JP6197369B2 - 配線基板の製造方法および配線基板製造用の型 - Google Patents

Description

本願は、配線基板の製造方法および配線基板製造用の型に関する。

近年、電子機器は、小型化や高機能化が進展している。電子機器の小型化や高機能化に伴い、電子部品を実装する配線基板の配線パターンも微細化の一途を辿っている。配線パターンの微細化により、配線の幅も狭くなってきており、従来からあるフォトリソグラフィを用いた製造技術では微細なパターンの配線基板を製造することが困難になりつつある。

そこで、近年では、微細な凹凸が形成された型を樹脂材料などに押し付けて所望の配線パターンを形成するインプリントを用いた配線基板の製造技術が提案されている。インプリントを用いた製造技術によれば、フォトリソグラフィを用いた製造技術に比べると配線パターンの微細化を安価に実現することができる。なお、インプリントの際には、離型剤を型に塗布することになるが、離型剤としては、例えば、蒸気圧が高く、常圧下で昇華する物質である昇華性物質を用いたものも提案されている（例えば、特許文献１を参照）。

特開２００２−１１４５８４号公報

微細なパターンの配線基板をインプリント技術で製造するには、適正な離型を実現することが望まれる。しかしながら、従来から用いられている離型剤では、製造工程における歩留まりに影響を与えない配線の幅に限界があり、配線パターンの更なる微細化に対応することが難しい。

そこで、本願は、インプリントの際の離型性が向上する配線基板の製造方法および配線基板製造用の型を提供することを課題とする。

本願は、次のような配線基板の製造方法を開示する。
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面を、所定温度で消失する第１の膜によって覆い、前記所定温度で残存する第２の膜によって前記第１の膜を覆うように封止した型を、前記基板の前記絶縁性樹脂に載せる工程と、
前記凹凸面に形成されている前記配線パターンを、前記第１の膜及び前記第２の膜を挟んで前記絶縁性樹脂に転写する工程と、
前記配線パターンを前記絶縁性樹脂に転写した前記型を前記所定温度以上に加熱し、前記第１の膜を消失させる工程と、
加熱によって前記第１の膜を消失させた前記型を前記絶縁性樹脂から離型する工程と、を有する
配線基板の製造方法。

また、本願は、次のような配線基板製造用の型を開示する。
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面と、
前記凹凸面を覆う、所定温度で消失する第１の膜と、
前記第１の膜を覆う、前記所定温度で残存する第２の膜と、を備える、
配線基板製造用の型。

上記配線基板の製造方法および配線基板製造用の型であれば、インプリントの際の離型性が向上する。

図１は、実施形態に係る配線基板の製造方法のフローを示した図の一例である。 図２は、実施形態に係る配線基板の製造方法の実行に際して用いる型を示した図の一例である。 図３は、実施形態に係る配線基板の製造方法における各工程と温度プロファイルとの関係を示したグラフである。 図４Ａは、型を載せる工程を示した図の一例である。 図４Ｂは、配線パターンを転写する工程を示した図の一例である。 図４Ｃは、離型をする工程を示した第１の図の一例である。 図４Ｄは、離型をする工程を示した第２の図の一例である。 図４Ｅは、離型をする工程を示した第３の図の一例である。 図５は、型の製造方法のフローを示した図の一例である。 図６Ａは、配線パターンを形成する工程を示した図の一例である。 図６Ｂは、封止部材を形成する工程を示した図の一例である。 図６Ｃは、第１の膜を形成する工程を示した図の一例である。 図６Ｄは、保護フィルムを剥離する工程を示した図の一例である。 図６Ｅは、第２の膜を形成する工程を示した図の一例である。 図７は、従来技術に係る配線基板の製造方法のフローを示した図の一例である。 図８は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第１例の図である。 図９Ａは、第１例に係る熱インプリントの工程によって生じる型の破損状態を示した図の一例である。 図９Ｂは、第１例に係る熱インプリントの工程によって生じるパターン欠陥を示した図の一例である。 図１０は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第２例の図である。 図１１は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第３例の図である。

