JP6264090B2 - 電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
これは、電子キャリア濃度が1×1018cm−3以上の酸化物をTFTのチャネルに用いた場合、トランジスタのゲート電圧が無印加の状態でもソース/ドレイン電極間に大きな電流が流れてしまい、ノーマリーオン型のTFTになる恐れがあるという理由による。したがって、発光装置などの画像表示装置に適用できるノーマリーオフ型のTFTを製造するためには、電子キャリア濃度が1×1018cm−3未満の酸化物をTFTのチャネルに用いることが公知となっている。
本発明の電界効果型トランジスタは、
ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、
電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、n型酸化物半導体からなる活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と、
を備える電界効果型トランジスタであって、
前記ソース電極及びドレイン電極の仕事関数が、4.90エレクトロンボルト以上であり、
前記n型酸化物半導体の電子キャリア濃度が、4.0×1017cm−3以上であることを特徴とする。
本発明の電界効果型トランジスタは、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層と、ゲート絶縁層とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
本発明者らが検討した結果、特許第5118811号公報においてより好ましいとされるキャリア濃度範囲1×1015cm−3以上1×1016cm−3未満の酸化物半導体膜から形成される活性層と、金から形成されるソース/ドレイン電極とを直接接続させたTFTでは、十分なトランジスタ動作が得られないことを確認した。これは、金などの仕事関数の深い金属を仕事関数の浅いn型酸化物半導体と接触させた場合、接触界面にショットキー接合が形成され、抵抗が高くなるためと考えられる。
しかし、本発明者らが検討した結果、電子キャリア濃度が1×1018cm−3以上の酸化物半導体と、チタンをソース/ドレイン電極に用いた電界効果型トランジスタでは高いオン/オフ比が得られないことを確認している。仕事関数の浅い金属であるチタンと、酸化物半導体とが接触していることにより、酸化物半導体と電極との電気的な接触は良好であるものの、特許第5118811号公報、及び特開2010−62546号公報に記載されている理由から、高いオン/オフ比が得られなかったものと考えられる。
しかし、本発明者らが検討した結果、より好ましいとされるキャリア濃度範囲1×1015cm−3以上1×1016cm−3未満の酸化物半導体膜と、Agナノ粒子を塗布して形成したソース/ドレイン電極を用いたTFTでは、酸化物半導体と電極との電気的接触が悪く、高い電界効果移動度(以下、「キャリア移動度」と称することがある。)が得られなかった。塗布形成して焼成したのち形成した薄膜が低い抵抗率を有するものとしては、銀(Ag)や金(Au)が代表的であり、Al、Mo、Tiなどの金属材料をインク化して塗布形成したのち焼成して薄膜化する技術は現在のところ存在しない。
金属材料の他に、塗布形成可能な導電性材料として、例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)が一般に知られている。しかし、塗布形成したITO膜の抵抗率は真空プロセスで形成したものと比べて高い。大面積の表示を行う表示装置では、配線からTFTのチャネルまでの抵抗に起因する信号の遅延問題が顕著になってくるため、TFTの電極材料として適用するには十分ではない。
一方、電子キャリア濃度が1.0×1018cm−3以上であると、オン/オフ比が小さく、立ち上がり電圧の絶対値が大きいトランジスタ特性となる。
図6(比較例1においてキャリア密度5.9×1015cm−3の場合)、及び図7(実施例1においてのキャリア密度1.0×1018cm−3の場合)はそれぞれ、Mg−In系酸化物半導体の電子キャリア濃度が、5.9×1015cm−3である場合と、1.0×1018cm−3である場合で、ソース/ドレイン電極がともに金の場合の電界効果型トランジスタの電流−電圧特性を示した図である。
図6から、n型酸化物半導体を用いたトランジスタとして、より好適に用いることのできる電子キャリア濃度1×1015cm−3〜1×1016cm−3の場合、金をソース/ドレイン電極に用いると、オン電流が約1×10−9A程度と低く、ほとんどトランジスタ動作しないことがわかる。これは、仕事関数が比較的深い金とn型酸化物半導体とが接触している面で、ショットキー接合が形成され、接触抵抗が大きくなってしまったためと考えられる。
例えば、本発明者らは、真空成膜法により形成した金(Au)、及び銀(Ag)、並びにナノ粒子又は有機金属化合物を塗布して形成した金(Au)及び銀(Ag)の仕事関数を調べる実験を行った。その結果、真空成膜法により形成した金(Au)、銀(Ag)の仕事関数は、それぞれ、4.70eV(エレクトロンボルト)〜4.79eV、4.80eV〜4.83eVを示した。一方、ナノ粒子を塗布して形成した金(Au)、銀(Ag)の仕事関数は、それぞれ、4.90eV〜5.10eV、5.05eV〜5.30Vを示し、ナノ粒子又は有機金属化合物を塗布して形成した金属は、真空成膜法により形成した金属よりも、深い仕事関数を示すことを見出した。
前記ゲート電極は、ゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、白金、パラジウム、金、銀、銅、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、クロム、タンタル、モリブデン、チタン等の金属、これらの合金、これら金属の混合物などが挙げられる。また、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ガリウム、酸化ニオブ、スズ(Sn)が添加されたIn2O3(ITO)、ガリウム(Ga)が添加されたZnO、アルミニウム(Al)が添加されたZnO、アンチモン(Sb)が添加されたSnO2等の導電性酸化物、これらの複合化合物、これらの混合物、などが挙げられる。
前記ゲート電極の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、10nm〜200nmが好ましく、50nm〜100nmがより好ましい。
前記ゲート絶縁層としては、前記ゲート電極と前記活性層との間に形成された絶縁層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート絶縁層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機絶縁材料、有機絶縁材料などが挙げられる。
前記無機絶縁材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、これらの混合物などが挙げられる。
前記有機絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂などが挙げられる。
前記ゲート絶縁層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、50nm〜1,000nmが好ましく、100nm〜500nmがより好ましい。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、電流を取り出すための電極である。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の仕事関数は、4.90エレクトロンボルト以上である。
前記合金としては、複数の金属元素、又は、金属元素と非金属元素からなる金属的な導電性を示すもので、固溶体、共晶、金属間化合物などが挙げられる。
前記合金は、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル、イリジウム、及びロジウムから選ばれる複数の金属の合金であることが好ましい。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、複数種の前記金属、複数種の前記合金、又は、単数種若しくは複数種の前記金属及び単数種若しくは複数種の前記合金が、電気的に接続されて形成されてもよい。
前記金属粒子としては、例えば、金粒子、銀粒子、パラジウム粒子、白金粒子、ニッケル粒子、イリジウム粒子、ロジウム粒子などが挙げられる。
前記合金粒子としては、前記合金からなる粒子が挙げられ、例えば、銀/パラジウム合金粒子などが挙げられる。
前記合金粒子は、複数種の前記金属から形成されるコアシェル構造体、層状構造体などであってもよい。
前記金属粒子、及び前記合金粒子は、本発明の効果が得られる範囲において、粒子の溶媒分散性を向上させるための、界面活性剤、分散剤などを含有していてもよい。また、粒子を溶媒分散させた際の保存安定性を向上させるための保護剤を含有していてもよい。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、複数種の前記金属粒子、複数種の前記合金粒子、又は、単数種若しくは複数種の前記金属粒子及び単数種若しくは複数種の前記合金粒子が、電気的に接続されて形成されてもよい。
前記金属炭素結合としては、例えば、金属カルボニル結合、金属アルキル結合、金属オレフィン結合などが挙げられる。前記金属と、前記金属炭素結合で結合する前記有機基としては、例えば、カルボニル基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基などが挙げられる。
前記金属と前記共有結合で結合する有機基としては、例えば、アルコキシ基などが挙げられる。
前記金属と前記イオン結合で結合する有機基としては、例えば、カルボン酸、オクチル酸等の有機酸などが挙げられる。
前記金属と前記配位結合で結合する有機基としては、例えば、アセチルアセトナート基、チオレート基などが挙げられる。
前記有機金属化合物としては、例えば、金属アセチリド化合物、金属アルコキシド、カルボン酸金属、金属チオレート錯体などが挙げられる。
前記塗布液としては、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、金粒子、銀粒子、銀/パラジウム合金粒子、パラジウム粒子、白金粒子、ニッケル粒子、イリジウム粒子、ロジウム粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液が好ましい。
前記金属粒子、及び前記合金粒子の平均粒子径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、その上限は、1μm以下が好ましく、500nm以下がより好ましく、100nm以下が特に好ましい。その下限は、1nm以上が好ましく、5nm以上がより好ましい。
仕事関数の測定は、例えば、大気中光電子分光装置AC−2(理研計器株式会社製)などを用いて行うことができる。
前記活性層は、前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられる。
前記活性層は、n型酸化物半導体からなる。
前記電子キャリア濃度が、4.0×1017cm−3未満であると、得られる電界効果型トランジスタにおいて、良好なトランジスタ特性が得られない。
前記電子キャリア濃度が、1.0×1020cm−3を超えると、高いオン/オフ比を得ること、及び立ち上がり電圧の絶対値を小さくすることが困難となることがある。
ホール効果とは、電流に垂直な磁場を印加したとき電流と磁場の両方に直行する方向に起電力が発生する現象であり、主に半導体のキャリア濃度、移動度、及びキャリアタイプの判定に用いられる。
前記ホール効果測定装置としては、例えば、比抵抗/ホール効果測定システムResiTest8300(株式会社東陽テクニカ製)などが挙げられる。
前記n型酸化物半導体としては、例えば、ZnO、SnO2、In2O3、TiO2、Ga2O3などが挙げられる。また、In−Zn系酸化物、In−Sn系酸化物、In−Ga系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga系酸化物、Zn−Ga系酸化物、In−Zn−Sn系酸化物、In−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Ga系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物等、複数の金属を含む酸化物を用いることもできる。
前記アルカリ土類金属としては、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウムなどが挙げられる。
酸化インジウムは、酸素欠損量によって電子キャリア濃度が1018cm−3〜1020cm−3程度に変化する。ただし、酸化インジウムは酸素欠損ができやすい性質があり、酸化物半導体膜形成後の後工程で、意図しない酸素欠損ができる場合がある。インジウムと、インジウムよりも酸素と結合しやすいアルカリ土類金属との主に二つの金属から酸化物を形成することは、意図しない酸素欠損を防ぐとともに、組成の制御が容易となり電子キャリア濃度を適切に制御しやすい点で特に好ましい。
なお、図1〜図4中、1は基材、2はゲート電極、3はゲート絶縁層、4はソース電極、5はドレイン電極、6は活性層をそれぞれ表す。
<第1の製造方法>
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法(第1の製造方法)は、ソース電極及びドレイン電極形成工程を少なくとも含み、更に必要に応じて、ゲート電極形成工程と、ゲート絶縁層形成工程と、活性層形成工程などのその他の工程を含む。
前記ゲート電極形成工程としては、前記基材上にゲート電極を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(i)スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする工程、(ii)インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する工程などが挙げられる。
前記基材の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基材、プラスチック基材などが挙げられる。
前記ガラス基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無アルカリガラス、シリカガラスなどが挙げられる。
前記プラスチック基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などが挙げられる。
なお、前記基材としては、表面の清浄化及び密着性向上の点で、酸素プラズマ、UVオゾン、UV照射洗浄などの前処理が行われることが好ましい。
前記ゲート絶縁層形成工程としては、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(i)スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする工程、(ii)インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する工程などが挙げられる。
前記ソース電極及びドレイン電極形成工程は、少なくとも前記ゲート絶縁層上に、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を塗布し、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程である。
前記ソース電極及びドレイン電極形成工程により、少なくとも前記ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極が離間して形成される。
前記塗布の方法として、インクジェット法、及びナノインプリント法で塗布する際には、室温でも塗布可能であるが、被塗物(例えば、前記ゲート絶縁層)を25℃〜50℃程度に加熱することで、被塗物表面に付着直後の塗布液が濡れ広がることを抑制することもできる。
前記乾燥は、前記塗布液中の揮発成分を除去できる条件であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、前記乾燥において、揮発成分を完全に除去する必要はなく、焼成を阻害しない程度に揮発成分を除去できればよい。
前記焼成の温度としては、被塗物の熱変形温度以下であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、180℃〜600℃が好ましい。
前記焼成の雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸素中や空気中など酸素を含む雰囲気が挙げられる。また、焼成の雰囲気を窒素ガスなどの不活性ガスにすることもできる。
前記焼成の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記活性層形成工程としては、少なくとも、チャネル領域となる前記ゲート絶縁層上に、n型酸化物半導体からなる活性層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ、PLD(レーザーアブレーション)等の物理蒸着法(物理気相成長法)、プラズマCVD等の化学気相成長法、ゾルゲル法等の溶液塗布法、公知の製膜方法を用いることができる。活性層のパターニング方法としては、シャドウマスクを用いる工程、フォトリソグラフィーを用いる工程、印刷やインクジェットによって所望の形状を直接製膜する工程などが挙げられる。
前記活性層形成工程、並びに前記ソース電極及びドレイン電極形成工程を行うと、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記活性層が形成される。
前記第1の製造方法において、前記ソース電極及びドレイン電極形成工程の後に前記活性層形成工程を行うと、ボトムゲート/ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタを製造することができる。
前記第1の製造方法において、前記活性層形成工程の後に前記ソース電極及びドレイン電極形成工程を行うと、ボトムゲート/トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを製造することができる。
初めに、ガラス基板等からなる基材1上に、スパッタ法等によりアルミニウム等からなる導電体膜を形成し、形成した導電体膜をエッチングによりパターニングすることによりゲート電極2を形成する(図5A)。
次いで、ゲート電極2を覆うようにゲート電極2及び基材1上にスパッタ法等によりSiO2等からなるゲート絶縁層3を形成する(図5B)。
次いで、ゲート絶縁層3上にスパッタ法等によりn型酸化物半導体膜を形成し、形成した酸化物半導体膜をエッチングによりパターニングすることにより活性層6を形成する。(図5C)。
次いで、活性層6の一部を覆うように、インクジェット法などの液滴吐出方式により、金属粒子、合金粒子及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を塗布し、熱処理を行いソース電極4及びドレイン電極5を形成する(図5D)。
以上により、電界効果型トランジスタが製造される。
また、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法(第2の製造方法)は、ソース電極及びドレイン電極形成工程を少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
前記ソース電極及びドレイン電極形成工程は、少なくとも基材上に、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を塗布し、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程である。
前記ソース電極及びドレイン電極形成工程により、少なくとも前記基材上にソース電極及びドレイン電極が離間して形成される。
前記基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記第1の製造方法において例示した基材と同じ基材が挙げられる。
前記活性層形成工程としては、少なくとも、チャネル領域となる前記基材上に、n型酸化物半導体からなる活性層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート絶縁層形成工程としては、前記活性層上にゲート絶縁層を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記第1の製造方法の前記ゲート絶縁層形成工程において例示した工程と同様の工程が挙げられる。
前記ゲート電極形成工程としては、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記第1の製造方法の前記ゲート電極形成工程において例示した工程と同様の工程が挙げられる。
前記第2の製造方法において、前記ソース電極及びドレイン電極形成工程の後に前記活性層形成工程を行うと、トップゲート/ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタを製造することができる。
前記第2の製造方法において、前記活性層形成工程の後に前記ソース電極及びドレイン電極形成工程を行うと、トップゲート/トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを製造することができる。
本発明の前記電界効果型トランジスタでは、ソース/ドレイン電極の仕事関数が4.90エレクトロンボルト以上であるため、電界効果型トランジスタ形成後の後工程における加熱処理及び酸化性雰囲気処理で電極が酸化することが無く、性能の劣化の無い電界効果型トランジスタが得られる。また、電極材料として抵抗率の低い金属を用いると、配線抵抗を低く抑えることができ、信号遅延の問題などがない。
また、n型酸化物半導体とソース/ドレイン電極との接触界面に電気的接続を良好にするためのバッファ層の導入工程などが不要であり、ソース/ドレイン電極と配線を同一材料で形成できることから、製造工程が簡略であるという特徴を有する。
また、仕事関数が4.90エレクトロンボルト以上のソース/ドレイン電極は、金属ナノ粒子分散液、合金ナノ粒子分散液、及び有機金属化合物を含有する塗布液の少なくともいずれかを塗布した後、焼成して、抵抗率の低い薄膜として形成することが可能である。そのため、電界効果型トランジスタの製造工程にインクジェット法等の液滴吐出方式などの印刷プロセスを適用することができるため、簡便かつ大面積化が可能な製造方法を選択することができるという特徴がある。
本発明の表示素子は、少なくとも、光制御素子と、前記光制御素子を駆動する駆動回路とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力を制御する素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エレクトロルミネッセンス(EL)素子、エレクトロクロミック(EC)素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
前記駆動回路としては、本発明の前記電界効果型トランジスタを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の画像表示装置は、少なくとも、複数の表示素子と、複数の配線と、表示制御装置とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記複数の表示素子としては、マトリックス状に配置された複数の本発明の前記表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記複数の配線は、前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と画像データ信号とを個別に印加可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記表示制御装置としては、画像データに応じて、各電界効果型トランジスタのゲート電圧と信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明のシステムは、少なくとも、本発明の前記画像表示装置と、画像データ作成装置とを有する。
前記画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する。
まず、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置を、図10を用いて説明する。
映像デコーダ121と、映像・OSD合成回路122と、映像出力回路123と、OSD描画回路125とが、画像データ作成装置を構成する。
前記フラッシュROMには、前記CPUにて解読可能なコードで記述されたプログラム、及び前記CPUでの処理に用いられる各種データなどが格納されている。
また、RAMは、作業用のメモリである。
図11において、画像表示装置124は、表示器300と、表示制御装置400とを有する。
表示器300は、図12に示されるように、複数(ここでは、n×m個)の表示素子302がマトリックス状に配置されたディスプレイ310を有する。
また、ディスプレイ310は、図13に示されるように、X軸方向に沿って等間隔に配置されているn本の走査線(X0、X1、X2、X3、・・・、Xn−2、Xn−1)と、Y軸方向に沿って等間隔に配置されているm本のデータ線(Y0、Y1、Y2、Y3、・・・、Ym−1)、Y軸方向に沿って等間隔に配置されているm本の電流供給線(Y0i、Y1i、Y2i、Y3i、・・・・・、Ym−1i)とを有する。
よって、走査線とデータ線とによって、表示素子を特定することができる。
