JP6275025B2 - 光ファイバの実装部品、光モジュールおよび製造方法 - Google Patents
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Description
10,10D,10E Siプラットフォーム
15,15’,16,16’ 接合部
17 溝部
20,20’,20R,20G,20B,20A LD素子
22 活性層
25,25R,25G,25B PD素子
30,30’ ドライバIC
40,40R,40G,40B,40A 光ファイバ
50,50’,50R,50G,50B,50A,50D,50E サブ基板
51,51’ 溝部
52,52’ 凹部
53,53’ 金属膜
Claims (9)
- レーザ素子が実装された実装基板と接合されて当該レーザ素子を光ファイバに光結合させるためのシリコン製の実装部品であって、
前記実装基板との接合面に対して予め定められた深さに光ファイバのコアが位置するように当該光ファイバを固定するための溝部と、
前記溝部に連接し前記レーザ素子を内部に収容するための凹部と、を有し、
前記接合面に垂直な方向の厚さが、前記レーザ素子を前記凹部に収容するように前記接合面を前記実装基板に接触させたときに赤外線の透過像により当該レーザ素子の位置を検知可能な厚さに設定される、
ことを特徴とする実装部品。 - 絶縁体上シリコンによるストッパ層を内部に含み、
前記溝部は、前記接合面から前記ストッパ層までのシリコンを除去して形成され、
前記凹部は、前記接合面から前記ストッパ層を越える深さまでのシリコンを除去して形成される、請求項1に記載の実装部品。 - 前記接合面に垂直な方向の厚さが200μm以上1000μm以下である、請求項1または2に記載の実装部品。
- 前記接合面は、実装基板上に設けられた金属製のマイクロバンプとの間で表面活性化接合されるための金属膜を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の実装部品。
- レーザ素子からの光を光ファイバに光結合させる光モジュールであって、
実装基板と、
前記実装基板上に実装されたレーザ素子と、
前記実装基板との接合面に対して予め定められた深さに光ファイバのコアが位置するように当該光ファイバを固定するための溝部、および当該溝部に連接し前記レーザ素子を内部に収容するための凹部を有するシリコン製の実装部品と、
前記実装部品の前記溝部に固定された光ファイバと、を有し、
前記接合面に垂直な方向の前記実装部品の厚さが、前記レーザ素子を前記凹部に収容するように前記実装部品の前記接合面を前記実装基板に接触させたときに赤外線の透過像により当該レーザ素子の位置を検知可能な厚さに設定される、
ことを特徴とする光モジュール。 - 前記レーザ素子はジャンクションアップで前記実装基板上に実装され、
前記実装基板は前記光ファイバを収容するための溝部が形成されていない平坦な基板である、請求項5に記載の光モジュール。 - 前記実装基板には前記レーザ素子を駆動するための集積回路が内蔵されている、請求項6に記載の光モジュール。
- レーザ素子からの光を光ファイバに光結合させる光モジュールの製造方法であって、
レーザ素子を実装基板上に実装する工程と、
前記実装基板との接合面に対して予め定められた深さに光ファイバのコアが位置するように当該光ファイバを固定するための溝部、および当該溝部に連接し前記レーザ素子を内部に収容するための凹部を有するシリコン製の実装部品の当該溝部に光ファイバを固定する工程と、
前記レーザ素子を前記凹部に収容するように前記実装部品の前記接合面を前記実装基板に接触させる工程と、
赤外線の透過像により前記レーザ素子の位置を検知しながら、当該レーザ素子から前記光ファイバに結合される光出力が最大となるように前記実装基板と前記実装部品とを位置決めする工程と、
位置決めされた前記実装部品と前記実装基板とを接合する工程と、
を有することを特徴とする製造方法。 - 前記位置決めする工程は、
赤外線の透過像により前記レーザ素子の位置を検知しながら、前記実装基板上に設けられたアライメントマークを基準に、当該レーザ素子に対する前記光ファイバの水平位置を調整し、
前記レーザ素子から前記光ファイバに結合される光を光検出器で検出しながら、当該光検出器の出力が最大となるように、当該レーザ素子に対する当該光ファイバの水平位置および垂直位置を決定する、
ことを含む、請求項8に記載の製造方法。
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