is bonded, curling can be suppressed by extending the slit angle of the present invention to the protective film side to obtain a similar shape. Moreover, the shape of the inclination area | region of a film with a transparent conductive layer and the shape of the inclination area | region of a protective film can also be made different, In that case, the operation | work which peels both becomes easy and preferable.
アンダーコート層２０は、フィルム基板１０の保護、フィルム基板１０からの低分子量成分の拡散抑制などの役割を果たす。さらに、アンダーコート層２０の屈折率を制御することで、例えばタッチパネルに用いる場合の「骨見え性」を解消することが可能となる。また、アンダーコート層２０は図中ではフィルム基板１０の片面に構成されているが、両面に形成されていてもよい。それぞれの構成において表面粗さを制御することで、フィルムロールのゲージバンドや巻き出し時の剥離放電を抑制することが可能となる。 The undercoat layer 20 plays a role of protecting the film substrate 10 and suppressing diffusion of low molecular weight components from the film substrate 10. Furthermore, by controlling the refractive index of the undercoat layer 20, for example, “bone visibility” when used for a touch panel can be eliminated. The undercoat layer 20 is formed on one side of the film substrate 10 in the figure, but may be formed on both sides. By controlling the surface roughness in each configuration, it becomes possible to suppress peeling discharge at the time of unwinding the gauge band of the film roll.
アンダーコート層２０と透明導電層３０との間には、結晶性制御層を設けることができる。結晶性制御層の役割は、アニール処理による透明導電層３０の結晶成長を促し、電気特性や光学特性を良好にすることである。結晶性制御層は、その上に形成する透明導電層３０が金属酸化物であることから、酸化物であることが好ましく、例えばケイ素やチタンやニオブ、ジルコニウムなどの酸化物を用いることができる。 A crystallinity control layer can be provided between the undercoat layer 20 and the transparent conductive layer 30. The role of the crystallinity control layer is to promote crystal growth of the transparent conductive layer 30 by annealing, and to improve electrical characteristics and optical characteristics. The crystallinity control layer is preferably an oxide because the transparent conductive layer 30 formed thereon is a metal oxide. For example, an oxide such as silicon, titanium, niobium, or zirconium can be used.
結晶性制御層の膜厚は２〜３０ｎｍが好ましく、さらには３〜１８ｎｍ、特に３〜１０ｎｍが好ましい。この膜厚の範囲とすることで、結晶成長に必要な下地機能と併せて、光学特性も良好な透明導電層付きフィルムを作製できる。 The film thickness of the crystallinity control layer is preferably 2 to 30 nm, more preferably 3 to 18 nm, and particularly preferably 3 to 10 nm. By setting it as the range of this film thickness, a film with a transparent conductive layer having good optical characteristics can be produced together with the base function necessary for crystal growth.
透明導電層３０としては、導電性を有し、電極として作用する金属や酸化物であれば良いが、酸化インジウムが主成分の酸化物が好ましい。その場合、酸化インジウムを、８７．５質量％〜９９．０質量％含有するのが好ましい。結晶質透明電極層は、膜中にキャリア密度を持たせて導電性を付与するためのドープ不純物を含有する。このようなドープ不純物としては、酸化スズまたは酸化亜鉛、酸化チタン、酸化タングステンが好ましい。ドープ不純物が酸化スズである場合の透明電極層は酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）であり、ドープ不純物が酸化亜鉛である場合の透明電極層は酸化インジウム・亜鉛（ＩＺＯ）である。透明電極層中の前記ドープ不純物の含有量は、４．５質量％〜１２．５質量％であることが好ましく、５質量％〜１０質量％であることがより好ましい。また、製膜時には透明性を有していなくても、例えば、細線化処理を施すことで略透明となる、銅などの導電材料を透明導電性３０として用いることもできる。透明導電層を低抵抗かつ高透過率とする観点から、透明導電層３０の膜厚は、１５ｎｍ〜３０ｎｍが好ましく、１７ｎｍ〜２７ｎｍがより好ましく、２０ｎｍ〜２５ｎｍがさらに好ましい。 The transparent conductive layer 30 may be any metal or oxide having conductivity and acting as an electrode, but an oxide containing indium oxide as a main component is preferable. In that case, it is preferable to contain 87.5 mass%-99.0 mass% of indium oxide. The crystalline transparent electrode layer contains a doped impurity for imparting conductivity by giving a carrier density in the film. As such doping impurities, tin oxide or zinc oxide, titanium oxide, and tungsten oxide are preferable. The transparent electrode layer when the doping impurity is tin oxide is indium tin oxide (ITO), and the transparent electrode layer when the doping impurity is zinc oxide is indium oxide zinc (IZO). The content of the doped impurity in the transparent electrode layer is preferably 4.5% by mass to 12.5% by mass, and more preferably 5% by mass to 10% by mass. Moreover, even if it does not have transparency at the time of film forming, for example, a conductive material such as copper that becomes substantially transparent by performing a thinning process can be used as the transparent conductive 30. From the viewpoint of making the transparent conductive layer have low resistance and high transmittance, the thickness of the transparent conductive layer 30 is preferably 15 nm to 30 nm, more preferably 17 nm to 27 nm, and even more preferably 20 nm to 25 nm.
