JP6209840B2 - 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 - Google Patents
量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6209840B2 JP6209840B2 JP2013066357A JP2013066357A JP6209840B2 JP 6209840 B2 JP6209840 B2 JP 6209840B2 JP 2013066357 A JP2013066357 A JP 2013066357A JP 2013066357 A JP2013066357 A JP 2013066357A JP 6209840 B2 JP6209840 B2 JP 6209840B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- electronic component
- unit
- lid
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 68
- 239000002585 base Substances 0.000 description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 26
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 23
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 22
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 16
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 5
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229920008285 Poly(ether ketone) PEK Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 229920006235 chlorinated polyethylene elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
- G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
- G04F5/14—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks
- G04F5/145—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks using Coherent Population Trapping
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B17/00—Generation of oscillations using radiation source and detector, e.g. with interposed variable obturator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/04—Constructional details for maintaining temperature constant
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/26—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using energy levels of molecules, atoms, or subatomic particles as a frequency reference
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
- H01S5/02446—Cooling being separate from the laser chip cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Ecology (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
Description
例えば、特許文献1に係る電子デバイスでは、水晶発振回路、発熱素子および感温素子を収納した内側の容器(電子部品)をさらに別の外側の容器(パッケージ)内に収納し、これらの容器間の空間を真空としている。
また、特許文献1に係る電子デバイスでは、パッケージ内に互いに異なる温度で温度調節される2つの電子部品を収納した場合、2つの電子部品間の輻射による熱の伝達により、電子部品の温度が変動するという問題もあった。
これらの問題は、電子デバイスの小型化に伴って、パッケージと各電子部品との間の距離や、パッケージ内の2つの電子部品間の距離が小さくなることによって顕著となる。
[適用例1]
本適用例の電子デバイスは、第1電子部品および第2電子部品と、
大気圧よりも減圧された状態で、前記第1電子部品および前記第2電子部品を互いに離間して収納している内部空間を有するパッケージと、を備え、
前記第1電子部品および前記第2電子部品のうちの少なくとも一方の電子部品の外表面の少なくとも一部が、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上であることを特徴とする。
その上で、パッケージから輻射された熱が第1電子部品または第2電子部品の外表面で反射されるため、パッケージの小型化を図っても、パッケージの外部から第1電子部品または第2電子部品への熱の伝達を抑制することができる。
このようなことから、小型化を図りつつ、パッケージ内の2つの電子部品のそれぞれの温度変動を抑制することができる。
本適用例の電子デバイスでは、前記第1電子部品は、第1温度で温度制御され、
前記第2電子部品は、前記第1温度よりも高い第2温度で温度制御されていることが好ましい。
この場合、パッケージと第1電子部品および第2電子部品との間、および、第1電子部品と第2電子部品と間の輻射による熱の伝達に起因する問題が顕著となる。そのため、この場合、本発明を適用することによる効果が顕著に現れる。
本適用例の電子デバイスでは、前記パッケージの内表面は、黒色または暗色の部分を含むことが好ましい。
これにより、第1電子部品および第2電子部品から輻射された熱がパッケージの内表面で吸収されるため、第1電子部品および第2電子部品のうちの一方の電子部品から輻射された熱がパッケージの内表面で反射して他方の電子部品に伝達されるのを抑制することができる。
本適用例の電子デバイスでは、前記パッケージの外表面の少なくとも一部が、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上であることが好ましい。
これにより、パッケージの外部からの熱がパッケージの外表面で反射されるため、パッケージの外部からの熱がパッケージ内に伝達されるのを抑制することができる。
本適用例の電子デバイスでは、前記第1電子部品および前記第2電子部品のそれぞれの外表面の少なくとも一部が、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上であることが好ましい。
これにより、第1電子部品と第2電子部品との間の輻射による熱の伝達をより効果的に抑制することができる。
本適用例の電子デバイスでは、前記第1電子部品および前記第2電子部品のうちの少なくとも一方の電子部品の外表面には、金属膜が配置されていることが好ましい。
これにより、金属膜を設けた部位の波長4μmの電磁波に対する反射率を75%以上とすることができる。
本適用例の量子干渉装置は、本適用例の電子デバイスを備え、
前記第1電子部品は、光を出射する光出射部を有し、
前記第2電子部品は、前記光により励起される金属原子が封入されているガスセルを有することを特徴とする。
このような量子干渉装置によれば、小型化を図りつつ、パッケージ内の光出射部およびガスセルのそれぞれの温度変動を抑制することができる。
本適用例の原子発振器は、本適用例の量子干渉装置を備えることを特徴とする。
このような原子発振器によれば、小型化を図りつつ、パッケージ内の光出射部およびガスセルのそれぞれの温度変動を抑制することができる。
[適用例9]
本適用例の電子機器は、本適用例の原子発振器を備えることを特徴とする。
このような電子機器によれば、優れた信頼性を有する。
[適用例10]
本適用例の移動体は、本適用例の原子発振器を備えることを特徴とする。
このような移動体によれば、優れた信頼性を有する。
1.原子発振器(量子干渉装置)
まず、本発明の原子発振器(本発明の量子干渉装置を備える原子発振器)について説明する。なお、以下では、本発明の量子干渉装置を原子発振器に適用した例を説明するが、本発明の量子干渉装置は、これに限定されず、原子発振器の他、例えば、磁気センサー、量子メモリー等にも適用可能である。
この原子発振器1は、図1に示すように、第1電子部品である第1ユニット2(光出射側ユニット)と、第2電子部品である第2ユニット3(光検出側ユニット)と、これらを収納するパッケージ5と、パッケージ5を支持する配線基板6(基板)と、配線基板6に実装された制御部7とを備える。
また、第2ユニット3は、ガスセル31と、光検出部32と、ヒーター33と、温度センサー34と、コイル35と、これらを収納する第2パッケージ36(光検出側パッケージ)とを備える。
まず、原子発振器1の原理を簡単に説明する。
原子発振器1では、ガスセル31内に、ガス状のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金属(金属原子)が封入されている。
このようなガス状のアルカリ金属に対して周波数の異なる2種の共鳴光1、2を前述したようなガス状のアルカリ金属に照射すると、共鳴光1の周波数ω1と共鳴光2の周波数ω2との差(ω1−ω2)に応じて、共鳴光1、2のアルカリ金属における光吸収率(光透過率)が変化する。
例えば、光出射部21が共鳴光1の周波数ω1を固定し、共鳴光2の周波数ω2を変化させていくと、共鳴光1の周波数ω1と共鳴光2の周波数ω2との差(ω1−ω2)が基底状態1と基底状態2とのエネルギー差に相当する周波数ω0に一致したとき、光検出部32の検出強度は、図4に示すように、急峻に上昇する。このような急峻な信号をEIT信号として検出する。このEIT信号は、アルカリ金属の種類によって決まった固有値をもっている。したがって、このようなEIT信号を基準として用いることにより、高精度な発振器を実現することができる。
(第1ユニット)
前述したように、第1ユニット2(第1電子部品)は、光出射部21と、光出射部21を収納する第1パッケージ22とを備える。
[光出射部]
光出射部21は、ガスセル31中のアルカリ金属原子を励起する励起光を出射する機能を有する。
共鳴光1の周波数ω1は、ガスセル31中のアルカリ金属を前述した基底状態1から励起状態に励起し得るものである。
また、共鳴光2の周波数ω2は、ガスセル31中のアルカリ金属を前述した基底状態2から励起状態に励起し得るものである。
また、このような光出射部21は、図示しない温度調節素子(発熱抵抗体、ペルチェ素子等)により、後述するガスセル31とは異なる温度(第1温度)、例えば、30℃程度に温度調節される。
第1パッケージ22は、前述した光出射部21を収納する。
この第1パッケージ22は、図5に示すように、基体221(光出射側基体)と、蓋体222(光出射側蓋体)とを備える。
基体221は、光出射部21を直接的または間接的に支持する。本実施形態では、基体221は、板状をなし、平面視で円形をなしている。
この複数の端子223は、図5に示すように、それぞれ、X軸方向に延びており、互いに平行となるように、一方向(本実施形態ではY軸方向)に並んでいる。
このような基体221には、基体221上の光出射部21を覆う蓋体222が接合されている。
この蓋体222の一端部の開口は、前述した基体221により塞がれている。
そして、蓋体222の他端部、すなわち蓋体222の開口とは反対側の底部には、窓部23が設けられている。
そして、窓部23は、前述した励起光に対して透過性を有する。
本実施形態では、窓部23は、レンズで構成されている。これにより、励起光LLを無駄なくガスセル31へ照射することができる。
また、窓部23は、励起光LLを平行光とする機能を有する。これにより、励起光LLがガスセル31の内壁で反射するのを簡単かつ確実に防止することができる。そのため、ガスセル31内での励起光の共鳴を好適に生じさせ、その結果、原子発振器1の発振特性を高めることができる。
このようなことから、第1パッケージ22の内部空間S1(図6参照)内を高精度に温度調節することができる。
このような蓋体222の窓部23以外の部分の構成材料としては、特に限定されず、例えば、セラミックス材料、金属材料、樹脂材料等を用いることができるが、金属材料を用いることが好ましい。これにより、蓋体222の外表面の熱の反射率を75%以上とすることができる。また、基体221を金属材料で構成した場合、基体221と蓋体222とを溶接により比較的簡単かつ確実に気密的に接合することができる。
また、蓋体222の外表面には、金属膜が設けられていることが好ましい。これにより、蓋体222の基材の熱の反射率が高くなくても、金属膜を設けた部位の波長4μmの電磁波に対する反射率を75%以上とすることができる。また、蓋体222の基材に基体221との接合に適するとともに機械的強度の優れた材料を用いながら、蓋体222の熱の反射率を優れたものとすることができる。
このような金属膜の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、蒸着、スパッタリング等の気相成膜法を用いることができる。なお、かかる金属膜は、第2ユニット3またはパッケージ5から輻射された熱が到達する部位に設ければよく、必ずしも蓋体222の外表面の全域に設けなくてもよい。
また、基体221と蓋体222との接合方法としては、特に限定されないが、例えば、ろう接、シーム溶接、エネルギー線溶接(レーザー溶接、電子線溶接等)等を用いることができる。
また、第1パッケージ22内には、前述した光出射部21以外の部品が収納されていてもよい。
例えば、第1パッケージ22内には、光出射部21の温度を調節する温度調節素子や温度センサー等が収納されていてもよい。かかる温度調節素子としては、例えば、発熱抵抗体(ヒーター)、ペルチェ素子等が挙げられる。
また、第1パッケージ22は、基体221が第2パッケージ36とは反対側に配置されるように、後述するパッケージ5に保持されている。
前述したように、第2ユニット3(第2電子部品)は、ガスセル31と、光検出部32と、ヒーター33と、温度センサー34と、コイル35と、これらを収納する第2パッケージ36とを備える。
ガスセル31内には、ガス状のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金属が封入されている。
例えば、ガスセル31は、図示しないが、柱状の貫通孔を有する本体部と、その貫通孔の両開口を封鎖する1対の窓部とを有する。これにより、前述したようなアルカリ金属が封入される内部空間が形成される。
したがって、ガスセル31の窓部を構成する材料としては、前述したような励起光に対する透過性を有していれば、特に限定されないが、例えば、ガラス材料、水晶等が挙げられる。
そして、各窓部は、本体部に対して気密的に接合されている。これにより、ガスセル31の内部空間を気密空間とすることができる。
ガスセル31の本体部と窓部との接合方法としては、これらの構成材料に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、接着剤による接合方法、直接接合法、陽極接合法等を用いることができる。
すなわち、第2ユニット3は、第1ユニット2よりも高い温度で温度制御されている。この場合、パッケージ5と第1ユニット2および第2ユニット3との間、および、第1ユニット2と第2ユニット3と間の輻射による熱の伝達に起因する問題が顕著となる。そのため、この場合、本発明を適用することによる効果が顕著に現れる。
光検出部32は、ガスセル31内を透過した励起光LL(共鳴光1、2)の強度を検出する機能を有する。
この光検出部32としては、上述したような励起光を検出し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、太陽電池、フォトダイオード等の光検出器(受光素子)を用いることができる。
ヒーター33は、前述したガスセル31(より具体的にはガスセル31中のアルカリ金属)を加熱する機能を有する。これにより、ガスセル31中のアルカリ金属をガス状に維持することができる。
このヒーター33は、通電により発熱するものであり、例えば、ガスセル31の外表面上に設けられた発熱抵抗体で構成されている。このような発熱抵抗体は、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着等の乾式メッキ法、ゾル・ゲル法等を用いて形成される。
このようなヒーター33は、後述する制御部7の温度制御部72に電気的に接続され、通電される。
温度センサー34は、ヒーター33またはガスセル31の温度を検出するものである。そして、この温度センサー34の検出結果に基づいて、前述したヒーター33の発熱量が制御される。これにより、ガスセル31内のアルカリ金属原子を所望の温度に維持することができる。
温度センサー34としては、それぞれ、特に限定されず、サーミスタ、熱電対等の公知の各種温度センサーを用いることができる。
このような温度センサー34は、図示しない配線を介して、後述する制御部7の温度制御部72に電気的に接続されている。
コイル35は、通電により、磁場を発生させる機能を有する。これにより、ガスセル31中のアルカリ金属に磁場を印加することにより、ゼーマン***により、アルカリ金属の縮退している異なるエネルギー準位間のギャップを拡げて、分解能を向上させることができる。その結果、原子発振器1の発振周波数の精度を高めることができる。
