JP4477677B2 - 光モジュールおよびその作製方法 - Google Patents

光モジュールおよびその作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4477677B2
JP4477677B2 JP2008007441A JP2008007441A JP4477677B2 JP 4477677 B2 JP4477677 B2 JP 4477677B2 JP 2008007441 A JP2008007441 A JP 2008007441A JP 2008007441 A JP2008007441 A JP 2008007441A JP 4477677 B2 JP4477677 B2 JP 4477677B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
substrate
connector portion
optical connector
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008007441A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009169116A (ja
Inventor
陽三 石川
秀行 那須
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Original Assignee
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD. filed Critical THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority to JP2008007441A priority Critical patent/JP4477677B2/ja
Priority to US12/352,846 priority patent/US8366325B2/en
Publication of JP2009169116A publication Critical patent/JP2009169116A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4477677B2 publication Critical patent/JP4477677B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
    • G02B6/4221—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera
    • G02B6/4224—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera using visual alignment markings, e.g. index methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4292—Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/36—Mechanical coupling means
    • G02B6/38—Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
    • G02B6/3807—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs
    • G02B6/3873—Connectors using guide surfaces for aligning ferrule ends, e.g. tubes, sleeves, V-grooves, rods, pins, balls
    • G02B6/3885—Multicore or multichannel optical connectors, i.e. one single ferrule containing more than one fibre, e.g. ribbon type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

本発明は、光モジュール、特に、ボード間光伝送システムや装置間（筐体間）光伝送システムに用いられ、並列に配置された複数の光ファイバ（複数のチャネル）で光信号を並列伝送する並列光モジュールとしての光モジュールおよびその作製方法に関する。
従来、複数の発光素子と、複数の発光素子を駆動する電子半導体チップ（ＩＣ）とをケース内に収容して一体化した光モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、複数のレーザダイオード或いは複数のフォトダイオードと、ＩＣ（各レーザダイオードを駆動するドライバＩＣ或いは各フォトダイオードの出力を処理する増幅用ＩＣ）とを収容してケース内に一体化した光モジュールが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
特開２００２−２６１３７２号公報 岡安俊幸，"メモリテストシステムにおける高密度インターコネクション"，第二回シリコンアナログＲＦ研究会，2004/8/2
ところで、上記特許文献１や非特許文献１に開示された従来の光モジュールでは、シリコン・オプティカルベンチ（ＳｉＯＢ）を用いたパッシブクティブ調芯により、フェルールに保持された複数の光ファイバの各一端部と複数の光素子の各光出射部或いは光受光部とを一致させるようにしている。このため、パッシブアライメントを行うためのＳｉＯＢを光モジュール内部に設ける必要が有り、その分部品点数が増えて光モジュールが大型化してしまうという問題があった。