透明導電層３０がＩＴＯやＩＺＯなどの金属酸化物の場合は、結晶化度が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。結晶化度が上記範囲であれば、透明導電層による光吸収を小さくできるとともに、環境変化等による抵抗値の変化が抑制される。なお、結晶化度は、顕微鏡観察時において観察視野内で結晶粒が占める面積の割合から求められる。 When the transparent conductive layer 30 is a metal oxide such as ITO or IZO, the crystallinity is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more. When the degree of crystallinity is in the above range, light absorption by the transparent conductive layer can be reduced, and a change in resistance value due to an environmental change or the like is suppressed. The crystallinity is obtained from the ratio of the area occupied by the crystal grains in the observation field during microscopic observation.
また、タッチパネル用の透明導電層付きフィルムとして用いることを考慮すると、透明導電層３０は抵抗率が３．５×１０−４Ωｃｍ以下であることが好ましく、透明導電層３０が結晶質の場合、表面抵抗は１５０Ω／□以下であることが好ましく、１３０Ω／□以下であることがより好ましい。透明導電層が低抵抗であれば、静電容量方式タッチパネルの応答速度向上や、有機ＥＬ照明の面内輝度の均一性向上、各種光学デバイスの省消費電力化等に寄与し得る。 In consideration of use as a film with a transparent conductive layer for a touch panel, the transparent conductive layer 30 preferably has a resistivity of 3.5 × 10 −4 Ωcm or less, and when the transparent conductive layer 30 is crystalline, The surface resistance is preferably 150Ω / □ or less, and more preferably 130Ω / □ or less. If the transparent conductive layer has a low resistance, it can contribute to improving the response speed of the capacitive touch panel, improving the uniformity of the in-plane luminance of organic EL lighting, and reducing the power consumption of various optical devices.
透明導電層３０のキャリア密度は、４×１０２０ｃｍ−３〜９×１０２０ｃｍ−３であることが好ましく、６×１０２０ｃｍ−３〜８×１０２０ｃｍ−３であることがより好ましい。キャリア密度が上記範囲内であれば、透明導電層３０を低抵抗化できる。 The carrier density of the transparent conductive layer 30 is preferably 4 × 10 20 cm −3 to 9 × 10 20 cm −3 , and more preferably 6 × 10 20 cm −3 to 8 × 10 20 cm −3. preferable. If the carrier density is within the above range, the resistance of the transparent conductive layer 30 can be reduced.
本発明における透明導電層付きフィルムは、長手方向に直交する幅方向の両端に、透明電極付きフィルムの透明導電層側に向かって先細りとなる、すなわち、底面側に向かって広幅となる傾斜領域が形成されており、上記傾斜領域における基板と傾斜とのなす角度（スリット角度）ωは、透明電極付きフィルムの面方向を基準として３０〜６０°の傾斜を有しているのが好ましい。ωとしては、３５〜５５°がさらに好ましく、４０〜５０°が特に好ましい。 In the film with a transparent conductive layer in the present invention, the inclined regions that taper toward the transparent conductive layer side of the film with a transparent electrode at both ends in the width direction orthogonal to the longitudinal direction, that is, have a widened area toward the bottom side. It is preferable that the angle (slit angle) ω formed by the substrate and the inclination in the inclined region has an inclination of 30 to 60 ° with respect to the surface direction of the film with a transparent electrode. As ω, 35 to 55 ° is more preferable, and 40 to 50 ° is particularly preferable.
上記範囲が好ましい理由は以下のように説明できる。アンダーコート層２０と透明導電層３０の厚みを合わせて薄膜層の厚みとした。図１のように横軸をｘとした場合、基板の厚みｂ、と薄膜層の厚みｄは
ｂ＝ｂ（ｘ）（ｂの最大値、即ちフィルムの厚みはｂ０）
ｄ＝ｄ（ｘ）（ｄの最大値、即ち薄膜層の厚みはｄ０）
とあらわせる。この時、曲率半径Δｒ（ｘ）は応力σを用いて、Ｓｔｏｒｎｅｙの式より下記のように表せる。
The reason why the above range is preferable can be explained as follows. The thickness of the undercoat layer 20 and the transparent conductive layer 30 was combined to obtain the thickness of the thin film layer. When the horizontal axis is x as shown in FIG. 1, the thickness b of the substrate and the thickness d of the thin film layer are b = b (x) (the maximum value of b, ie, the thickness of the film is b 0 ).
d = d (x) (the maximum value of d, that is, the thickness of the thin film layer is d 0 )
It shows. At this time, the radius of curvature Δr (x) can be expressed as follows using the Storney equation using the stress σ.