なお、コイル35が発生する磁場は、直流磁場または交流磁場のいずれかの磁場であってもよいし、直流磁場と交流磁場とを重畳させた磁場であってもよい。
このコイル35は、図示しない配線を介して、後述する制御部7の磁場制御部73に電気的に接続されている。これにより、コイル35に通電を行うことができる。
このようなコイル35の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、銀、銅、パラジウム、白金、金、または、これらの合金等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
第2パッケージ36は、前述したガスセル31、光検出部32、ヒーター33、温度センサー34およびコイル35を収納する。
この第2パッケージ36は、前述した第1ユニット2の第1パッケージ22と同様に、構成されている。
基体361は、ガスセル31、光検出部32、ヒーター33、温度センサー34およびコイル35を直接的または間接的に支持する。本実施形態では、基体361は、板状をなし、平面視で円形をなしている。
このような基体361の構成材料としては、特に限定されず、例えば、セラミックス材料、金属材料、樹脂材料等を用いることができるが、金属材料を用いることが好ましい。これにより、蓋体362を金属材料で構成した場合、基体361と蓋体362とを溶接により比較的簡単かつ確実に気密的に接合することができる。
蓋体362は、一端部が開口した有底筒状をなしている。本実施形態では、蓋体362の筒状部は、円筒状をなす。
この蓋体362の一端部の開口は、前述した基体361により塞がれている。
この窓部37は、ガスセル31と光出射部21との間の光軸a上に設けられている。
そして、窓部37は、前述した励起光に対して透過性を有する。
本実施形態では、窓部37は、光透過性を有する板状部材で構成されている。
このような蓋体362の外表面(窓部37を除く部分)は、波長4μmの電磁波(すなわち遠赤外線)に対する反射率が50%以上である。これにより、パッケージ5から輻射された熱が蓋体362の外表面(第2電子部品の外表面)で反射されるため、パッケージ5の小型化を図っても、パッケージ5の外部から蓋体362への熱の伝達を抑制することができる。
このようなことから、第2パッケージ36の内部空間S2(図6参照)内を高精度に温度調節することができる。
また、蓋体362の外表面の熱の反射率は、高い程前述したような効果が高まるため、75%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましく、95%以上であることが最も好ましい。
また、蓋体362の外表面には、金属膜が設けられていることが好ましい。これにより、蓋体362の基材の熱の反射率が高くなくても、金属膜を設けた部位の波長4μmの電磁波に対する反射率を75%以上とすることができる。また、蓋体362の基材に基体361との接合に適するとともに機械的強度の優れた材料を用いながら、蓋体362の熱の反射率を優れたものとすることができる。
このような金属膜の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、蒸着、スパッタリング等の気相成膜法を用いることができる。なお、かかる金属膜は、第1ユニット2またはパッケージ5から輻射された熱が到達する部位に設ければよく、必ずしも蓋体362の外表面の全域に設けなくてもよい。
このような蓋体362の窓部37以外の部分の構成材料としては、特に限定されず、例えば、セラミックス、金属、樹脂等を用いることができる。
また、基体361と蓋体362との接合方法としては、特に限定されないが、例えば、ろう接、シーム溶接、エネルギー線溶接(レーザー溶接、電子線溶接等)等を用いることができる。
また、第2パッケージ36内には、少なくともガスセル31および光検出部32が収納されていればよく、また、前述したガスセル31、光検出部32、ヒーター33、温度センサー34およびコイル35以外の部品が収納されていてもよい。
また、第2パッケージ36は、基体361が第1パッケージ22とは反対側に配置されるように、後述するパッケージ5に保持されている。
パッケージ5は、前述した第1パッケージ22および第2パッケージ36を収納する機能を有する。
このパッケージ5は、第1ユニット2および第2ユニット3を互いに離間して配置した状態で収納している内部空間Sを有し、その内部空間Sが大気圧よりも減圧された状態となっている。これにより、パッケージ5と第1ユニット2および第2ユニット3との間、および、第1ユニット2と第2ユニット3と間の熱伝導および対流による熱の伝達を抑制することができる。
本体50の凹部51には、第1パッケージ22および第2パッケージ36が設置されている。
また、この凹部51は、第1パッケージ22および第2パッケージ36の位置および姿勢を規制する形状をなす。これにより、第1パッケージ22および第2パッケージ36をパッケージ5の凹部51に設置することにより、光出射部21および光検出部32を含む光学系の位置決めを行うことができる。そのため、パッケージ5に対する第1パッケージ22および第2パッケージ36の設置を容易なものとすることができる。
また、第1パッケージ22および第2パッケージ36は、筒状をなす蓋体222および蓋体362の軸線がそれぞれ凹部51の延在方向(X軸方向)に平行となるように配置されている。これにより、第1パッケージ22および第2パッケージ36は、蓋体222および蓋体362の軸線が互いに一致または平行となるように配置されている。
また、本体50の一端部側(図5中の左側)には、第1パッケージ22の基体221を支持する支持部52(第1支持部)が設けられ、本体50の他端部(図5中の右側)には、第2パッケージ36の基体361を支持する支持部53(第2支持部)が設けられている。
ここで、複数の貫通孔521は、複数の端子223に対応して設けられ、それぞれ、X軸方向に延びており、Y軸方向に並んでいる。したがって、複数の端子223のパッケージ5から突出した部分も、Y軸方向に並んでいる。
このような本体50には、凹部51の開口を塞ぐ蓋体54が接合されている。
蓋体54は、平板状をなしている。
また、本体50と蓋体54との接合方法としては、特に限定されないが、例えば、ろう接、シーム溶接、エネルギー線溶接(レーザー溶接、電子線溶接等)等を用いることができる。
これにより、第1パッケージ22と第2パッケージ36との間のパッケージ5を介した熱伝導を小さくすることができる。その結果、光出射部21とガスセル31との間の熱干渉を効果的に防止または抑制することができる。
このような反射防止層55は、熱の吸収性に優れているものであれば、特に限定されないが、例えば、黒色または暗色の塗装により形成することができる。なお、反射防止層55は、第1ユニット2または第2ユニット3から輻射された熱が到達する部位に設ければよく、必ずしもパッケージ5の内表面の全域に設けなくてもよい。
反射層56に用いる金属材料としては、前述した蓋体222および蓋体362に用いる金属材料を用いることができるが、熱の反射性および化学安定性が優れるという観点から、金を用いることが好ましい。
このようなパッケージ5内は、大気圧よりも減圧された状態または不活性ガス封入状態であることが好ましい。これにより、前述したような第1ユニット2の蓋体222や第2ユニット3の蓋体362の外表面の酸化等の劣化を防止し、長期にわたり、蓋体222や蓋体362の外表面の熱の反射率を高い状態に維持することができる。
配線基板6は、図示しない配線を有し、かかる配線を介して、配線基板6に搭載された制御部7等の電子部品と、第1パッケージ22の複数の端子223および第2パッケージの複数の端子363とを電気的に接続する機能を有する。
また、配線基板6は、複数の端子223および複数の端子363を介して、パッケージ5を支持する機能をも有する。
この貫通孔61には、パッケージ5が挿入されている。これにより、パッケージ5を配線基板6の面上に搭載する場合に比し、装置全体の低背化を図ることができる。
本実施形態では、貫通孔61は、平面視で、パッケージ5の外形と相似する形状、すなわち、四角形(より具体的には、X軸方向を長手方向とする長方形)をなしている。
したがって、貫通孔61に挿入されたパッケージ5は、配線基板6に対して離間している。これにより、パッケージ5に保持されたガスセル31、光出射部21および光検出部32と配線基板6との間の熱の干渉を抑制することができる。
本実施形態では、複数の端子62は、貫通孔61の長手方向での一端部近傍に設けられ、一方、複数の端子63は、貫通孔61の長手方向での他端部近傍に設けられている。
複数の端子62は、前述した第1パッケージ22の複数の端子223に対応して設けられている。そして、複数の端子62には、それぞれ、対応する複数の端子223が接合されている。
これらの接合により、パッケージ5が複数の端子223および複数の端子363を介して配線基板6に支持されるとともに、複数の端子223が複数の端子62にそれぞれ電気的に接続され、複数の端子363が複数の端子63にそれぞれ電気的に接続されている。
これにより、複数の端子223、363に生じる応力を低減しつつ、配線基板6と複数の端子223、363とを接合することができる。そのため、原子発振器1の信頼性を高めることができる。
このような配線基板6としては、各種プリント配線基板を用いることができるが、パッケージ5を支持するのに必要な剛性を確保する観点から、リジット部を有する基板、例えば、リジット基板、リジットフレキシブル基板等を用いるのが好ましい。
また、配線基板6の一方の面には、制御部7が設置されている。なお、配線基板6には、制御部7以外の電子部品が搭載されていてもよい。
図2に示す制御部7は、ヒーター33、コイル35および光出射部21をそれぞれ制御する機能を有する。
本実施形態では、制御部7は、配線基板6に搭載されたIC(Integrated Circuit)チップで構成されている。
励起光制御部71は、前述した光検出部32の検出結果に基づいて、光出射部21から出射される共鳴光1、2の周波数を制御する。より具体的には、励起光制御部71は、前述した光検出部32によって検出された(ω1−ω2)が前述したアルカリ金属固有の周波数ω0となるように、光出射部21から出射される共鳴光1、2の周波数を制御する。また、励起光制御部71は、光出射部21から出射される共鳴光1、2の中心周波数を制御する。
また、磁場制御部73は、コイル35が発生する磁場が一定となるように、コイル35への通電を制御する。
その上で、パッケージ5から輻射された熱が第1ユニット2および第2ユニット3の外表面で反射されるため、パッケージ5の小型化を図っても、パッケージ5の外部から第1ユニット3または第2ユニット3への熱の伝達を抑制することができる。
このようなことから、原子発振器1では、小型化を図りつつ、パッケージ5内の2つのユニット(より具体的には、光出射部21およびガスセル31)のそれぞれの温度変動を抑制することができる。
以上説明したような原子発振器は、各種電子機器に組み込むことができる。
以下、本発明の電子機器について説明する。
図7は、GPS衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合のシステム構成概要図である。
GPS衛星200は、測位情報(GPS信号)を送信する。
基地局装置300は、例えば電子基準点(GPS連続観測局)に設置されたアンテナ301を介してGPS衛星200からの測位情報を高精度に受信する受信装置302と、この受信装置302で受信した測位情報をアンテナ303を介して送信する送信装置304とを備える。
GPS受信装置400は、GPS衛星200からの測位情報をアンテナ401を介して受信する衛星受信部402と、基地局装置300からの測位情報をアンテナ403を介して受信する基地局受信部404とを備える。
図8に示すクロック伝送システム500は、時分割多重方式のネットワーク内の各装置のクロックを一致させるものであって、N(Normal)系およびE(Emergency)系の冗長構成を有するシステムである。
クロック供給装置501は、原子発振器1を有し、N系のクロック信号を生成する。このクロック供給装置501内の原子発振器1は、セシウムを用いた原子発振器を含むマスタークロック508、509からのより高精度なクロック信号と同期して、クロック信号を生成する。
クロック供給装置503は、原子発振器1を有し、E系のクロック信号を生成する。このクロック供給装置503内の原子発振器1は、セシウムを用いた原子発振器を含むマスタークロック508、509からのより高精度なクロック信号と同期して、クロック信号を生成する。
クロック供給装置505は、クロック供給装置501、503からのクロック信号を受信し、その受信したクロック信号に同期して、クロック信号を生成する。
SDH装置506は、クロック供給装置505からのクロック信号に基づいて、主信号の送受信を行う。同様に、SDH装置507は、クロック供給装置505からのクロック信号に基づいて、主信号の送受信を行う。これにより、C局の装置をA局またはB局の装置と同期させることができる。
また、前述したような本発明の原子発振器は、各種移動体に組み込むことができる。このような本発明の原子発振器を備える移動体は、優れた信頼性を有する。
以下、本発明の移動体の一例について説明する。
図9は、本発明の原子発振器を備える移動体(自動車)の構成を示す斜視図である。
また、本発明における各部の構成は、前述した実施形態の構成と同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、前述した実施形態では、本発明の電子デバイスを量子干渉装置に適用した場合を例に説明したが、本発明の電子デバイスは、これに限定されず、互いに異なる温度で温度調節される2つの電子部品(第1電子部品および第2電子部品)を1つのパッケージ内に収納した各電子デバイスに適用可能である。すなわち、第1電子部品および第2電子部品としては、温度特性や動作温度が互いに異なるものであれば、各種電子部品を用いることができる。
Claims (9)
- 光を出射する光出射部、および、前記光出射部を収納している第1パッケージを有し、前記第1パッケージ内が気密空間である第1電子部品と、
前記光により励起される金属原子が封入されているガスセルを有する第2電子部品と、
大気圧よりも減圧された状態で、前記第1電子部品および前記第2電子部品を互いに離間して収納している内部空間を有するパッケージと、を備え、
前記第1パッケージおよび前記第2電子部品のうちの少なくとも前記第1パッケージの外表面の少なくとも一部が、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上であることを特徴とする量子干渉装置。 - 前記光出射部は、第1温度で温度制御され、
前記ガスセルは、前記第1温度よりも高い第2温度で温度制御されている請求項1に記載の量子干渉装置。 - 前記パッケージの内表面は、黒色または暗色の部分を含む請求項1または2に記載の量子干渉装置。
- 前記パッケージの外表面の少なくとも一部が、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 前記第1パッケージおよび前記第2電子部品のそれぞれの外表面の少なくとも一部が、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 前記第1パッケージおよび前記第2電子部品のうちの少なくとも一方の外表面には、金属膜が配置されている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする原子発振器。
- 請求項7に記載の原子発振器を備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項7に記載の原子発振器を備えることを特徴とする移動体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013066357A JP6209840B2 (ja) | 2013-03-27 | 2013-03-27 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
US14/219,102 US9356426B2 (en) | 2013-03-27 | 2014-03-19 | Electronic device, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013066357A JP6209840B2 (ja) | 2013-03-27 | 2013-03-27 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014192705A JP2014192705A (ja) | 2014-10-06 |
JP6209840B2 true JP6209840B2 (ja) | 2017-10-11 |
Family
ID=51620654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013066357A Expired - Fee Related JP6209840B2 (ja) | 2013-03-27 | 2013-03-27 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9356426B2 (ja) |
JP (1) | JP6209840B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6295571B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-03-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
JP6743410B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2020-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 |
JP6728850B2 (ja) | 2016-03-25 | 2020-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 |
