JP6195539B2 - ワイヤ放電加工装置および半導体ウエハ製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ワイヤ放電加工装置および半導体ウエハ製造方法に関するものである。

従来、放電加工式のマルチワイヤソは、複数本のガイドロールに１本のワイヤを巻回して複数本のワイヤが並列する切断ワイヤ部を構成し、切断ワイヤ部の各ワイヤと被加工物との間でパルス放電を連続的に発生させることにより、被加工物に対して切断ワイヤ部が対向する複数箇所で放電加工を行い、ウエハを同時加工する。

特許文献１には、ワイヤを往復走行することによってワイヤ供給量の制約を大きく軽減する放電加工式マルチワイヤソに関する技術が開示されている。

特開２０００−９４２２１号公報

一般的にワイヤ放電加工では、発生した放電によりワイヤ電極自体も放電加工される。したがって、ワイヤを停止させた状態で放電加工を行うと、放電加工の高熱によりワイヤも溶融し断線する。それゆえ、ワイヤ放電加工ではワイヤを絶えず走行させることにより、被加工物に対向するワイヤが絶えず入れ替わるようにし、ワイヤの同一箇所に放電が集中しないようにする必要がある。

特許文献１の放電加工式マルチワイヤソのように、ワイヤ走行方向を反転する際にはボビンの反転を伴うため、ワイヤ走行方向の反転前後ではワイヤ走行速度に加減速が必要となり、反転時には瞬間的ではあるがワイヤは停止状態になる。すなわち、ワイヤ走行速度は常に一定しているわけではなく、ワイヤ走行方向反転前後においてワイヤ走行速度は急変する。しかしながら、こうした状況下で放電加工電圧の周波数や放電電流などの放電加工条件の制御がなされておらず、ワイヤ停止状態で放電加工電源からの電圧印加が続くことでワイヤの特定部分に放電が集中し、ワイヤが断線するという場合があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ワイヤ走行速度が変化する状況であっても、ワイヤの断線を抑止することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、回転可能に支持された２つのボビンと、前記２つのボビンの回転を制御するボビン駆動制御装置と、前記２つのボビン間で、切断ワイヤ部を形成して往復走行する１本のワイヤ電極と、前記ワイヤ電極に給電する給電子と、前記ワイヤ電極と被加工物との間で発生する放電加工電圧を制御する放電波形発振制御装置と、前記被加工物を前記ワイヤ電極に対して相対的に変化させる切断送り用ステージと、前記切断送り用ステージを制御する切断ステージ駆動制御装置と、前記ボビン駆動制御装置、前記放電波形発振制御装置および前記切断ステージ駆動制御装置を統括し、前記ボビン駆動制御装置から入力される前記ワイヤ電極の走行速度情報に基づき、前記放電加工電圧および前記ワイヤ電極と前記被加工物の間隔を制御する加工制御装置と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、ワイヤの走行方向が逆転する前後の加減速段階、および、一時的なワイヤの停止状態において、切断ワイヤ部へ供給される放電加工エネルギーを走行速度の変化に応じて制御し、ワイヤの断線を防止し、被加工物を高精度に切断加工できるという効果を奏する。

図１は、実施の形態１にかかるワイヤ放電加工装置の一構成例を示す図である。 図２は、実施の形態１にかかるワイヤ電極の走行速度と放電加工電圧の関係を示す図である。 図３は、実施の形態２にかかるワイヤ電極の走行速度と放電加工電圧の関係を示す図である。 図４は、実施の形態３にかかるワイヤ電極の走行速度と放電加工電圧の関係を示す図である。 図５は、実施の形態４にかかるワイヤ電極の走行速度と放電加工電圧の関係を示す図である。

以下に、本発明の実施の形態にかかるワイヤ放電加工装置および半導体ウエハ製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかるワイヤ放電加工装置１６の一構成例を示す図である。ワイヤ放電加工装置１６は、放電加工式マルチワイヤソであって、ボビン１，４と、１本のワイヤ電極２と、複数のガイドローラ３ａ〜３ｄと、制振ガイドローラ５ａ，５ｂと、加工用電源６と、複数の加工電源ユニット６１と、放電波形発振制御装置６２と、給電子７Ａ，７Ｂと、ノズル９と、ボビン回転制御装置１０ａ，１０ｂと、ボビン駆動制御装置１１と、加工制御装置１２と、切断送り用ステージ１３と、切断ステージ駆動制御装置１４と、トラバース制御装置１５ａ，１５ｂとを備えている。

ボビン１，４は、正回転および逆回転する回転機構（図示省略）に支持されており、正回転および逆回転可能となっている。また、ボビン１，４は、ボビン１，４の回転軸方向Ｄ１，Ｄ２（長手方向）に往復動作するトラバースステージ（図示省略）に搭載されている。

１本のワイヤ電極２は、ボビン１がワイヤ電極２の繰り出し側であって、ボビン４がワイヤ電極２の巻き取り側の場合、ボビン１から繰り出されて、順次、複数のガイドローラ３ａ〜３ｄ間を、複数回、互いに微小な間隔を隔てて巻回され、さらに、制振ガイドローラ５ａ，５ｂのワイヤ案内溝５１ａ，５１ｂに並列する部分が１つずつ架けられて、必要とされる複数の切断ワイヤ部２ａを形成し、そして、ボビン４に巻き付けられている。ワイヤ電極２は、実質的に複数の切断ワイヤ部２ａで被加工物８を切断加工する。１本のワイヤ電極２を繰り返し折り返すことにより複数の切断ワイヤ部２ａが形成されるのであれば、必ずしも４本のガイドローラ３ａ〜３ｄにワイヤ電極２を巻き掛ける必要はなく、例えば、３本のガイドローラで切断ワイヤ部２ａを形成してもよい。

制振ガイドローラ５ａ，５ｂは、その間に被加工物８を挟むように、被加工物８の両側に設置されている。また、制振ガイドローラ５ａ，５ｂは、表面に等ピッチで加工された複数のワイヤ案内溝５１ａ，５１ｂが形成されている。

ボビン１からガイドローラ３аに至るワイヤ電極２の経路中、および、ボビン４とガイドローラ３ｄに至るワイヤ電極２の経路中には、ワイヤ電極２の走行方向を変更もしくは触れ抑制するためのガイド用プーリ、ワイヤ電極２の張力を測定するロードセル、および、ワイヤ張力変動に対して高応答制御するためのダンサローラなどが設置されるが、ここでは図示を省略してある。

加工用電源６は、電圧や電流を給電子７Ａ，７Ｂおよび複数の加工電源ユニット６１を介して、各切断ワイヤ部２ａおよび被加工物８に給電し、各切断ワイヤ部２ａと被加工物８の間に放電加工電圧を印加する。

複数の加工電源ユニット６１は、各給電子７Ａ，７Ｂおよび被加工物８に接続されており、各給電子７Ａ，７Ｂおよび被加工物８に対して、互いに独立して電圧および電流を印加する。

放電波形発振制御装置６２は、加工用電源６および複数の加工電源ユニット６１に接続されており、加工用電源６および複数の加工電源ユニット６１を制御することによって、前述した放電加工電圧を制御する。放電波形発振制御装置６２は、放電加工電圧をパルス状に印加する場合では、その周波数を変更し、また、ワイヤ電極２が走行方向を反転する時にワイヤ電極２の速度が停止する場合では、放電加工電圧の印加、すなわち、パルス発振を停止する。

給電子７Ａ、７Ｂは、互いに電気的に絶縁されて整列している。給電子７Ａ，７Ｂの夫々には、複数の切断ワイヤ部２ａの夫々が接触している。給電子７Ａ，７Ｂは互いに絶縁された複数の給電子ユニットで構成されているので、給電子７Ａ，７Ｂの夫々が各切断ワイヤ部２ａに対して独立して給電できる。

ノズル９は、切断ワイヤ部２ａによって被加工物８が放電加工される部分へ加工液（図示省略）を吹き掛ける位置に設置されている。ノズル９には外部に設置された加工液タンクとポンプ（いずれも図示省略）が接続される。また、被加工物８は、通常、加工液が貯められた加工槽（図示省略）の内側に設置され、放電加工中は加工液に浸漬される。

ボビン回転制御装置１０а，１０ｂは、ボビン１，４の回転速度を制御し、ボビン１，４間でワイヤ電極２を往復走行させる機能を備えており、前述の回転機構に接続されている。

ボビン駆動制御装置１１は、ボビン回転制御装置１０а，１０ｂを介して、ボビン１，４の回転を制御するとともに、ワイヤ電極２の走行速度情報をボビン回転制御装置１０ａ，１０ｂから収集して、加工制御装置１２に出力する。この走行速度情報とは、例えば、ワイヤ電極２の走行速度もしくはボビン１，４の回転速度である。

加工制御装置１２は、放電波形発振制御装置６２、ボビン駆動制御装置１１および切断ステージ駆動制御装置１４を統括し、ボビン駆動制御装置１１から入力されるワイヤ電極２の走行速度情報に基づき、前記放電加工電圧およびワイヤ電極２と被加工物８の間隔を制御することによって、被加工物８に対する放電加工エネルギーを制御する。

切断送り用ステージ１３は、切断ワイヤ部２ａに対して垂直方向、すなわち、接近または離反する方向に移動する機能を備えており、被加工物８が設置されている。切断送り用ステージ１３は、ワイヤ電極２の切断ワイヤ部２ａに対して前記垂直方向へ移動することによって、被加工物８を切断ワイヤ部２ａに対して相対的に接近もしくは離反するように変化させる。

切断ステージ駆動制御装置１４は、切断送り用ステージ１３に接続されており、加工制御装置１２の指令に基づき切断送り用ステージ１３の前述した垂直方向への移動を制御する。

トラバース制御装置１５ａ，１５ｂは、前述した図示しないトラバースステージが接続されており、トラバースステージを、ボビン１，４の回転に同期して制御する。具体的に、トラバース制御装置１５ａ，１５ｂは、ボビン１，４におけるワイヤ電極２の繰り出し位置および巻き取り位置に応じて、各ボビン１，４をボビンの回転軸方向Ｄ１，Ｄ２に往復駆動させ、ボビン１，４からのワイヤ電極２の繰り出し、および、巻き取りが安定して行われるようにトラバースステージを制御する。

次に、実施の形態１にかかるワイヤ放電加工装置１６の動作について説明する。ボビン１，４の取り付けられた回転機構によって、ワイヤ電極２の繰り出し側となるボビン１およびワイヤ電極２の巻き取り側となるボビン４を同期して回転させることにより、ワイヤ電極２は巻き取られる方向に走行する。ワイヤ電極２の走行速度は、ボビン１，４の回転速度によって制御される。

また、前記回転機構に接続されたボビン回転制御装置１０ａ，１０ｂによって、ボビン１，４の夫々の回転速度を調整し、ワイヤ電極２の繰り出し速度とワイヤ電極２の巻き取り速度とのわずかな差によって、ワイヤ電極２の張力を変化させることができるので、ワイヤ電極２の走行経路中に設置されたロードセル（図示省略）によってワイヤ電極２の張力が計測され、ワイヤ電極２の張力が急変する状況が発生すれば、ダンサローラ（図示省略）の高速動作によってワイヤ電極２に張力が付加もしくは弛緩され、ワイヤ電極２と切断ワイヤ部２ａは所定の張力に維持される。

次に、実施の形態１にかかるワイヤ放電加工装置１６の切断ワイヤ部２ａと被加工物８との間で放電加工を行うための動作について説明する。まず、切断ワイヤ部２ａを構成するワイヤ電極２に接触する給電子７Ａ，７Ｂの各給電子は、切断ワイヤ部２ａの並列間隔と等しい間隔で整列しているので、給電子７Ａ，７Ｂが各切断ワイヤ部２ａに接触することによって、切断ワイヤ部２ａにワイヤ電極２の走行方向に対して垂直かつ水平方向の外力が作用することはなく、切断ワイヤ部２ａの並列間隔などが影響を受けることはない。また、切断ワイヤ部２ａの並列間隔が被加工物８の切断ピッチとなり、被加工物８から加工された薄板厚さに略等しいものとなる。

加工用電源６からの電圧や電流は、加工電源ユニット６１および給電子７Ａ，７Ｂを介して各切断ワイヤ部２ａに給電されるとともに、加工電源ユニット６１を介して被加工物８に給電され、各切断ワイヤ部２ａと被加工物８の間に放電加工電圧が印加される。放電波形発振制御装置６２によって、放電加工電圧の電圧値、パルス幅および周波数や電流ピーク値などが制御される。

切断送り用ステージ１３に被加工物８を設置した状態で、各切断ワイヤ部２ａと被加工物８との間に放電加工電圧をパルス的に印加しながら、切断ステージ駆動制御装置１４の指令に基づいて切断送り用ステージ１３に設置された被加工物８を各切断ワイヤ部２ａに対して切断送りする。被加工物８と各切断ワイヤ部２ａとの間隙が所定の距離になると放電が発生し、放電の高熱により被加工物８が溶融し除去され、加工溝８１が形成される。

切断ステージ駆動制御装置１４によって、切断送り用ステージ１３の送り速度を制御しながら、切断ワイヤ部２ａと被加工物８との極間距離や加工中における放電加工電圧や電流を制御することで、安定したパルス放電を発生させ、そのパルス放電を継続させることによって被加工物８が次第に放電加工によって切断されていく。

また、当然ながら、放電加工電圧の印加極性は一般的なワイヤ放電加工と同様に、必要に応じて適宜反転可能となっている。被加工物８は、図示しない位置制御装置により、ガイドローラ３ｃおよび３ｄの間に巻回されたワイヤ電極２の切断ワイヤ部２ａと微小間隙を隔てるように位置が制御されるので、適正な放電ギャップ長が維持される。

なお、ノズル９から加工液が、通常のワイヤ放電加工と同様に、吹きかけ、もしくは、浸漬によって被加工物８とワイヤ電極２との間に供給され、被加工物８と切断ワイヤ部２ａとの間で短絡を発生させる要因となる被加工物８の加工屑を加工溝８１から排出する。