ここで、γｓは基板のポアソン比、Ｅｓは基板のヤング率を示している。ここで、フィルムのカールの角度をθとし、ｘの変位、即ちΔｘが、基板の厚みに対して十分に小さいとすれば、
ｄ（ｘ）〜Δｘ・ｔａｎω
Δｘ〜Δｒ・θ
と近似できることから、Δｒ（ｘ）は
Here, gamma s is Poisson's ratio of the substrate, the E s indicates the Young's modulus of the substrate. Here, when the curl angle of the film is θ, and the displacement of x, that is, Δx is sufficiently small with respect to the thickness of the substrate,
d (x) to Δx · tan ω
Δx to Δr · θ
Since Δr (x) can be approximated by
と表すことができる。これより、曲率半径変位、即ちフィルムのカールはωに依存していることがわかる。これより曲率半径変位を小さくするには、ｔａｎωを１に近づけることが有効である。このような理由から、基板と傾斜とのなす角度ωは３０〜６０°であることが好ましいと言える。ここで、傾斜領域の形状は、一例として、図１のωに示すように、透明フィルム１０の端と最表面に形成された透明導電層３０の端とを結ぶ線における、透明フィルム１０の面方向に対する傾きを示す。 It can be expressed as. From this, it can be seen that the curvature radius displacement, that is, the curl of the film depends on ω. In order to make the radius of curvature displacement smaller than this, it is effective to make tan ω close to 1. For this reason, it can be said that the angle ω formed by the substrate and the inclination is preferably 30 to 60 °. Here, as an example, the shape of the inclined region is the surface of the transparent film 10 in a line connecting the end of the transparent film 10 and the end of the transparent conductive layer 30 formed on the outermost surface, as indicated by ω in FIG. Indicates the inclination with respect to the direction.
略テーパー状の傾斜領域の形状としては、曲面や直線等を取り得るが、カールの発生、すなわち応力を効果的に抑制する点や加工のし易さの点では、面一であり、且つ、直線であるのが好ましい。また、傾斜領域の形状を透明導電層側（上側）が略凸になる曲面状にした場合、透明フィルム１０の端部が鋭角に加工されないため、フィルムを載置する場合の作業性が確保されたり、安全性が確保されたりして好ましい。また、傾斜領域の形状は透明導電層側（上側）が略凹になる曲面状であると、製膜した透明導電層等が剥離しにくいため好ましい。 As the shape of the substantially tapered inclined area, a curved surface, a straight line, etc. can be taken, but the occurrence of curling, that is, the point that effectively suppresses stress and the ease of processing are the same, and A straight line is preferred. In addition, when the shape of the inclined region is a curved surface with the transparent conductive layer side (upper side) being substantially convex, the end of the transparent film 10 is not processed at an acute angle, so workability when placing the film is ensured. Or safety is ensured. In addition, it is preferable that the shape of the inclined region is a curved surface in which the transparent conductive layer side (upper side) is substantially concave because the formed transparent conductive layer and the like are difficult to peel off.
さらに、傾斜領域は、フィルムの幅方向の両端部分の全体にわたって形成されてもよいし、部分的に形成されてもよいが、全体にわたって形成された方がカールの発生をより効果的に抑制できるため好ましい。なお、傾斜領域を両端部分あるいは一端部分の一部のみに形成すると、傾斜領域が形成されていない部分により、フィルムを積層する際のズレを防止することができ、好ましい。 Furthermore, the inclined region may be formed over the entire end portions in the width direction of the film or may be formed partially, but the formation of the entire region can more effectively suppress the occurrence of curling. Therefore, it is preferable. In addition, it is preferable to form the inclined region only at both end portions or a part of the one end portion, so that a shift when the films are laminated can be prevented by the portion where the inclined region is not formed.