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みて為されたもので、その目的は、アクティブ調芯を短時間で行うことができると共に、部品点数の削減と小型化を図ることができる光モジュールおよびその作製方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明に係る光モジュールは、基板と、前記基板上に一列に整列して実装された複数の光素子と、前記基板上に実装され、前記複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、複数の光ファイバを一列に整列して保持し、前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置で前記基板に固定される光コネクタ部と、前記光コネクタ部を装着するための開口部を有し、前記複数の光素子と前記電子素子を含む部品全体を覆うように前記基板に固定されるカバーと、を備え、前記光コネクタ部は、前記複数の光ファイバが挿入され、一列に整列して保持された複数のファイバ保持孔と、前記複数のファイバ保持孔の両側に、前記複数のファイバ保持孔の各中心を通る仮想線に中心がそれぞれ一致した２つの貫通孔とを有し、前記基板の表面上には、前記２つの貫通孔をそれぞれ通して視認可能で、前記光コネクタ部の仮位置決め基準となる２つのアライメントマークが設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、光コネクタ部の２つの貫通孔を通して各貫通孔の中心にアライメントマークを視認できるように、光コネクタ部を基板上で二次元的に動かすことにより、光コネクタ部の仮位置決めを行うことができる。このため、その仮位置決め後に行うアクティブ調芯時に光コネクタ部を動かす量が少なくてすみ、アクティブ調芯を短時間で行うことができる。また、従来技術のように、パッシブアライメントを行うためのシリコン・オプティカルベンチ（ＳｉＯＢ）を内部に設ける必要が無く、その分部品点数の削減と小型化を図ることができる。
ここで、「複数の光ファイバと複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置」とは、各光ファイバのコア中心と各光素子の光出射部或いは受光部の中心とがそれぞれ一致する位置を言う。
請求項２に記載の発明に係る光モジュールは、前記光コネクタ部は、前記２つの貫通孔を通して該各貫通孔の中心に前記アライメントマークを視認できるように、前記光コネクタ部の仮位置決めを行うため、及び前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合するように前記光コネクタ部の位置を調整するアクティブ調芯のために、前記基板上で二次元的に移動可能であることを特徴とする。
この構成によれば、光コネクタ部の仮位置決め後に、アクティブ調芯を行って、複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置に光コネクタ部の位置を調整することができる。
ここで「アクティブ調芯」は、複数の光ファイバに光をそれぞれ入射させ、各光ファイバからの出射光の光強度がそれぞれ最大になるように、光コネクタ部を基板上で二次元的に動かすことにより行う。例えば、光素子が面発光型半導体レーザ素子の場合、複数の面発光型半導体レーザ素子を電子素子としてのドライバＩＣで駆動して、各面発光型半導体レーザ素子からの出射光を光コネクタ部の複数の光ファイバに入射させ、各光ファイバからの出射光を複数のフォトダイオードで受光し、各フォトダイオードの出力信号が最大になるように、光コネクタ部を基板上で二次元的に動かすことにより行う。
請求項３に記載の発明に係る光モジュールは、前記光コネクタ部の２つの貫通孔は、２つのガイドピンがそれぞれ嵌合する２つのガイドピン孔であることを特徴とする。
この構成によれば、ガイドピンが嵌合する光コネクタ部の２つのガイドピン孔を、アライメントマークを視認するための貫通孔として利用して光コネクタ部の仮位置決めを行うので、２つのガイドピン孔を有する光コネクタ部に特別な加工をする必要がない。
請求項４に記載の発明に係る光モジュールは、前記光コネクタ部は２つのガイドピンがそれぞれ嵌合する２つのガイドピン孔を有し、前記２つの貫通孔は、前記２つのガイドピン孔の外側に、前記２つのガイドピン孔の中心を通る仮想線に中心をそれぞれ一致させて設けられたアライメント用の貫通孔であることを特徴とする。
この構成によれば、光コネクタ部にフェルール型コネクタを装着した状態で、２つのアライメント用の貫通孔を通して各貫通孔の中心にアライメントマークを視認できるように、光コネクタ部を基板上で二次元的に動かすことにより、光コネクタ部の仮位置決めを行うことができる。このため、その仮位置決め後に行うアクティブ調芯を、フェルール型コネクタに保持された多心光ファイバに光をそれぞれ通して行うことができる。
請求項５に記載の発明に係る光モジュールは、前記カバーの開口部と前記光コネクタ部との間の隙間には、樹脂封止剤或いは接着剤が充填されていることを特徴とする。
この構成によれば、複数の光ファイバの各一端部と複数の光素子の各光出射部とをアクティブ調芯した後、光モジュール内部を樹脂封止剤で気密に封止することができ、或いは光コネクタ部を接着剤でカバーに固定することができる。
請求項６に記載の発明に係る光モジュールは、前記光素子としての複数の面発光型半導体レーザ素子と、前記複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動する前記電子素子としてのドライバＩＣとを備え、前記複数の面発光型半導体レーザ素子からそれぞれ出射される光信号を前記複数の光ファイバを介して外部へ並列伝送する送信側光モジュールとして構成したことを特徴とする。
請求項７に記載の発明に係る光モジュールは、前記光素子としての複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅する機能を有する前記電子素子としての増幅用ＩＣとを備え、外部から前記複数の光ファイバを介して並列伝送された光信号を前記複数のフォトダイオードで受光して電気信号に変換する受信側光モジュールとして構成したことを特徴とする。
上記課題を解決するために、請求項８に記載の発明に係る光モジュールの作製方法は、基板上に整列した複数の光素子と電子素子を実装し、複数の光素子と電子素子を電気的に接続する工程と、複数の光ファイバを整列させて保持した光コネクタ部を前記基板上に載置する工程と、前記光コネクタ部を装着するための開口部を有するカバーを前記基板に固定する工程と、前記光コネクタ部に設けられた２つの貫通孔を通して、各貫通孔の中心に前記基板上に設けられたアライメントマークを視認できるように、前記光コネクタ部を前記基板上で二次元的に動かして前記光コネクタ部の仮位置決めを行う工程と、前記光コネクタ部の仮位置決め後に、該光コネクタ部を、前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置に調整するアクティブ調芯を行う工程と、前記アクティブ調芯後に、前記光コネクタ部を前記基板上に固定する工程と、を備えることを特徴とする。