以下、実施形態について説明する。以下に示す実施形態は、単なる例示であり、本願で開示されるものの技術的範囲を以下の態様に限定するものではない。

図１は、実施形態に係る配線基板の製造方法のフローを示した図の一例である。本実施形態に係る配線基板の製造方法は、図１に示すように、型を載せる工程（Ｓ１０１）と配線パターンを転写する工程（Ｓ１０２）と離型する工程（Ｓ１０３）とを有する。以下、実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。

図２は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の実行に際して用いる型を示した図の一例である。型１は、例えば、基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面２と、凹凸面２を覆う、所定温度で消失する第１の膜３と、第１の膜３を覆うよう
に封止する、所定温度で残存する第２の膜４と、を備えている。また、型１は、凹凸面２と第２の膜４との間に挟まれる第１の膜３を封止する封止部材であって、第１の膜３の縁に沿って第１の膜３を取り囲むように形成した封止部材５を備えている。

なお、所定温度とは、第１の膜３が気体になる温度であり、例えば、第１の膜３が昇華し又は気化する温度である。また、所定温度で消失する膜とは、所定の温度に達すると昇華又は気化し、膜としての形態を失うものをいう。また、所定温度で残存する膜とは、所定温度に達しても昇華又は気化することなく、膜としての形態を維持するものをいう。また、昇華とは、液体を経ずに固体から気体へ相変化する現象をいう。

基板を覆う絶縁性樹脂は、加熱すると硬化する熱硬化性樹脂が好ましい。絶縁性樹脂として適用可能な熱硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂を挙げることができる。また、封止部材５は、加熱されると軟化し、凹凸面２と第２の膜４との間に挟まれる第１の膜３の封止状態を解除する熱可塑性の部材であることが好ましい。封止部材５が加熱によって軟化し、封止状態を解除するものであれば、第１の膜３を所定温度に加熱した場合の第１の膜３の消失が阻害されない。封止部材５として適用可能な熱可塑性の部材としては、例えば、ポリサルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニルサルフォン等の熱可塑性樹脂を適用可能である。

図３は、本実施形態に係る配線基板の製造方法における各工程と温度プロファイルとの関係を示したグラフである。所定温度で気体になる第１の膜３の素材として、例えば、フマル酸を用いる場合、所定温度は、フマル酸の昇華点である約２００℃となる。よって、例えば、第１の膜３がフマル酸で形成されている場合、第２の膜４は、約２００℃に達しても消失しない素材で形成することになる。もっとも、第１の膜３は、絶縁性樹脂に形作る配線パターンの形成において型としての役割を担う部分でもある。よって、配線パターンの精度を確保する観点に鑑みれば、第１の膜３は、絶縁性樹脂を硬化させる際の加熱時において、固体状態を維持するものであることが好ましい。例えば、フマル酸を第１の膜３の素材として用いる場合、基板を覆う絶縁性樹脂は、凹凸面２による配線パターンの転写を可能とするべく、型１が押圧されると凹凸面２の形状に従って変形する柔軟性を有し、且つ、約２００℃に達する前に硬化する素材で形成されていることが望まれる。上述した熱硬化性エポキシ樹脂は、約１３０℃に達すると軟化し、約１８０℃に達すると硬化反応を生じる特性がある。よって、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂を絶縁性樹脂の素材とした場合、昇温によってフマル酸を用いた第１の膜３が消失する前に絶縁性樹脂を硬化させることができ、更に、絶縁性樹脂の硬化前に第１の膜３が昇華するのを防ぐことができる。なお、第２の膜４の素材として適用することが可能な約２００℃に達しても消失しない素材としては、例えば、銅等の金属類で形成した硬質の薄膜を挙げることができる。

