JP6272587B1 - ガルバノミラー、ガルバノミラーを用いたガルバノスキャナ、ガルバノミラーを用いたレーザ加工機及びガルバノミラーの製造方法 - Google Patents
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Abstract
ガルバノミラー（１０）は、鏡面を有するミラーサーフェイス部（１０Ａ）と、鏡面の裏面側に接合される背面補強部（１２）とを有し、ミラーサーフェイス部（１０Ａ）を単結晶ＳｉＣウェハにより構成し、背面補強部（１２）をＣ／ＳｉＣ材により形成する。これにより、ミラーサーフェイス部の剛性を高めるとともに、ミラーサーフェイス部を薄くし、ミラーサーフェイス部の背面補強部を軽量化する。これにより、ガルバノミラーの共振周波数を高め、高速に移動させても、高精度で歪みにくいガルバノミラーを得る。
Description
本発明は、レーザビームを走査させるガルバノスキャナに用いられる、ガルバノミラー、ガルバノミラーを用いたガルバノスキャナ、ガルバノミラーを用いたレーザ加工機及びガルバノミラーの製造方法に関するものである。
近年、電子機器に搭載される基板の高集積化が進み、加工機の高精度化、高速化が要求されている。基板を加工するレーザ加工機では、レーザビームをガルバノミラーで走査させている。このガルバノミラーの駆動には、ガルバノスキャナが使用されている。したがって、加工を高速化するためには、このガルバノスキャナによるガルバノミラーの駆動を高速化する必要がある。
従来のガルバノスキャナは、ハウジングに固定されたステータと、回転可能に支持されたロータシャフトと、ロータシャフトに取り付けられたガルバノミラーとを有している。そして、ステータが有するコイルに発生した磁力により、永久磁石を有するロータシャフトが回転されて、ガルバノミラーが回転駆動される。なお、ガルバノミラーの回転は、モータなどの回転電機と異なり、基準位置に対して±数十度の範囲内で揺動するものである。
連続して被加工物に穿孔を行うレーザ加工では、ガルバノミラーでレーザを走査するために、ロータシャフトの回転を加速と停止を繰り返し行うため、高速に動作させると駆動電流の周波数が高くなる。このため、永久磁石に渦電流が流れて渦損が発生し、永久磁石の温度が高くなる。永久磁石の温度が高くなると、熱減磁が発生して磁石特性が劣化し、ガルバノスキャナの動作に支障が生じる。
ガルバノスキャナを高速動作させると、ガルバノミラーが固定されたロータシャフトに大きな負荷が加わる。そのため、動作速度を速くすると、ロータシャフトのねじれが増大し、ガルバノミラーに位置ずれが生じる、また、ガルバノミラー自体も高速で動作させると変形するためミラーの反射面が歪んで、レーザの走査のずれが大きくなり加工精度が劣化してしまう。
このため、ガルバノミラーの材料に、低比重で剛性の高いベリリウム合金を使用し、さらに、ガルバノミラーの固定部に切れ込みを入れて、ねじ止めによる応力がミラー面に伝達されることを軽減している（例えば特許文献１参照）。また、共振光学装置において、炭素繊維強化樹脂を用いてミラーをロッドと一体成形することにより、ミラーの支持部を軽量化して、高速な振幅を可能とするものが知られている（例えば特許文献２参照）。
しかしながら、特許文献１では、ガルバノミラーの固定部近傍の張りに、切り込みを入れているため、固定部の剛性が低下して、高速駆動時に加工位置ずれが発生するおそれがある。また、特許文献２は、共振を利用しているため、速度を変化させる装置には適用できない。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、高速に移動させても、高精度で歪みにくいガルバノミラーを得るものである。
本発明に係るガルバノミラーは、鏡面を有するミラーサーフェイス部と、鏡面の裏面側に接合される背面補強部とを有し、ミラーサーフェイス部を、単結晶ＳｉＣウェハにより構成する。
本発明は、ミラーサーフェイス部を薄くし、さらに軽量化することにより、ガルバノミラーの共振周波数を高めている。これにより、高速に揺動させても高精度で歪みにくいガルバノミラーを得ることができる。
以下、本発明のガルバノミラー及びガルバノミラーの製造方法の好適な実施の形態につき、図面を用いて説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１におけるガルバノミラー１０を用いたレーザ加工機１の模式図である。図１に示すように、レーザ加工機１は、レーザ発振器３００と、ガルバノミラー１０を有する２台のガルバノスキャナ１００Ａ及び１００Ｂと、ｆθレンズ４００を有している。
図１は、本発明の実施の形態１におけるガルバノミラー１０を用いたレーザ加工機１の模式図である。図１に示すように、レーザ加工機１は、レーザ発振器３００と、ガルバノミラー１０を有する２台のガルバノスキャナ１００Ａ及び１００Ｂと、ｆθレンズ４００を有している。
レーザ加工機１は、レーザ発振器３００から、ガルバノスキャナ１００Ａのガルバノミラー１０に向けて、レーザビーム３００Ａを照射する。ガルバノスキャナ１００Ａは、ガルバノミラー１０を揺動させて、ガルバノミラー１０により反射させたレーザビーム３００Ａを、ガルバノスキャナ１００Ｂのガルバノミラー１０に向けて照射する。
ガルバノスキャナ１００Ｂのガルバノミラー１０は、ガルバノミラー１０を往復回転駆動させて、ガルバノミラー１０により反射させたレーザビーム３００Ａを、ｆθレンズ４００に向けて照射する。ｆθレンズ４００に入光したレーザビーム３００Ａは、被加工物２００上にスポットＳを形成する。レーザビーム３００ＡのスポットＳは、各ガルバノミラー１０の往復回転移動に伴って、被加工物２００の上を２次元方向に移動し、被加工物２００に穿孔、切断などの加工を施す。
次に、ガルバノミラー１０について説明する。図２は、実施の形態１によるガルバノミラー１０の背面側を示す斜視図である。また、図３は、ガルバノミラー１０の背面図であり、図４は、ガルバノミラー１０の側面図である。
図２〜図４に示すように、実施の形態１によるガルバノミラー１０は、ミラーサーフェイス部１０Ａと、背面補強部１２とを有している。ミラーサーフェイス部１０Ａは、レーザビーム３００Ａを反射する鏡面Ｒを有している。背面補強部１２は、主骨格１２Ａと、主骨格１２Ａから延出する複数の副骨格１２Ｂと、主骨格１２Ａの基部側に形成されたロータ接合部１２Ｃとを有している。背面補強部１２は、主骨格１２Ａ及び複数の副骨格１２Ｂにより、ミラーサーフェイス部１０Ａを鏡面Ｒの裏面側から補強して、鏡面Ｒの振動、歪み、捻じれを抑制している。
図２及び図３に示すように、複数の副骨格１２Ｂは、主骨格１２Ａから、斜めに延出しており、主骨格１２Ａから離れるにしたがって、主骨格１２Ａの先端側に向かうように形成されている。そして、複数の副骨格１２Ｂは、幅及び高さが、主骨格１２Ａから離れるにしたがって、小さくなるように形成されている。このような形状にすることにより、背面補強部１２を軽量化している。
なお、複数の副骨格１２Ｂは、幅及び高さのいずれか一方が、主骨格１２Ａから離れるにしたがって、小さくなるように形成してもよい。また、複数の副骨格１２Ｂは、主骨格１２Ａから垂直な方向に延出させてもよい。ただし、複数の副骨格１２Ｂは、主骨格１２Ａから離れるにしたがって、主骨格１２Ａの基部側に向かうように形成すると、補強効果が弱くなるため好ましくない。また、副骨格１２Ｂは、ミラーサーフェイス部１０Ａの周辺端部まで延出させなくともよい。
ガルバノミラー１０のミラーサーフェイス部１０Ａは、鏡面研磨した単結晶ウェハを、ガルバノミラー１０の形状にトリミングして得る。一方、背面補強部１２は、炭素繊維のミルド繊維と粉末樹脂と黒鉛粉末とを混合して得られた材料を、平面に研削加工して形成される。このようにして得られたミラーサーフェイス部１０Ａと背面補強部１２とを一体に接合することにより、ガルバノミラー１０が得られる。なお、ガルバノミラー１０の製造方法の詳細については、後述する。