この構成によれば、光コネクタ部の２つの貫通孔を通して各貫通孔の中心にアライメントマークを視認できるように、光コネクタ部を基板上で二次元的に動かすことにより、光コネクタ部の仮位置決めを行うことができる。このため、その仮位置決め後に行うアクティブ調芯時に光コネクタ部を動かす量が少なくてすみ、アクティブ調芯を短時間で行うことができる。また、従来技術のように、パッシブアライメントを行うためのシリコン・オプティカルベンチ（ＳｉＯＢ）を内部に設ける必要が無く、その分部品点数の削減と小型化を図ることができる。
請求項９に記載の発明に係る光モジュールの作製方法は、前記光コネクタ部の仮位置決めを行う工程において、前記２つの貫通孔の各端部を、前記貫通孔の中心軸と光軸を一致させたカメラで撮像して、各貫通孔内部の画像情報を取得し、前記画像情報に基づき前記各貫通孔内部の画像を表示手段により表示することを特徴とする。
この構成によれば、表示手段により表示される各貫通孔内部の画像を見ながら、各貫通孔の中心にアライメントマークを視認できるように、光コネクタ部を基板上で二次元的に動かすことができるので、光コネクタ部の仮位置決めを容易にかつ効率よく行うことができる。
本発明によれば、アクティブ調芯を短時間で行うことができると共に、部品点数の削減と小型化を図ることができる光モジュールを実現することができる。
次に、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態の説明において同様の部位には同一の符号を付して重複した説明を省略する。
（第１実施形態）
第１実施形態に係る光モジュールを図１乃至図６に基づいて説明する。
図１は第１実施形態に係る光モジュールの概略構成を示す分解斜視図、図２は光モジュールの概略構成を示す縦断面図である。図３（Ａ）は光モジュール全体を示す斜視図、図３（Ｂ）はその光モジュールに用いる複数の光ファイバの１本を示す拡大図、図３（Ｃ）はその光モジュールに用いるレーザーダイオードアレイとドライバＩＣの接続関係を示す平面図である。図４は光モジュールの概略構成を示す分解斜視図、図５は光モジュールの光コネクタ部を示す斜視図、図６はその光モジュールの光コネクタ部に外部のコネクタを装着した状態を示す斜視図である。
第１実施形態に係る光モジュール１０は、図１、図２、図３（Ａ）および図４に示すように、基板１１と、光コネクタ部１２と、カバー１３と、ガイドピン３２とを備えている。基板１１は、セラミックス基板であり、その表面１１ａに電極パターン(図示省略)を有する。基板１１の電極パターン上には、一列に整列して実装された複数の光素子と、複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、を備える。本実施形態では、複数の光素子は、一列に整列された複数の面発光型半導体レーザ素子（光素子）を有するレーザーダイオードアレイ１４で構成されている。図３（Ｃ）で符号１４ａは、レーザーダイオードアレイ１４における複数の面発光型半導体レーザ素子の各光出射部（開口部）を示している。光素子としての面発光型半導体レーザ素子は、基板面に垂直な方向に光（光信号２３）を出射するＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）である。また、電子素子は、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動するドライバＩＣ１５である。
レーザーダイオードアレイ１４およびドライバＩＣ１５は、基板１１の表面１１ａの電極パターン上に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５は、図３（Ａ）および図３（Ｃ）に示すように、複数のワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。これにより、ドライバＩＣ１５からレーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子には、ワイヤ２２を介して変調信号が入力され、各面発光型半導体レーザ素子から変調信号により変調された光信号２３が出射されるようになっている。また、ドライバＩＣ１５と基板１１の電極パターンとは、複数のワイヤ（図示省略）で電気的に接続されている。
光コネクタ部１２は、図５に示すように、複数の光ファイバ１６を一列に（図２で紙面に垂直な方向に）整列させて保持している。この光コネクタ部１２は、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心（コア中心）とレーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子の各光出射部１４ａの中心とが一致するようにアクティブ調芯した後、基板１１の表面１１ａ上に固定される。これにより、レーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子からの出射光（光信号２３）は、複数の光ファイバ１６の対応する光ファイバの一端部１６ａにそれぞれ光結合するようになっている。
また、光コネクタ部１２は左右の側壁部１７を有する。両側壁部１７の下端面１７ａ（図５参照）が基板１１の表面１１ａとそれぞれ摺動可能に接している。複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部の中心とが一致するように、光コネクタ部１２を基板１１の表面１１ａ内で二次元的に動かしてアクティブ調芯した後、光コネクタ部１２の両側壁部１７の下端面１７ａを基板１１の表面１１ａに接着等により固定する。
さらに、光コネクタ部１２は、図５に示すように、複数の光ファイバ１６が挿入され、一列に整列して保持された複数のファイバ保持孔１２ａと、これらのファイバ保持孔１２ａの両側に設けられた２つのガイドピン孔１２ｂとを有する。２つのガイドピン孔１２ｂに、２つのガイドピン３２がそれぞれ嵌合可能になっている。
２つのガイドピン３２には、図６に示す外部のコネクタである多心用のフェルール型コネクタ（以下、ＭＴコネクタという。）３０の２つの貫通孔がそれぞれ嵌合可能になっている。ＭＴコネクタ３０の２つの貫通孔を２つのガイドピン３２にそれぞれ嵌合させることにより、ＭＴコネクタ３０に保持された多心光ファイバ（多心テープ光ファイバ）３１の各光ファイバの中心（コア中心）と、光コネクタ部１２に保持された複数の光ファイバ１６の各中心（コア中心）とが一致した状態で、ＭＴコネクタ３０が図６に示すように光コネクタ部１２に装着されるようになっている。
