JP6335765B2 - 光モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
上記の光モジュールでは、第2の基板にはレーザ素子を駆動するための集積回路が内蔵されていることが好ましい。
上記の製造方法は、接合前の第1および第2の基板の少なくともいずれか一方について、密封用金属パターンの上に予備半田を形成する工程をさらに有することが好ましい。
10,20 Siプラットフォーム
11,21 凹部
12,14,22,24 溝部
13,23 接合部
15,25 密封用金属パターン
30,40 サブ基板
33,43 接合部
35,45 密封用金属パターン
36 予備半田
50 LD素子
60 光ファイバ
61,61’ ファイバメタル
70 半田
Claims (9)
- 表面活性化接合用の接合部がそれぞれに形成され、レーザ素子を覆って互いに接合されたときに前記レーザ素子を取り囲む配置となる密封用金属パターンがそれぞれに形成された第1および第2の基板と、
前記第1および第2の基板の一方に実装されたレーザ素子と、
前記第1および第2の基板の他方に固定され、前記レーザ素子に対して調芯された光ファイバと、
表面活性化接合により互いに接合された前記第1および第2の基板の前記密封用金属パターン同士の間に形成された隙間を塞ぐことにより前記レーザ素子を密封する密封部材と、
を有することを特徴とする光モジュール。 - 前記第1および第2の基板の前記密封用金属パターンは、基板同士の接合面に沿って、互いに対向する位置に形成され、
前記第1および第2の基板の少なくともいずれか一方は、前記レーザ素子を取り囲む位置に形成された溝部を有し、
前記第1および第2の基板の少なくともいずれか一方の前記密封用金属パターンは前記溝部の底面に形成される、請求項1に記載の光モジュール。 - 前記光ファイバは、一方の端部が前記第1および第2の基板により覆われて前記レーザ素子と光結合されるとともに、他方の端部が前記第1および第2の基板の外側に引き出され、かつ表面の少なくとも一部に形成された密封用金属パターンを有し、
前記密封部材は、前記光ファイバの密封用金属パターンと接合することにより、前記光ファイバと前記第1および第2の基板との間に形成された隙間を塞ぐ、請求項1または2に記載の光モジュール。 - 前記第1の基板は、前記レーザ素子を内部に収容するための凹部を有し、
前記第2の基板は、前記レーザ素子が実装され、前記凹部を覆うように前記第1の基板の上に接合された平坦な基板である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光モジュール。 - 前記第2の基板には前記レーザ素子を駆動するための集積回路が内蔵されている、請求項4に記載の光モジュール。
- レーザ素子を覆って互いに接合される第1および第2の基板のそれぞれに表面活性化接合用の接合部を形成する工程と、
基板同士が接合されたときに前記レーザ素子を取り囲む配置となる密封用金属パターンを前記第1および第2の基板のそれぞれに形成する工程と、
前記第1および第2の基板の一方に前記レーザ素子を実装する工程と、
前記第1および第2の基板の他方に光ファイバを固定する工程と、
前記第1の基板の上に前記第2の基板を配置して前記レーザ素子と前記光ファイバとを調芯する工程と、
表面活性化接合により前記第1および第2の基板を互いに接合する工程と、
接合された前記第1および第2の基板の前記密封用金属パターン同士の間に形成された隙間を塞ぐことにより前記レーザ素子を密封する工程と、
を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 前記第1の基板に接合された前記第2の基板の外周部に半田を塗布する工程をさらに有し、
前記密封する工程では、前記半田を溶融させて前記第1および第2の基板の前記密封用金属パターン同士の間に形成された隙間を塞ぐ、請求項6に記載の製造方法。 - 接合前の前記第1および第2の基板の少なくともいずれか一方について、前記密封用金属パターンの上に予備半田を形成する工程をさらに有する、請求項6または7に記載の製造方法。
- 前記塗布する工程では、前記第2の基板の各辺の外周部に半田を塗布する、請求項7に記載の製造方法。
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