このように、実施の形態１によるガルバノミラー１０は、ミラーサーフェイス部１０Ａと、ミラーサーフェイス部１０Ａを背面から補強する背面補強部１２とを有している。そして、背面補強部１２に、主骨格１２Ａと、主骨格１２Ａから延出する複数の副骨格１２Ｂと有している。これにより、ガルバノミラー１０が往復回転移動された場合に、ミラーサーフェイス部１０Ａの鏡面Ｒの振動、歪み、捻じれを抑制することができる。
次に、ガルバノスキャナ１００について説明する。図５は、ガルバノスキャナ１００の断面図である。図５に示すように、ガルバノスキャナ１００は、ハウジング２０と、ロータシャフト２１と、ガルバノミラー１０とを有している。ロータシャフト２１は、ハウジング２０に一対のベアリング２３によって回転可能に支持されている。また、ガルバノミラー１０は、ロータシャフト２１の一端側に接続されており、ロータシャフト２１の他端側には、エンコーダ板２４が取付けられている。ロータシャフト２１は、永久磁石２２を内蔵している。そして、ハウジング２０の内壁には、ロータシャフト２１の周囲を覆うように、コイル２５が取付けられている。
ロータシャフト２１は、例えば、Ｃ／ＳｉＣ（Ｃａｒｂｏｎ／Ｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅ）複合材料によって形成される。また、永久磁石２２は、例えばネオジム焼結磁石により形成され、接着剤によってロータシャフト２１に固定されている。エンコーダ板２４は、図示しないセンサヘッドと協動して、ガルバノミラー１０の角度変位をフィードバック制御するためのロータリエンコーダを構成している。なお、ロータリエンコーダに代えて、レゾルバを用いてもよい。
次に、ガルバノミラー１０の製造方法の詳細について、図６を用いて説明する。図６は、この発明の実施の形態1に係るガルバノミラー１０の製造プロセスのフローを示している。
図６に示すように、ガルバノミラー１０の製造プロセスは、ミラーサーフェイス部１０Ａを形成するプロセスＡと、背面補強部１２を形成するプロセスＢと、ミラーサーフェイス部１０Ａと背面補強部１２とを一体化するプロセスＣとからなる。以下、プロセスＡからプロセスＣまでを順番に説明する。
プロセスＡでは、まず、単結晶ＳｉＣのインゴットをスライスしたウェハを用意する（Ａ１）。例えば、厚さ３５０μｍのＣｒｅｅ社製４Ｈ−Ｎｔｙｐｅを使用する。
次に、ウェハの、ミラーサーフェイス部１０Ａの鏡面Ｒとなる面を、ポリッシュ仕上げして、表面粗度を１０ｎｍ ｒｍｓ(二乗平均平方根（Root Mean Square）)以下、平面度をλ／２（λ＝６３３ｎｍ）に仕上げる（Ａ２）。
次に、ワイヤー放電加工機を用いて、ウェハをミラーサーフェイス部１０Ａの形状にトリミング加工する（Ａ３）。トリミング加工は、レーザ加工法やダイヤモンドツールによる研削加工によって行ってもよいが、ミラーサーフェイス部１０Ａにチッピングやクラックなどのダメージが発生しないように注意する必要がある。
次に、ウェハの鏡面Ｒとなる面の裏面側を、蒸着又はスパッタによりメタライズする（Ａ４）。メタライズで使用する材質は、拡散接合が可能な母材あるいは固溶体を形成する材質が好ましい。ここでは、金属シリコンを使用したスパッタにより、厚さ１μｍの成膜を行う。メタライズで使用する材質は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｌでもよい。以上によりミラーサーフェイス部１０Ａが形成され、プロセスＡは終了する。
プロセスＢでは、まず、ＰＡＮ系炭素繊維のミルド繊維と、ピッチ系炭素繊維のミルド繊維と、粉末フェノール樹脂及び黒鉛粉末との４種類の原料を、定められた比率で配合し、均質に混合させる（Ｂ１）。