カバー１３は、図２および図４に示すように、光コネクタ部１２を装着するための開口部１３ａを有し、レーザーダイオードアレイ１４、ドライバＩＣ１５などの部品全体を覆うように基板１１に接着等により固定される。このカバー１３は、熱伝導率の高い材料、例えばＣｕ（銅）とＷ（タングステン）の合金で作製されている。
光モジュール１０の特徴は、以下の構成にある。
・光コネクタ部１２は、図１および図５に示すように、複数の光ファイバ１６が挿入された整列する複数のファイバ保持孔１２ａと、複数のファイバ保持孔１２ａの両側に、複数のファイバ保持孔１２ａの各中心に中心がそれぞれ一致した２つの貫通孔とを有する。本実施形態では、２つの貫通孔は２つのガイドピン３２がそれぞれ嵌合する２つのガイドピン孔１２ｂである。
・基板１１の表面１１ａ上には、図１および図５に示すように、２つのガイドピン孔（貫通孔）１２ｂをそれぞれ通して視認可能で、光コネクタ部の位置決め基準となる２つのアライメントマーク５０がレーザーダイオードアレイ１４の外側に設けられている。
また、この光モジュール１０では、光コネクタ部１２は、複数の光ファイバ１６とレーザーダイオードアレイ１４とがそれぞれ光結合するように光コネクタ部１２の位置を調整するアクティブ調芯のために基板１１の表面１１ａ上で二次元的に移動可能である。つまり、光コネクタ部１２は、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心（コア中心）とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａ（図３（Ｃ）参照）の中心とをそれぞれ一致させるアクティブ調芯を行うために、両側壁部１７の下端面１７ａが基板１１の表面１１ａとそれぞれ摺動可能に接しており、基板１１上で二次元的に移動可能である。
また、光コネクタ部１２の基板１１の表面１１ａと対向する一端面１２ｃ（図５参照）では、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａが一列に整列して、レーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａとそれぞれ対向している。また、光コネクタ部１２の一端面１２ｃとは反対側の他端面１２ｄでは、複数の光ファイバ１６の各他端部１６ｂが一列に整列している。光コネクタ部１２の側面とカバー１３の開口部１３ａとの間の隙間には、図２に示すように樹脂封止剤或いは接着剤等の樹脂１８が充填されている。
また、図１および図２に示すように、基板１１の表面１１ａおよびこの表面に実装された部品と、カバー１３との間のギャップ（空間）には、熱伝導率の高い封止剤が充填されている。具体的には、カバー１３とドライバＩＣ１５との間の空間には、熱伝導性と絶縁性を有するシリコーンゲル１９が封止剤として充填されている。また、複数の光ファイバ１６の一端部１６ａとレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａとの間の空間には、透明なシリコーンゲル２０が封止剤として充填されている。
<光モジュールの作製方法>
以上の構成を有する光モジュール１０の作製方法を、図１に基づいて説明する。
光モジュール１０の作製方法は、以下の工程（１）〜（６）を備える。
（１）基板１１の表面１１ａの電極パターン上に整列したレーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５を実装し、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣをワイヤ２２で電気的に接続する工程。
（２）複数の光ファイバ１６を整列させて保持した光コネクタ部１２を基板１１の表面１１ａ上に載置する工程。
（３）光コネクタ部１２を装着するための開口部１３ａを有するカバー１３を基板１１に固定する工程。
（４）光コネクタ部１２に設けられた２つのガイドピン孔（貫通孔）１２ｂを通して、各ガイドピン孔１２ｂの中心に基板１１上に設けられたアライメントマーク５０を視認できるように、光コネクタ部１２を基板１１上で二次元的に動かして光コネクタ部１２の仮位置決め（粗い位置決め）を行う工程。
（５）光コネクタ部１２の仮位置決め後に、光コネクタ部１２を、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａの中心とがそれぞれ一致する位置に調整するアクティブ調芯を行う工程。
（６）アクティブ調芯後に、光コネクタ部１２を基板１１の表面１１ａ上に固定する工程。
光コネクタ部１２の仮位置決めを行う上記工程（４）では、図１に示すように、２つのガイドピン孔１２ｂの各端部を、ガイドピン孔１２ｂの中心軸とレンズの光軸を一致させたカメラ５１で撮像して、各ガイドピン孔１２ｂ内部の画像情報を取得し、画像情報に基づき各ガイドピン孔１２ｂ内部の画像を表示手段としてのディスプレイ５２により表示するのが好ましい。
以上のように構成された第１実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
○光コネクタ部１２の２つのガイドピン孔１２ｂを通して各ガイドピン孔１２ｂの中心に２つのアライメントマーク５０を視認できるように、光コネクタ部１２を基板１１上で二次元的に動かすことにより、光コネクタ部１２の仮位置決めを行うことができる。このため、その仮位置決め後に行うアクティブ調芯時に光コネクタ部１２を動かす量が少なくてすみ、アクティブ調芯を短時間で行うことができる。また、従来技術のように、パッシブアライメントを行うためのシリコン・オプティカルベンチ（ＳｉＯＢ）を内部に設ける必要が無く、その分部品点数の削減と小型化を図ることができる。
従って、アクティブ調芯を短時間で行うことができると共に、部品点数の削減と小型化を図ることができる光モジュール１０を実現することができる。
○光コネクタ部１２は基板１１上で二次元的に移動可能であるので、光コネクタ部１２の仮位置決め後に、アクティブ調芯を行って、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａの中心とがそれぞれ一致するように、光コネクタ部１２の位置を調整することができる。
○ガイドピン３２が嵌合する光コネクタ部１２の２つのガイドピン孔１２ｂを、アライメントマーク５０を視認するための貫通孔として利用して光コネクタ部１２の仮位置決めを行うので、２つのガイドピン孔１２ｂを有する光コネクタ部１２に特別な加工をする必要がない。
○カバー１３の開口部１３ａと光コネクタ部１２との間の隙間には、樹脂封止剤或いは接着剤等の樹脂１８が充填されている。このため、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａとレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部とが一致するようにアクティブ調芯した後、光モジュール１２内部を樹脂封止剤気密に封止することができ、或いは光コネクタ部１２をカバー１３に固定することができる。
○上述した光モジュールの作製方法では、光コネクタ部１２の仮位置決めを行う上記工程（４）において、図１に示すように、各ガイドピン孔１２ｂ内部の画像情報をカメラ５１で取得し、取得した画像情報に基づき各ガイドピン孔１２ｂ内部の画像をディスプレイ５２で表示する。これにより、ディスプレイ５２で表示される各ガイドピン孔１２ｂ内部の画像を見ながら、各ガイドピン孔１２ｂの中心にアライメントマーク５０を視認できるように、光コネクタ部１２を基板１１上で二次元的に動かすことができる。このため、光コネクタ部１２の仮位置決めを容易にかつ効率よく行うことができる。
○上記工程（４）において、２つのガイドピン孔１２ｂの各端部を、ガイドピン孔１２ｂの中心軸とレンズの光軸を一致させたカメラ５１で撮像して、各ガイドピン孔１２ｂ内部の画像情報を取得するので、ディスプレイ５２で表示される画像は、２つのガイドピン孔１２ｂの各端部を垂直方向から見た画像となる。このため、その画像を見ながら、光コネクタ部１２の仮位置決めを正確に行うことができる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る光モジュールを図７および図８に基づいて説明する。
上記第１実施形態に係る光モジュール１０では、ガイドピン３２が嵌合する光コネクタ部１２の２つのガイドピン孔１２ｂを、アライメントマーク５０を視認するための貫通孔として利用している。これに対して、図７および図８に示す第２実施形態に係る光モジュール１０Ａでは、アライメントマーク５０の外側に２つのアライメントマーク５４が設けられている。そして、２つのアライメントマーク５４を視認するための２つの貫通孔として、光コネクタ部１２における２つのガイドピン孔１２ｂの外側に、２つのガイドピン孔１２ｂの中心に中心をそれぞれ一致させて設けられた孔（以下、アライメント用の貫通孔と呼ぶ）５３を用いている。第２実施形態に係る光モジュール１０Ａのその他の構成は、上記第１実施形態に係る光モジュール１０と同様である。
以上のように構成された第２実施形態によれば、上記第１実施形態の奏する上記作用効果に加えて、以下の作用効果を奏する。
アライメントマーク５０の外側に設けたアライメントマーク５４を視認するための２つの貫通孔として、２つのガイドピン孔１２ｂの外側に、２つのガイドピン孔１２ｂの中心に中心をそれぞれ一致させて設けられたアライメント用の貫通孔５３を用いている。これにより、光コネクタ部１２にＭＴコネクタ３０を装着した状態で、２つのアライメント用の貫通孔５３を通して各貫通孔５３の中心にアライメントマーク５４を視認できるように、光コネクタ部１２を基板１１上で二次元的に動かすことにより、光コネクタ部１２の仮位置決めを行うことができる。このため、その仮位置決め後に行うアクティブ調芯を、ＭＴコネクタ３０に保持された多心光ファイバ３１に光をそれぞれ通して行うことができる。
（第３実施形態）
第３実施形態に係る光モジュール１０Ｂを図９（Ａ），（Ｂ）および図１０に基づいて説明する。
上記第１実施形態では、ドライバＩＣ１５を基板１１の電極パターン上にワイヤボンディング実装している。これに対して、第３実施形態に係る光モジュール１０Ｂでは、図９（Ａ），（Ｂ）および図１０に示すように、ドライバＩＣ１５を基板１１の電極パターン上にフリップチップ実装している。また、この光モジュール１０Ｂでは、レーザーダイオードアレイ１４を、基板１１に設けた凹部１１ｃ内に配置している。そして、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５が接続された複数の配線（電極パターンの一部）とが、ワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。光モジュール１０Ｂのその他の構成は、上記第１実施形態に係る光モジュール１０と同様である。
このような構成を有する第３実施形態に係る光モジュール１０Ｂによれば、ドライバＩＣ１５を基板１１の電極パターン上にフリップチップ実装した光モジュールにおいて、上記第１実施形態と同様にアクティブ調芯を短時間で行うことができると共に、部品点数の削減と小型化を図ることができる光モジュール１０を実現することができる。
なお、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
・上記各実施形態では、送信側光モジュールとして構成した光モジュール１０，１０Ａについて説明したが、本発明はこれに限定されない。光モジュール１０，１０Ａにおいて、レーザーダイオードアレイ１４に代えて一列に整列された複数のフォトダイオード素子（光素子）を有するフォトダイオードアレイを用いる。そして、ドライバＩＣ１５に代えて、各フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅する（TIA：Transimpedance Amplifier）の機能を備えた増幅用ＩＣを用いて受信側光モジュールとして構成した光モジュールにも本発明は適用可能である。
・また、レーザーダイオードアレイ１４に代えて、複数の面発光型半導体レーザ素子（光素子）が一列に整列されて実装された光モジュール、或いは、フォトダイオードアレイに代えて複数のフォトダイオード（光素子）が一列に整列されて実装された光モジュールにも本発明は適用可能である。
第１実施形態に係る光モジュールの概略構成を示す分解斜視図。 第１実施形態に係る光モジュールの概略構成を示す縦断面図。 （Ａ）は光モジュール全体を示す斜視図、（Ｂ）はその光モジュールに用いる複数の光ファイバの１本を示す拡大図、（Ｃ）はその光モジュールに用いるレーザーダイオードアレイとドライバＩＣの接続関係を示す平面図。 光モジュールの概略構成を示す分解斜視図。 光モジュールの光コネクタ部を示す斜視図。 第１実施形態に係る光モジュールの光コネクタ部に外部のコネクタを装着した状態を示す斜視図。 第２実施形態に係る光モジュールにおけるアライメント用の貫通孔とアライメントマークの位置関係を示す説明図。 第２実施形態に係る光モジュールの光コネクタ部に外部のコネクタを装着した状態を示す斜視図。 （Ａ）は第３実施形態に係る光モジュール全体を示す斜視図、（Ｂ）は光モジュールの主要部を示す斜視図。 第３実施形態に係る光モジュールの概略構成を示す縦断面図。
符号の説明
１０，１０Ａ，１０Ｂ：光モジュール
１１：基板
１１ａ：表面
１２：光コネクタ部
１２ａ：ファイバ保持孔
１２ｂ：ガイドピン孔（貫通孔）
１３：カバー
１３ａ：開口部
１４：面発光型半導体レーザ（光素子）
１５：ドライバＩＣ（電子素子）
１６：光ファイバ
１６ａ：一端部
２３：光信号
３０：多心用のフェルール型コネクタ（ＭＴコネクタ）
３１：多心光ファイバ（多心テープ光ファイバ）
５０，５４：アライメントマーク
５１：カメラ
５２：表示手段としてのディスプレイ
５３：アライメント用の貫通孔

Claims (9)

  1. 基板と、
    前記基板上に一列に整列して実装された複数の光素子と、
    前記基板上に実装され、前記複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、
    複数の光ファイバを一列に整列して保持し、前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置で前記基板に固定される光コネクタ部と、
    前記光コネクタ部を装着するための開口部を有し、前記複数の光素子と前記電子素子を含む部品全体を覆うように前記基板に固定されるカバーと、を備え、
    前記光コネクタ部は、前記複数の光ファイバが挿入され、一列に整列して保持された複数のファイバ保持孔と、前記複数のファイバ保持孔の両側に、前記複数のファイバ保持孔の各中心を通る仮想線に中心がそれぞれ一致した２つの貫通孔とを有し、
    前記基板の表面上には、前記２つの貫通孔をそれぞれ通して視認可能で、前記光コネクタ部の仮位置決め基準となる２つのアライメントマークが設けられていることを特徴とする光モジュール。
  2. 前記光コネクタ部は、前記２つの貫通孔を通して該各貫通孔の中心に前記アライメントマークを視認できるように、前記光コネクタ部の仮位置決めを行うため、及び前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合するように前記光コネクタ部の位置を調整するアクティブ調芯のために、前記基板上で二次元的に移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
  3. 前記光コネクタ部の２つの貫通孔は、２つのガイドピンがそれぞれ嵌合する２つのガイドピン孔であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
  4. 前記光コネクタ部は２つのガイドピンがそれぞれ嵌合する２つのガイドピン孔を有し、前記２つの貫通孔は、前記２つのガイドピン孔の外側に、前記２つのガイドピン孔の中心を通る仮想線に中心をそれぞれ一致させて設けられたアライメント用の貫通孔であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
  5. 前記カバーの開口部と前記光コネクタ部との間の隙間には、樹脂封止剤或いは接着剤が充填されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の光モジュール。
  6. 前記光素子としての複数の面発光型半導体レーザ素子と、前記複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動する前記電子素子としてのドライバＩＣとを備え、前記複数の面発光型半導体レーザ素子からそれぞれ出射される光信号を前記複数の光ファイバを介して外部へ並列伝送する送信側光モジュールとして構成したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の光モジュール。
  7. 前記光素子としての複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅する機能を有する前記電子素子としての増幅用ＩＣとを備え、外部から前記複数の光ファイバを介して並列伝送された光信号を前記複数のフォトダイオードで受光して電気信号に変換する受信側光モジュールとして構成したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の光モジュール。
  8. 光モジュールの作製方法であって、
    基板上に整列した複数の光素子と電子素子を実装し、複数の光素子と電子素子を電気的に接続する工程と、
    複数の光ファイバを保持した光コネクタ部を前記基板上に載置する工程と、
    前記光コネクタ部を装着するための開口部を有するカバーを前記基板に固定する工程と、
    前記光コネクタ部に設けられた２つの貫通孔を通して、各貫通孔の中心に前記基板上に設けられたアライメントマークを視認できるように、前記光コネクタ部を前記基板上で二次元的に動かして前記光コネクタ部の仮位置決めを行う工程と、
    前記光コネクタ部の仮位置決め後に、該光コネクタ部を、前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置に調整するアクティブ調芯を行う工程と、
    前記アクティブ調芯後に、前記光コネクタ部を前記基板上に固定する工程と、
    を備えることを特徴とする光モジュールの作製方法。
  9. 前記光コネクタ部の仮位置決めを行う工程において、前記２つの貫通孔の各端部を、前記貫通孔の中心軸と光軸を一致させたカメラで撮像して、各貫通孔内部の画像情報を取得し、前記画像情報に基づき前記各貫通孔内部の画像を表示手段により表示することを特徴とする請求項８に記載の光モジュールの作製方法。
JP2008007441A 2008-01-16 2008-01-16 光モジュールおよびその作製方法 Active JP4477677B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008007441A JP4477677B2 (ja) 2008-01-16 2008-01-16 光モジュールおよびその作製方法
US12/352,846 US8366325B2 (en) 2008-01-16 2009-01-13 Optical module and method of manufacturing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008007441A JP4477677B2 (ja) 2008-01-16 2008-01-16 光モジュールおよびその作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009169116A JP2009169116A (ja) 2009-07-30
JP4477677B2 true JP4477677B2 (ja) 2010-06-09

Family

ID=40970349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008007441A Active JP4477677B2 (ja) 2008-01-16 2008-01-16 光モジュールおよびその作製方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8366325B2 (ja)
JP (1) JP4477677B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160107401A (ko) * 2015-03-03 2016-09-19 한국전자통신연구원 광 결합 장치

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101911405B (zh) * 2008-01-16 2013-12-04 古河电气工业株式会社 光模块
JP5633725B2 (ja) * 2010-03-10 2014-12-03 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路構成体及び電気接続箱
US8699012B2 (en) * 2010-03-17 2014-04-15 Tyco Electronics Nederland B.V. Optical fiber alignment measurement method and apparatus
US8538215B2 (en) * 2010-05-20 2013-09-17 Analog Devices, Inc. Optical package and related methods
JP5530332B2 (ja) * 2010-10-27 2014-06-25 日本航空電子工業株式会社 光モジュール
US8842951B2 (en) 2012-03-02 2014-09-23 Analog Devices, Inc. Systems and methods for passive alignment of opto-electronic components
US9716193B2 (en) 2012-05-02 2017-07-25 Analog Devices, Inc. Integrated optical sensor module
EP2892587B1 (en) * 2012-09-04 2024-07-03 Fenwal, Inc. Interface detector for blood processing system
WO2014179511A2 (en) * 2013-04-30 2014-11-06 Finisar Corporation Thermal management structures for optoelectronic modules
US10884551B2 (en) 2013-05-16 2021-01-05 Analog Devices, Inc. Integrated gesture sensor module
US9590129B2 (en) 2014-11-19 2017-03-07 Analog Devices Global Optical sensor module
JP6183527B1 (ja) * 2016-09-30 2017-08-23 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光モジュール及び光変調器
US10712197B2 (en) 2018-01-11 2020-07-14 Analog Devices Global Unlimited Company Optical sensor package
CN114746147A (zh) * 2019-10-29 2022-07-12 Ipg光子公司 光纤线缆连接器
CN112059065B (zh) * 2020-07-28 2023-04-28 宿迁学院 一种二极管引脚整型装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1063549A4 (en) * 1998-12-25 2006-07-12 Sumitomo Electric Industries TRANSMITTER / RECEIVER FOR OPTICAL PARALLEL TRANSMISSION AND PATT FOR OPTICAL MODULE
JP2000199837A (ja) 1999-01-06 2000-07-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 光並列伝送用送受信器
JP3824797B2 (ja) * 1999-01-08 2006-09-20 古河電気工業株式会社 受発光素子モジュール
US6641310B2 (en) * 2000-04-21 2003-11-04 Teraconnect, Inc. Fiber optic cable connector
JP2002202440A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 光モジュールの実装構造及び実装方法
US6736553B1 (en) * 2001-01-12 2004-05-18 Optical Communication Products, Inc. VCSEL array optical subassembly module with alignment mechanism
JP3672831B2 (ja) 2001-02-27 2005-07-20 住友電気工業株式会社 搭載基板及び光モジュール
US6635866B2 (en) * 2001-04-19 2003-10-21 Internation Business Machines Corporation Multi-functional fiber optic coupler
US6910812B2 (en) * 2001-05-15 2005-06-28 Peregrine Semiconductor Corporation Small-scale optoelectronic package
US6739760B2 (en) * 2001-09-17 2004-05-25 Stratos International, Inc. Parallel fiber optics communications module
US6676302B2 (en) * 2001-09-17 2004-01-13 Stratos Lightwave, Inc. Method of constructing a fiber optics communications module
US6748145B2 (en) 2001-12-20 2004-06-08 Eastman Kodak Company Fiber optic array and method of making same
US6950570B1 (en) * 2002-08-13 2005-09-27 Active Optical Networks, Inc. Integrated fiber, sensor and lens arrays for optical networks
US20040190851A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Garner Sean M. Two-dimensional optical element arrays
JP4559327B2 (ja) 2005-09-14 2010-10-06 株式会社日立製作所 レンズを用いた光モジュールのアラインメント方法およびその方法で作成した光モジュール
US8333517B2 (en) * 2007-02-05 2012-12-18 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor submodule, method for connecting connector and semiconductor submodule, and optical module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160107401A (ko) * 2015-03-03 2016-09-19 한국전자통신연구원 광 결합 장치
KR102356288B1 (ko) * 2015-03-03 2022-02-03 한국전자통신연구원 광 결합 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009169116A (ja) 2009-07-30
US8366325B2 (en) 2013-02-05
US20090269006A1 (en) 2009-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4477677B2 (ja) 光モジュールおよびその作製方法
JP5065062B2 (ja) 光モジュール
WO2009090988A1 (ja) 光モジュール
US20090016670A1 (en) System and method for the fabrication of an electro-optical module
EP2790048A1 (en) Optical module
JPWO2015001681A1 (ja) 光モジュール、光モジュールの実装方法、光モジュール搭載回路基板、光モジュール評価キットシステム、回路基板および通信システム
US20040146253A1 (en) Method and apparatus for parallel optical transceiver module assembly
US8090228B2 (en) Photoelectric conversion device, photoelectric conversion module and method of manufacturing photoelectric conversion device
US20170261701A1 (en) Optical module
US9726826B2 (en) Inter-lens adjusting method and photoelectric hybrid substrate
US8750657B2 (en) Flip-chip optical interface with micro-lens array
US10018791B2 (en) Multi-channel optical subassembly and method of manufacturing the same
JP2011099930A (ja) 光送受信器
JP2015028658A (ja) 光モジュール、光モジュールの実装方法、光モジュール搭載回路基板、光モジュール評価キットシステム、回路基板および通信システム
US9297967B2 (en) Device for converting signal
JP2005292739A (ja) 光モジュール
US20020136504A1 (en) Opto-electronic interface module for high-speed communication systems and method of assembling thereof
JP2004085756A (ja) 光送受信モジュール
KR20080088723A (ko) 가이드 핀을 이용한 병렬형 광 트랜시버 모듈 패키지 및 그제작방법
KR101256814B1 (ko) 완전 수동정렬 패키징된 광모듈 및 그 제조방법
JP2022037163A (ja) 光サブアセンブリ、光モジュール、及び光伝送装置
KR101132680B1 (ko) 광전소자 패키지
JP6898245B2 (ja) 一体化された光デバイスを有する光学ベンチサブアセンブリ
JP2005284167A (ja) 光通信モジュール
JP2008090093A (ja) 一心双方向光送受信トランシーバ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100305

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100311

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4477677

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350