JP6193665B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、例えば、その周縁部にターゲットマークが形成された配線基板を含む半導体装置の組み立てに関する。

特開２００８−３４６８１号公報（特許文献１）には、その周縁部（複数のデバイス領域の周囲に位置する部分）のうち、各ダイシング領域（スクライブ領域、切断領域）の延長線上にターゲットマーク（ターゲットパターン）が形成された配線基板（多数個取り基板）に関する技術が記載されている（例えば、特許文献１の図１６および図１８を参照）。

特開２００８−３４６８１号公報

本願発明者の検討によれば、例えば上記特許文献１の図１８に示されているように、配線基板のダイシング領域の延長線上には、ターゲットマーク（少なくともターゲットマークの一部）が存在する。さらに、配線基板の切断工程（ダイシング工程）で使用するダイシングブレード（回転する切断刃）が摩耗していると、本願の図３４〜図３６に示すように、ターゲットマーク４２の一部から成る異物（屑）４３が発生することがわかった。

なお、上記異物４３の発生は半導体装置の信頼性を低下させる要因になるため、この異物４３の発生を抑制する必要がある。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態による半導体装置の製造方法は、下面に設けられた第１デバイス領域および第２デバイス領域と、上記第１デバイス領域と上記第２デバイス領域との間に設けられたダイシング領域と、上記ダイシング領域の延長線上には設けられず、かつ上記ダイシング領域の延長線と第１最外周バンプランド列の延長線との間に設けられたターゲットマークと、を備えた配線基板を準備する。さらに、上記半導体装置の製造方法は、第１上面側デバイス領域に第１半導体チップを搭載し、第２上面側デバイス領域に第２半導体チップを搭載し、その後、上記第１半導体チップおよび上記第２半導体チップを樹脂で封止する。そして、上記半導体装置の製造方法は、複数の第１バンプランドに複数の第１外部端子を、複数の第２バンプランドに複数の第２外部端子をそれぞれ形成した後、上記ターゲットマークに基づいて上記ダイシング領域を特定し、ダイシングブレードを用いて、上記ダイシング領域に沿って上記配線基板を切断するものである。

上記一実施の形態によれば、半導体装置の組み立てにおける信頼性の向上を図ることができる。

実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。 図１の半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。 図１の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。 図１の半導体装置の構造の一例を示す側面図である。 図１の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 図１の半導体装置の組み立て手順の一例を示すフロー図である。 図１の半導体装置の組み立てで用いられる配線基板のチップ搭載面側の構造の一例を示す平面図である。 図１の半導体装置の組み立てで用いられる配線基板の実装面側の構造の一例を示す裏面図である。 図８のＡ部を拡大して示す部分拡大平面図である。 図９の基板領域におけるエッチバック後の配線パターンの一例を示す部分拡大平面図である。 図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１の半導体装置の組み立ての基板準備工程で準備する配線基板の構造の一例を示す部分拡大断面図である。 図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す部分拡大断面図である。 図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分拡大断面図である。 図１２に示す配線基板の構造の一例を示す部分拡大平面図である。 図１３に示すダイボンディング後の基板の全体構造の一例を示す平面図である。 図１３に示すダイボンディング後の構造の一例を示す部分拡大平面図である。 図１４に示すワイヤボンディング後の基板の全体構造の一例を示す平面図である。 図１４に示すワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分拡大平面図である。 図１の半導体装置の組み立てにおけるモールド後の構造の一例を示す部分拡大断面図である。 図１の半導体装置の組み立てにおけるボール付け後の構造の一例を示す部分拡大断面図である。 図２０に示すモールド後の構造の一例を封止体を透過して示す部分拡大平面図である。 図１の半導体装置の組み立てにおける個片化時の構造の一例を示す部分拡大断面図である。 図１の半導体装置の組み立てにおける個片化後の構造の一例を示す部分拡大断面図である。 図２３に示す個片化時の構造の一例を示す部分拡大平面図である。 図２０に示す個片化時の実装面側の基板構造（エッチバック無し）の一例を示す部分拡大平面図である。 図２６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。 変形例５の配線基板の実装面側の構造を示す部分拡大平面図である。 変形例６のターゲットマークの構造を示す部分拡大平面図である。 変形例６のターゲットマークの他の構造を示す部分拡大平面図である。 変形例６のターゲットマークの他の構造を示す部分拡大平面図である。 変形例６のターゲットマークの他の構造を示す部分拡大平面図である。 変形例６のターゲットマークの他の構造を示す部分拡大平面図である。 比較例による基板切断時の構造を示す部分断面図である。 比較例による基板切断時の構造を示す部分断面図である。 比較例による基板切断時の構造を示す部分断面図である。

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。

また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

（実施の形態）
＜半導体装置＞
図１は実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１の半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図３は図１の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図４は図１の半導体装置の構造の一例を示す側面図、図５は図１の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。

図１〜図５に示す本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ２が配線基板３に搭載（接合、接続、実装）された半導体装置（半導体パッケージ）であり、さらに半導体チップ２が封止樹脂によって封止された半導体装置である。

なお、本実施の形態では、上記半導体装置の一例として、配線基板３の下面側に設けられた複数の外部端子が半田ボール６の場合を取り上げて説明する。すなわち、本実施の形態では、上記半導体装置の一例として、ＢＧＡ（Ball Grid Array)１を取り上げて説明する。

また、本実施の形態のＢＧＡ１は、その組み立てにおいて、複数のデバイス領域を一括して樹脂モールドし、さらにボール（外部端子）付けを行った後、ダイシングにより個片化されて組み立てられたものである。

ＢＧＡ１の構成について説明すると、半導体チップ２と、半導体チップ２を支持または搭載する配線基板３と、半導体チップ２の表面（主面）２ｂに露出する複数の電極２ａとこれらに対応する配線基板３の複数の接続端子（ボンディングリード）１５とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（以降、単にワイヤとも呼ぶ）４とを備えている。

さらに、ＢＧＡ１は、半導体チップ２およびワイヤ４を含む配線基板３の上面３ａを覆う封止体５と、配線基板３の下面３ｂに外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール６とを有している。

半導体チップ２は、その厚さと交差する平面形状が正方形であり（長方形でもよい）、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。

また、半導体チップ２は、互いに対向する表面（半導体素子形成側の面、主面、上面）２ｂおよび裏面（半導体素子形成側の面とは逆側の面、実装面、下面）２ｃを有し、その表面２ｂが上方を向くように配線基板３の上面（チップ支持面）３ａ上に搭載（配置）され、半導体チップ２の裏面２ｃが配線基板３の上面３ａに接着材（ダイボンド材、接合材）８を介して接着され固定されている。

接着材８としては、例えば絶縁性または導電性のペースト材やフィルム状の接着材（ダイボンディングフィルム、ダイアタッチフィルム）などを用いることができる。接着材８の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、その表面２ｂ側に露出する複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極）２ａを有しており、これら電極２ａは、半導体チップ２の内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。