次に、混合した原料を成形用のモールドに充填し、加熱及び加圧して、粉体の成形及び硬化を行い、ＣＦＲＰ（Ｃａｒｂｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）のブロックを形成する（Ｂ２）。ＣＦＲＰブロックの成形温度は、１２０℃から１７０℃の範囲が好ましい。また、成形後のＣＦＲＰブロックのかさ比重が０．８５〜０．９５となるように、成形圧力を設定するとよい。
次に、ＣＦＲＰのブロックを、窒素又はアルゴンなどの不活性雰囲気中で、７００℃から１０００℃の温度で熱処理して炭化させ、Ｃ／Ｃ（Ｃａｒｂｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ−Ｃａｒｂｏｎ ｍａｔｒｉｘ−ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）のブロックを得る（Ｂ３）。このＢ３の炭素化工程では、少なくとも６００℃以上で熱処理をする必要があり、好ましくは８００℃以上がよい。
次に、Ｃ／Ｃのブロックに形状加工を行い、ミラーサーフェイス部１０Ａを補強する背面補強部１２を得る（Ｂ４）。この形状加工において、背面補強部１２の最終形状にあわせた形状に加工する。Ｃ／Ｃのブロックは、ミルド繊維で強化された、ポーラス形状を有する複合材料である。Ｃ／Ｃのブロックは加工性が良く、十分な強度を有しているため、ＳＵＳ及びアルミ材と比較して、加工が簡単であり、十分な精度を得ることができる。なお、通常のセラミックス材は硬くて脆いため、加工性が悪く、微細で複雑な構造の加工には不向きである。
次に、加工した背面補強部１２に、１６００℃程度の温度で溶融させた金属シリコンを含浸させ、炭素と金属シリコンを反応させてＣ／ＳｉＣ化させた背面補強部１２を得る（Ｂ５）。
次に、背面補強部１２の、ミラーサーフェイス部１０Ａとの接合面を平面に加工して、仕上げを行う（Ｂ６）。Ｃ／Ｃのブロックの状態で最終形状に加工して、接合面の平面加工だけをＣ／ＳｉＣ化した後に行っているのは、Ｃ／ＳｉＣ化した後のほうが、Ｃ／Ｃの状態のときより、硬くてもろいため、加工性が悪くなるためである。そのため、寸法精度が必要な部分以外は、Ｃ／ＳｉＣ化する前の加工性の良いＣ/Ｃの状態のときに加工を行う。
次に、背面補強部１２の、ミラーサーフェイス部１０Ａとの接合面をメタライズする（Ｂ７）。メタライズに使用する材質は、ミラーサーフェイス部１０Ａのメタライズプロセス（Ａ４）と同様に、拡散接合が可能な母材あるいは固溶体を形成する材質が好ましい。ミラーサーフェイス部１０Ａのメタライズに金属シリコンを用いたので、ここでは、ミラーサーフェイス部１０Ａとは異なるＡｕを選定して、背面補強部１２の接合面に、スパッタにより０．１μｍの成膜を行う。異なる材質を選定してメタライズを行うのは、ミラーサーフェイス部１０Ａと背面補強部１２とを、共晶化現象を利用して、より低温で一体化させるためである。
以上により背面補強部１２が形成され、プロセスＢは終了する。この後、プロセスＡで得られた単結晶ＳｉＣからなるミラーサーフェイス部１０Ａと、プロセスＢで得られたＣ／ＳｉＣ製の背面補強部１２とを、プロセスＣで一体化させる。
プロセスＣでは、まず、単結晶ＳｉＣからなるミラーサーフェイス部１０Ａの接合面と、背面補強部１２の接合面とを合わせた状態で、不活性雰囲気の電気炉内で加圧及び加熱する拡散接合により一体化させる（Ｃ１）。加熱する温度は、次のコーティング工程で、ミラーサーフェイス部１０Ａと背面補強部１２のそれぞれに用いられるコーティング材の組合せにより異なる。例えば、背面補強部１２のコーティング材がＡｕで、ミラーサーフェイス部１０Ａのコーティング材がＳｉの場合、ＡｕとＳｉの体積比率が４：１の時に、共晶化する温度が３６３℃程度まで低下することが知られている。よって、この場合には、４５０℃程度まで加熱して一体化させる。
次に、ミラーサーフェイス部１０Ａの鏡面Ｒに、Ａｕ又はＡｇなどによる増反射コーティングを行う（Ｃ２）。以上により、ガルバノミラー１０が形成され、プロセスＣは終了する。
なお、実施の形態１のガルバノミラー１０の製造方法では、拡散接合により、ミラーサーフェイス部１０Ａと背面補強部１２とを一体化させていたが、これに限るものではない。例えば、一体化のプロセスには、ロウ付けを用いてもよい。ロウ付けによって接合する場合には、ロウ剤を整合部付近に配置した状態で、ロウ剤が溶融する温度まで加熱処理を行う。
このように、実施の形態１によるガルバノミラー１０の製造方法によれば、ガルバノミラー１０の背面補強部１２にＣ／ＳｉＣ材を用いることにより、ニアネット形状で、Ｃ／ＳｉＣ化が可能となる。これにより、加工時間の短縮が可能となり、金属並みの薄肉加工が可能となる。よって、金属部品からの置き換えも可能となる。
さらに、単結晶ＳｉＣウェハで形成したミラーサーフェイス部１０Ａは、単独で鏡面加工することができるため、背面補強部１２と一体化した後に鏡面仕上げをする必要がない。よって、従来のガルバノミラーのミラーサーフェイス部より薄く、軽いミラーサーフェイス部１０Ａを形成することが可能となり、ガルバノミラー１０が軽量化されて、高速駆動が可能となる。
また、ミラーサーフェイス部１０Ａの材料である単結晶ＳｉＣと、背面補強部１２の材料であるＣ/ＳｉＣは、主組成がいずれもＳｉＣであるため、熱膨張率などの物性が類似している。これにより、ミラーサーフェイス部１０Ａと背面補強部１２とを熱処理プロセスによって接合する場合に、接合前後でほとんど変形を生じることがない。よって、鏡面精度の高いガルバノミラー１０を得ることができる。
ガルバノミラー１０は、駆動速度を速くしていくと、ある特定の速度において、振動の振幅が大きくなる共振現象が発生する。この共振現象が発生するときの振動の周波数を共振周波数又は固有周波数という。共振周波数は、ガルバノミラー１０の構造と比剛性（ヤング率/比重）の関係によって定まるものである。共振現象が生じると、ガルバノミラー１０は駆動速度に追随できなくなる。このため、ガルバノミラー１０は、共振周波数以下の速度で駆動させる必要がある。したがって、ガルバノミラー１０の共振周波数が高いほど、ガルバノミラー１０は高速で駆動させることができることになる。
図７は、実施の形態１によるガルバノミラー１０（Ｎｏ．１）及び４つの比較例のガルバノミラーＮｏ．２〜Ｎｏ．５の特性を、従来品のガルバノミラーＣ１，Ｃ２と比較した結果である。なお、実施の形態１によるガルバノミラー１０（Ｎｏ．１）は、ＳｉＣでミラーサーフェイス部１０Ａが構成され、Ｃ／ＳｉＣで背面補強部１２が構成されている。また、４つの比較例のガルバノミラーＮｏ．２〜Ｎｏ．５は、それぞれ、Ａｌ，Ｓｉ3Ｎ4,Ｂ4Ｃ，Ａｌ2Ｏ3の単一材料で、ミラーサーフェイス部と背面補強部が構成されている。そして、従来品のガルバノミラーＣ１には、ＢｅＣｕの単一材料により、ミラーサーフェイス部と背面補強部が構成されているものを用い、従来品のガルバノミラーＣ２には、焼結工程により製造されるＳｉＣ材の単一材料により、ミラーサーフェイス部と背面補強部が構成されているものを用いた。
図７において、「◎」は「従来品より良い」、「○」は「従来品よりやや良い」、「△」は「従来品と同等」、「▲」は「従来品よりやや悪い」、「×」は「従来品より悪い」という結果を示している。図７における「鏡面精度」は、各ガルバノミラーを、永久磁石２２を組み込んだロータシャフト２１に組み付けた後に確認した。また、図７における「共振周波数」は、ロータシャフト２１を高速で駆動して測定した。
図８は、図７の各ガルバノミラーの共振周波数の測定値を比較したものである。図８において、横軸のＣ１及びＣ２は従来品のガルバノミラー、１は実施の形態１のガルバノミラー１０（Ｎｏ．１）、２〜５は比較例のガルバノミラーＮｏ．２〜Ｎｏ．５を示している。なお、図８の縦軸は、各ガルバノミラーの共振周波数Ｆを、従来品のガルバノミラーＣ１の共振周波数を１とした相対比較値で示している。