切断ワイヤ部２ａとの放電加工によって、被加工物８からは複数枚の薄板が同時に加工される。ワイヤ放電加工では、加工速度は被加工物８の硬度に依存しないことから、硬度の高い素材に対して特に有効である。被加工物８として、例えば、スパッタリングターゲットとなるタングステンやモリブデンなどの金属、各種構造部材として使われる多結晶シリコンカーバイド（炭化珪素）などのセラミックス、半導体デバイス作製用のウエハ基板となる単結晶シリコンや単結晶シリコンカーバイドやガリウムナイトライドなどの半導体素材、太陽電池用ウエハとなる単結晶または多結晶シリコンなどを対象とすることができる。特に、炭化珪素に関しては、硬度が高いため、機械式ワイヤソによる方式では生産性が低く、加工精度が低いという問題もあり、ガリウムナイトライド（窒化ガリウム）に関しては、結晶方位と切断方向との関係から劈開しやすいという問題もあるが、本発明により、高い生産性と高い加工精度を両立しながら炭化珪素や窒化ガリウムのウエハ作製を行うことが可能となる。

以上説明したようなワイヤ放電加工装置１６の構成および動作によって、被加工物８から同時に複数枚の半導体ウエハが加工される。加工初期の段階や、被加工物８の断面積が小さい場合であれば、前述の加工液は加工溝８１に供給され、安定した放電加工が行われる。しかし、加工が進行するにしたがい、被加工物８の加工溝８１が深く、もしくは、切断幅が厚くなると、被加工物８の加工位置となる加工溝８１の底部まで加工液が供給されにくくなる。そうすると、加工溝８１からの加工屑の排出、および、ワイヤ電極２の冷却も不十分となり、安定した放電加工の継続が困難となる。

また、被加工物８が高価な素材の場合におけるインゴットあたりのウエハ収量を増大する要求に対して、切り代を少なくするために実施される狭スリット加工でも同様に放電加工が不安定になり、ワイヤ断線を発生しやすい。このように、放電加工が不安定となる要因は、ワイヤ放電加工により被加工物８に形成される加工溝８１の幅が狭く、加工溝８１の側面との摩擦による抵抗が大きく、加工液が十分に供給されないことにある。

狭スリット加工として、例えば、４インチサイズのＳｉＣインゴットからのウエハ加工において、直径０．１００ｍｍのワイヤ電極２を使用した場合の加工溝８１の幅は約０．１８０ｍｍ程度であるが、直径０．０５０ｍｍのワイヤ電極２を使用した場合の加工溝８１の幅を０．０９０ｍｍ以下にしてウエハ加工が可能であることを検証するに至っている。ただし、狭スリット加工においては、加工液流量や加工液圧力が、加工の初期段階や被加工物８の切断厚さが薄い場合と同じ設定であると、加工の最先端部まで十分に加工液が供給されないことが推察される。したがって、加工溝８１の幅が狭い狭スリット加工では、加工溝８１の深さや被加工物８の切断厚さの増大に応じて加工液の流量や液圧などを増大することが考えられる。また、加工液供給能力は、ポンプ性能やノズル形状なども大きく影響する。

そこで、次に、加工液供給機構の能力向上以外に加工屑を効果的に加工溝８１から排出する方法として、ワイヤ電極２、もしくは、切断ワイヤ部２ａの高速走行によって切断ワイヤ部２ａの周辺の加工液のせん断力を増大し、加工溝８１に生じる加工屑をワイヤ電極２とともに加工溝８１から掻き出す場合における、実施の形態１にかかるワイヤ放電加工装置１６の加工制御を説明する。

図１に示すような放電加工式マルチワイヤソによる大口径インゴット加工、もしくは、狭ギャップ加工では、加工溝８１からの加工屑の排出が不可欠である。この課題に対しては、加工液の供給以外にワイヤ電極２の高速走行が有効となる。

ワイヤ電極２の高速走行は、ワイヤ放電加工装置１６においては、ボビン１，４の回転速度を、ボビン駆動制御装置１１がボビン回転制御装置１０а，１０ｂを制御して行う。このとき、ワイヤ電極２の繰り出しと巻き取りをスムーズかつ均一に行うために、ボビン１，４の回転に同期したトラバースステージ駆動をトラバース制御装置１５а，１５ｂにより制御する。

ワイヤ電極２の繰り出し側として動作するボビン１に巻き付けられたワイヤ電極２の残量が所定値になると、ボビン駆動制御装置１１は、ワイヤ電極２の走行方向を反転するために、ボビン回転制御装置１０а，１０ｂを介して、ボビン１とワイヤ電極２の巻き取り側として動作するボビン４の回転速度を制御し、ボビン１，４を減速する。ワイヤ電極２の走行方向の反転後は、それまでワイヤ電極２の繰り出し側であったボビン１は、ワイヤ電極２の巻き取り側として動作し、ワイヤ電極２の巻き取り側であったボビン４は、ワイヤ電極２の繰り出し側として動作して、ボビン駆動制御装置１１の制御に基づきボビン回転制御装置１０а，１０ｂによって、ボビン１，４の回転が加速される。そして、ボビン４から繰り出されたワイヤ電極２は、ボビン１に巻き取られていく。このようにして、ワイヤ電極２および切断ワイヤ部２ａは、ボビン１，４間で往復走行する。

前述のようなワイヤ電極２および切断ワイヤ部２ａの往復走行において、切断ワイヤ部２ａと被加工物８との間に放電加工電圧を印加し、切断送り用ステージ１３を上昇させると、切断送り用ステージ１３に固定されている被加工物８が切断ワイヤ部２ａに徐々に接近する。被加工物８と切断ワイヤ部２ａとの間隙が、数十〜数百ミクロン程度になると、発生した放電によって被加工物８が溶融し、除去されて加工溝８１が形成される。

このような放電状態が継続するように間隙、すなわち、極間距離を維持するように加工送り速度、放電加工電圧の電圧値もしくは印加周波数、加工電流、最大加工電流、加工液流量、加工液圧力およびワイヤ走行速度などのワイヤ放電の加工条件を変更しながらワイヤ放電加工状態を制御することにより、被加工物８には並列する各切断ワイヤ２ａによる切断溝、すなわち、被加工物８を複数枚の薄板に切断する加工溝８１が次第に深く加工されていく。

前述のようなワイヤ電極２および切断ワイヤ部２ａの走行によれば、被加工物８の切断距離が長い場合、すなわち、加工時間を要する大口径ウエハの切断加工であっても、ワイヤ繰り出し側として動作するボビン１もしくはボビン４に巻き付けられたワイヤ電極２が尽きて加工が中断することはなくなり、ウエハ加工を完了できる。

しかしながら、ワイヤ電極２の供給量の制限から生じる被加工物８の加工可能量の制約は解消されるが、放電加工式マルチワイヤソであるワイヤ放電加工装置１６では、安定加工の観点からワイヤ電極２の走行速度と放電加工エネルギーとの間に密接な関係があり、ワイヤ電極２の走行速度に応じた放電加工の条件設定が重要となる。

図２は、実施の形態１にかかるワイヤ電極２の走行速度と放電加工電圧の関係を示す図である。図２（ａ）は、ワイヤ電極２の走行速度の変化を示す。なお、以降の説明において、ワイヤ電極２の走行速度と切断ワイヤ部２ａの走行速度は一致するものとして取り扱う。図２（ｂ）は、被加工物８に対して印加される放電加工電圧を示し、その時間軸は、図２（ａ）の時間軸に対応し、同一の時間を示す。

図２（ａ）に示すとおり、ボビン回転制御装置１０ａ，１０ｂおよびボビン駆動制御装置１１でワイヤ電極２の走行方向を反転する場合、ワイヤ電極２が所定の走行速度Ｖ_Ａで定速走行する区間Ｔ２または所定の走行速度−Ｖ_Ａで定速走行する区間Ｔ５に至るまでに、ワイヤ電極２の走行方向の変化に対応して２つのボビン１，４の回転速度には短時間ではあるが、「減速」→「停止」→「加速」の状態が発生し、ワイヤ電極２も加減速状態および停止状態が発生する。

仮に、そのため、ワイヤ電極２が加速の状態にある区間Ｔ１，Ｔ４，Ｔ７もしくは減速の状態にある区間Ｔ３，Ｔ６において、加工電源６から印加される放電加工電圧が区間Ｔ２，Ｔ５における設定条件と同様の条件で行われていると、ワイヤ電極２の単位長さあたりの放電エネルギーが区間Ｔ２，Ｔ５よりも増大する。

この場合、区間Ｔ１，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ６，Ｔ７の夫々においては、被加工物８の放電加工量が増大し、切断ワイヤ部２ａが被加工物８を放電加工して形成されるウエハ加工精度が低下する。特に、ワイヤ電極２の走行方向が反転する時間ｔ_１，ｔ_２で切断ワイヤ部２ａが停止状態になるため、放電加工電圧の印加が継続されることで、時間ｔ_１，ｔ_２では、被加工物８に対向する切断ワイヤ部２ａの特定部分に放電が集中して発生し、切断ワイヤ部２ａが断線する危険が高くなる。

そこで、実施の形態１では、放電加工式マルチワイヤソであるワイヤ放電加工装置１６に関して、ワイヤ電極２の往復走行時の区間Ｔ１〜Ｔ７における切断ワイヤ部２аの走行速度の違いに応じた放電加工エネルギーの制御に関する高度の要求に応えることを意図しており、ワイヤ電極２の走行速度とワイヤ放電の加工条件とを協調制御する点に特徴がある。

この協調制御は、加工制御装置１２によって実現される。加工制御装置１２は、ボビン駆動制御装置１１から入力されるワイヤ電極２の走行速度情報に基づき、ワイヤ電極２の走行速度の変化に応じてワイヤ放電の加工条件の変更を放電波形発振制御装置６２に指令し、加工中のワイヤ電極２の走行速度と放電加工エネルギーを統括する。加工制御装置１２は、ワイヤ電極２の単位長さあたりの放電加工エネルギーが一定になるように、ワイヤ放電の加工条件の変更を指令する。これによりワイヤ電極２の断線が防止され、安定した放電加工を継続して行うことができる。放電加工電圧は、このワイヤ放電の加工条件の１つであり、加工制御装置１２は、図２（ｂ）に示すように、ワイヤ電極２の走行方向が反転する前後において、放電波形発振制御装置６２に対して放電加工電圧を増減させてパルス的に変更するよう指令する。

図２（ｂ）に示される放電加工電圧は、区間Ｔ１において電圧値ゼロの状態から電圧値Ｖ_Ｂまで上昇し、区間Ｔ２において電圧値Ｖ_Ｂの一定値となり、区間Ｔ３において電圧値Ｖ_Ｂから下降して時間ｔ_１で電圧値ゼロになる。そして、区間Ｔ４において再び電圧値ゼロの状態から電圧値Ｖ_Ｂまで上昇し、区間Ｔ５において再び電圧値Ｖ_Ｂの一定値となり、区間Ｔ６において再び電圧値Ｖ_Ｂから下降して時間ｔ_２で電圧ゼロになる。以降、加工制御装置１２によって制御される放電加工電圧は、このような変動を繰り返す。なお、図示した範囲においては、この繰り返される変動として、放電加工電圧は、区間Ｔ７において電圧ゼロの状態から電圧値Ｖ_Ｂまで上昇する。

図２（ｂ）からも明らかであるが、ワイヤ電極２の走行方向が反転する直前直後のワイヤ電極２が加減速される区間Ｔ１，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ６，Ｔ７では、走行速度±Ｖ_Ａで定速走行している定常状態の区間Ｔ２，Ｔ５に比較して、切断ワイヤ部２ａの単位長さあたりの被加工物８との対向時間は長くなる。仮に、区間Ｔ１，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ６，Ｔ７において、放電加工電圧など放電加工に関する電気条件や被加工物８の加工送り速度などのワイヤ放電の加工条件が区間Ｔ２，Ｔ５と同一設定であれば、切断ワイヤ部２ａの単位長さあたりの加工電圧の印加時間は長くなり、放電頻度、すなわち、放電加工量が増大する。

そこで、放電波形発振制御装置６２は、加工制御装置１２からの放電加工電圧の変更指令に基づき、図２（ｂ）に示すとおり、ワイヤ電極２の走行方向の反転前後における加減速状態にある区間Ｔ１，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ６，Ｔ７では放電加工電圧の電圧値を昇降させ、ワイヤ電極２が停止する状態の時間ｔ_１，ｔ_２では放電加工電圧の印加、すなわち、パルス発振を停止する。

また、ワイヤ電極２の走行速度情報がボビン駆動制御装置１１から加工制御装置１２に送られると、加工制御装置１２は、ワイヤ電極２の走行速度情報からワイヤ電極２の走行速度に応じた放電加工電圧の印加周波数を算出し、その算出された印加周波数にて放電加工電圧を被加工物８に印加するよう放電波形発振制御装置６２に指令する。そして、放電波形発振制御装置６２は、その算出された印加周波数にて放電加工電圧を被加工物８に印加するように加工用電源６および加工電源制御ユニット６１を制御する。すなわち、加工制御装置１２は、放電加工電圧の印加周波数の増減によって放電頻度を制御することでも、放電加工エネルギーを制御して、結果として、ワイヤ電極２の単位長さあたりの放電加工エネルギーが一定となるように制御できる。

なお、加工制御装置１２は、放電波形発振制御装置６２に対して、前述の放電加工電圧の印加周波数以外にも、ワイヤ電極２の単位長さあたりの放電加工エネルギーを一定に制御するためのワイヤ放電の加工条件である、放電加工電圧の電圧値、放電１発あたりの放電加工電圧の印加時間、放電発生後の加工電流の継続時間（放電パルス幅）、放電電流のピーク値の変更を指令することによって、もしくは放電加工電圧の電圧値、放電１発あたりの放電加工電圧の印加時間、放電発生後の加工電流の継続時間（放電パルス幅）、放電電流のピーク値を指令することによって、放電加工電圧を制御することができる。さらに、加工制御装置１２は、切断ステージ駆動制御装置１４に対して、切断送り用ステージ１３の送り速度の変更を指令することによって、もしくは切断送り用ステージ１３の送り速度を指令することによって、ワイヤ電極２の単位長さあたりの放電加工エネルギーを一定に制御するためのワイヤ放電の加工条件である、ワイヤ切断部２ａと被加工物８の間隔を制御する。

実施の形態１によれば、ワイヤ放電加工装置１６は、２つのボビン１，４の回転を制御するボビン駆動制御装置１１と、ワイヤ電極２と被加工物８との間で発生する放電加工電圧を制御する放電波形発振制御装置６２と、被加工物８をワイヤ電極２に対して相対的に変化させる切断送り用ステージ１３と、切断送り用ステージ１３を制御する切断ステージ駆動制御装置１４と、ボビン駆動制御装置１１、放電波形発振制御装置６２および切断ステージ駆動制御装置１４を統括し、ボビン駆動制御装置１１から入力されるワイヤ電極２の走行速度情報に基づき、放電加工電圧およびワイヤ電極２と被加工物８の間隔を制御する加工制御装置１２とを備える。したがって、実施の形態１にかかるワイヤ放電加工装置１６によれば、ワイヤ電極２の走行方向が反転する前後の加速時、減速時、および、走行停止時において、例えば、加工電圧が一定条件で印加される場合に比較して、切断ワイヤ部２аに対する単位長さあたりの放電エネルギーの増大がなく、被加工物８に対して均一な放電加工を行うように放電加工エネルギーを制御できる。したがって、ワイヤ走行速度が変化する状況であっても、ワイヤの断線が抑止され、加工面性状が均一なウエハを得ることができるとともに、ウエハ加工品質が向上する。

また、実施の形態１にかかるワイヤ放電加工装置１６によれば、切断ワイヤ部２аに対する局所的な放電発生（放電集中）を防止し、ワイヤ断線の危険が大幅に減少するので、切断ワイヤ部２ａを繰り返し往復走行させることによる長時間のワイヤ放電加工においても、安定した放電加工を行い、厚さばらつきが小さいウエハを一度に複数枚製作することが可能になる。

さらに、実施の形態１にかかるワイヤ放電加工装置１６によれば、切断ワイヤ部２аに対する局所的な放電発生を防止し、ワイヤ断線の危険が大幅に減少するので、切断ワイヤ部２ａを繰り返し高速往復走行させ、放電加工によって発生した加工屑を切断ワイヤ部２ａの走行とともに極間から掻き出すことによって、極間に加工屑を滞留させることがなく、大口径のウエハのワイヤ放電加工においても安定した放電加工を行うことができる。

また、上記の効果を奏するワイヤ放電加工装置を用いることにより、炭化珪素や窒化ガリウムなどの硬質材料を含む被加工物８を、高い生産性をもって薄板状に切断加工することができる。

実施の形態２．
図１に示すワイヤ放電加工装置１６は、被加工物８を放電加工によって切断する加工メカニズムにおいて、ワイヤ電極２自体も少なからず放電加工によって損傷する。ワイヤ電極２は高速走行により、単位長さあたりの損傷部は分散するが、ワイヤ電極２の往復走行による繰り返し使用によって、ワイヤ電極２の損傷領域は拡大し、ワイヤ破断強度が低下して断線の危険が高くなる。一方、ワイヤ電極２の張力を低減することによって、切断ワイヤ部２аにかかる引っ張り応力が緩和され、断線しにくくなる。

そこで、実施の形態２では、実施の形態１におけるワイヤ放電加工装置１６に対して、ワイヤ電極２の繰り返し使用回数に応じてワイヤ電極２の張力を弛緩する加工制御を行う機能が付与されている。当然、実施の形態２におけるワイヤ放電加工装置１６も実施の形態１と同様の構成および機能を備えている。

ワイヤ電極２の往復走行による繰り返し使用回数は、例えば、ボビン駆動制御装置１１によってワイヤ電極２の走行方向の反転回数の総計によって計数できる。この反転回数の増加にともない、ワイヤ電極２は放電加工による損傷が蓄積していくため、繰り返し使用回数にほぼ比例してワイヤ電極２の破断強度は低下する。そこで、実施の形態２にかかる加工制御装置１２は、ボビン駆動制御装置１１から入力されるワイヤ電極２の繰り返し使用回数に関する情報に基づき、ワイヤ電極２の繰り返し使用回数があらかじめ設定された使用回数に達すると、ワイヤ電極２の張力を、ワイヤ電極２の使用回数に応じて予め設定されている張力に設定を変更する。ただし、ワイヤ電極２の走行中にワイヤ電極２の張力を急に変更するとワイヤ電極２が断線する危険があるため、ボビン駆動制御装置１１でワイヤ電極２の走行速度を減速し、ワイヤ電極２が停止した後に加工制御装置１２でワイヤ電極２の張力を所定値に変更し、その後、再びボビン駆動制御装置１１でボビン１，４の回転を開始し、ワイヤ電極２の走行速度を加速させる必要がある。

図３は、実施の形態２にかかるワイヤ電極２の走行速度と放電加工電圧の関係を示す図である。図３（ａ）は、ワイヤ電極２の張力変更にともなう走行速度の変化を示す。図示するとおり、ワイヤ電極２は、区間Ｔ８〜Ｔ１３で第１の張力で往復走行した後に時間ｔ_３で第２の張力への設定変更をするために一旦停止し、その後、区間Ｔ１４〜Ｔ１９で第２の張力で往復走行した後に時間ｔ_４で第３の張力への設定変更をするために一旦停止し、その後、区間Ｔ２０〜Ｔ２５で第３の張力で往復走行した後に時間ｔ_５で一旦停止する状態を示す。図３（ａ）において、この第１〜第３張力の変化を明確にするために、区間Ｔ１４〜Ｔ１９の走行速度曲線を他の区間Ｔ８〜Ｔ１３，Ｔ２０〜Ｔ２５の走行速度曲線よりも太く表示する。ワイヤ電極２の使用回数が多くなると、ワイヤ電極２の破断強度が低下するため、実施の形態２において、ワイヤ電極２の張力の大きさは、第１の張力＞第２の張力＞第３の張力の関係となるように、加工制御装置１２で徐々に小さい値が設定されていく。

また、図３（ａ）に図示するとおり、ワイヤ電極２は、区間Ｔ８，Ｔ１１，Ｔ１４，Ｔ１７，Ｔ２０，Ｔ２３で加速状態にあり、区間Ｔ９，Ｔ１２，Ｔ１５，Ｔ１８，Ｔ２１，Ｔ２４で速度±Ｖ_Ａの定速状態にあり、区間Ｔ１０，Ｔ１３，Ｔ１６，Ｔ１９，Ｔ２２，Ｔ２５で減速状態にある。実施の形態２では、ワイヤ電極２の走行速度の加減速時にかかる張力による破断を防止するために、その加減速もワイヤ電極２の使用回数に応じて緩やかに行われる。したがって、区間Ｔ１４，Ｔ１６，Ｔ１７，Ｔ１９における加減速条件は、区間Ｔ８，Ｔ１０，Ｔ１１，Ｔ１３の加減速条件よりも緩く、区間Ｔ２０，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ２５の加減速条件は、区間Ｔ１４，Ｔ１６，Ｔ１７，Ｔ１９の加減速条件よりも緩いものとなる。

ワイヤ電極２の張力が第１の張力から第２の張力に変化する場合を例にとって説明すると、ボビン駆動制御装置１１がワイヤ電極２を区間Ｔ１３で減速して時間ｔ_３で停止させた後に、加工制御装置１２がワイヤ電極２の張力を第１の張力から第２の張力に変更し、その張力変更が完了したらボビン駆動制御装置１１は、ワイヤ電極２を区間Ｔ１４で区間Ｔ８〜Ｔ１３の加減速よりも緩く加速する。これは、区間Ｔ１４の走行速度の傾きが区間Ｔ１３の走行速度の傾きよりも小さいことから明らかである。

また、ワイヤ電極２の張力が第２の張力から第３の張力に変化する場合を例にとって説明すると、ボビン駆動制御装置１１がワイヤ電極２を区間Ｔ１９で減速して時間ｔ_４で停止させた後に、加工制御装置１２がワイヤ電極２の張力を第２の張力から第３の張力に変更し、その張力変更が完了したらボビン駆動制御装置１１は、ワイヤ電極２を区間Ｔ２０で区間Ｔ１４〜Ｔ１９の加減速よりも緩く加速する。これは、区間Ｔ２０の走行速度の傾きが区間Ｔ１９の走行速度の傾きよりも小さいことから明らかである。

図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すワイヤ電極２の走行速度の変化に対応して制御された放電加工電圧を示す。図３（ｂ）での時間軸は、図３（ａ）の時間軸に対応し、同一の時間を示す。また、図３（ａ）に対応して、区間Ｔ１４〜Ｔ１９の電圧曲線を他の区間Ｔ８〜Ｔ１３，Ｔ２０〜Ｔ２５の電圧曲線よりも太く表示する。図３（ｂ）に示す放電加工電圧の印加も、実施の形態１と同様に行われ、図３（ａ）に示すワイヤ電極２の走行速度に応じてパルス的に制御される。図示した範囲では、放電加工電圧の最高電圧値は、ワイヤ電極２の繰り返し使用回数に関係なく電圧値Ｖ_Ｂで一定となっているが、放電加工状態に応じて適切に調整される。

図３では放電加工電圧の印加周波数による放電加工エネルギーの制御を例としているが、放電加工の加工電圧値、放電１発あたりの放電加工電圧の印加時間、放電発生後の加工電流の継続時間（放電パルス幅）、放電電流のピーク値、もしくは、切断送り用ステージ１３の送り速度など放電エネルギーを制御するものであれば、その制御パターンに大差はない。

なお、加工制御装置１２は、ワイヤ電極２の繰り返し使用回数に応じて、ワイヤ電極２の加減速状態およびワイヤ電極２の走行停止状態に応じて、放電加工電圧の電圧値、放電加工電圧の印加周波数、放電周波数、放電１発あたりの放電加工電圧の印加時間、放電発生後の加工電流の継続時間（放電パルス幅）、放電電流のピーク値および切断送り用ステージ１３の送り速度を変更するように、放電波形発振制御装置６２および切断ステージ駆動制御装置１４に指令して放電加工エネルギーの制御を行う。

実施の形態２によれば、ワイヤ放電加工装置１６は、ワイヤ電極２の張力に応じて、ワイヤ放電の加工条件としての、ワイヤ電極２の張力およびワイヤ電極２の走行速度を変更するので、ワイヤ電極２の繰り返し使用によって、ワイヤ電極２の表面に放電加工による損傷が蓄積され、ワイヤ電極２の破断強度が次第に低下しても、ワイヤ電極２を断線させることなく、被加工物８から複数枚のウエハを一度に加工することができる。

実施の形態３．
図１に示すワイヤ放電加工装置１６によって被加工物８を加工する場合、切断ワイヤ部２аが通過した部分には加工溝８１が形成される。被加工物８の切断加工によって形成される加工溝８１は、素材の損失を意味し、加工溝８１の幅が狭いほど、素材の切り代が少ない状態で加工できていることになる。特に、高価な半導体素材の切断加工では低コスト化の要因となる。切り代を狭くできれば、被加工物８から切り出されるウエハ厚さの設定を変えることなく、切断ピッチを狭くできるため、被加工物８からのウエハの収量が増大し、ウエハコストを低減できる。それゆえ、加工溝８１の幅を狭くすることは、ウエハ製造上、重要であり、ワイヤ電極２の転写加工ともいえるワイヤ放電加工装置１６による加工では、直径の小さいワイヤ電極２を使用することで実現可能となる。

しかし、加工溝８１の幅が狭くなると、被加工物８が放電加工された際に発生する加工屑が加工溝８１から排出されにくくなる。そうなると、加工溝８１の内側に加工屑が溜まり、滞留した加工屑に対する二次放電の増大によって加工溝８１の幅が拡大する。この課題に対して、ワイヤ放電加工装置１６は、ノズル９から加工溝８１の内側に向けて加工液を供給し、その液流とともに加工屑を加工溝８１から外部へ排出する措置がとられる。ただし、こうした加工液による加工屑の排出は、加工溝８１の内側に加工液が入らないと効果がなく、加工溝８１の幅が狭くなると加工溝８１の側面による摩擦の影響が大きくなり、加工液は加工溝８１に流入しにくくなる。

そこで、加工溝８１が狭い状況では、切断ワイヤ部２аの走行とともに加工屑を加工溝８１から掻き出すことが有効な手段となる。切断ワイヤ部２аの走行によって切断ワイヤ部２аの周辺に生じるせん断力によって発生する加工液流とともに加工屑が加工溝８１から排出される。ワイヤ電極２の走行速度が速いほど前述の効果は大きくなり、直径の小さいワイヤ電極２であっても、ボビン１，４への巻き量制限のため、往復走行が不可欠となる。

一方、ワイヤ電極２の破断耐力は材質が同じであれば、ワイヤ電極２の直径が大きく影響し、直径が小さいワイヤ電極２ほど破断耐力は低くなる。例えば、鋼線において、直径０．１００ｍｍの破断耐力が約３０[Ｎ]であるのに対し、直径０．０５０ｍｍでは１０[Ｎ]以下に低下する。それゆえ、直径の小さいワイヤ電極２の往復走行では、加減速時および停止時における放電加工エネルギーの制御が重要となる。

そこで、実施の形態３では、実施の形態１または実施の形態２におけるワイヤ放電加工装置１６に対して、ワイヤ電極２の直径に応じて、ワイヤ電極２の走行速度と電気条件との協調制御を行う機能が付与されている。

図４は、実施の形態３にかかるワイヤ電極２の走行速度と放電加工電圧の関係を示す図である。図４（ａ）は、ワイヤ電極２の直径に応じた、ワイヤ電極２の２つの加減速パターンを示し、実線で直径の小さいワイヤ電極２の往復走行における加減速パターン１を示し、破線で直径の大きなワイヤ電極２の往復走行における加減速パターン２を示す。加減速パターン１および加減速パターン２は、ボビン駆動制御装置１１がワイヤ電極２の直径が小さいほど加減速を緩やかに行うようにボビン回転制御装置１０а，１０ｂおよびトラバース制御装置１５а，１５ｂに指令することによって、実現される。

加減速パターン１におけるワイヤ電極２の加速する区間Ｔ２６，Ｔ２９，Ｔ３２および減速する区間Ｔ２８，Ｔ３１の夫々は、加減速パターン２におけるワイヤ電極２の加速する区間Ｔ３３，Ｔ３６，Ｔ３９および減速する区間Ｔ３５，Ｔ３８，４１よりも長く、加減速に時間をかけた設定となる。

さらに、加工制御装置１２は、ボビン駆動制御装置１１からワイヤ電極２の走行速度情報が伝えられると、ワイヤ電極２の直径と走行速度に応じて、放電加工電圧の電圧値、放電加工電圧の印加周波数、放電１発あたりの放電加工電圧の印加時間、放電発生後の加工電流の継続時間（放電パルス幅）、放電電流のピーク値および切断送り用ステージ１３の送り速度を変更するように、放電波形発振制御装置６２および切断ステージ駆動制御装置１４に指令して放電加工エネルギーを制御する。

その一例として、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すワイヤ電極２の走行状態の変化に対応して制御された放電加工電圧を示す。実線が加減速パターン１に対応する放電加工電圧であり、破線が加減速パターン２に対応する放電加工電圧である。図４（ｂ）の時間軸は、図４（ａ）の時間軸に対応し、同一の時間を示す。放電加工電圧の印加は、ワイヤ電極２の加減速に応じて、実施の形態１と同様にパルス的に制御される。加減速パターン１の最大電圧値は、区間Ｔ２７，Ｔ３０で電圧値Ｖ_Ｃとなり、加減速パターン２の最大電圧値は、区間Ｔ３４，Ｔ３７，Ｔ４０で電圧値Ｖ_Ｂとなる。放電加工エネルギーを低く抑えて直径の小さいワイヤ電極２の断線を防止するべく、電圧値Ｖ_ｃは、電圧値Ｖ_Ｂよりも低くなるように制御される。

また、ボビン駆動制御装置１１は、ワイヤ電極２の走行方向を反転する場合、繰り出し側として動作するボビン１のワイヤ電極２の残量がなくなる前に減速を完了するように、ワイヤ電極２の走行速度の減速を開始する。そして、加減速パターン１で説明すると、ボビン駆動制御装置１１は、ワイヤ電極２の直径に応じて一定の速度±Ｖ_Ａで定速走行している区間Ｔ２７，Ｔ３０から停止するまでの時々刻々遅くなるワイヤ電極２の走行速度をボビン回転制御装置１０а，１０ｂおよびトラバース制御装置１５а，１５ｂに指令する。加速パターン２で説明すると、ボビン駆動制御装置１１は、ワイヤ電極２の直径に応じて一定の走行速度で走行している区間Ｔ３４，Ｔ３７，Ｔ４０から停止するまでの時々刻々遅くなるワイヤ走行速度をボビン回転制御装置１０а，１０ｂ、およびトラバース制御装置１５а，１５ｂに指令する。

実施の形態３によれば、ワイヤ放電加工装置１６は、ワイヤ電極２の直径に応じて、ワイヤ放電の加工条件としての、ワイヤ電極２の走行速度を制御するので、切断ワイヤ部２ａを構成するワイヤ電極２にワイヤ破断強度の低い直径の小さい線を使用した場合であっても、ワイヤ電極２を断線させることなく、被加工物８から複数枚のウエハを一度に加工することができる。また、切断ワイヤ部２ａを繰り返し往復走行させ、時間的に長い加減速区間が必要なワイヤ放電加工においても安定した放電加工を行い、厚さばらつきが小さいウエハを一度に複数枚製作することができる。さらに、ワイヤ電極２を高速往復走行させ、放電加工によって発生した加工屑を切断ワイヤ部２ａの走行とともに加工溝８１から掻き出すことによって、加工溝８１に加工屑を滞留させることがなく、大口径のウエハのワイヤ放電加工においても安定した放電加工を行うことができる。

実施の形態４．
図５は、実施の形態４にかかるワイヤ電極２の走行速度と放電加工電圧の関係を示す図である。図５（ａ）は、本切断ワイヤ部２аが被加工物８を切断加工する状態を、被加工物８の切断方向に対して垂直方向から見た状態を示す。半導体素材のウエハ加工では、一般に被加工物８は、切断後のウエハの結晶構造が所定の方向となるように、外周が研削・研磨加工された円柱形状であることが多い。被加工物８を所定の厚さの薄板に切断後、その薄板表面を研磨すれば、半導体用ウエハとなる。

このような形状の被加工物８を、被加工物８の切断厚さ（被加工物８と切断ワイヤ部２ａが重なる部分における、被加工物８に対する切断ワイヤ部２аの対向長）がゼロの切断位置Ｐ０から切断を開始する場合、切断初期の段階である、被加工物８に対するワイヤ電極２の切断が浅い切断位置Ｐ１では、被加工物８の切断厚さＬ１は薄く（短く）、切断が進行する段階である切断位置Ｐ２，Ｐ３に到達するにしたがい、切断厚さＬ２，Ｌ３は厚く（長く）なっていく。被加工物８の中心付近である切断位置Ｐ３を切断する場合の切断厚さＬ３が最も厚く、それ以降に切断の進行する切断位置Ｐ４での切断厚さＬ４は、再び薄くなり、切断終了となる切断位置Ｐ５での切断厚さＬ５をもって被加工物８の切断が終了する。このように、切断厚さＬ１〜Ｌ５は、被加工物８の切断方向の切断位置に応じて変化する。したがって、被加工物８の切断位置Ｐ０〜Ｐ５に応じて、その切断厚さＬ１〜Ｌ５が厚くなると、放電加工によって生成した加工屑が加工溝内部から排出されにくくなる。

そこで、実施の形態４では、実施の形態１〜３のいずれかにおけるワイヤ放電加工装置１６に対して、被加工物８の切断厚さＬ１〜Ｌ５の変化に応じて、ワイヤ電極２の走行速度を変化させて、切断ワイヤ部２аに対する放電による損傷の均一化を行う機能が付与されている。

図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す切断方向の各切断位置に対応したワイヤ電極２の走行速度を示す。図示するように、ワイヤ電極２は、ボビン駆動制御装置１１の制御によって、切断位置Ｐ０〜切断位置Ｐ３において加速状態となり、切断位置Ｐ３〜切断位置Ｐ５まで減速状態となり、切断位置Ｐ５〜走行を停止する切断位置Ｐ６まで定速運転する。