図14は、本発明の表示素子の一例を示す概略構成図である。
前記表示素子は、一例として図14に示されるように、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子350と、該有機EL素子350を発光させるためのドライブ回路320とを有している。即ち、ディスプレイ310は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ELディスプレイである。また、ディスプレイ310は、カラー対応の32インチ型のディスプレイである。なお、大きさは、これに限定されるものではない。
図17において、有機EL素子350は、陰極312と、陽極314と、有機EL薄膜層340とを有する。
ドライブ回路320は、2つの電界効果型トランジスタ10及び20と、キャパシタ30を有する。
図18において、画像表示装置は、表示素子302と、配線(走査線、データ線、電流供給線)と、表示制御装置400とを有する。
表示制御装置400は、画像データ処理回路402と、走査線駆動回路404と、データ線駆動回路406とを有する。
画像データ処理回路402は、映像出力回路123の出力信号に基づいて、ディスプレイにおける複数の表示素子302の輝度を判断する。
走査線駆動回路404は、画像データ処理回路402の指示に応じてn本の走査線に個別に電圧を印加する。
データ線駆動回路406は、画像データ処理回路402の指示に応じてm本のデータ線に個別に電圧を印加する。
<電界効果型トランジスタの作製>
−ゲート電極の形成−
ガラス基板上に、100nmの厚みになるようにAlを蒸着し、フォトリソグラフィとエッチングを行ってライン状にパターニングすることによって、ゲート電極を形成した。
次に、プラズマCVDにより、200nmの厚みになるようにSiO2を成膜することによって、ゲート絶縁膜を形成した。
形成した前記絶縁層上に、特開2010−74148号公報の実施例に記載の方法で、Mg−In系酸化物半導体膜(活性層)をスパッタ法により形成した。ターゲットには、In2MgO4の組成を有する多結晶焼成体を用いた。スパッタチャンバー内の到達真空度は2×10−5Paとした。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整し、全圧を0.3Paとした。酸素流量比を調整することにより、酸化物半導体膜中の酸素量を制御し、電子キャリア濃度を制御した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表1に示した。
得られた酸化物半導体膜(活性層)の厚みは、50nmであった。
形成した前記活性層上に、金ナノメタルインク(アルバックマテリアル社製、Au−1Chb、平均粒子径5nm、金属含有量50質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中300℃で30分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
以上により、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。
仕事関数を測定するため、前記ソース電極及びドレイン電極の形成と同様の方法を用いて、ガラス基板上に金属膜を形成し、仕事関数測定用素子を得た。
−n型酸化物半導体膜の形成−
上記の電界効果型トランジスタの活性層の形成と同様にして、ガラス基板上にシャドウマスクを用いて8mm角のn型酸化物半導体膜をパターン形成した。スパッタ成膜条件は、活性層の形成と同様に設定した。スパッタ成膜条件を表1に示した。
真空蒸着法を用いて、n型酸化物半導体膜ガラス基板上にシャドウマスクを用いてホール測定時のコンタクト電極を形成した。蒸着源にはAlを用いた。
得られたホール測定素子について、ホール効果測定システム(東陽テクニカ社製、ResiTest8300)を用いて、比抵抗測定、及び、ホール効果測定を行い、n型酸化物半導体膜の電子キャリア濃度(cm−3)を求めた。得られた電子キャリア濃度(密度)を表1に示した。
得られた仕事関数測定用素子について、大気中光電子分光装置AC−2(理研計器株式会社製)を用いて、金属膜の仕事関数を求めた。得られた仕事関数を表1に示した。
得られた電界効果型トランジスタについて、半導体パラメータ・アナライザ装置(アジレントテクノロジー社製、半導体パラメータ・アナライザ4156C)を用いて、トランジスタ性能評価を実施した。ソース/ドレイン電圧Vdsを20Vとし、ゲート電圧をVg=−30Vから+30Vに変化させて、電流−電圧特性を評価した。飽和領域において電界効果移動度を算出した。また、トランジスタのオン状態(例えばVg=20V)とオフ状態(例えばVg=−20V)のソース/ドレイン電流Idsの比(オン/オフ比)を算出した。また、ソース/ドレイン電流Idsが増加に転じるゲート電圧(立ち上がり電圧)を算出した。結果を表1に示した。
なお、図7は、実施例1のキャリア密度1.0×1018cm−3における電流−電圧特性を示す図である。また、図6は比較例1のキャリア密度5.9×1015cm−3における電流−電圧特性を示す図である。
実施例1において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表2に示す。
形成した前記活性層上に、銀ナノメタルインク(ハリマ化成社製、NPS−J、平均粒子径5nm、金属含有量59質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中220℃30分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
実施例1において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表3に示す。
形成した前記活性層上に、銀パラジウムナノ粒子ペースト(大研化学社製、NAGNPD15−K04、平均粒子径4nm〜10nm、金属含有量21質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中300℃30分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
実施例1において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」及び「活性層の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/ボトムコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表4に示す。
形成した前記ゲート絶縁層上に、フォトリソグラフィ法及びリフトオフ法によって、Ptによるソース電極及びドレイン電極を形成した。Pt膜の形成にはスパッタ法を用い、スパッタパワーを200W、成膜時の圧力を0.35Paとし、厚みは50nmとした。このとき、ソースドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
形成した前記ソース電極及びドレイン電極、並びに前記ゲート絶縁層上に、特開2010−74148号公報の実施例に記載の方法で、Mg−In系酸化物半導体膜(活性層)をスパッタ法により形成した。ターゲットには、In2MgO4の組成を有する多結晶焼成体を用いた。スパッタチャンバー内の到達真空度は2×10−5Paとした。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整し、全圧を0.3Paとした。酸素流量比を調整することにより、酸化物半導体膜中の酸素量を制御し、電子キャリア濃度を制御した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表4に示した。
得られた酸化物半導体膜(活性層)の厚みは、50nmであった。
実施例1において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表5に示す。
形成した前記活性層上に、Auレジネート溶液(大研化学社製、有機金化合物、金属含有量20質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中300℃60分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
実施例1において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表6に示す。
形成した前記活性層上に、Ptレジネート溶液(大研化学社製、有機白金化合物、金属含有量10質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中300℃60分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
実施例1において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」及び「活性層の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/ボトムコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表7に示す。
形成した前記ゲート絶縁層上に、真空蒸着法を用いて厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。蒸着源には金を用いた。チャネル幅は400μm、チャネル長は50μmとした。
形成した前記ソース電極及びドレイン電極、並びに前記ゲート絶縁層上に、特開2010−74148号公報の実施例に記載の方法で、Mg−In系酸化物半導体膜(活性層)をスパッタ法により形成した。ターゲットには、In2MgO4の組成を有する多結晶焼成体を用いた。スパッタチャンバー内の到達真空度は2×10−5Paとした。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整し、全圧を0.3Paとした。酸素流量比を調整することにより、酸化物半導体膜中の酸素量を制御し、電子キャリア濃度を制御した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表7に示した。
得られた酸化物半導体膜(活性層)の厚みは、50nmであった。
実施例1〜6は、塗布成膜により形成したAu、Ag、Ag/Pd、Pt及び、真空成膜により形成したPtをソース/ドレイン電極に用いた結果を示している。表1〜6に示されるトランジスタ特性の結果から、電子キャリア濃度が4.0×1017cm−3以上4.0×1019cm−3以下の範囲において、電界効果移動度が高く、オン/オフ比が高く、立ち上がり電圧の絶対値が小さいトランジスタ特性が得られていることがわかる。酸化物半導体の電子キャリア濃度が高くなっているため、金属と酸化物半導体との接触界面で接触抵抗が大きくならず、所望のデバイス性能が発現したものと考えられる。
塗布成膜により形成したAuを用いたトランジスタでは、酸化物半導体の電子キャリア濃度が4.0×1017cm−3以上の範囲においても、オン/オフ比が高く、立ち上がり電圧の絶対値が小さいノーマリーオフのトランジスタ特性が得られている。これは、真空成膜により形成したAuよりも塗布形成したAuの仕事関数が深いためと考えられる。
その他の比較例1は、n型酸化物半導体を用いたトランジスタとして、電子キャリア濃度4.0×1017cm−3以上の場合で、真空成膜により形成した金をソース/ドレイン電極に用いた結果を示している。電子キャリア濃度が4.0×1017cm−3以上1.2×1018cm−3未満の範囲にある場合、電界効果移動度が高く、オン/オフ比が高く、立ち上がり電圧の絶対値が小さいトランジスタ特性が得られている。しかし、立ち上がり電圧の符号はマイナスでノーマリーオフ特性ではない。また、それ以上の電子キャリア濃度(4.0×1018cm−3以上)になると、立ち上がり電圧の絶対値が大きくなる傾向があり、電子キャリア濃度が1.1×1019cm−3以上になると、トランジスタ動作が得られない。
実施例1において、「活性層の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表8に示す。
形成した前記絶縁層上に、In−Ga−Zn系酸化物薄膜をDCスパッタを用いて形成した。
ターゲットとして、組成比がIn:Ga:Zn=1:1:1となるようなIn−Ga−Zn−Oの焼成体を用いた。ここでは、スパッタパワーを140W、成膜時の圧力を0.69Paとし、基板温度は制御しなかった。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整し、全圧を0.69Paとした。成膜時間を20分間とし、厚みは70nmであった。酸素流量比を調整することにより、酸化物半導体膜中の酸素量を制御でき、電子キャリア濃度を制御した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表8に示した。
実施例7において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例7と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表9に示す。
形成した前記活性層上に、銀ナノメタルインク(ハリマ化成社製、NPS−J、平均粒子径5nm、金属含有量59質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中220℃30分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
実施例7において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例7と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表10に示す。
形成した前記活性層上に、銀パラジウムナノ粒子ペースト(大研化学社製、NAGNPD15−K04、平均粒子径4〜10nm、金属含有量21質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中300℃30分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
実施例7において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」及び「活性層の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例7と同様にして、ボトムゲート/ボトムコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表11に示す。
形成した前記ゲート絶縁層上に、フォトリソグラフィ法及びリフトオフ法によって、Ptによるソース電極及びドレイン電極を形成した。Pt膜の形成にはスパッタ法を用い、スパッタパワーを200W、成膜時の圧力を0.35Paとし、厚みは50nmとした。このとき、ソースドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
形成した前記ソース電極及びドレイン電極、並びに前記ゲート絶縁層上に、In−Ga−Zn系酸化物薄膜をDCスパッタを用いて形成した。
ターゲットとして、組成比がIn:Ga:Zn=1:1:1となるようなIn−Ga−Zn−Oの焼成体を用いた。ここでは、スパッタパワーを140W、成膜時の圧力を0.69Paとし、基板温度は制御しなかった。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整し、全圧を0.69Paとした。成膜時間を20分間とし、厚みは70nmであった。酸素流量比を調整することにより、酸化物半導体膜中の酸素量を制御でき、電子キャリア濃度を制御した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表11に示した。
実施例7において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例7と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表12に示す。
形成した前記活性層上に、Auレジネート溶液(大研化学社製、有機金化合物、金属含有量20質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中300℃60分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
実施例7において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例7と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表13に示す。
形成した前記活性層上に、Ptレジネート溶液(大研化学社製、有機白金化合物、金属含有量10重量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中300℃60分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
実施例7において、「ソース電極及びドレイン電極の形成」及び「活性層の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例7と同様にして、電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表14に示す。
形成した前記ゲート絶縁層上に、真空蒸着法を用いて厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。蒸着源には金を用いた。チャネル幅は400μm、チャネル長は50μmとした。
形成した前記ソース電極及びドレイン電極、並びに前記ゲート絶縁層上に、In−Ga−Zn系酸化物薄膜をDCスパッタを用いて形成した。
ターゲットとして、組成比がIn:Ga:Zn=1:1:1となるようなIn−Ga−Zn−Oの焼成体を用いた。ここでは、スパッタパワーを140W、成膜時の圧力を0.69Paとし、基板温度は制御しなかった。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整し、全圧を0.69Paとした。成膜時間を20分間とし、厚みは70nmであった。酸素流量比を調整することにより、酸化物半導体膜中の酸素量を制御でき、電子キャリア濃度を制御した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表14に示した。
塗布成膜により形成したAuを用いたトランジスタでは、酸化物半導体の電子キャリア濃度が4.0×1018cm−3以上の範囲においても、オン/オフ比が高く、立ち上がり電圧の絶対値が小さいノーマリーオフのトランジスタ特性が得られている。これは、真空成膜により形成したAuよりも塗布形成したAuの仕事関数が深いためと考えられる。
その他の比較例2は、n型酸化物半導体を用いたトランジスタとして、電子キャリア濃度4.0×1017cm−3以上の場合で、真空成膜により形成した金をソース/ドレイン電極に用いた結果を示している。電子キャリア濃度が4.0×1017cm−3以上2.0×1018cm−3以下の範囲にある場合、電界効果移動度が高く、オン/オフ比が高く、立ち上がり電圧の絶対値が小さいトランジスタ特性が得られている。しかし、立ち上がり電圧の符号はマイナスで、ノーマリーオフ特性ではない。さらに、それ以上の電子キャリア濃度(電子キャリア濃度が5.2×1018cm−3以上)になると、実施例7〜12と比べてオン/オフ比が小さくなり、立ち上がり電圧の絶対値が大きくなる傾向がある。その傾向は、電子キャリア濃度が1.0×1019cm−3以上で顕著になった。
実施例1において、「活性層の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表15に示す。
形成した前記絶縁層上に、Zn−Sn系酸化物薄膜を高周波スパッタを用いて形成した。ここでは、ターゲットとして、Zn2SnO4の組成を有する多結晶焼結体(サイズ:直径4インチ)を用いた。スパッタチャンバー内の到達真空度は2×10−5Paとした。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整することで、酸化物半導体膜中の酸素量を制御でき、電子キャリア濃度を制御した。全圧は0.3Paとした。
スパッタ中は、基板を保持するホルダを水冷により冷却することで、基板の温度を15℃〜35℃の範囲内に制御した。スパッタパワーを150W、スパッタ時間を20分とし、厚み50nmのZn−Sn系酸化物膜を形成した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表15に示した。
実施例1において、「活性層の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表16に示す。
形成した前記絶縁層上に、Zn−Ti系酸化物薄膜を高周波スパッタを用いて形成した。ここでは、ターゲットとして、Zn2TiO4の組成を有する多結晶焼結体(サイズ:直径4インチ)を用いた。スパッタチャンバー内の到達真空度は2×10−5Paとした。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整することで、酸化物半導体膜中の酸素量を制御でき、電子キャリア濃度を制御した。全圧は0.3Paとした。
スパッタ中は、基板を保持するホルダを水冷により冷却することで、基板の温度を15℃〜35℃の範囲内に制御した。スパッタパワーを140W、スパッタ時間を25分とし、厚み50nmのZn−Ti系酸化物膜を形成した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表16に示した。
実施例1において、「活性層の形成」及び「ホール測定素子の作製」を以下の方法に変えた以外は、実施例1と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表18に示す。
ビーカーに、3.55gの硝酸インジウム(In(NO3)3・3H2O)と0.139gの塩化ストロンチウム(SrCl2・6H2O)を秤量し、1,2−プロパンジオール20mLとエチレングリコールモノメチルエーテル20mLとを加え室温で混合、溶解させ、実施例15で用いるn型酸化物半導体膜形成用塗布液1を作製した。
同様にして、ビーカーに3.55gの硝酸インジウム(In(NO3)3・3H2O)と0.125gの硝酸カルシウム(Ca(NO3)2・4H2O)を秤量し、1,2−プロパンジオール20mLとエチレングリコールモノメチルエーテル20mLとを加え室温で混合、溶解させ、実施例16で用いるn型酸化物半導体膜形成用塗布液2を作製した。
同様にして、ビーカーに3.55gの硝酸インジウム(In(NO3)3・3H2O)と0.125gの塩化バリウム(BaCl2・2H2O)を秤量し、1,2−エタンジオール20mLとエチレングリコールモノメチルエーテル20mLとを加え室温で混合、溶解させ、実施例17で用いるn型酸化物半導体膜形成用塗布液3を作製した。
形成した前記絶縁層上に、前記n型酸化物半導体膜形成用塗布液1〜3をそれぞれインクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。その基板を120℃に加熱したホットプレート上で10分間乾燥させた後、大気雰囲気中400℃で1時間焼成し、In−Sr系酸化物膜、In−Ca系酸化物膜、及びIn−Ba系酸化物膜をそれぞれ形成し、活性層とした。
n型酸化物半導体膜形成用塗布液の配合を表17に示す。
−n型酸化物半導体膜の形成−
上記の電界効果型トランジスタの活性層の形成と同様にして、ガラス基板上に前記n型酸化物半導体膜形成用塗布液1〜3をそれぞれインクジェット装置を用いて8mm角のパターンで塗布した。その基板を120℃に加熱したホットプレート上で10分間乾燥させた後、大気雰囲気中400℃で1時間焼成し、In−Sr系酸化物膜、In−Ca系酸化物膜、及びIn−Ba系酸化物膜をそれぞれ形成した。
真空蒸着法を用いて、前記In−Sr系酸化物膜ガラス基板上、前記In−Ca系酸化物膜ガラス基板上、及び前記In−Ba系酸化物膜ガラス基板上にシャドウマスクを用いてホール測定時のコンタクト電極を形成した。蒸着源にはAlを用いた。
<電界効果型トランジスタの作製>
−ゲート電極の形成−
ガラス基板上に、100nmの厚みになるようにAlを蒸着し、フォトリソグラフィとエッチングを行ってライン状にパターニングすることによって、ゲート電極を形成した。
次に、プラズマCVDにより、200nmの厚みになるようにSiO2を成膜することによって、ゲート絶縁膜を形成した。
形成した前記絶縁層上に、特開2010−74148号公報の実施例に記載の方法で、Mg−In系酸化物半導体膜(活性層)をスパッタ法により形成した。ターゲットには、In2MgO4の組成を有する多結晶焼成体を用いた。スパッタチャンバー内の到達真空度は2×10−5Paとした。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整し、全圧を0.3Paとした。酸素流量比を調整することにより、酸化物半導体膜中の酸素量を制御し、電子キャリア濃度を制御した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表19に示した。
得られた酸化物半導体膜(活性層)の厚みは、50nmであった。
形成した前記活性層上に、金ナノメタルインク(アルバックマテリアル社製、Au−1Chb、平均粒子径5nm、金属含有量50質量%)を、インクジェット装置を用いて所定のパターンで塗布した。大気雰囲気中300℃で30分間加熱し、厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。このとき、チャネル幅は400μm、ソース−ドレイン電極間で規定されるチャネル長は50μmとした。
以上により、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。
仕事関数を測定するため、前記ソース電極及びドレイン電極の形成と同様の方法を用いて、ガラス基板上に金属膜を形成し、仕事関数測定用素子を得た。
−n型酸化物半導体膜の形成−
上記の電界効果型トランジスタの活性層の形成と同様にして、ガラス基板上にシャドウマスクを用いて8mm角のn型酸化物半導体膜をパターン形成した。スパッタ成膜条件は、活性層の形成と同様に設定した。スパッタ成膜条件を表19に示した。
真空蒸着法を用いて、n型酸化物半導体膜ガラス基板上にシャドウマスクを用いてホール測定時のコンタクト電極を形成した。蒸着源にはAlを用いた。
得られたホール測定素子について、ホール効果測定システム(東陽テクニカ社製、ResiTest8300)を用いて、比抵抗測定、及び、ホール効果測定を行い、n型酸化物半導体膜の電子キャリア濃度(cm−3)を求めた。得られた電子キャリア濃度(密度)を表19に示した。
得られた仕事関数測定用素子について、大気中光電子分光装置AC−2(理研計器株式会社製)を用いて、金属膜の仕事関数を求めた。得られた仕事関数を表19に示した。
得られた電界効果型トランジスタについて、半導体パラメータ・アナライザ装置(アジレントテクノロジー社製、半導体パラメータ・アナライザ4156C)を用いて、トランジスタ性能評価を実施した。ソース/ドレイン電圧Vdsを20Vとし、ゲート電圧をVg=−30Vから+30Vに変化させて、電流−電圧特性(伝達特性)を評価した。図21に、測定した電流−電圧特性(伝達特性)を示した。飽和領域において電界効果移動度を算出した。また、トランジスタのオン状態(例えばVg=20V)とオフ状態(例えばVg=−20V)のソース/ドレイン電流Idsの比(オン/オフ比)を算出した。また、ソース/ドレイン電流Idsが増加に転じるゲート電圧(立ち上がり電圧)を算出した。結果を表19に示した。
また、ゲート電圧Vgを0Vから+30Vまで5Vステップで変化させ、それぞれのゲート電圧において、ソース/ドレイン電圧Vdsを0Vから+20Vまで変化させて、電流−電圧特性(出力特性)を評価した。図22に、測定した電流−電圧特性(出力特性)を示した。
実施例18において、「活性層の形成」及び「ソース電極及びドレイン電極の形成」を以下の方法に変えた以外は、実施例18と同様にして、ボトムゲート/トップコンタクトの電界効果型トランジスタを作製した。また、実施例18と同様の評価を行った。結果を表19に示した。また、図23に電流−電圧特性(伝達特性)を、図24に電流−電圧特性(出力特性)を、それぞれ示した。
形成した前記絶縁層上に、特開2010−74148号公報の実施例に記載の方法で、Mg−In系酸化物半導体膜(活性層)をスパッタ法により形成した。ターゲットには、In2MgO4の組成を有する多結晶焼成体を用いた。スパッタチャンバー内の到達真空度は2×10−5Paとした。スパッタ時に流すアルゴンガスと酸素ガスの流量を調整し、全圧を0.3Paとした。酸素流量比を調整することにより、酸化物半導体膜中の酸素量を制御し、電子キャリア濃度を制御した。スパッタ成膜時の酸素流量比を表19に示した。
得られた酸化物半導体膜(活性層)の厚みは、50nmであった。
形成した前記活性層上に、真空蒸着法を用いて厚み100nmのソース電極及びドレイン電極を形成した。蒸着源にはAlを用いた。チャネル幅は400μm、チャネル長は50μmとした。
図21に示される電流−電圧特性(伝達特性)、及び表19に示される実施例18のトランジスタ特性の結果から、電子キャリア濃度が5.2×1018cm−3の場合、電界効果移動度が高く、オン/オフ比が高く、立ち上がり電圧の絶対値が小さいノーマリーオフのトランジスタ特性が得られていることがわかる。
これは、酸化物半導体の電子キャリア濃度が高くなっているため、金属と酸化物半導体との接触界面で接触抵抗が大きくならず、理想的なトランジスタ特性が得られたものと考えられる。電流−電圧特性(出力特性)が図22のような振る舞いを示すトランジスタを駆動回路に用いると、駆動電圧の設計が容易となり好ましい。
表19及び図23に示されるように、酸化物半導体の電子キャリア濃度が5.7×1015cm−3の場合、仕事関数の浅い金属であるAlをソース/ドレイン電極に用いると、電界効果移動度が高く、オン/オフ比が高く、立ち上がり電圧の絶対値が小さいトランジスタ特性が得られることがわかる。
しかしながら、図24は、金属と酸化物半導体の接触界面の接触抵抗が電圧に依存していることを示しており、金属と酸化物半導体の接触界面は、非オーミック性の接触であることが推測される。電流−電圧特性が図24のような振る舞いを示すトランジスタを駆動回路に用いると、トランジスタに印可される電圧のわずかな変動によって電流が大きく変化してしまい、駆動回路への適用が困難となる。すなわち、仕事関数の浅い金属をソース/ドレイン電極に用いて、酸化物半導体の電子キャリア濃度を1×1015cm−3〜1×1016cm−3の範囲に制御することで、電界効果移動度が高く、オン/オフ比が高く、立ち上がり電圧の絶対値が小さいトランジスタ特性が得られる一方で、金属と酸化物半導体の接触界面は非オーミック性の接触となり、駆動回路へ適用が困難となることがわかる。
<1> ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、
電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、n型酸化物半導体からなる活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と、
を備える電界効果型トランジスタであって、
前記ソース電極及びドレイン電極の仕事関数が、4.90エレクトロンボルト以上であり、
前記n型酸化物半導体の電子キャリア濃度が、4.0×1017cm−3以上であることを特徴とする電界効果型トランジスタである。
<2> 前記ソース電極及びドレイン電極の材質が、金属及び合金の少なくともいずれかである前記<1>に記載の電界効果型トランジスタである。
<3> 前記金属及び合金の少なくともいずれかが、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル、イリジウム、及びロジウムの少なくともいずれかを含有する前記<2>に記載の電界効果型トランジスタである。
<4> 前記ソース電極及びドレイン電極が、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して形成される前記<1>から<3>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
<5> 前記ソース電極及びドレイン電極が、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を液滴吐出方式により塗布し、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して形成される前記<4>に記載の電界効果型トランジスタである。
<6> 前記n型酸化物半導体が、インジウム、亜鉛、錫、ガリウム、及びチタンの少なくともいずれかを含有する前記<1>から<5>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
<7> 前記n型酸化物半導体が、更にアルカリ土類金属を含有する前記<6>に記載の電界効果型トランジスタである。
<8> 前記<1>から<7>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法であって、
少なくともゲート絶縁層上に、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を塗布し、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して、ソース電極及びドレイン電極を形成するソース電極及びドレイン電極形成工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
<9> 前記<1>から<7>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法であって、
少なくとも基材上に、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を塗布し、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して、ソース電極及びドレイン電極を形成するソース電極及びドレイン電極形成工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
<10> 前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかが、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル、イリジウム、及びロジウムの少なくともいずれかを含有する前記<7>から<8>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法である。
<11> 駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記<1>から<10>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを含み、前記光制御素子を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とする表示素子である。
<12> 前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロクロミック素子のいずれかを含む前記<11>に記載の表示素子である。
<13> 前記光制御素子が、液晶素子及び電気泳動素子のいずれかを含む前記<11>に記載の表示素子である。
<14> 画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の前記<11>から<13>のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置と、
を備えることを特徴とする画像表示装置である。
<15> 前記<14>に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置と、
を備えることを特徴とするシステムである。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 活性層
10 電界効果型トランジスタ
20 電界効果型トランジスタ
21 基材
22 活性層
23 ソース電極
24 ドレイン電極
25 ゲート絶縁層
26 ゲート電極
30 キャパシタ
40 電界効果型トランジスタ
100 テレビジョン装置
101 主制御装置
103 チューナ
104 ADコンバータ(ADC)
105 復調回路
106 TS(Transport Stream)デコーダ
111 音声デコーダ
112 DAコンバータ(DAC)
113 音声出力回路
114 スピーカ
121 映像デコーダ
122 映像・OSD合成回路
123 映像出力回路
124 画像表示装置
125 OSD描画回路
131 メモリ
132 操作装置
141 ドライブインターフェース(ドライブIF)
142 ハードディスク装置
143 光ディスク装置
151 IR受光器
152 通信制御装置
210 アンテナ
220 リモコン送信機
300 表示器
302、302’ 表示素子
310 ディスプレイ
312 陰極
314 陽極
320、320’ ドライブ回路(駆動回路)
340 有機EL薄膜層
342 電子輸送層
344 発光層
346 正孔輸送層
350 有機EL素子
360 層間絶縁膜
361 キャパシタ
370 液晶素子
400 表示制御装置
402 画像データ処理回路
404 走査線駆動回路
406 データ線駆動回路
Claims (16)
- ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、
電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、n型酸化物半導体からなる活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と、
を備える電界効果型トランジスタであって、
前記ソース電極及びドレイン電極の仕事関数が、4.90エレクトロンボルト以上であり、
前記n型酸化物半導体の電子キャリア濃度が、4.0×1017cm−3以上であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 前記ソース電極及びドレイン電極の材質が、金属及び合金の少なくともいずれかである請求項1に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記金属及び合金の少なくともいずれかが、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル、イリジウム、及びロジウムの少なくともいずれかを含有する請求項2に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極が、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して形成される請求項1から3のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極が、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を液滴吐出方式により塗布し、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して形成される請求項4に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかが、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル、イリジウム、及びロジウムの少なくともいずれかを含有する請求項4から5のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記n型酸化物半導体が、インジウム、亜鉛、錫、ガリウム、及びチタンの少なくともいずれかを含有する請求項1から6のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記n型酸化物半導体が、更にアルカリ土類金属を含有する請求項7に記載の電界効果型トランジスタ。
- 請求項1から8のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法であって、
少なくともゲート絶縁層上に、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を塗布し、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して、ソース電極及びドレイン電極を形成するソース電極及びドレイン電極形成工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 請求項1から8のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法であって、
少なくとも基材上に、金属粒子、合金粒子、及び有機金属化合物の少なくともいずれかを含む塗布液を塗布し、前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかを焼成して、ソース電極及びドレイン電極を形成するソース電極及びドレイン電極形成工程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記金属粒子、前記合金粒子、及び前記有機金属化合物の少なくともいずれかが、金、銀、パラジウム、白金、ニッケル、イリジウム、及びロジウムの少なくともいずれかを含有する請求項9から10のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
請求項1から11のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを含み、前記光制御素子を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とする表示素子。 - 前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロクロミック素子のいずれかを含む請求項12に記載の表示素子。
- 前記光制御素子が、液晶素子及び電気泳動素子のいずれかを含む請求項12に記載の表示素子。
- 画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の請求項12から14のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項15に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置と、
を備えることを特徴とするシステム。
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