図７及び図８に示すように、実施の形態１のガルバノミラー１０（Ｎｏ．１）は、共振周波数Ｆについて、従来品のガルバノミラーＣ１，Ｃ２及び比較例のガルバノミラーＮｏ．２〜Ｎｏ．５より向上することが確認できた。よって、実施の形態１のガルバノミラー１０（Ｎｏ．１）は、高速駆動が可能であることが確認できた。さらに、図７に示すように、実施の形態１のガルバノミラー１０（Ｎｏ．１）は、鏡面精度及び加工性についても、従来品のガルバノミラーＣ１，Ｃ２及び比較例のガルバノミラーＮｏ．２〜Ｎｏ．５より向上することが確認できた。また、加工コストにおいては、従来品のガルバノミラーＣ１，Ｃ２及び比較例のガルバノミラーＮｏ．２〜Ｎｏ．５と同等以上であることが確認できた。
図８に示すように、ＳｉＣのみを用いて形成された従来例のガルバノミラー１０（Ｃ２）よりも、ＳｉＣを用いて形成されたミラーサーフェイス部１０Ａと、Ｃ/ＳｉＣを用いて形成された背面補強部１２とを接合した実施の形態１のガルバノミラー１０の方が、共振周波数Ｆが高い。これは、ＳｉＣを用いて形成されたミラーサーフェイス部１０Ａに、Ｃ/ＳｉＣを用いて形成した背面補強部１２を接合することにより、ＳｉＣのみで形成した場合よりも、比剛性が高くなったものである。
なお、実施の形態１では、ミラーサーフェイス部１０ＡにＳｉＣを用いて形成されたウェハを用いていたが、これに限るものではない。例えば、ＳｉＣに代えて、サファイヤ（Ａｌ2Ｏ3）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、ベリリウム（Ｂｅ）、シリコン（Ｓｉ）からなるウェハを用いてもよい。
１ レーザ加工機、１０ ガルバノミラー、１０Ａ ミラーサーフェイス部、１２ 背面補強部、１２Ａ 主骨格、１２Ｂ 副骨格、１２Ｃ ロータ接合部、２０ ハウジング、２１ ロータシャフト、２２ 永久磁石、２３ ベアリング、２４ エンコーダ板、２５ コイル、１００，１００Ａ，１００Ｂ ガルバノスキャナ、２００ 被加工物、３００ レーザ発振器、３００Ａ レーザビーム、４００ ｆθレンズ、Ｒ 鏡面、Ｓ スポット。
Claims (5)
- 鏡面を有するミラーサーフェイス部と、
前記鏡面の裏面側に接合される背面補強部とを有するガルバノミラーであって、
前記ミラーサーフェイス部は、単結晶ＳｉＣウェハにより構成されており、
前記背面補強部は、Ｃ／ＳｉＣ材により構成されており、
前記ミラーサーフェイス部と前記背面補強部とは、
金とシリコンとの体積比率が４：１である固溶体により一体に接合されている、
ガルバノミラー。 - 請求項１に記載のガルバノミラーを用いた、
ガルバノスキャナ。 - 請求項１に記載のガルバノミラーを用いた、
レーザ加工機。 - ミラーサーフェイス部と背面補強部とからなるガルバノミラーの製造方法であって、
単結晶ウェハの一方の面を鏡面加工する工程と、
前記単結晶ウェハの他方の面をメタライズして、前記ミラーサーフェイス部を形成する工程と、
ＰＡＮ系炭素繊維と、ピッチ系炭素繊維と、フェノール樹脂と、黒鉛を混合して炭素繊維強化樹脂を形成する工程と、
前記炭素繊維強化樹脂を熱処理して炭素化する工程と、
前記炭素化した前記炭素繊維強化樹脂に、金属シリコンを含浸させて、Ｃ／ＳｉＣ化を行う工程と、
前記Ｃ／ＳｉＣ化させた前記炭素繊維強化樹脂を、前記背面補強部の形状に加工する工程と、
前記背面補強部の、前記ミラーサーフェイス部と接合する面をメタライズする工程と、
前記ミラーサーフェイス部と、前記背面補強部とを接合する工程と、
を有するガルバノミラーの製造方法。 - 前記単結晶ウェハに、単結晶ＳｉＣウェハを用いる、
請求項４に記載のガルバノミラーの製造方法。
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