また、配線基板３は、一方の主面である上面３ａと、上面３ａの反対側の面である下面３ｂと、上面３ａに露出するように形成された複数の接続端子１５と、下面３ｂに露出するように形成された複数のランド（バンプランド、ランド部）１６とを有している。

配線基板３は、絶縁性の基材層（絶縁基板、コア材）１１と、基材層１１の上面側および下面側に形成された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層）１２と、導体層１２を覆うように形成された絶縁層（絶縁体層、絶縁膜）としてのソルダレジスト層（絶縁膜、半田レジスト層）１４とを有している。他の形態として、配線基板３を、複数の絶縁層と複数の配線層とを積層した多層配線基板により形成することもできる。

導体層１２はパターン化されており、配線基板３の端子、配線または配線層となる導体パターンである。また、導体層１２は、導電性材料からなり、例えばめっき法で形成された銅薄膜などにより形成することができる。

また、配線基板３の上面側には、ワイヤ４を電気的に接続するための接続端子（電極、ボンディングリード、パッド電極）１５が複数形成されている。一方、配線基板３の下面側には、半田ボール６を接続するための導電性のランド（電極、パッド、端子）１６が複数形成されている。そして、基材層１１の上面側の複数の接続端子１５と、基材層１１の下面側の複数のランド１６とが電気的に接続されている。

したがって、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５と電気的に接続されており、さらに配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６と電気的に接続されている。

なお、ワイヤ４は、例えば金線などの金属細線からなる。

また、ソルダレジスト層１４は、導体層１２を保護する絶縁層（絶縁膜）としての機能を有しており、例えば有機系樹脂材料などの絶縁体材料からなり、基材層１１の上面側および下面側に導体層１２を覆うように形成されている。なお、ソルダレジスト層１４の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。そして、半導体チップ２は、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４上に、接着材８を介して搭載されている。

また、複数のランド１６は、配線基板３の下面３ｂに露出するように形成され、かつアレイ状に配置されており、各ランド１６には半田ボール（ボール電極、突起電極、電極、外部端子、外部接続用端子）６が接続（形成）されている。このため、配線基板３の下面３ｂに複数の半田ボール６がアレイ状に配置されている。

また、半田ボール６は、ＢＧＡ１の外部端子（外部接続用端子）として機能することができる。このため、本実施の形態のＢＧＡ１は、配線基板３の下面３ｂの複数のランド１６上にそれぞれ形成された複数の外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を有している。したがって、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、さらに配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６および複数のランド１６に接続された複数の半田ボール６に電気的に接続されている。

なお、外部接続用端子として半田ボールを接続しない導体ランドを外部接続端子とするＬＧＡ（Land Grid Array)構造の半導体装置の場合も同様である。

また、配線基板３の上面側に形成されたソルダレジスト層１４の開口部に露出する接続端子１５に、ワイヤ４が接続されているが、この接続端子１５へのワイヤ４の接続を容易または確実にするために、接続端子１５の上面（ワイヤ４の接続面）には金めっき層（またはニッケルめっき層（下層側）と金めっき層（上層側）の積層膜）などが形成されている。

また、封止体（封止樹脂、封止樹脂部、封止部）５は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止体５を形成することもできる。封止体５は、配線基板３の上面３ａ上に半導体チップ２および複数のワイヤ４を覆うように形成されている。すなわち、封止体５は、配線基板３の上面３ａ上に形成され、半導体チップ２およびワイヤ４を封止し、保護している。

＜半導体装置の製造方法＞
図６は図１の半導体装置の組み立て手順の一例を示すフロー図である。

本実施の形態の半導体装置の製造方法を、図６のフロー図に沿って説明する。

１．基板準備工程
図７は図１の半導体装置の組み立てで用いられる配線基板のチップ搭載面側の構造の一例を示す平面図、図８は図１の半導体装置の組み立てで用いられる配線基板の実装面側の構造の一例を示す裏面図、図９は図８のＡ部を拡大して示す部分拡大平面図である。また、図１０は図９の基板領域におけるエッチバック後の配線パターンの一例を示す部分拡大平面図、図１１は図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

まず、図７および図８に示す配線基板（配線基板母体）３１を準備する（図６のステップＳ１）。本実施の形態では、図７および図８に示すように、複数の半導体装置領域（デバイス領域、基板領域、単位基板領域）３１ｂ、３２ｂと、この複数の半導体装置領域３１ｂ、３２ｂのうちの互いに隣り合う半導体装置領域間に設けられたダイシング領域（スクライブ領域、切断領域）と、が設けられた配線基板（配線基板母体）３１を用いて説明する。

ここで、本実施の形態の配線基板３１は、図３乃至図５のそれぞれに示す配線基板３の母体である。言い換えると、上記半導体装置に含まれる配線基板３は、配線基板（配線基板母体）３１の一部である。そのため、上記半導体装置に含まれる配線基板３は、後述する切断工程（個片化工程）において、配線基板３１を切断することで分離された半導体装置領域３１ｂに対応する。

なお、本実施の形態では、配線基板（配線基板母体）３１に設けられる複数の半導体装置領域３１ｂが、平面視において、行列状（格子状）に設けられたものについて説明するが、これに限定されるものではなく、例えば1列に設けられていても良い。

また、本実施の形態では、組み立て工程の詳細を説明する際に、行列状に配列された複数の半導体装置領域３１ｂのうち、例えば半導体装置領域３１ｂａ（図７および図８を参照）と、この半導体装置領域３１ｂａの隣りに位置する半導体装置領域３１ｂｂ（図７および図８を参照）を、代表として取り上げて説明する。

配線基板３１は、上面（チップ搭載面）３１ａと、上面３１ａとは反対側の下面（実装面）３２ａとを備えている。また、図７に示すように、上面３１ａには、半導体装置領域（上面側デバイス領域）３１ｂａと、この半導体装置領域３１ｂａの隣に設けられた半導体装置領域（上面側デバイス領域）３１ｂｂが設けられている。

さらに、後述する図９および図１２に示すように、半導体装置領域３１ｂａと半導体装置領域３１ｂｂとの間には、ダイシング領域（上面側ダイシング領域）３１ｃが設けられている。

また、図７に示すように、半導体装置領域３１ｂａには、複数の接続端子（ボンディングリード、電極）１５ａが設けられている。また、半導体装置領域３１ｂｂには、複数の接続端子（ボンディングリード、電極）１５ｂが設けられている。そして、上面３１ａ側には、複数の接続端子１５（１５ａ，１５ｂ）を露出するようにソルダレジスト層（絶縁膜）１４（図３参照）が形成されている。

一方、図８に示すように、下面３２ａは、図７の半導体装置領域３１ｂａと重なる位置に設けられた半導体装置領域（デバイス領域）３２ｂａと、図７の半導体装置領域３１ｂｂと重なる位置に設けられた半導体装置領域（デバイス領域）３２ｂｂとを有している。なお、半導体装置領域（デバイス領域）３２ｂｂは、平面視において、半導体装置領域（デバイス領域）３２ｂａの隣に設けられている。

さらに、下面３２ａには、図９に示すように半導体装置領域３２ｂａと半導体装置領域３２ｂｂとの間にダイシング領域（スクライブ領域、切断領域）３２ｃが設けられている。

本実施の形態のダイシング領域３２ｃは、後述する切断工程において、使用するダイシングブレード９（後述する図２３参照）により切断（除去）される予定の領域である。そのため、本実施の形態では、ダイシング領域３２ｃの幅は、ダイシングブレード９の幅、すなわち図９に示すブレード幅（切断幅）３２ｈに相当する。

ただし、配線基板３１の製造過程において生じる絶縁膜（図１１に示すソルダレジスト層１４）の位置ずれや、使用するダイシングブレード９の緩みなどにより、予定していたダイシング領域３２ｃから若干ずれた位置で切断される場合もある。

また、本実施の形態の配線基板３１の下面３２ａには、図８および図９に示すように、半導体装置領域３２ｂａ，３２ｂｂおよびダイシング領域３２ｃの周囲には、周縁部（枠部）３２ｄが設けられている。さらに、この周縁部（枠部）３２ｄには、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０上には設けられないターゲットマーク（ターゲットパターン）３２ｅが設けられている。

なお、周縁部（枠部）３２ｄは、別表現すると、平面視において、半導体装置領域（デバイス領域）３２ｂａ、半導体装置領域（デバイス領域）３２ｂｂおよびダイシング領域（スクライブ領域、切断領域）３２ｃの周囲に設けられた枠部である。言い換えると、周縁部（枠部）３２ｄは、平面視において、半導体装置領域（デバイス領域）３２ｂａ、半導体装置領域（デバイス領域）３２ｂｂおよびダイシング領域３２ｃを囲む部分である。

ここで、ターゲットマーク３２ｅは、上記切断工程で、上記ダイシングブレード９が走行するダイシングライン（切断箇所）を導き出すための指標（目印）であり、したがって、導き出すべき各ダイシングラインに対応してそれぞれのダイシングラインの両端部に、かつ互いに対向した位置に一対のターゲットマーク３２ｅが設けられている。

これにより、切断工程においては、ターゲットマーク３２ｅを画像認識方法等で認識してダイシングラインを導き出し、この認識結果に基づいて上記ダイシングラインに沿って上記ダイシングブレード９を回転かつ走行させて切断を行う。

また、図８に示すように、下面３２ａの各半導体装置領域３２ｂａ，３２ｂｂには複数のランド（バンプランド、電極）１６が形成されている。詳細には、図９に示すように、下面３２ａには、半導体装置領域３２ｂａにおいて行列状に設けられた複数のランド（バンプランド、電極）１６ａと、半導体装置領域３２ｂｂにおいて行列状に設けられた複数のランド（バンプランド、電極）１６ｂと、複数のランド１６ａ，１６ｂを露出するように下面３２ａ側に形成された図１１に示すソルダレジスト層（絶縁膜）１４と、が形成されている。

すなわち、図８に示すように、配線基板３１の下面３２ａにおいて、各半導体装置領域３２ｂａ，３２ｂｂは、平面視で四角形であり、それぞれの半導体装置領域３２ｂａ，３２ｂｂには、外部端子用の複数のランド１６が行列状（格子状）に配置されている。

また、配線基板３１の下面３２ａの周縁部３２ｄには、基板製造時に用いられるアライメントパターン３２ｇ、半導体装置の組み立て工程の搬送時等で用いられる位置決め孔３３およびガイド孔３４が設けられている。ただし、上記アライメントパターン３２ｇは、設けられていなくてもよい。

一方、図７に示すように、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３１ｂａ，３１ｂｂには複数の接続端子１５が形成されている。詳細には、配線基板３１の上面３１ａにおいて、各半導体装置領域３１ｂａ，３１ｂｂは、平面視で四角形であり、それぞれの半導体装置領域３１ｂａ，３１ｂｂの周縁部に沿って（４辺に沿って）複数の接続端子１５が設けられている。

次に、配線基板３１の下面３２ａに形成されたターゲットマーク３２ｅについて詳しく説明する。

図９に示すように、ターゲットマーク３２ｅは、導電性部材（金属）からなり、画像認識が行えるように配線基板３１のソルダレジスト層１４（図１１参照）の開口部３２ｆから露出している。つまり、ターゲットマーク３２ｅは、ソルダレジスト層１４の開口部３２ｆから露出した部分であり、本実施の形態のターゲットマーク３２ｅは、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする材料からなる。

また、配線基板３１の複数のランド１６ａは、複数のランド１６ａのうちの最外周列に配置された最外周ランド列（最外周バンプランド列）１６ｃを有している。なお、図９において最外周ランド列１６ｃのランド１６ａにはハッチングを付しており、この最外周ランド列１６ｃは、ダイシング領域３２ｃに最も近いランド列である。同様に、複数のランド１６ｂは、複数のランド１６ｂのうちの最外周列に配置された最外周ランド列（最外周バンプランド列）１６ｄを有している。なお、最外周ランド列１６ｄのランド１６ｂにもハッチングを付しており、この最外周ランド列１６ｄも、ダイシング領域３２ｃに最も近いランド列である。

そして、本実施の形態のターゲットマーク３２ｅは、平面視において、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と、最外周ランド列１６ｃの仮想延長線Ｌ１との間、およびダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と、最外周ランド列１６ｄの仮想延長線Ｌ２との間に設けられている。

すなわち、ターゲットマーク３２ｅは、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０上には設けられておらず、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０の外側で、かつ最外周ランド列１６ｃ，１６ｄの仮想延長線Ｌ１，Ｌ２の内側に位置している。

ここで、本実施の形態における仮想延長線Ｌ１とは、半導体装置領域３２ｂａの複数のランド１６ａのうち、最外周ランド列１６ｃのランド１６ａの最もダイシング領域３２ｃに近い部分と接する接線の延長上の仮想線である。同様に、本実施の形態における仮想延長線Ｌ２とは、半導体装置領域３２ｂｂの複数のランド１６ｂのうち、最外周ランド列１６ｄのランド１６ｂの最もダイシング領域３２ｃに近い部分と接する接線の延長上の仮想線である。

また、本実施の形態のターゲットマーク３２ｅは、第１パターン３２ｅａと、この第１パターン３２ｅａの隣に設けられ、かつ第１パターン３２ｅａから離間（分離）した第２パターン３２ｅｂとからなる。

すなわち、切断時に、第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂの間の領域をダイシングブレード９が走行するように、第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂとが離間して設けられている。したがって、第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂの間隔（離間距離）は、ダイシング領域３２ｃの幅（パターンの延在方向と交差する方向の長さ、または互いに隣り合う半導体装置領域の間隔）より大きい。

これにより、切断時に、ダイシングブレード９がターゲットマーク３２ｅ上を通らないため、ダイシングブレード９がダイシング領域３２ｃにおいて導電性部材（金属）を切断することがなくなり、図３６に示すような異物４３の発生を抑えることができる。

また、別の表現を用いると、ターゲットマーク３２ｅを構成する第１パターン３２ｅａと、第２パターン３２ｅｂとの間隔は、最外周ランド列１６ｃの仮想延長線Ｌ１と、最外周ランド列１６ｄの仮想延長線Ｌ２との間隔よりも小さい。

したがって、本実施の形態のターゲットマーク３２ｅでは、その第１パターン３２ｅａにおける主要部は、平面視において、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と最外周ランド列１６ｃの仮想延長線Ｌ１との間に設けられている。一方、ターゲットマーク３２ｅの第２パターン３２ｅｂにおける主要部は、平面視において、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と最外周ランド列１６ｄの仮想延長線Ｌ２との間に設けられている。

なお、ターゲットマーク３２ｅに対して電解メッキ法を採用する場合、ターゲットマーク３２ｅに図１０に示すメッキ用の給電線３２ｉが接続して引き出されているが、このような場合、ダイシング領域３２ｃを特定する際には、上記主要部で認識を行う。ここで、第１パターン３２ｅａおよび第２パターン３２ｅｂにおける上記主要部とは、少なくともパターンの認識に必要な部分である。

つまり、ターゲットマーク３２ｅの第１パターン３２ｅａおよび第２パターン３２ｅｂは、配線基板３１の下面３２ａ側に形成された図１１のソルダレジスト層１４の開口部３２ｆから露出した部分ではあるが、ターゲットマーク３２ｅに図１０に示すメッキ用の給電線３２ｉが接続されている場合、開口部３２ｆに露出したパターンの全てがターゲットマーク３２ｅである必要はない。すなわち、ソルダレジスト層１４の開口部３２ｆに露出しているパターンのうち、認識するのに必要な最小パターン部分をターゲットマーク３２ｅとしてもよい。

例えば、ターゲットマーク３２ｅの第１パターン３２ｅａおよび第２パターン３２ｅｂのそれぞれにおける主要部の平面形状は、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０に沿った方向に延在する長辺を有する長方形からなることが好ましい。

ただし、本実施の形態では、例えばエッチングによってターゲットマーク３２ｅを形成しており、そのため、ターゲットマーク３２ｅのパターンの各角部が丸みを帯びているが、このような形状についても長方形として説明する。

ここで、図９に示す例においては、第１パターン３２ｅａは、平面視において、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と、最外周ランド列１６ｃの仮想延長線Ｌ１との間に設けられており、一方、第２パターン３２ｅｂは、平面視において、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と、最外周ランド列１６ｄの仮想延長線Ｌ２との間に設けられている。

また、本実施の形態のターゲットマーク３２ｅの第１パターン３２ｅａは、ダイシング領域３２ｃの延在方向に沿って延びる第１延在部３２ｅａａと、第１延在部３２ｅａａと交差する第２延在部３２ｅａｂと、からなる。すなわち、第１パターン３２ｅａは、パターン同士が交差してなる交差部３２ｅａｃを有している。

一方、ターゲットマーク３２ｅの第２パターン３２ｅｂも、同様に、ダイシング領域３２ｃの延在方向に沿って延びる第１延在部３２ｅｂａと、第１延在部３２ｅｂａと交差する第２延在部３２ｅｂｂと、第１延在部３２ｅｂａと第２延在部３２ｅｂｂとが交差してなる交差部３２ｅｂｃとからなる。すなわち、第２パターン３２ｅｂも、パターン同士が交差してなる交差部３２ｅｂｃを有している。

以上のように、本実施の形態のターゲットマーク３２ｅは、その第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂの両者とも、交差部３２ｅａｃ，３２ｅｂｃを有している。つまり、本実施の形態のターゲットマーク３２ｅは、その平面形状が、交差部３２ｅａｃ，３２ｅｂｃを含むような形状となっている。例えば、十字、Ｈ字状もしくはＴ字状等である。

このようにターゲットマーク３２ｅが交差部３２ｅａｃ，３２ｅｂｃを含む形状となっており、切断工程において、ターゲットマーク３２ｅを認識する際に交差部３２ｅａｃ，３２ｅｂｃを認識することで、配線基板３１のθずれの判別を高精度に行うことができる。また、ダイシングブレード９で切断する位置（線）の特定を、より精度高く行うことができる。

なお、ターゲットマーク３２ｅにおける交差部は、必ずしも第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂの両者に設けられていなくてもよく、少なくとも何れか一方のパターンに設けられていてもよいし、あるいは、第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂの両者とも交差部を有していなくてもよい。

また、図１０および図１１に示すように、本実施の形態で使用される配線基板３１は、そのダイシング領域３２ｃでは、メッキ用の給電線３２ｉはエッチング等によって除去されているものである。詳細には、複数のランド１６のそれぞれの表面にはメッキ膜が形成されており、このメッキ膜を形成する工程では、ダイシング領域３２ｃに形成された給電線３２ｉを用いて上記メッキ膜を形成する。なお、上記メッキ膜を形成する工程では、配線基板３１の上面上には、ソルダレジスト層１４が形成されている。そして、上記メッキ膜を形成した後、エッチング等によって給電線３２ｉおよび給電線３２ｉを覆うソルダレジスト層１４は除去される。つまり、半導体装置の組み立てで使用される配線基板３１では、そのダイシング領域３２ｃ内に設けられていたメッキ用の給電線３２ｉは、予め除去されている。したがって、ダイシング領域３２ｃでは、図１１に示すように、配線基板３１の上面側に形成されたソルダレジスト層（絶縁膜、保護膜）１４の下層（内層）に位置する基材層（絶縁層）１１の表面が露出した状態となっている。

＜ダイボンディング工程〜切断工程＞
図１２は図１の半導体装置の組み立ての基板準備工程で準備する配線基板の構造の一例を示す部分拡大断面図、図１３はダイボンディング後の構造の一例を示す部分拡大断面図、図１４は図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分拡大断面図、図１５は図１２に示す配線基板の構造の一例を示す部分拡大平面図である。さらに、図１６は図１３に示すダイボンディング後の基板の全体構造の一例を示す平面図、図１７は図１３に示すダイボンディング後の構造の一例を示す部分拡大平面図、図１８は図１４に示すワイヤボンディング後の基板の全体構造の一例を示す平面図、図１９は図１４に示すワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分拡大平面図である。

また、図２０は図１の半導体装置の組み立てにおけるモールド後の構造の一例を示す部分拡大断面図、図２１は図１の半導体装置の組み立てにおけるボール付け後の構造の一例を示す部分拡大断面図である。さらに、図２２は図２０に示すモールド後の構造の一例を封止体を透過して示す部分拡大平面図、図２３は図１の半導体装置の組み立てにおける個片化時の構造の一例を示す部分拡大断面図、図２４は図１の半導体装置の組み立てにおける個片化後の構造の一例を示す部分拡大断面図、図２５は図２３に示す個片化時の構造の一例を示す部分拡大平面図である。

なお、図１２〜図１４、図２０、図２１、図２３および図２４には、同じ領域（２つの半導体装置領域３１ｂａ（３２ｂａ），３１ｂｂ（３２ｂｂ）に跨る領域）の各工程段階の断面が示され、図面を見易くするために、断面図であるがハッチングを省略している。

２．ダイボンディング工程
図６のステップＳ１で配線基板（図１２および図１５参照）３１を準備した後、ダイボンディング工程を行って、図１３、図１６および図１７に示すように、配線基板３１の上面３１ａの半導体装置領域３１ｂａ上に半導体チップ２を接着材８を介して搭載して接合（ダイボンディング、チップマウント）する（図６のステップＳ２）。さらに、配線基板３１の半導体装置領域３１ｂｂ上に半導体チップ７を接着材８を介して搭載して接合する。

なお、接着材８としては、ペースト状の接着材やフィルム状の接着材などを用いることができる。

３．ワイヤボンディング工程
図１４、図１８および図１９に示すように、ワイヤボンディングを行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをワイヤ４を介して電気的に接続する（図６のステップＳ３）。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの半導体装置領域３１ｂａの複数の接続端子１５と、その半導体装置領域３１ｂａ上に接合された半導体チップ２の複数の電極２ａとを複数のワイヤ４を介して電気的に接続する。同様に、半導体装置領域３１ｂｂ上に接合された半導体チップ７の複数の電極７ａとを複数のワイヤ４を介して電気的に接続する。

４．封止工程
次に、図２０および図２２に示すように、モールド工程（樹脂成形工程、例えばトランスファモールド工程）を行う。本工程では、配線基板３１上に搭載された複数の半導体チップ２，７を一括して封止する一括封止体（封止樹脂、封止部、一括封止部）１３を形成する（図６のステップＳ４）。すなわち、本実施の形態のモールド工程では、ＭＡＰ（Mold Array Package）方式を採用している。

ステップＳ４のモールド工程では、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３１ｂａと複数の半導体装置領域３１ｂｂを封止樹脂で一括して封止する一括封止（一括成形）を行う。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３１ｂａと半導体装置領域３１ｂｂの全体上に、それらの半導体装置領域３１ｂａ，３１ｂｂの半導体チップ２，７およびワイヤ４を覆うように、一括封止体１３を形成する。

このため、一括封止体１３は、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３１ｂａ，３１ｂｂ全体を覆うように形成される。一括封止体１３を形成する封止樹脂は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料からなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて一括封止体１３を形成することができる。

なお、配線基板３１および配線基板３１上の一括封止体１３（一括封止体１３内に封止された半導体チップ２，７およびワイヤ４も含む）により、図２０に示す封止構造体（組立体）１７が形成される。すなわち、多数個取りの配線基板３１上に一括封止体１３が形成された構造体を封止構造体１７と呼ぶ。

また、本モールド工程の樹脂封止により、配線基板３１の上面３１ａでは、そのダイシング領域３１ｃ上も一括封止体１３によって封止される。

５．外部端子形成工程
図２１に示すように、配線基板３１の下面３２ａのランド（図２０参照）１６に、導電性部材として半田ボール（外部端子、半田材、メッキ膜）６を接続（接合、形成）する（図６のステップＳ５）。ステップＳ５の半田ボール６接続工程では、例えば、配線基板３１の下面３２ａを上方に向け、配線基板３１の下面３２ａの半導体装置領域３２ｂａの複数のランド１６ａ上にそれぞれ半田ボール６ａを配置（搭載）してフラックスなどで仮固定し、一方、半導体装置領域３２ｂｂの複数のランド１６ｂ上にそれぞれ半田ボール６ｂを配置（搭載）してフラックスなどで仮固定する。

そして、リフロー処理（半田リフロー処理、熱処理）を行って半田を溶融し、半田ボール６ａ，６ｂと配線基板３１の下面３２ａのランド１６ａ，１６ｂとを接合することができる。その後、必要に応じて洗浄工程を行い、半田ボール６の表面に付着したフラックスなどを取り除くこともできる。このようにして、半導体装置の外部端子（外部接続用端子）としての半田ボール６が接合（形成）される。

なお、本実施の形態では、半導体装置の外部端子として半田ボール６を接合する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば半田ボール６の代わりに印刷法などによりランド１６上に半田を供給して半導体装置の半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することもできる。この場合、配線基板３１の下面３２ａの半導体装置領域３２ｂａ，３２ｂｂの複数のランド１６ａ，１６ｂ上にそれぞれ半田を供給してから、半田リフロー処理を行って、複数のランド１６上にそれぞれ半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することができる。

また、半導体装置の外部端子（ここでは半田ボール６）の材質は、鉛含有半田や鉛を含有しない鉛フリー半田を用いることができ、また、めっきにより半導体装置の外部端子（バンプ電極）を形成することもできる。

なお、半田を用いる場合には、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない上記鉛フリー半田を用いることが好ましく、これにより、環境汚染問題にも対応することができる。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances)指令の基準として定められている。

次に、必要に応じて、マーキングを行って、一括封止体１３の上面（表面）に製品番号などのマークを付す（図６のステップＳ６）。ステップＳ６では、例えば、レーザによりマーキングを行うレーザマークを行うことができるが、インクによりマーキングを行うインクマークを行うこともできる。

６．切断工程
まず、図２３〜図２５を用いて、切断工程の全般について説明する。すなわち、ダイシングブレード（ダイシングソー、ブレード）９などを用い、配線基板３１の下面３２ａの半導体装置領域３２ｂａと半導体装置領域３２ｂｂとの間のダイシング領域（ダイシングライン、各半導体装置領域の境界部）３２ｃに沿って、配線基板３１の下面３２ａ側から、ダイシング（切断、切削）を行う。これにより、ダイシング領域上に形成された一括封止体１３と配線基板３１の一部（ダイシング領域に対応する部分）とを切断（分割）する（図６のステップＳ７）。

例えば、ステップＳ７では、図２３に示すように、一括封止体１３の上面を固定テープ（固定用テープ、ダイシングテープ）１０に貼り付けて一括封止体１３を固定した状態で、ダイシングブレード９によるダイシング工程を行うことができる。

これにより、一括封止体１３と配線基板３１とがダイシング領域３２ｃに沿って切断されて、各半導体装置領域が個々の（個片化された）半導体装置（ＢＧＡ１）に切断分離（個片化）される。すなわち、一括封止体１３と配線基板３１が各半導体装置領域に切断されて分割され、各半導体装置領域からＢＧＡ１が形成される。

以上のように、切断・個片化を行って、図１〜図５に示されるようなＢＧＡ１を製造することができる。

次に、切断工程の詳細について説明する。

配線基板３１の切断工程（ダイシング工程）では、図９に示すターゲットマーク（ターゲットパターン）３２ｅに基づいて各ダイシング領域３２ｃを特定してから、このダイシング領域３２ｃに沿って配線基板３１を切断する。ここで、本切断工程では、図２５に示すダイシングブレード（回転する切断刃）９を用いて配線基板３１を切断する。

まず、図８に示す、互いに対向する一対のターゲットマーク３２ｅを画像認識部（例えば、カメラ等）で確認し、この確認したターゲットマーク３２ｅに基づいてダイシング領域３２ｃを特定する。その後、導き出したダイシング領域（ダイシングライン）３２ｃに基づいて配線基板３１を切断する。この時、図２５に示すダイシングブレード（回転する切断刃）９を用いて、一方のターゲットマーク３２ｅから他方のターゲットマーク３２ｅに向かってダイシングブレード９を走行させる。つまり、ダイシング領域３２ｃに沿ってダイシングブレード９を走行させることで、配線基板３１を切断する。

ここで、ダイシングブレード９は、図９に示すブレード幅３２ｈであるダイシング領域３２ｃの幅（第１の幅）を有している。

また、本実施の形態で言う「ダイシングブレード９を走行させる」とは、ダイシングブレード（回転する切断刃）９は所定の位置に固定しておき、配線基板３１を支持（固定）する図示しないダイシング装置のステージを移動させることで、この回転する切断刃が配線基板３１に挿入され、配線基板３１の切断が行われるものである。このとき、本実施の形態では、配線基板３１上に搭載された複数の半導体チップを一括して封止しているため、配線基板３１だけでなく、一括封止体１３のうちの配線基板３１のダイシング領域３２ｃと重なる除去部も切断（除去）する。

なお、本実施の形態では、配線基板３１の全てのターゲットマーク３２ｅを確認し、各ダイシング領域３２ｃを特定してからダイシングを行うが、これに限らず、ある一部のダイシング領域３２ｃを特定し、このダイシング領域３２ｃを切断してから、次のダイシング領域３２ｃを特定してもよい。

次に、本願発明者が見出した切断工程における課題について詳しく説明する。

切断工程では、繰り返しダイシング工程を行うことで、図３４に示すように、ダイシングブレード４４のエッジ４４ａは摩耗する（点線部分）。そして、ダイシングブレード４４が摩耗していると、配線基板４１に形成されたターゲットマーク４２の中央部にダイシングブレード４４の中央部が接触してから、ターゲットマーク４２の周縁部にダイシングブレード４４のエッジ４４ａが接触することになる。

これにより、図３５に示すように、ターゲットマーク４２の一部がその周囲に排斥される。そして、ダイシングブレード４４が配線基板４１に更に進入すると、図３６に示すように、排斥されたターゲットマーク４２の一部はターゲットマーク４２から分離し、異物（金属屑、金属片）４３となる。その後、生成された異物４３は飛散する、あるいは、ダイシングブレード４４の表面に付着する。

なお、ダイシングブレード４４の表面に異物４３が付着した場合についても、互いに隣り合うデバイス領域間（すなわち、ダイシング領域３２ｃ内）にダイシングブレード４４が位置している際に、このダイシングブレード４４の表面から異物４３が剥がれ落ちる恐れがある。また、異物４３が各デバイス領域（半導体装置領域）における電極間あるいは外部端子間に跨ると、短絡してしまう。さらには、本実施の形態のように、異物４３が銅（Ｃｕ）から成る金属屑の場合、電極間あるいは外部端子間に付着した金属異物（異物４３）は、その後の洗浄工程で除去できない恐れがある。

しかしながら、本実施の形態の半導体装置の製造方法では、配線基板３１のダイシング領域３２ｃおよびその延長線Ｌ０上には、ターゲットマーク４２が設けられていないため、切断工程において、ダイシングブレード９を用いて切断を行う際に、ダイシングブレード９がターゲットマーク３２ｅ上を通ることはない。

すなわち、切断工程において、ダイシングブレード９が、絶縁膜などで覆われていないターゲットマーク３２ｅを切断することはないため、仮にダイシングブレード９のエッジ部が摩耗している場合であっても、ターゲットマーク３２ｅ（導電性部材）が排斥されることはなく、図３６に示すような導電性部材による異物４３の発生を抑えることができる。

したがって、ＢＧＡ１の組み立てにおいて短絡の発生などを抑えることができるため、ＢＧＡ（半導体装置）１の組み立てにおける信頼性の向上を図ることができる。

また、図９に示すように、ターゲットマーク３２ｅが、最外周ランド列１６ｃの仮想延長線Ｌ１と、最外周ランド列１６ｄの仮想延長線Ｌ２との間に設けられている。これにより、ターゲットマーク３２ｅを確認する際の画像認識領域を狭くすることができ、その結果、ターゲットマーク３２ｅを認識する際の画像処理を高い精度（高解像度）で行うことができる。

すなわち、ターゲットマーク３２ｅが半導体装置領域（またはダイシング領域３２ｃ）から離れ過ぎていると、ターゲットマーク３２ｅを確認する際の画像認識領域を広くする必要があり、これにより、画像処理の認識精度（解像度）が低くなるが、本実施の形態の半導体装置の製造方法では、上述のように画像処理を高い認識精度（高解像度）で行うことができる。

したがって、配線基板３１の位置合わせ、およびダイシングブレード９の走行精度を高い精度で行うことができる。

また、図９に示すように、ターゲットマーク３２ｅの第１パターン３２ｅａや第２パターン３２ｅｂが、交差部３２ｅａｃ，３２ｅｂｃを有していることにより、切断工程において、ターゲットマーク３２ｅを認識した際に、交差部３２ｅａｃ，３２ｅｂｃの隅部を認識することができる。

すなわち、第１パターン３２ｅａや第２パターン３２ｅｂにおいて、Ｘ方向とこれに交差するＹ方向の交差点を認識することが可能になるため、配線基板３１のθずれの判別や、ダイシングブレード９で切断する位置（線、ダイシングライン）の特定を、より高精度に行うことができる。

また、ターゲットマーク３２ｅにおいて、第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂとが離間しており、その離間距離が、ダイシングブレード９の幅（ブレード幅３２ｈ）より大きいことにより、切断時に、ダイシングブレード９を第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂとの間に通すことができる。すなわち、ダイシングブレード９の位置ずれが起きなければ、が第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂに触れることはない。

これにより、切断後の不良解析を容易に行うことができる。すなわち、対向する２つのパターンである第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂとの間を、設計通りにダイシングブレード９が走行しているか否かを、作業者が目視で容易に確認することもできる。