例えば、フマル酸を第１の膜３の素材として用いる場合、基板を覆う絶縁性樹脂は、凹凸面２による配線パターンの転写を可能とするべく、型１が押圧されると凹凸面２の形状に従って変形する柔軟性を有し、且つ、約２００℃に達する前に硬化する素材で形成されていることが望まれる。ところで、上述した熱硬化性エポキシ樹脂は、約１３０℃に達すると軟化し、約１８０℃に達すると硬化反応を生じる特性がある。よって、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂を絶縁性樹脂の素材とした場合、昇温によってフマル酸を用いた第１の膜３が消失する前に絶縁性樹脂を硬化させることができる。

なお、第１の膜３の素材として適用可能なものとしては、フマル酸の他、例えば、トリメチルアミン塩酸塩、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ヘキサメチレンテトラミン等の昇華性の素材を挙げることができる。トリメチルアミン塩酸塩の昇華点は約２００℃であり、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸の昇華点は約２１０℃であり、ヘキサメチレンテトラミンの昇華点は約２６０℃であるため、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸
やヘキサメチレンテトラミンを用いる場合は所定温度の値を引き上げることになる。

また、封止部材５は、所定温度において第１の膜３の封止状態を解除可能とし、且つ、絶縁性樹脂が十分に硬化する前には第１の膜３が消失しないように封止状態を維持するものであることが望まれる。例えば、昇華性のフマル酸を第１の膜３の素材として用い、熱硬化性エポキシ樹脂を絶縁性樹脂の素材とする場合、封止部材５の素材としては、ポリサルフォン製の熱可塑性樹脂シートが好適である。ポリサルフォンであれば、ガラス転移温度が約１９０℃であるため、所定温度に到達する前の第１の膜３の消失を防ぐことができ、且つ、所定温度に達した第１の膜３の消失を阻害することも無い。なお、ポリアリレートのガラス転移温度約１９３℃であり、ポリエーテルサルフォンのガラス転移温度約２０４℃であり、ポリフェニルサルフォンのガラス転移温度約２２０℃である。よって、封止部材５の素材としてポリエーテルサルフォンやポリフェニルサルフォンを用いる場合、所定温度の値を引き上げることになる。

図４Ａは、型を載せる工程を示した図の一例である。本実施形態に係る配線基板の製造方法の実行に際しては、例えば、図２に示したような上述の型１を、絶縁性樹脂７で覆われた基板６に載せる。

図４Ｂは、配線パターンを転写する工程を示した図の一例である。型１を基板６に載せた後は、型１を載せた基板６の絶縁性樹脂７を加熱して絶縁性樹脂７を軟化させて型１を加圧し、凹凸面２に形成されている配線パターンを第１の膜３及び第２の膜４を挟んで絶縁性樹脂７に転写する。配線パターンを転写する際の絶縁性樹脂７の温度は、絶縁性樹脂７が軟化する温度であれば如何なる温度であってもよい。絶縁性樹脂７が、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂であれば、配線パターンを転写する際の絶縁性樹脂７の温度を約１３０℃以上にする。

配線パターンが転写された後は、絶縁性樹脂７を更に加熱し、熱硬化させる。上述したように、絶縁性樹脂７が例えば熱硬化性エポキシ樹脂の場合であれば、絶縁性樹脂７を約１８０℃に加熱することで、配線パターンが転写された絶縁性樹脂７を硬化させることができる。

図４Ｃは、離型をする工程を示した第１の図の一例である。絶縁性樹脂７を硬化させた後は、封止部材５を加熱し、第１の膜３の封止状態を解除する。上述したように、封止部材５が例えばポリサルフォンであれば、封止部材５をポリサルフォンのガラス転移温度である約１９０℃に加熱することで、封止部材５を軟化させることができる。封止部材５が軟化すると、第１の膜３を封止する密封構造の強度が低下することになる。

図４Ｄは、離型をする工程を示した第２の図の一例である。封止部材５が軟化した後も更に加熱を続け、第１の膜３が所定温度に達すると、第１の膜３が気化し始める。第１の膜３が気化し始めるときには、封止部材５が既に軟化しているため、膨張した第１の膜３が封止部材５を押しのける。この結果、凹凸面２と第２の膜４との間にあった第１の膜３が封止部材５のあった部分から外部へ気散して消失し、型１の配線パターンを覆う膜としての形態を失う。また、第１の膜３は消失の過程で膨張するため、型１は、第１の膜３の消失に際して凹凸面２全体が第１の膜３から受ける力により、型１が基板６に対して概ね平行な状態を保持したまま浮き上がる。

図４Ｅは、離型をする工程を示した第３の図の一例である。第１の膜３が消失した後は、型１を基板６から引き離し、基板６を冷却する。型１と絶縁性樹脂７との間の密着力は、第１の膜３の消失によって既に失われているため、型１を基板６からスムーズに引き離すことができる。

上記実施形態に係る配線基板の製造方法において用いた型１は、例えば、以下の様な方法で製造することができる。

図５は、型１の製造方法のフローを示した図の一例である。型１の製造方法は、図５に示すように、配線パターンの凹凸面２を形成する工程（Ｓ２０１）と封止部材５を形成する工程（Ｓ２０２）と第１の膜３を形成する工程（Ｓ２０３）と第２の膜４を形成する工程（Ｓ２０４）とを有する。以下、型１の製造方法について説明する。

図６Ａは、配線パターンを形成する工程を示した図の一例である。型１の製造にあたっては、まず、板状の素材を用意する。用意する素材は、如何なるものであってもよいが、絶縁性樹脂７に配線パターンを転写可能な硬さを有する素材であることが好ましい。絶縁性樹脂７に配線パターンを転写可能な硬さを有する素材としては、例えば、石英や金属、硬質の樹脂、Ｓｉ等を挙げることができる。板状の素材に対して各種の加工を施し、配線パターンの凹凸面２を形成する（Ｓ２０１）。

図６Ｂは、封止部材５を形成する工程を示した図の一例である。配線パターンを形成した後は、表面を保護フィルム８で覆った封止部材５を、凹凸面２の縁に沿って形成する（Ｓ２０２）。封止部材５として、例えば、ポリサルフォン製の熱可塑性樹脂シートを用いる場合、シート状の封止部材５を凹凸面２の縁に沿って貼り付ける。

図６Ｃは、第１の膜３を形成する工程を示した図の一例である。封止部材５を形成した後は、第１の膜３を形成する（Ｓ２０３）。第１の膜３は、例えば、蒸着等によって形成可能である。第１の膜３は、型１の凹凸面２を覆うように形成する。

図６Ｄは、保護フィルム８を剥離する工程を示した図の一例である。型１の凹凸面２を覆うように第１の膜３を形成した後は、封止部材５の表面を覆う保護フィルム８を剥離する。

図６Ｅは、第２の膜４を形成する工程を示した図の一例である。第１の膜３を形成し、更に保護フィルム８を剥離した後は、第２の膜４を形成する（Ｓ２０４）。第２の膜４は、例えば、スパッタ等によって形成可能である。

図７は、従来技術に係る配線基板の製造方法のフローを示した図の一例である。従来技術に係る配線基板の製造方法のフローでは、図７に示すように、絶縁層ラミネートの工程（Ｓ１）、熱インプリントおよび仮硬化の工程（Ｓ２）、絶縁層粗化および残膜処理の工程（Ｓ３）、鍍金ベースを成膜する工程（Ｓ４）、Ｃｕ鍍金の工程（Ｓ５）、平坦化の工程（Ｓ６）、本硬化の工程（Ｓ７）がある。

従来技術に係る配線基板の製造方法のフローでは、熱インプリントおよび仮硬化の工程（Ｓ２）において、以下のような現象が発生することがある。

図８は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第１例の図である。本第１例では、離型剤１０９を塗布した型１０１を、絶縁性樹脂１０７で覆われた基板１０６に載せる（図８（Ａ）を参照）。型１０１を基板１０６に載せた後は、型１０１を載せた基板１０６の絶縁性樹脂１０７を加熱して絶縁性樹脂１０７を軟化させ、型１０１を加圧して凹凸面１０２に形成されている配線パターンを絶縁性樹脂１０７に転写する（図８（Ｂ）を参照）。配線パターンが転写された後は、絶縁性樹脂１０７を更に加熱し、熱硬化させる。絶縁性樹脂１０７を熱硬化させた後は、絶縁性樹脂１０７を冷却し、型１０１を基板１０６から引き離して離型する（図８（Ｃ）を参照）。

図９Ａは、上記第１例に係る熱インプリントの工程によって生じる型の破損状態を示した図の一例である。上記第１例に係る熱インプリントの工程によれば、型１０１に離型剤１０９を塗布しただけのものを用いているため、型１０１と絶縁性樹脂１０７との間の密着力が型１０１の強度を上回った場合、型１０１が破損し得る。例えば、型１０１の表面の一部または全部が荒れている場合、当該荒れている部分がアンカー効果を発揮し、型１０１と絶縁性樹脂１０７との間の密着力が高くなる。すなわち、アンカー効果によって離型性が悪化し、離型不良による型１０１の破損やパターン欠陥の発生に至る可能性が高まる。なお、荒れているとは、例えばサンドブラストを施した面のように、表面がざらついている状態をいう。

図９Ｂは、上記第１例に係る熱インプリントの工程によって生じるパターン欠陥を示した図の一例である。上記第１例に係る熱インプリントの工程によれば、型１０１に離型剤１０９を塗布しただけのものを用いているため、型１０１と絶縁性樹脂１０７との間の密着力が絶縁性樹脂１０７の強度を上回った場合、絶縁性樹脂１０７の一部が破損し、絶縁性樹脂１０７に転写された配線パターンに欠損が生じ得る。

従来技術に係る配線基板の製造方法のフローの場合、上述したように、離型に際して型の破損やパターン欠陥が生じ得る。型の破損やパターン欠陥が製品の歩留まりに与える影響は、配線が微細になるにつれて著しくなる。そこで、型の破損やパターン欠陥を生じさせない離型の実現が望まれる。型の破損やパターン欠陥を生じさせない離型としては、例えば、離型剤１０９に代わる素材を用いることが考えられる。離型剤１０９に代わる素材としては、例えば、上記実施形態に係る配線基板の製造方法において型１の第１の膜３として用いた昇華性のフマル酸が挙げられる。型１０１の離型剤１０９をフマル酸へ置き換えるのは、熱インプリントの工程が以下のように実現されることを意図したものである。

図１０は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第２例の図である。本第２例では、離型剤１０９に代わり、フマル酸の昇華性薄膜１０３で凹凸面１０２を覆った型１０１を、絶縁性樹脂１０７で覆われた基板１０６に載せる（図１０（Ａ）を参照）。型１０１を基板１０６に載せた後は、型１０１を載せた基板１０６の絶縁性樹脂１０７を加熱して絶縁性樹脂１０７を軟化させ、型１０１を加圧して凹凸面１０２に形成されている配線パターンを絶縁性樹脂１０７に転写する。配線パターンが転写された後は、絶縁性樹脂１０７を更に加熱し、熱硬化させる（図１０（Ｂ）を参照）。熱硬化の際、昇華性薄膜１０３は、絶縁性樹脂１０７に対する更なる加熱によって昇華が進行し、体積膨張を伴いながら消失する（図１０（Ｃ）を参照）。絶縁性樹脂１０７を熱硬化させた後は、絶縁性樹脂１０７を冷却し、型１０１を基板１０６から引き離して離型する（図１０（Ｄ）を参照）。

上記第２例に係る熱インプリントの工程であれば、加熱によって体積膨張する昇華性薄膜１０３を用いているため、離型剤１０９を用いる場合よりも型の破損やパターン欠陥が生じないように考えられる。しかしながら、昇華性薄膜１０３を用いた場合、実際には、熱インプリントの工程が以下のように実現される。

図１１は、従来技術に係る熱インプリントの工程を詳細に示した第３例の図である。本第３例では、フマル酸の昇華性薄膜１０３で凹凸面１０２を覆った型１０１を、絶縁性樹脂１０７で覆われた基板１０６に載せる（図１１（Ａ）を参照）。型１０１を基板１０６に載せた後は、型１０１を載せた基板１０６の絶縁性樹脂１０７を加熱して絶縁性樹脂１０７を軟化させ、型１０１を加圧して凹凸面１０２に形成されている配線パターンを絶縁性樹脂１０７に転写する。配線パターンが転写された後は、絶縁性樹脂１０７を更に加熱し、熱硬化させる（図１１（Ｂ）を参照）。熱硬化の際、昇華性薄膜１０３は、絶縁性樹
脂１０７に対する更なる加熱によって昇華が進行し、昇華性薄膜１０３の体積膨張が生じる。そして、昇華性薄膜１０３は昇華し始めるが、凹凸面１０２と絶縁性樹脂１０７との隙間を封止状態にするものが存在せず、凹凸面１０２と絶縁性樹脂１０７との隙間が開放されているため、昇華性薄膜１０３は、やがて型１０１と絶縁性樹脂１０７との隙間から消失する。昇華性薄膜１０３が消失すると、加熱されて熱硬化中の絶縁性樹脂１０７は変形し、型１０１の凹凸面１０２に密着する（図１１（Ｃ）を参照）。絶縁性樹脂１０７を熱硬化させた後に、絶縁性樹脂１０７を冷却すると、絶縁性樹脂１０７が型１０１に密着した状態になっているため、離型に伴う型の破損やパターン欠陥が生じ得る（図１１（Ｄ）を参照）。

一方、上記実施形態に係る配線基板の製造方法であれば、加熱によって第１の膜３を消失させた後に型１を取り除いているため、離型性が向上し、配線パターンを微細化可能である。上記実施形態に係る配線基板の製造方法であれば、例えば、型１の表面の一部または全部が荒れている場合であっても、加熱によって第１の膜３を消失させた後に型１を取り除いているため、当該荒れている部分がアンカー効果を発揮しない。よって、アンカー効果によって離型性が悪化し、離型不良による型１の破損やパターン欠陥の発生に至る可能性が極めて低い。この結果、製品の品質向上や型の長寿命化が図れることになる。

また、凹凸面２を覆う第１の膜３は、第２の膜４および封止部材５によって封止状態にあるため、例えば、第１の膜３として昇華性の素材を採用した場合であっても、第１の膜３の昇華が抑制され、第１の膜３を固体状態で封止状態の系内に保持できる。従って、絶縁性樹脂７の加熱硬化に際し、第１の膜３の硬化完了前に第１の膜３が消失し、絶縁性樹脂７が第２の膜４を介して型１に密着する可能性が低い。

また、上記実施形態に係る配線基板の製造方法に用いる型１は、凹凸面２を覆う第１の膜３を第２の膜４および封止部材５によって封止しているため、例えば、常温においても消失し得る素材を第１の膜３の素材として用いることも可能であり、第１の膜３の素材として用いることができる物質の種類の選択肢が多い。

なお、型１の配線パターンを絶縁性樹脂７に転写し、絶縁性樹脂７に配線パターンを形成した後は、例えば、絶縁性樹脂７の凹凸を埋めるＣｕ鍍金や平坦化の処理を行うことにより、基板６に配線を形成した配線基板を完成させることができる。また、上記実施形態に係る配線基板の製造方法や型１は、上記の態様に限定されるものでなく、適宜変更し或いは組み合わせ可能である。例えば、凹凸面２は、凹凸が全面的に形成される態様に限定されるものでなく、凹凸が凹凸面２の特定の領域に形成されるものであってもよい。また、第１の膜３や第２の膜４は、一層ずつ設けたものに限定されるものでなく、例えば、複数層設けたものであってもよい。

また、本願は、以下のような付記的事項を含む。
（付記１）
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面を、所定温度で消失する第１の膜によって覆い、前記所定温度で残存する第２の膜によって前記第１の膜を覆うように封止した型を、前記基板の前記絶縁性樹脂に載せる工程と、
前記凹凸面に形成されている前記配線パターンを、前記第１の膜及び前記第２の膜を挟んで前記絶縁性樹脂に転写する工程と、
前記配線パターンを前記絶縁性樹脂に転写した前記型を前記所定温度以上に加熱し、前記第１の膜を消失させる工程と、
加熱によって前記第１の膜を消失させた前記型を前記絶縁性樹脂から離型する工程と、を有する
配線基板の製造方法。（１、図１）
（付記２）
前記第１の膜は、昇華性の素材で形成された膜である、
付記１に記載の配線基板の製造方法。（２）
（付記３）
前記所定温度とは、前記第１の膜が気化する温度である、
付記１または２に記載の配線基板の製造方法。（３）
（付記４）
前記第２の膜は、金属製の膜である、
付記１から３の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。（４）
（付記５）
前記型は、熱可塑性の素材によって形成された、前記凹凸面と前記第２の膜との隙間を封止する封止部材を更に備える、
付記１から４の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。（５）
（付記６）
基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面と、
前記凹凸面を覆う、所定温度で消失する第１の膜と、
前記第１の膜を覆うように封止する、前記所定温度で残存する第２の膜と、を備える、
配線基板製造用の型。（６、図２）
（付記７）
前記第１の膜は、昇華性の素材で形成された膜である、
付記６に記載の配線基板製造用の型。
（付記８）
前記所定温度とは、前記第１の膜が気化する温度である、
付記６または７に記載の配線基板製造用の型。
（付記９）
前記第２の膜は、金属製の膜である、
付記６から８の何れか一項に記載の配線基板製造用の型。
（付記１０）
前記型は、熱可塑性の素材によって形成される、前記凹凸面と前記第２の膜との隙間を封止する封止部材を更に備える、
付記６から９の何れか一項に記載の配線基板製造用の型。

１，１０１・・型；２，１０２・・凹凸面；３・・第１の膜；４・・第２の膜；５・・封止部材；６，１０６・・基板；７，１０７・・絶縁性樹脂；８・・保護フィルム；１０９・・離型剤；１０３・・昇華性薄膜

Claims (5)

1. 基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面を、所定温度で消失する第１の膜によって覆い、前記所定温度で残存する第２の膜によって前記第１の膜を覆うように封止した型を、前記基板の前記絶縁性樹脂に載せる工程と、
   前記凹凸面に形成されている前記配線パターンを、前記第１の膜及び前記第２の膜を挟んで前記絶縁性樹脂に転写する工程と、
   前記配線パターンを前記絶縁性樹脂に転写した前記型を前記所定温度以上に加熱し、前記第１の膜を消失させる工程と、
   加熱によって前記第１の膜を消失させた前記型を前記絶縁性樹脂から離型する工程と、を有し、
   前記型は、熱可塑性の素材によって形成された、前記凹凸面と前記第２の膜との隙間を封止する封止部材を備える、
   配線基板の製造方法。
2. 前記第１の膜は、昇華性の素材で形成された膜である、
   請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記所定温度とは、前記第１の膜が気化する温度である、
   請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記第２の膜は、金属製の膜である、
   請求項１から３の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
5. 基板を覆う絶縁性樹脂に転写する配線パターンが形成された凹凸面と、
   前記凹凸面を覆う、所定温度で消失する第１の膜と、
   前記第１の膜を覆うように封止する、前記所定温度で残存する第２の膜と、
   熱可塑性の素材によって形成された、前記凹凸面と前記第２の膜との隙間を封止する封止部材と、を備える、
   配線基板製造用の型。

Images