仮に、被加工物８の切断厚さが薄い部分（例えば切断位置Ｐ１）と、切断厚さが厚い部分（例えば切断位置Ｐ２〜Ｐ４）の加工時のワイヤ電極２の走行速度が同様であった場合、切断厚さが厚い部分を加工したワイヤ電極２では単位長さあたりの放電による損傷が多くなる。これに対して、図５（ｂ）に示すように、ワイヤ電極２の走行速度を制御する場合、ワイヤ電極２の品質が均一となり、ワイヤ電極２の走行中の断線が発生しにくく、形成されるウエハ面への放電加工も均一になり、加工されたウエハの品質も向上する。

図５（ａ）に示すウエハ加工の場合、被加工物８の切断厚さＬ１〜Ｌ５の変化は、切断送り用ステージ１３の加工開始時からの移動距離から換算できる。もしくは、加工開始からの加工時間および切断送り用ステージ１３の送り速度からも被加工物８の切断厚さＬ１〜Ｌ５を算出できる。さらに、加工中のウエハの切断厚さＬ１〜Ｌ５は、前記移動距離に基づいて計算できる。

加工制御装置１２は、現在加工中のウエハの切断厚さＬ１〜Ｌ５に関する情報が入力されると、切断厚さＬ１〜Ｌ５に応じて、放電加工電圧の電圧値、放電加工電圧の印加周波数、放電１発あたりの放電加工電圧の印加時間、放電発生後の加工電流の継続時間（放電パルス幅）、放電電流のピーク値および切断送り用ステージ１３の送り速度を変更し、ウエハ加工状態およびワイヤ電極の損傷状態が均一になるように、放電波形発振制御装置６２および切断ステージ駆動制御装置１４に指令して放電加工エネルギーの制御を行う。

その一例として、図５（ｃ）は、放電加工電圧の電圧値の変化を示す。図５（ｃ）の切断位置の軸は、図５（ｂ）の切断位置の軸に対応し、同じ切断位置を示す。加工制御装置１２は、図示するように、切断位置Ｐ０で被加工物８に放電加工電圧を印加し、切断位置Ｐ３までは電圧値を上昇させ、切断位置Ｐ３を過ぎてから切断位置Ｐ５までは電圧値を下降させ、切断位置Ｐ５を過ぎてからは切断位置Ｐ６まで電圧値を一定値に保持し、切断位置Ｐ６で電圧値をゼロにするように放電波形発振制御装置６２を制御し、放電加工エネルギーの制御を行う。

実施の形態４によれば、被加工物８の切断厚さＬ１〜Ｌ５の変化に応じて、ワイヤ放電の加工条件としての、ワイヤ電極２の走行速度および放電加工電圧を制御するので、被加工物８の切断厚さＬ１〜Ｌ５が切断位置Ｐ１〜Ｐ５によって異なる場合でも、ワイヤ電極２の損傷を均一にし、ワイヤ電極２を断線させることなく、被加工物８から複数枚のウエハを一度に加工することができる。また、ワイヤ電極２の損傷を均一にすることで、安定した放電加工を行い、切断ワイヤ部２ａを繰り返し往復走行させて、厚さばらつきが小さいウエハを一度に複数枚製作することができる。さらに、ワイヤ電極２を高速往復走行させ、放電加工によって発生した加工屑を切断ワイヤ部２ａの走行とともに加工溝８１から掻き出すことによって、加工溝８１に加工屑を滞留させることがなく、大口径のウエハのワイヤ放電加工においても安定した放電加工を行うことができる。

以上のように、本発明にかかるワイヤ放電加工装置は、ワイヤ電極の断線を防止し、被加工物を高精度に切断加工できる点で有用である。

１，４ ボビン、２ ワイヤ電極、２а 切断ワイヤ部、３ａ〜３ｄ ガイドローラ、５ａ，５ｂ 制振ガイドローラ、５１ａ，５１ｂ ワイヤ案内溝、６ 加工用電源、６１ 加工電源ユニット、６２ 放電波形発振制御装置、７Ａ，７Ｂ 給電子、８ 被加工物、８１ 加工溝、９ ノズル、１０ａ，１０ｂ ボビン回転制御装置、１１ ボビン駆動制御装置、１２ 加工制御装置、１３ 切断送り用ステージ、１４ 切断ステージ駆動制御装置、１５а，１５ｂ トラバース制御装置、１６ ワイヤ放電加工装置、Ｄ１，Ｄ２ 回転軸方向、ｔ_１〜ｔ_５ 時間、Ｔ１〜Ｔ４１ 区間、±Ｖ_Ａ 走行速度、Ｖ_Ｂ，Ｖ_Ｃ 電圧値、Ｐ０〜Ｐ５ 切断位置、Ｌ１〜Ｌ５ 切断厚さ。

Claims (7)

1. 回転可能に支持された２つのボビンと、
   前記２つのボビンの回転を制御するボビン駆動制御装置と、
   前記２つのボビン間で、切断ワイヤ部を形成して往復走行する一本のワイヤ電極と、
   前記ワイヤ電極に給電する給電子と、
   前記ワイヤ電極と被加工物との間で発生する放電加工電圧を制御する放電波形発振制御装置と、
   前記被加工物を前記ワイヤ電極に対して相対的に変化させる切断送り用ステージと、
   前記切断送り用ステージを制御する切断ステージ駆動制御装置と、
   前記ボビン駆動制御装置、前記放電波形発振制御装置および前記切断ステージ駆動制御装置を統括し、前記ボビン駆動制御装置から入力される前記ワイヤ電極の走行速度情報に基づき、前記放電加工電圧および前記ワイヤ電極と前記被加工物の間隔を制御する加工制御装置と、
   を備えることを特徴とするワイヤ放電加工装置。
2. 前記加工制御装置は、前記ワイヤ電極の走行方向が反転する前後において、前記放電加工電圧を増減させることを特徴とする請求項１に記載のワイヤ放電加工装置。
3. 前記加工制御装置は、前記放電波形発振制御装置に対して、前記放電加工電圧の電圧値、印加パルス周波数、放電１発あたりの印加時間、放電発生後の加工電流の継続時間または放電電流のピーク値を指令することによって前記放電加工電圧を制御するとともに、前記切断ステージ駆動制御装置に対して前記切断送り用ステージの送り速度を指令することによって前記間隔を制御することを特徴とする請求項１または２に記載のワイヤ放電加工装置。
4. 前記ボビン駆動制御装置は、前記ワイヤ電極の張力に応じて前記ワイヤ電極の走行速度を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載のワイヤ放電加工装置。
5. 前記ボビン駆動制御装置は、前記ワイヤ電極の直径に応じて前記ワイヤ電極の走行速度を制御することを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載のワイヤ放電加工装置。
6. 前記ボビン駆動制御装置は、前記被加工物の切断厚さの変化に応じて前記ワイヤ電極の走行速度を制御することを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載のワイヤ放電加工装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載のワイヤ放電加工装置を用いて、半導体素材から半導体ウエハを作製する工程を含む半導体ウエハ製造方法。

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