その結果、切断工程において、異常値発生などの際にも、作業に迅速にフィードバックを掛けて対応を行うことが可能になる。

＜変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

（変形例１）
上記実施の形態では、半導体装置の製造方法として、ＭＡＰ方式を採用した組み立てについて説明したが、上記半導体装置の組み立てとしては、ＭＡＰ方式に限定されるものではなく、配線基板の個々の半導体装置領域を個別に樹脂モールドし、その後、ダイシングによる切断を行って個々の半導体装置を取得する個片モールド方式の組み立てを採用してもよい。

（変形例２）
上記実施の形態では、半導体装置の一例として、半田ボール６を有するＢＧＡの場合を説明したが、上記半導体装置は、ＢＧＡに限らず、半田ボール６のような突起状の導電性部材ではなく、メッキ膜のような導電性部材がランドの表面に形成された、あるいはランドの表面が導電性部材で覆われない、ＬＧＡ（Land Grid Array)であってもよい。

（変形例３）
上記実施の形態では、基板準備工程で準備される配線基板３１が、そのダイシング領域３２ｃにおいて、メッキ用の給電線がエッチング等によって予め除去されている基板の場合を説明したが、ダイシング領域３２ｃ内にメッキ用の給電線が設けられた状態の配線基板を準備した後、ダイシング領域３２ｃ内のメッキ用の給電線をエッチング等によって除去してもよい。

（変形例４）
図２６は図２０に示す個片化時の実装面側の基板構造（エッチバック無し）の一例を示す部分拡大平面図、図２７は図２６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。

上記実施の形態では、基板準備工程で準備される配線基板３１が、そのダイシング領域３２ｃにおいて、メッキ用の給電線が予め除去されている場合を説明したが、図２６および図２７に示すように、ダイシング領域３２ｃ内に設けられているメッキ用の給電線３２ｉは、除去されずに残存していてもよい。

ただし、この場合は、ダイシング領域３２ｃ内に設けられているメッキ用の給電線３２ｉを、例えばソルダレジスト層（絶縁膜、保護膜）１４で覆っておく必要がある。そのため、上記実施の形態とは異なり、各デバイス領域（各半導体装置領域）上だけではなく、このダイシング領域３２ｃ上にも、図２７に示すようにソルダレジスト層（絶縁膜、保護膜）１４が存在することになる。

そして、ダイシング領域３２ｃに設けられたメッキ用の給電線３２ｉは、ソルダレジスト層１４によって覆われている、すなわち、ソルダレジスト層１４で押さえつけられているため、切断工程において、そのエッジが摩耗したダイシングブレード９を用いて配線基板３１を切断したとしても、排斥状態にはならず、この結果、図３６に示すような異物４３が発生することはない。

（変形例５）
図２８は変形例５の配線基板の実装面側の構造を示す部分拡大平面図である。

上記実施の形態では、ターゲットマーク３２ｅが、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０上には設けられずに、かつ平面視において、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と最外周ランド列１６ｃの仮想延長線Ｌ１との間、およびダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と最外周ランド列１６ｄの仮想延長線Ｌ２との間に設けられている場合について説明した。

しかしながら、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と最外周ランド列１６ｃの仮想延長線Ｌ１との間、および上記延長線Ｌ０と上記仮想延長線Ｌ２との間には、少なくとも、ターゲットマーク３２ｅを構成するパターンの認識に必要な主要部が配置されていればよい。

例えば、ターゲットマーク３２ｅにメッキ用の給電線３２ｉが接続されている場合は、図２８に示すようにターゲットマーク３２ｅのうち、第１延在部（主要部）３２ｅａａに交差する第２延在部３２ｅａｂの一部や、第１延在部（主要部）３２ｅｂａに交差する第２延在部３２ｅｂｂの一部のそれぞれは、仮想延長線Ｌ１，Ｌ２を跨がって上記延長線Ｌ０から遠ざかる方向に延在していてもよい。

（変形例６）
図２９〜図３３に示す変形例６のターゲットマークの構造を示す部分拡大平面図である。

上記実施の形態では、ターゲットマーク３２ｅの第１パターン３２ｅａもしくは第２パターン３２ｅｂが、それぞれダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０の両側に別個に配置されていたが、図２９に示す例は、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０の一方の側のみに設けられている。

例えば、図２９に示す例では、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と図２８の最外周ランド列１６ｄの仮想延長線Ｌ２との間にターゲットマーク３２ｅの第２パターン３２ｅｂが設けられており、第２パターン３２ｅｂは、第１延在部３２ｅｂａと第２延在部３２ｅｂｂとからなる。

したがって、第２パターン３２ｅｂは、交差部３２ｅｂｃを備えている。

ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０の片側にのみターゲットマーク３２ｅが設けられている場合であっても、交差部３２ｅｂｃを有していることで、ターゲットマーク３２ｅを認識することができる。

図３０に示す例は、ターゲットマーク３２ｅがダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０と同方向に沿った第１延在部３２ｅｂａのみの場合である。すなわち、ターゲットマーク３２ｅが、一方向にのみ延在する第１延在部３２ｅｂａのパターンの場合である。

この場合、第１延在部３２ｅｂａの全周縁部（辺）がソルダレジスト層１４の開口部３２ｆの領域内に配置されていることが望ましく、辺の直線部分や角部を認識することで、ターゲットマーク３２ｅを認識することが可能になる。

なお、ターゲットマーク３２ｅの全周縁部（辺）がソルダレジスト層１４の開口部３２ｆの領域内に配置されているパターンの場合には、無電解メッキ方式でメッキを形成することになる。

図３１に示す例は、ターゲットマーク３２ｅが、ダイシング領域３２ｃの延長線Ｌ０の両側に設けられている場合であり、一方の側に設けられた第１パターン３２ｅａと、他方の側に設けられた第２パターン３２ｅｂとからなり、パターンの大きさが、互いに異なっている場合である。

すなわち、第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂの大きさは、互いに異なっていてもよい。図３１に示す例では、第１パターン３２ｅａおよび第２パターン３２ｅｂとも、交差部３２ｅａｃ，３２ｅｂｃを備えており、第１延在部３２ｅａａ，３２ｅｂａそれぞれの長辺や、交差部３２ｅａｃ，３２ｅｂｃを認識することにより、ターゲットマーク３２ｅの認識だけでなく、ダイシングラインの特定をより高精度に行うことができる。

図３２に示す例では、ターゲットマーク３２ｅの第１パターン３２ｅａと第２パターン３２ｅｂのうち、第１パターン３２ｅａが交差部３２ｅａｃを備え、さらに第２パターン３２ｅｂが第１パターン３２ｅａより大きく、かつ第２パターン３２ｅｂは、その１辺のみがソルダレジスト層１４の開口部３２ｆ内に配置されている場合である。

このようなターゲットマーク３２ｅの場合でも、第２パターン３２ｅｂの１辺（長辺）の直線部分と第１パターン３２ｅａの交差部３２ｅａｃを認識する等してターゲットマーク３２ｅを高精度に認識することができる。

図３３に示す例は、ターゲットマーク３２ｅとして、第２パターン３２ｅｂのみが設けられ、かつ第２パターン３２ｅｂの１辺（長辺）のみがソルダレジスト層１４の開口部３２ｆに露出している場合である。

このような場合においても、第２パターン３２ｅｂの１辺（長辺）の直線部分を認識することにより、ターゲットマーク３２ｅを確実に認識することができる。

（変形例７）
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。

１ ＢＧＡ（半導体装置、半導体パッケージ）
２ 半導体チップ
２ａ 電極（ボンディングパッド、パッド電極）
２ｂ 表面（主面、上面）
２ｃ 裏面（実装面、下面）
３ 配線基板
３ａ 上面（チップ支持面）
３ｂ 下面（実装面）
４ ボンディングワイヤ
５ 封止体（封止樹脂、樹脂体、封止部、封止樹脂部）
６，６ａ，６ｂ 半田ボール（外部端子）
７ 半導体チップ
７ａ 電極（ボンディングパッド、パッド電極）
８ 接着材（ダイボンド材、接合材）
９ ダイシングブレード
１０ 固定テープ（ダイシングテープ）
１１ 基材層（コア材）
１２ 導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層）
１３ 一括封止体（封止樹脂、封止部、一括封止部）
１４ ソルダレジスト層（絶縁層、絶縁膜、半田レジスト層）
１５，１５ａ，１５ｂ 接続端子（ボンディングリード、電極）
１６，１６ａ，１６ｂ ランド（バンプランド、ランド部、電極）
１６ｃ，１６ｄ 最外周ランド列
１７ 封止構造体
３１ 配線基板（配線基板母体）
３１ａ 上面（チップ搭載面）
３１ｂ，３１ｂａ，３１ｂｂ 半導体装置領域（上面側デバイス領域）
３１ｃ ダイシング領域（スクライブ領域、切断領域）
３２ａ 下面（実装面）
３２ｂ，３２ｂａ，３２ｂｂ 半導体装置領域（下面側デバイス領域）
３２ｃ ダイシング領域（スクライブ領域、切断領域）
３２ｄ 周縁部
３２ｅ ターゲットマーク（ターゲットパターン）
３２ｅａ 第１パターン
３２ｅａａ 第１延在部
３２ｅａｂ 第２延在部
３２ｅａｃ 交差部
３２ｅｂ 第２パターン
３２ｅｂａ 第１延在部
３２ｅｂｂ 第２延在部
３２ｅｂｃ 交差部
３２ｆ 開口部
３２ｇ アライメントパターン
３２ｈ ブレード幅
３２ｉ 給電線
３３ 位置決め孔
３４ ガイド孔
４１ 配線基板
４２ ターゲットマーク
４３ 異物（屑、金属片）
４４ ダイシングブレード
４４ａ エッジ部

Claims (4)

1. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
   （ａ）上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記下面に設けられた第１デバイス領域と、前記下面に設けられ、かつ、前記第１デバイス領域の隣に設けられた第２デバイス領域と、前記第１デバイス領域と前記第２デバイス領域との間に設けられたダイシング領域と、前記下面に設けられ、かつ、前記第１デバイス領域、前記第２デバイス領域および前記ダイシング領域の周囲に設けられた周縁部と、前記周縁部に設けられ、かつ、前記ダイシング領域の延長線上には設けられないターゲットマークと、前記第１デバイス領域において行列状に設けられた複数の第１バンプランドと、前記第２デバイス領域において行列状に設けられた複数の第２バンプランドと、前記複数の第１バンプランドおよび前記複数の第２バンプランドを露出するように前記下面上に形成された絶縁膜と、を備えた配線基板を準備する工程；
   ここで、
   前記複数の第１バンプランドは、前記複数の第１バンプランドのうちの最外周列に配置され、かつ、前記ダイシング領域に最も近い第１最外周バンプランド列を有し、
   前記複数の第２バンプランドは、前記複数の第２バンプランドのうちの最外周列に配置され、かつ、前記ダイシング領域に最も近い第２最外周バンプランド列を有し、
   前記ターゲットマークは、平面視において前記ダイシング領域の前記延長線と前記第１最外周バンプランド列の延長線との間に設けられた第１パターンと、平面視において前記ダイシング領域の前記延長線と前記第２最外周バンプランド列の延長線との間に設けられ、かつ、前記第１パターンから離間した第２パターンと、から成り、
   前記第１パターンおよび前記第２パターンには、第１給電線および第２給電線が、それぞれ接続されており、
   前記第１給電線および前記第２給電線のそれぞれは、前記絶縁膜から露出した第１部分と、前記絶縁膜で覆われた第２部分と、を有し、
   前記第１パターン、前記第２パターン、前記第１給電線および前記第２給電線のそれぞれは、導電性部材から成り、
   前記絶縁膜から露出する前記第１パターンの表面および前記絶縁膜から露出する前記第２パターンの表面には、前記第１給電線および前記第２給電線を用いて、電解メッキ膜がそれぞれ形成されており、
   （ｂ）前記（ａ）工程の後、前記配線基板の前記上面に第１半導体チップおよび第２半導体チップを、それぞれ搭載する工程；
   （ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを樹脂で封止する工程；
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数の第１バンプランドに複数の第１外部端子を、前記複数の第２バンプランドに複数の第２外部端子を、それぞれ形成する工程；
   （ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記ターゲットマークに基づいて前記ダイシング領域を特定し、前記ダイシング領域に沿って前記配線基板を切断する工程、
   ここで、
   前記（ｅ）工程では、回転する切断刃を用いて、前記配線基板の前記ダイシング領域と、前記配線基板の前記周縁部のうち、前記第１パターン、前記第２パターン、前記第１給電線および前記第２給電線が設けられていない前記第１パターンと前記第２パターンの間の領域を切断する。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記配線基板の前記上面上には、絶縁膜が形成されており、
   前記複数の第１バンプランドおよび第２バンプランドのそれぞれの表面にはメッキ膜が形成されており、
   前記メッキ膜を形成する工程では、前記ダイシング領域に形成された給電線を用いて前記メッキ膜を形成し、
   前記メッキ膜を形成した後、前記配線基板の前記ダイシング領域に形成された前記給電線および前記給電線を覆う前記絶縁膜は除去される、半導体装置の製造方法。
3. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記配線基板の前記ダイシング領域には、前記第１パターン、前記第２パターン、前記複数の第１バンプランドおよび前記複数の第２バンプランドのそれぞれと電気的に接続する第３給電線が設けられており、
   前記第３給電線は前記絶縁膜によって覆われている、半導体装置の製造方法。
4. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１パターンと前記第２パターンのそれぞれの大きさは、互いに異なっている、半導体装置の製造方法。

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