またさらに、傾斜領域の形状を波状にすると、端部を支持する際の滑り止めになり好ましい。保護フィルムが貼り合わされている場合に、透明導電層付きフィルムと保護フィルムの傾斜領域の形状を異なるものとすると、両者を剥離し易いほか、上述した効果を奏することが期待できる。さらに別の形態として、両者の剥離し易さの観点で、保護フィルムには傾斜領域を設けず、透明導電層付きフィルムに傾斜領域を設けることも出来る。さらに別の形態として、透明導電層付きフィルムの幅方向のみならず、長手方向（搬送方向）に傾斜領域を設けることもできる。 Furthermore, it is preferable to make the shape of the inclined region corrugated because it prevents slipping when supporting the end portion. In the case where the protective film is bonded, if the shape of the inclined region of the film with the transparent conductive layer and the protective film is different, both can be easily peeled off and the effects described above can be expected. Further, as another form, from the viewpoint of easy peeling between the two, the protective film can be provided with an inclined region without providing the inclined region. Furthermore, as another form, an inclination area | region can also be provided not only in the width direction of a film with a transparent conductive layer but in a longitudinal direction (conveyance direction).
［透明導電層付きフィルムの製造方法］
以下、本発明の好ましい実施の形態について、透明導電層付きフィルムの製造方法に沿って説明する。本発明の製造方法では、透明フィルム１０上にアンダーコート層２０が備えられる（基材準備工程）。透明導電層はスパッタリング法により形成され（製膜工程）、その後、透明電極層が結晶化される（結晶化工程）。一般に、酸化インジウムを主成分とする非晶質の透明電極層を結晶化するためには、１５０℃程度の加熱処理を実施する。このように加熱処理（アニール処理）を施すことで、フィルムはカールされ易くなることから、本願発明は、加熱工程によって透明導電層が結晶化されたものに対して、特に好ましい。
[Method for producing film with transparent conductive layer]
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described along with a method for producing a film with a transparent conductive layer. In the production method of the present invention, the undercoat layer 20 is provided on the transparent film 10 (base material preparation step). The transparent conductive layer is formed by a sputtering method (film formation process), and then the transparent electrode layer is crystallized (crystallization process). In general, in order to crystallize an amorphous transparent electrode layer containing indium oxide as a main component, a heat treatment at about 150 ° C. is performed. Since the film is easily curled by performing the heat treatment (annealing treatment) in this way, the present invention is particularly preferable for the case where the transparent conductive layer is crystallized by the heating step.
（製膜工程）
透明フィルム基板１０のアンダーコート層２０上に、スパッタリング法により透明導電層３０が形成される。
(Film forming process)
A transparent conductive layer 30 is formed on the undercoat layer 20 of the transparent film substrate 10 by a sputtering method.
スパッタ電源としては、ＤＣ，ＲＦ，ＭＦ電源等が使用できる。スパッタ製膜に用いられるターゲットとしては金属や、金属酸化物等が用いられる。スパッタ製膜は、製膜室内に、アルゴンや窒素等の不活性ガスおよび酸素ガスを含むキャリアガスが導入されながら行われる。導入ガスは、アルゴンと酸素の混合ガスが好ましい。混合ガスは、酸素を０．４体積％〜２．０体積％含むことが好ましく、０．７体積％〜１．５体積％含むことがより好ましい。上記体積の酸素を供給することで、透明電極層の透明性および導電性を向上させることができる。なお、混合ガスには、本発明の機能を損なわない限りにおいて、その他のガスが含まれていてもよい。製膜室内の圧力（全圧）は、０．１Ｐａ〜１．０Ｐａが好ましく、０．２５Ｐａ〜０．８Ｐａがより好ましい。 As a sputtering power source, a DC, RF, MF power source or the like can be used. As a target used for sputtering film formation, metal, metal oxide, or the like is used. Sputter deposition is performed while a carrier gas containing an inert gas such as argon or nitrogen and an oxygen gas is introduced into the deposition chamber. The introduced gas is preferably a mixed gas of argon and oxygen. The mixed gas preferably contains 0.4% to 2.0% by volume of oxygen, and more preferably contains 0.7% to 1.5% by volume. By supplying the volume of oxygen, the transparency and conductivity of the transparent electrode layer can be improved. The mixed gas may contain other gases as long as the function of the present invention is not impaired. The pressure (total pressure) in the film forming chamber is preferably 0.1 Pa to 1.0 Pa, and more preferably 0.25 Pa to 0.8 Pa.
本発明において、製膜時の製膜室内の酸素分圧は、１×１０−３Ｐａ〜５×１０−３Ｐａであることが好ましく、２．３×１０−３Ｐａ〜４．３×１０−３Ｐａであることがより好ましい。上記酸素分圧範囲は、一般的なスパッタ製膜における酸素分圧よりも低い値である。すなわち、本発明においては、酸素供給量が少ない状態で製膜がおこなわれる。そのため、製膜後の非晶質膜中には、酸素欠損が多く存在していると考えられる。 In the present invention, the oxygen partial pressure in the deposition chamber at the time of film is preferably 1 × 10 -3 Pa~5 × 10 -3 Pa, 2.3 × 10 -3 Pa~4.3 × 10 More preferably, it is −3 Pa. The oxygen partial pressure range is a value lower than the oxygen partial pressure in general sputtering film formation. That is, in the present invention, film formation is performed with a small amount of oxygen supply. Therefore, it is considered that many oxygen vacancies exist in the amorphous film after film formation.
製膜時の基板温度は、透明フィルム基板が耐熱性を有する範囲であればよく、６０℃以下であることが好ましい。基板温度は、−２０℃〜４０℃であることがより好ましく、−１０℃〜２０℃であることがさらに好ましい。基板温度を６０℃以下とすることで、透明フィルム基板からの水分や有機物質（例えばオリゴマー成分）の揮発等が起こり難くなり、酸化インジウムの結晶化が起こりやすくなるとともに、非晶質膜が結晶化された後の結晶質透明導電層の抵抗率の上昇を抑制することができる。また、基板温度を前記範囲とすることで、透明電極層の透過率の低下や、透明フィルム基板の脆化が抑制されるとともに、製膜工程においてフィルム基材が大幅な寸法変化を生じることがない。 The substrate temperature at the time of film formation should just be a range with which a transparent film substrate has heat resistance, and it is preferable that it is 60 degrees C or less. The substrate temperature is more preferably −20 ° C. to 40 ° C., further preferably −10 ° C. to 20 ° C. By setting the substrate temperature to 60 ° C. or less, moisture from the transparent film substrate and volatilization of organic substances (for example, oligomer components) hardly occur, indium oxide is easily crystallized, and the amorphous film is crystallized. An increase in resistivity of the crystalline transparent conductive layer after being converted can be suppressed. In addition, by setting the substrate temperature in the above range, a decrease in the transmittance of the transparent electrode layer and embrittlement of the transparent film substrate are suppressed, and the film base material may undergo a significant dimensional change in the film forming process. Absent.
透明導電層は、１５ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚で製膜されることが好ましい。製膜厚みは、１８ｎｍ〜３５ｎｍがより好ましい。製膜厚みを前記範囲とすることで、透明導電層を、低温加熱あるいは室温で結晶質膜に転化され得るものとすることができる。 The transparent conductive layer is preferably formed with a film thickness of 15 nm to 40 nm. The film forming thickness is more preferably 18 nm to 35 nm. By setting the film forming thickness in the above range, the transparent conductive layer can be converted into a crystalline film at low temperature heating or at room temperature.
本発明においては、巻取式スパッタリング装置を用いて、ロールトゥロール法により製膜が行われることが好ましい。ロールトゥロール法により製膜が行われることで、非晶質の透明電極層が形成された透明フィルム基板の長尺シートのロール状巻回体が得られる。透明フィルム１０上への結晶性制御層４０の形成が巻取式スパッタリング装置を用いて行われる場合、結晶性制御層４０と透明導電層３０とが、連続して製膜されてもよい。 In the present invention, it is preferable to form a film by a roll-to-roll method using a winding type sputtering apparatus. By forming the film by a roll-to-roll method, a roll-shaped wound body of a long sheet of a transparent film substrate on which an amorphous transparent electrode layer is formed is obtained. When the formation of the crystallinity control layer 40 on the transparent film 10 is performed using a take-up sputtering apparatus, the crystallinity control layer 40 and the transparent conductive layer 30 may be continuously formed.
（結晶化工程）
非晶質の透明導電層が形成された基材は、結晶化工程に供される。結晶化工程では、当該基材が１２０〜１７０℃に加熱される。
(Crystallization process)
The base material on which the amorphous transparent conductive layer is formed is subjected to a crystallization process. In the crystallization step, the substrate is heated to 120 to 170 ° C.
膜中に酸素を十分に取り込み、結晶化時間を短縮するためには、結晶化は大気中等の酸素含有雰囲気下で行われることが好ましい。真空中や不活性ガス雰囲気下でも結晶化は進行するが、低酸素濃度雰囲気下では、酸素雰囲気下に比べて結晶化に長時間を要する傾向がある。 In order to sufficiently incorporate oxygen into the film and shorten the crystallization time, the crystallization is preferably performed in an oxygen-containing atmosphere such as the air. Crystallization proceeds even in a vacuum or in an inert gas atmosphere, but in a low oxygen concentration atmosphere, crystallization tends to take a longer time than in an oxygen atmosphere.
長尺シートのロール状巻回体が結晶化工程に供される場合、巻回体のままで結晶化が行われてもよく、ロールトゥロールでフィルムが搬送されながら結晶化が行われてもよく、フィルムが所定サイズに切り出されて結晶化が行われてもよい。 When a roll-shaped wound body of a long sheet is subjected to a crystallization process, crystallization may be performed with the wound body as it is, or even if crystallization is performed while a film is conveyed by roll-to-roll. In many cases, the film may be cut into a predetermined size for crystallization.
巻回体のまま結晶化が行われる場合、透明電極層形成後の基材をそのまま常温・常圧環境に置くか、加熱室等で養生（静置）すればよい。ロールトゥロールで結晶化が行われる場合、基材が搬送されながら加熱炉内に導入されて加熱が行われた後、再びロール状に巻回される。なお、室温で結晶化が行われる場合も、透明電極層を酸素と接触させて結晶化を促進させる等の目的で、ロールトゥロール法が採用されてもよい。 When crystallization is carried out with the wound body, the substrate after forming the transparent electrode layer may be placed in a normal temperature / normal pressure environment as it is, or may be cured (standing) in a heating chamber or the like. When crystallization is performed by roll-to-roll, the substrate is introduced into a heating furnace while being conveyed, heated, and then wound again in a roll shape. Even when crystallization is performed at room temperature, a roll-to-roll method may be employed for the purpose of promoting crystallization by bringing the transparent electrode layer into contact with oxygen.
［透明導電層付きフィルムの用途］
本発明の透明導電層付きフィルムは、ディスプレイや発光素子、光電変換素子等の透明電極として用いることができ、タッチパネル用の透明電極として好適に用いられる。中でも、透明電極層が低抵抗であることから、静電容量方式タッチパネルに好ましく用いられる。
[Use of film with transparent conductive layer]
The film with a transparent conductive layer of the present invention can be used as a transparent electrode for a display, a light emitting element, a photoelectric conversion element, etc., and is suitably used as a transparent electrode for a touch panel. Especially, since a transparent electrode layer is low resistance, it is preferably used for a capacitive touch panel.
タッチパネルの形成においては、透明導電層付きフィルム上に、導電性インクやペーストが塗布されて、熱処理されることで、引き廻し回路用配線としての集電極が形成される。加熱処理の方法は特に限定されず、オーブンやＩＲヒータ等による加熱方法が挙げられる。加熱処理の温度・時間は、導電性ペーストが透明電極に付着する温度・時間を考慮して適宜に設定される。例えば、オーブンによる加熱であれば１２０〜１５０℃で３０〜６０分、ＩＲヒータによる加熱であれば１５０℃で５分等の例が挙げられる。なお、引き廻し回路用配線の形成方法は、上記に限定されず、ドライコーティング法によって形成されてもよい。また、フォトリソグラフィによって引き廻し回路用配線が形成されることで、配線の細線化が可能である。上記の加熱工程において、フィルムのカールを抑制することが、本発明の目的である。 In the formation of the touch panel, a conductive ink or paste is applied on a film with a transparent conductive layer, and heat treatment is performed, whereby a collector electrode as a wiring for a routing circuit is formed. The method for the heat treatment is not particularly limited, and examples thereof include a heating method using an oven or an IR heater. The temperature and time of the heat treatment are appropriately set in consideration of the temperature and time at which the conductive paste adheres to the transparent electrode. For example, in the case of heating with an oven, examples include 30 to 60 minutes at 120 to 150 ° C., and in the case of heating by an IR heater, examples include 150 minutes at 150 ° C. In addition, the formation method of the circuit wiring is not limited to the above, and may be formed by a dry coating method. In addition, since the wiring for the routing circuit is formed by photolithography, the wiring can be thinned. In the above heating step, it is an object of the present invention to suppress curling of the film.
以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
各透明誘電体層および透明電極層の膜厚は、透明導電層付きフィルムの断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により求めた値を使用した。透明電極層の表面抵抗は、低抵抗率計ロレスタＧＰ（ＭＣＰ‐Ｔ７１０、三菱化学社製）を用いて四探針圧接測定により測定した。フィルム端部のスリット角度については、断面を光学顕微鏡で観察の上、画像解析により角度を測定した。 As the film thickness of each transparent dielectric layer and transparent electrode layer, values obtained by observation with a transmission electron microscope (TEM) of the cross section of the film with a transparent conductive layer were used. The surface resistance of the transparent electrode layer was measured by four-probe pressure measurement using a low resistivity meter Loresta GP (MCP-T710, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). About the slit angle of the film edge part, after observing a cross section with an optical microscope, the angle was measured by image analysis.
［実施例１］
（透明フィルム基板の作製）
透明フィルム基板として、厚み５０μｍの２軸延伸ＰＥＴフィルムを用いた。
[Example 1]
(Preparation of transparent film substrate)
As the transparent film substrate, a biaxially stretched PET film having a thickness of 50 μm was used.
このＰＥＴフィルム上にアンダーコート層を形成した。アンダーコート層は、紫外線硬化型ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）系樹脂にシリカ微粒子（１次粒径：０．５μｍ）を１０質量％混ぜ、混練した後に、ロールトゥロール方式塗工装置を用いて塗工した。塗工にはグラビア印刷法を用い、乾燥・硬化後の膜厚が２μｍとなるように調整した。 An undercoat layer was formed on this PET film. The undercoat layer was mixed with 10% by mass of silica fine particles (primary particle size: 0.5 μm) in an ultraviolet curable polymethyl methacrylate (PMMA) resin, kneaded, and then coated using a roll-to-roll coating apparatus. Worked. The gravure printing method was used for coating, and the film thickness after drying / curing was adjusted to 2 μm.
（非晶質透明電極層の製膜）
透明電極の製膜は、ロールトゥロール型のスパッタ装置を用いて実施した。フィルムの幅は１１００ｍｍとし、長さ１０００ｍに対して製膜を実施した。酸化インジウム・スズ（酸化スズ含量５質量％）をターゲットとして用い、酸素とアルゴンの混合ガスを装置内に導入しながら、酸素分圧１０×１０−３Ｐａ、製膜室内圧力０．５Ｐａ、基板温度０℃、パワー密度４Ｗ／ｃｍ２の条件で行った。
(Formation of amorphous transparent electrode layer)
The transparent electrode was formed using a roll-to-roll type sputtering apparatus. The width of the film was 1100 mm, and the film was formed for a length of 1000 m. Using indium tin oxide (tin oxide content 5% by mass) as a target and introducing a mixed gas of oxygen and argon into the apparatus, oxygen partial pressure 10 × 10 −3 Pa, film forming chamber pressure 0.5 Pa, substrate The measurement was performed under conditions of a temperature of 0 ° C. and a power density of 4 W / cm 2 .
（結晶化）
この透明導電層付きフィルムについて１５０℃で１時間熱処理を行った。表面について顕微鏡観察を行うと、ほぼ完全に結晶化されていることが確認された（結晶化度１００％）。
(Crystallization)
This film with a transparent conductive layer was heat-treated at 150 ° C. for 1 hour. When the surface was observed with a microscope, it was confirmed that the surface was almost completely crystallized (degree of crystallinity 100%).
（スリット工程）
ロールトゥロール方式のスリット加工には、シャースリット方式やギャングスリット方式などが代表として挙げられるが、本発明においては、端部処理の容易さからシャースリット方式が好ましく採用される。図４に、本発明におけるシャースリット方式の模式図を示す。１０１０は透明導電層付きフィルムを１つのフィルムとして模したものであり、紙面上側が透明電極層が形成されている側である。フィルムは紙面垂直方向に搬送される。透明導電層付きフィルム１０１０は下刃１０２０と上刃１０３０によりせん断されることでスリットされる。スリッターの上刃の形状は片刃であることが加工プロセスの観点から広く採用されている。本発明では、両刃の上刃を用いることで、効率よくスリット加工を実施することができる。
(Slit process)
Examples of the roll-to-roll slit process include a shear slit process and a gang slit process, but in the present invention, the shear slit process is preferably employed because of the ease of end processing. FIG. 4 shows a schematic diagram of the shear slit method in the present invention. 1010 imitates a film with a transparent conductive layer as one film, and the upper side of the drawing is the side on which the transparent electrode layer is formed. The film is conveyed in the direction perpendicular to the paper surface. The film 1010 with a transparent conductive layer is slit by being sheared by the lower blade 1020 and the upper blade 1030. It is widely adopted that the shape of the upper blade of the slitter is a single blade from the viewpoint of the machining process. In the present invention, slitting can be efficiently performed by using the upper blade of both the blades.
実施例１では、スリット角度を４５°とした。スリット角度はＭＤ方向にのみ形成されており、ＴＤ方向は９０°（通常のカッターナイフによる裁断）とした。 In Example 1, the slit angle was 45 °. The slit angle was formed only in the MD direction, and the TD direction was 90 ° (cutting with a normal cutter knife).
（カール評価）
カールの評価は、スリット加工後のものと、スリット加工後に結晶化処理を施したものとについて実施した。それぞれのフィルムは１辺４００ｍｍの正方形にカットし、透明電極層を上側として、水平な台の上に固定することなく載置し、ハイトゲージを用いてカール量を測定した。なお、測定は気温と湿度が一定に保たれた恒温室で行い、その際の室温は２３度、湿度は５０％であった。フィルムが凹型（中央部分が下側に凹んでいる）にカールしている場合を＋、凸型に変形している場合を−として値付けした。
(Curl evaluation)
The evaluation of curl was performed on the sample after slit processing and on the sample subjected to crystallization after slit processing. Each film was cut into a square of 400 mm on a side, placed on a horizontal table with the transparent electrode layer on the upper side, and the curl amount was measured using a height gauge. The measurement was performed in a temperature-controlled room where the temperature and humidity were kept constant, and the room temperature was 23 degrees and the humidity was 50%. The case where the film is curled in a concave shape (the central portion is recessed downward) was rated as +, and the case where the film was deformed into a convex shape was marked as-.
［実施例２〜４、比較例１〜３］
表１に示すように、スリット角度を変更してスリット加工した。スリット角度はＭＤ方向にのみ形成されており、ＴＤ方向は９０°（通常のカッターナイフによる裁断）とした。
[Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 to 3]
As shown in Table 1, slit processing was performed by changing the slit angle. The slit angle was formed only in the MD direction, and the TD direction was 90 ° (cutting with a normal cutter knife).
表１より、スリット角ωを３０〜６０°、より好ましくは３５〜５５°にすることで、カール量が±１５ｍｍよりも小さくなることがわかった。フィルムをベースとしたデバイス作製の場合、装置の仕様にも依存するが、カール量が小さい方が精度・確度の点から好ましく、実施例の範囲であれば好適に使用可能と考えられる。 From Table 1, it was found that the curl amount becomes smaller than ± 15 mm by setting the slit angle ω to 30 to 60 °, more preferably 35 to 55 °. In the case of film-based device fabrication, depending on the specifications of the apparatus, a smaller curl amount is preferable from the viewpoint of accuracy and accuracy, and it can be suitably used within the range of the examples.
１０：透明フィルム基板
２０：アンダーコート層
３０：透明導電層
１０１０：透明導電層付きフィルム
１０２０：スリッター下刃
１０３０：スリッター上刃
10: Transparent film substrate 20: Undercoat layer 30: Transparent conductive layer 1010: Film with transparent conductive layer 1020: Slitter lower blade 1030: Slitter upper blade
Claims (7)
該透明電極付きフィルムの長手方向に直交する幅方向の両端において、前記透明フィルム基板および前記透明導電層には、第二主面側から第一主面側に向かって断面形状が先細りとなる傾斜領域が形成されており、
前記傾斜領域は、前記透明電極付きフィルムの面方向を基準として３０〜６０°の傾斜を有しており、
前記透明フィルム基板と前記透明導電層を合わせた厚さが１０〜１００μｍであることを特徴とする透明導電層付きフィルム。 It has a first main surface and a second main surface, is provided with one transparent conductive layer on the first main surface side of the transparent film substrate, does not include a conductive layer other than the transparent conductive layer, and has a width of 300 mm or more. In a film with a transparent electrode,
Oite the longitudinal width direction perpendicular to both ends of the transparent electrode-attached film, wherein a transparent film substrate and the transparent conductive layer, and a tapered cross-sectional shape from the second principal face side to the first principal face side An inclined region is formed,
The inclined region has an inclination of 30 to 60 ° with respect to the surface direction of the film with the transparent electrode,
The film with a transparent conductive layer, wherein the combined thickness of the transparent film substrate and the transparent conductive layer is 10 to 100 μm.
該透明電極付きフィルムの長手方向に直交する幅方向の両端において、前記透明フィルム基板および前記透明導電層には、第二主面側から第一主面側に向かって断面形状が先細りとなる傾斜領域が形成されており、
前記傾斜領域は、前記透明電極付きフィルムの面方向を基準として３０〜６０°の傾斜を有しており、
前記傾斜領域は曲面形状であり、且つ、前記透明フィルム基板の幅方向の両端では、厚み方向の一部のみに前記傾斜領域が形成されていることを特徴とする透明導電層付きフィルム。 In the film with a transparent electrode having a first main surface and a second main surface , including a transparent conductive layer on the first main surface side of the transparent film substrate , and having a width of 300 mm or more,
Oite the longitudinal width direction perpendicular to both ends of the transparent electrode-attached film, wherein a transparent film substrate and the transparent conductive layer, and a tapered cross-sectional shape from the second principal face side to the first principal face side An inclined region is formed,
The inclined region has an inclination of 30 to 60 ° with respect to the surface direction of the film with the transparent electrode,
The film with a transparent conductive layer, wherein the inclined region has a curved surface shape, and the inclined region is formed only in a part of the thickness direction at both ends in the width direction of the transparent film substrate .
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