JP2017183377A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
JP2018006809A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
US10416246B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-09-17 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Physics package for compact atomic device |
JP6939344B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器およびシステム |
JP7017066B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器、および周波数信号生成システム |
CN109787629A (zh) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 精工爱普生株式会社 | 原子振荡器和频率信号生成*** |
CN108845596A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-11-20 | 北京红马传媒文化发展有限公司 | 温度控制方法、装置及自助换票机 |
EP3584646A1 (en) * | 2018-06-19 | 2019-12-25 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Method for providing information about a mechanical wristwatch |
CN109298620B (zh) * | 2018-09-20 | 2020-12-08 | 中国科学院国家授时中心 | 一种用于束型原子钟的π相位差微波腔 |
RU192267U1 (ru) * | 2019-06-28 | 2019-09-11 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук | Устройство контроля и управления генератором ультрастабильных опорных сигналов частоты |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3382452A (en) * | 1965-04-15 | 1968-05-07 | Varian Associates | Frequency stabilization apparatus |
US4128814A (en) * | 1977-11-30 | 1978-12-05 | Nasa | External bulb variable volume maser |
JPS57155810A (en) | 1981-03-23 | 1982-09-27 | Hitachi Ltd | Negative feedback type amplifier |
JPS63168088A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | 株式会社デンソー | 物品の加熱方法 |
FR2688640B1 (fr) | 1992-03-16 | 1994-07-01 | Tekelec Neuchatel Time Sa | Etalon de frequence atomique. |
JPH0946133A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波発振回路とその回路を用いたダウンコンバータ |
US6320472B1 (en) * | 1999-01-26 | 2001-11-20 | Kernco, Inc. | Atomic frequency standard |
US6201449B1 (en) * | 1999-07-24 | 2001-03-13 | Stellex Microwave Systems, Inc. | Ferromagnetic tuning ring for YIG oscillators |
US6265945B1 (en) * | 1999-10-25 | 2001-07-24 | Kernco, Inc. | Atomic frequency standard based upon coherent population trapping |
JP2003243930A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | 発振器 |
JP3965070B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2007-08-22 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用の水晶振動子 |
US7468637B2 (en) * | 2006-04-19 | 2008-12-23 | Sarnoff Corporation | Batch-fabricated, RF-interrogated, end transition, chip-scale atomic clock |
US7952440B2 (en) * | 2008-04-18 | 2011-05-31 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal device for surface mounting |
JP5256999B2 (ja) | 2008-10-29 | 2013-08-07 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器の物理部 |
US8816783B2 (en) * | 2009-09-04 | 2014-08-26 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Device for an atomic clock |
JP5167298B2 (ja) | 2010-03-16 | 2013-03-21 | アンリツ株式会社 | イオントラップ型周波数標準器 |
JP5724480B2 (ja) | 2011-03-11 | 2015-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器および原子発振器の製造方法 |
JP2012195351A (ja) | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | 原子発振器 |
JP5724492B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器 |
JP6074957B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2017-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器および電子機器 |
-
2013
- 2013-03-27 JP JP2013066357A patent/JP6209840B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-19 US US14/219,102 patent/US9356426B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9356426B2 (en) | 2016-05-31 |
US20140293551A1 (en) | 2014-10-02 |
JP2014192705A (ja) | 2014-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6209840B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6119295B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器および移動体 | |
JP6291768B2 (ja) | 原子共鳴遷移装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6303481B2 (ja) | 発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
US9654125B2 (en) | Atom cell, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object | |
US9342269B2 (en) | Quantum interference unit, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object | |
JP6179327B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6409267B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
US9191017B2 (en) | Quantum interference device, atomic oscillator, and moving object | |
JP2017073623A (ja) | 原子発振器 | |
JP6347101B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP2014183484A (ja) | 電子デバイス、量子干渉装置、原子発振器、電子機器、移動体および電子デバイスの製造方法 | |
JP6337456B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6337464B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 | |
JP2018041835A (ja) | 発光素子モジュール、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP2018042096A (ja) | 原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6089847B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6237096B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 | |
JP6597817B2 (ja) | 発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6535436B2 (ja) | 原子共鳴遷移装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6075138B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器、移動体および原子発振器の製造方法 | |
JP6003280B2 (ja) | 原子発振器および電子機器 | |
JP2014160978A (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170331 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170828 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6209840 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |