JP6202521B2 - シリコンウエハ及び配線形成方法 - Google Patents
シリコンウエハ及び配線形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6202521B2 JP6202521B2 JP2013134655A JP2013134655A JP6202521B2 JP 6202521 B2 JP6202521 B2 JP 6202521B2 JP 2013134655 A JP2013134655 A JP 2013134655A JP 2013134655 A JP2013134655 A JP 2013134655A JP 6202521 B2 JP6202521 B2 JP 6202521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- silicon wafer
- alignment
- silicon
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 69
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 68
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本実施形態に係るシリコンウエハについて、図1ないし図6を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るシリコンウエハの配線を形成する工程の一部を示すフローチャート、図2は、本実施形態に係るシリコンウエハの配線形成工程の一部を示す図である。
22a,22b 薄膜層
23a,23b 感光剤
24 露光装置
25 TSV
26(26a〜26e) アライメント穴
31 シリコンチップ領域
32 x座標マーク
33 y,θ座標マーク
50 欠損部位
51 内側端部
52 欠損部位端部
Claims (2)
- 表面及び裏面に配線が形成されるシリコンウエハにおいて、
当該シリコンウエハが、マトリックス状に区画された複数のシリコンチップ領域を有しており、当該各シリコンチップ領域に対応する前記シリコンウエハの表面から裏面まで貫通する貫通孔が形成されており、当該貫通孔が前記シリコンウエハの裏面を露光する場合のアライメントマークであると共に、前記各シリコンチップ領域間を劈開する際のダイシングにおけるスクライブラインを示すマークであり、
前記スクライブラインの領域を挟んで外側に対向して形成され、対向する当該貫通孔の内側端部が、露光装置のマーカ検出領域より内側に位置しており、前記貫通孔の中心部に発生するめっきの欠陥部位と前記内側端部との間隔が、前記露光装置が識別可能となるように、前記貫通孔が形成されていることを特徴とするシリコンウエハ。 - シリコンウエハの表面側を露光する場合に、位置合わせのためのマークとして表面側から裏面側に貫通する貫通孔を形成する表面露光工程と、
少なくとも前記貫通孔をめっきするめっき工程と、
前記シリコンウエハの裏面側を露光する裏面露光工程とを含み、
前記貫通孔が前記シリコンウエハの裏面を露光する場合のアライメントマークであると共に、前記各シリコンチップ領域間を劈開する際のダイシングにおけるスクライブラインを示すマークであり、当該スクライブラインの領域を挟んで外側に対向して形成され、対向する当該貫通孔の内側端部が、露光装置のマーカ検出領域より内側に位置しており、前記貫通孔の中心部に発生するめっきの欠陥部位と前記内側端部との間隔が、前記露光装置が識別可能となるように、前記貫通孔が形成されていることを特徴とする配線形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013134655A JP6202521B2 (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | シリコンウエハ及び配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013134655A JP6202521B2 (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | シリコンウエハ及び配線形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015012054A JP2015012054A (ja) | 2015-01-19 |
JP6202521B2 true JP6202521B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=52304980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013134655A Expired - Fee Related JP6202521B2 (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | シリコンウエハ及び配線形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6202521B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6955852B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2021-10-27 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5496358A (en) * | 1977-12-24 | 1979-07-30 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH01214040A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
JP2008171901A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Yamaha Corp | 配線基板の製造方法 |
JP4506780B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2010-07-21 | カシオ計算機株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
JP2008306012A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 基板およびその製造方法 |
JP5182143B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2013-04-10 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-06-27 JP JP2013134655A patent/JP6202521B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015012054A (ja) | 2015-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5076407B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI467403B (zh) | 區域分類裝置、基板檢查裝置及區域分類方法 | |
TW201543175A (zh) | 計量圖案佈局及其使用方法 | |
KR20070018527A (ko) | 반도체 디바이스 제조를 위한 오버레이 마크 및 이를이용한 오버레이 측정방법 | |
CN101789386B (zh) | 晶片对准的方法 | |
US8952454B2 (en) | SOI wafer and method of manufacturing the same | |
JP2015170841A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体集積回路ウェハ | |
JP6202521B2 (ja) | シリコンウエハ及び配線形成方法 | |
JP2003257828A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006332177A (ja) | 半導体ウエハ、その製造方法及びマスク | |
KR100904732B1 (ko) | 오정렬 가늠 마크를 이용한 정렬도 측정 방법 | |
TWI603425B (zh) | processing method | |
JP2007049067A (ja) | 半導体ウェハおよびレチクル | |
TWI489223B (zh) | 基板上的圖案化方法 | |
WO2019106501A1 (en) | Optical mask validation | |
JP2007081293A (ja) | 検査方法、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
US20160043037A1 (en) | Mark, semiconductor device, and semiconductor wafer | |
JP2021141290A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007165347A (ja) | 半導体装置の製造方法、ウェハおよびウェハの製造方法 | |
JP2009251455A (ja) | アライメントマーク及びアライメント方法 | |
JP2015014756A (ja) | マスク歪計測装置および方法 | |
JP5446510B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の管理方法 | |
JP2008091367A (ja) | 重ね合わせ検査方法 | |
KR102409885B1 (ko) | 웨이퍼 정렬 방법, 이러한 정렬 방법을 이용한 웨이퍼 본딩 방법, 및 이러한 정렬 방법을 수행하기 위한 장치 | |
JP2007173435A (ja) | 最適フォーカス位置検出方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160517 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6202521 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |