JP6270762B2 - Ic回路 - Google Patents
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Description
まず、本発明の第1の実施形態としての伝送線路1の構成について説明する。図1,2は、本実施形態の伝送線路1の構成を示す斜視図である。図3は図1のA−A線断面図である。
・基板:比誘電率3.58、誘電正接1×10−4、幅1.6mm、長さ3.0mm、厚さ0.2mm
・信号線路パターン幅:0.35mm
・信号線路パターンとグランドパターンのギャップ幅:0.08mm
・信号線路パターン、グランドパターン、及びサイドグランドパターン:1μm厚の金
・スルーホールの信号線路パターン中心からの幅方向の距離:0.5mm
・スルーホールの直径:φ0.2
・THピッチが0.5mmでサイドグランドパターンが有る場合(図4)と無い場合(図5)とでは、サイドグランドパターンが無い場合の群遅延特性の82GHz付近に変曲点が見られるが、サイドグランドパターンが有る場合の群遅延特性では82GHz付近に変曲点は見られない。THピッチが0.5mmでサイドグランドパターンが有る場合の群遅延特性は、50GHz〜99GHzの周波数において非常に良好な特性を示していると言える。
・サイドグランドパターンが有り、THピッチが0.5mm(図4)又は1mm(図1)の場合では、THピッチが1mmの場合の群遅延特性は85GHz以上で複数の変曲点が見られるが、THピッチが狭い0.5mmの場合の群遅延特性は、50GHz〜99GHzの周波数において非常に良好な周波数特性を示していると言える。
続いて、本発明の第2の実施形態としての伝送線路2について図面を参照しながら説明する。なお、第1の実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
11 基板
12 信号線路パターン(中心導体)
13a,13b グランドパターン(表面接地導体)
14 グランドパターン(裏面接地導体)
15 スルーホール
16 サイドグランドパターン(側面接地導体)
21a,21b,22a,22b グランド導通パターン(端面接地導体)
30,40 MMIC
31a,31b,41a,41b グランド電極
31c,41c 信号電極
32a,32b,32c,42a,42b,42c ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 絶縁性の基板(11)と、前記基板の表面に形成された中心導体(12)と、前記基板の表面において前記中心導体の両側に所定の距離を隔てて形成された表面接地導体(13a,13b)と、前記基板の裏面に形成された裏面接地導体(14)と、前記表面接地導体と前記裏面接地導体を電気的に接続する複数のスルーホール(15)と、を備え、50Gbit/s以上のビットレートのデジタル信号を伝送するためのグランデッドコプレーナ線路構造の伝送線路(1)と、
信号電極(31c,41c)、及び、前記信号電極の両側に形成されたグランド電極(31a,31b,41a,41b)を含むMMIC(30,40)と、を備えるIC回路であって、
前記基板の両側面において、前記表面接地導体と前記裏面接地導体に電気的に接続される側面接地導体(16)が形成され、
前記デジタル信号の伝送方向に隣り合う前記スルーホールの間隔が0.5mm以下であり、
前記基板の少なくとも一端面において、前記表面接地導体と前記裏面接地導体と前記側面接地導体とに電気的に接続される端面接地導体(21a,21b,22a,22b)が形成されており、
各前記表面接地導体は、ボンディングワイヤ(32a,32b,42a,42b)によって、前記複数のスルーホールのうち前記MMICに最も近いスルーホールよりも前記MMICに近い位置で各前記グランド電極に電気的に接続され、
前記裏面接地導体は、前記ボンディングワイヤ及び前記端面接地導体を介して、前記基板の端面側から接地されることを特徴とするIC回路。
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