JP6288323B2 - 熱酸化異種複合基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 67
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 21
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 241001244373 Carex spissa Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
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- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
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- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
また、この中間の熱処理は、貼り合わせ界面の貼り合わせ強度を、上記高温処理温度に到達する前に十分に高め、シリコン薄膜が強い応力を受けた際にも剥がれやズレを生じさせないための処理である。
そして、この中間熱処理を経た後に酸化などの高温処理を施すことで、酸化後の欠陥数を低減することが可能となるものである。
〔1〕
透明なハンドル基板上に厚さ50〜500nmの単結晶シリコン膜を貼り合わせた異種複合基板に対し熱酸化処理して該単結晶シリコン膜に熱酸化膜であるゲート酸化膜を形成する熱酸化異種複合基板の製造方法であって、上記異種複合基板を熱酸化処理してゲート酸化膜を形成する場合に、650〜850℃、0.5時間以上の前段熱処理を加えた後、850℃を超えた温度でこの熱酸化処理を施すことを特徴とする熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔2〕
ハンドル基板がガラス、石英、サファイアのいずれかであることを特徴とする〔1〕に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔3〕
異種複合基板が、ハンドル基板と単結晶シリコン膜との間に埋め込み酸化膜が介在するものであることを特徴とする〔1〕又は〔2〕に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔4〕
前記埋め込み酸化膜の厚さが25〜500nmであることを特徴とする〔3〕に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔5〕
前段熱処理の雰囲気が、アルゴン、窒素、酸素、水素、ヘリウム、又は不活性ガスと酸素を混合した雰囲気であることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔6〕
ハンドル基板の熱膨張係数が400℃以下で0.54ppm/K以上7.4ppm/K以下であることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔7〕
ハンドル基板がサファイアであり、サファイアウェーハの膨張係数が室温から400℃で7.4ppm/K以下であることを特徴とする〔6〕に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔8〕
前記熱酸化処理の温度が900℃超1000℃以下であることを特徴とする〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
この場合、ハンドル基板と単結晶シリコン膜との間に埋め込み酸化膜(BOX層:Box=Buried oxide)を介在させることもできる。
また、上記ハンドル基板の厚さは500〜800μm、特に600〜725μmが好ましく、単結晶シリコン膜の厚さは50〜500nm、特に100〜350nmが好ましい。埋め込み酸化膜(BOX酸化膜)を介在させる場合、その厚さは25〜150nmが好ましい。なお、BOX酸化膜は、特開2002−305292号公報において、SOIウェーハの埋め込み酸化膜の成膜について開示されているのと同様の方法で形成すればよい。
この中間熱処理の雰囲気は、扱いやすいものであれば、特に限定を受けることはない。代表的なものとして、アルゴン、窒素、酸素、水素、ヘリウム等が挙げられる。また、アルゴンや窒素などの不活性ガスと酸化ガスを混合しても構わない。
また、中間熱処理の時間は、0.5〜6時間、特に1〜3時間であることが好ましい。短すぎると、本発明の目的が十分達成されないおそれがあり、長すぎると、コストの上昇を招くおそれがある。
熱処理時間は、所望の酸化膜厚が得られれば特に限定はない。
直径150mm、厚さ600μmのサファイアウェーハ(R面)を支持基板とするSOSウェーハを複数枚用意した。シリコンの厚さは200nm、BOX層の厚さは200nmである。このウェーハに、600℃、650℃、700℃、800℃、850℃、900℃の中間熱処理を加えた。雰囲気はアルゴンガスとし、保持時間を1時間とした。中間熱処理を施さないリファレンスのウェーハ1枚を追加し、これらのウェーハに1,000℃でウェット酸化により、200nmの酸化膜を形成した。酸化後、これらのウェーハを10%HF溶液に30分間浸漬し、欠陥の数を数えたところ、図1の結果を得た。650℃から850℃までの中間熱処理を加えたものは、欠陥数が減少している。600℃の中間熱処理を加えたものは欠陥がそれほど減少していないのは、600℃が効果を発現させるには不十分な温度なためと思われる。また900℃で中間処理したものは、中間処理の時点で既に欠陥が発現してしまったためと思われる。最適な温度は650℃から850℃程度と考えられる。
直径150mm、厚さ625μmの石英ウェーハを支持基板とするSOQウェーハを複数枚用意した。シリコンの厚さは200nm、BOX層の厚さは200nmである。このウェーハに、600℃、650℃、700℃、800℃、850℃、900℃の中間熱処理を加えた。雰囲気はアルゴンガスとし、保持時間を1時間とした。中間熱処理を施さないリファレンスのウェーハ1枚を追加し、これらのウェーハに950℃でウェット酸化により、200nmの酸化膜を形成した。酸化後、これらのウェーハを10%HF溶液に30分間浸漬し、欠陥の数を数えたところ、図2の結果を得た。650℃から850℃までの中間熱処理を加えたものは、欠陥数が減少している。600℃の中間熱処理を加えたものは欠陥がそれほど減少していないのは、600℃が効果を発現させるには不十分な温度なためと思われる。また900℃で中間処理したものは、中間処理の時点で既に欠陥が発現してしまったためと思われる。最適な温度は650℃から850℃程度と考えられる。
直径150mm、厚さ600μmのサファイアウェーハを支持基板とするSOSウェーハを複数枚用意した。この時のサファイアの方位は、C面(熱膨張係数CTE=7.0ppm)、R面(熱膨張係数CTE=7.4ppm)、A面(熱膨張係数CTE=7.7ppm)とした。シリコンの厚さは200nm、BOX層の厚さは200nmである。これらのウェーハに、800℃の中間熱処理を加えた。雰囲気はアルゴンガスとし、保持時間を1時間とした。これらのウェーハに1,000℃でウェット酸化により、200nmの酸化膜を形成した。酸化後、これらのウェーハを10%HF溶液に30分間浸漬し、欠陥の数を数えたところ、図3の結果を得た。C面、R面はA面よりも効果的に欠陥の数が減少していることが分かった。
Claims (8)
- 透明なハンドル基板上に厚さ50〜500nmの単結晶シリコン膜を貼り合わせた異種複合基板に対し熱酸化処理して該単結晶シリコン膜に熱酸化膜であるゲート酸化膜を形成する熱酸化異種複合基板の製造方法であって、上記異種複合基板を熱酸化処理してゲート酸化膜を形成する場合に、650〜850℃、0.5時間以上の前段熱処理を加えた後、850℃を超えた温度でこの熱酸化処理を施すことを特徴とする熱酸化異種複合基板の製造方法。
- ハンドル基板がガラス、石英、サファイアのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
- 異種複合基板が、ハンドル基板と単結晶シリコン膜との間に埋め込み酸化膜が介在するものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
- 前記埋め込み酸化膜の厚さが25〜500nmであることを特徴とする請求項3に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
- 前段熱処理の雰囲気が、アルゴン、窒素、酸素、水素、ヘリウム、又は不活性ガスと酸素を混合した雰囲気であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
- ハンドル基板の熱膨張係数が400℃以下で0.54ppm/K以上7.4ppm/K以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
- ハンドル基板がサファイアであり、サファイアウェーハの膨張係数が室温から400℃で7.4ppm/K以下であることを特徴とする請求項6に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
- 前記熱酸化処理の温度が900℃超1000℃以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012003856 | 2012-01-12 | ||
JP2012003856 | 2012-01-12 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013553323A Division JPWO2013105634A1 (ja) | 2012-01-12 | 2013-01-11 | 熱酸化異種複合基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017098577A JP2017098577A (ja) | 2017-06-01 |
JP6288323B2 true JP6288323B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=48781576
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013553323A Pending JPWO2013105634A1 (ja) | 2012-01-12 | 2013-01-11 | 熱酸化異種複合基板及びその製造方法 |
JP2017012743A Active JP6288323B2 (ja) | 2012-01-12 | 2017-01-27 | 熱酸化異種複合基板の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013553323A Pending JPWO2013105634A1 (ja) | 2012-01-12 | 2013-01-11 | 熱酸化異種複合基板及びその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10103021B2 (ja) |
EP (1) | EP2804202B1 (ja) |
JP (2) | JPWO2013105634A1 (ja) |
KR (1) | KR102055933B1 (ja) |
CN (1) | CN104040686B (ja) |
SG (1) | SG11201404039UA (ja) |
TW (1) | TWI576474B (ja) |
WO (1) | WO2013105634A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2993686B1 (en) | 2013-05-01 | 2021-05-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing hybrid substrate |
JP6121357B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 酸化膜付き異種soi基板の欠陥検出方法 |
JP6121356B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 酸化膜付き異種soi基板の製造方法 |
JP7262421B2 (ja) * | 2020-05-08 | 2023-04-21 | 信越化学工業株式会社 | 圧電体複合基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4178191A (en) * | 1978-08-10 | 1979-12-11 | Rca Corp. | Process of making a planar MOS silicon-on-insulating substrate device |
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JPS59159563A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5395788A (en) * | 1991-03-15 | 1995-03-07 | Shin Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of producing semiconductor substrate |
US6312968B1 (en) * | 1993-06-30 | 2001-11-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for fabricating an electrically addressable silicon-on-sapphire light valve |
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-
2013
- 2013-01-11 JP JP2013553323A patent/JPWO2013105634A1/ja active Pending
- 2013-01-11 US US14/366,125 patent/US10103021B2/en active Active
- 2013-01-11 WO PCT/JP2013/050387 patent/WO2013105634A1/ja active Application Filing
- 2013-01-11 SG SG11201404039UA patent/SG11201404039UA/en unknown
- 2013-01-11 CN CN201380005209.0A patent/CN104040686B/zh active Active
- 2013-01-11 TW TW102101103A patent/TWI576474B/zh active
- 2013-01-11 KR KR1020147019998A patent/KR102055933B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-11 EP EP13736379.2A patent/EP2804202B1/en active Active
-
2017
- 2017-01-27 JP JP2017012743A patent/JP6288323B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201341604A (zh) | 2013-10-16 |
CN104040686A (zh) | 2014-09-10 |
EP2804202A4 (en) | 2015-09-16 |
WO2013105634A1 (ja) | 2013-07-18 |
TWI576474B (zh) | 2017-04-01 |
SG11201404039UA (en) | 2014-10-30 |
US20140322546A1 (en) | 2014-10-30 |
JP2017098577A (ja) | 2017-06-01 |
CN104040686B (zh) | 2017-05-24 |
JPWO2013105634A1 (ja) | 2015-05-11 |
EP2804202A1 (en) | 2014-11-19 |
US10103021B2 (en) | 2018-10-16 |
KR102055933B1 (ko) | 2019-12-13 |
KR20140112036A (ko) | 2014-09-22 |
EP2804202B1 (en) | 2021-02-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6288323 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |