JP6189298B2 - 大面積可撓性oledアセンブリにおける温度管理 - Google Patents
大面積可撓性oledアセンブリにおける温度管理Info
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Description
OLEDの電力密度は一般的に0.01m2当たり約1ワットであり、そのためP/AO≒100W/m2である。有機層の外気温に対する許容可能な温度上昇は最大約40〜60Kである。その上昇のいくぶんか、例えば10Kを、熱経路内の任意の単一の要素、例えばカソード202自体に割り当てることができる場合、カソード202の厚さtと熱伝導率kとの許容可能な最大の比は、t/k=0.1Km2/Wであると推定することができる。k≒100W/m−Kの一般的な値について、許容可能な厚さはt<10mである。そのため、事実、均一な放熱に起因する温度上昇は無視できるものであり、カソード202又は同様の寸法を有する他の平坦なOLED層のいずれかの厚さ又は熱伝導率に限界をもたらさない。k≒0.1W/m−Kの値についてさえ、層の許容可能な厚さはt<10mmである。
空気と接触している平坦な表面の対流係数hは、垂直又は水平配向、表面形状、及び他の要因に応じて変化するが、一般的には約10W/m2Kである。P/AO≒100W/m2の一般的な事例について、式2の結果はΔT≒10Kであり、これは概して、OLEDにとって、周囲を上回る許容可能な温度上昇である。式1及び式2の結果は、均一な熱負荷、約100W/m2に起因してOLEDが熱せられる結果、OLED層のいずれもがt/k<0.1Km2/Wの比を有しない限り、外気に対する自由対流によって制限される、OLEDの均一な温度上昇は外気に対して約10Kであることを示している。これによって、一般的に、0.1W/m−K程度の小さいkに対してさえ、最大10mm程度までの厚さtが可能である。均一な熱負荷は一般的に、OLED構造を過熱しない。
それに沿って熱を伝導しなければならない長さLは、任意の所与のOLED層(複数の場合もあり)、例えば、カソード202の厚さtよりもはるかに長く、それを通じて熱が伝導される断面積AXは、表面積AOよりもはるかに小さい。そのため、OLED層(複数の場合もあり)に対する厚さt及び熱伝導率kに対する要件は、均一な熱負荷に対するものよりもはるかに要求が厳しい。均一な熱負荷の事例においてはOLED上で外気に対して約10Kの温度上昇が発生するため、かつ局所的な加熱に起因するさらなる温度上昇がもう約10K又は最大でも約50Kに制限されなければならないため、局所ホットスポットは、比較的大きい表面積AS≒L2にわたって空気に対する対流によって放散されなければならない。それを通じて熱がホットスポットから外に伝導される、OLED層、例えばカソード202の実効断面積は、AX≒t×Lである。式(3)は単純化して式(4)になり、これは予期されるようにLから独立している。
再び、1WのOLEDの事例を考え、局所ホットスポットにおいて発生する熱はOLED全体において発生するすべての熱の0.1%、すなわち0.001Wであり、許容可能なΔTは約10Kである場合、t×k>0.0001W/Kが必要とされる。例えば、k≒100W/m−Kである場合、t>10-6m=1μmが必要とされる。上記の推定値は約1桁分内でのみ精密であるが、例えば、電気接点における一般的な抵抗損を表し得る、加熱の不均一性が総OLED出力の約0.1%である事例について、局所ホットスポットにおけるさらなる加熱を10Kに制限するために、kの値は100W/m−K以上、又は100W/m−Kのかなりの割合であるべきであり、tの値は約1μm以上、又は1μmのかなりの割合であるべきであることが実証されている。
Claims (23)
- 大面積可撓性有機発光デバイス(OLED)アセンブリ(100)であって、
(a)大面積可撓性OLED(102)であって、該OLED(102)の正面及び裏面上のバリア内に封入されたOLED(102)と、
(b)OLED用の温度管理手段であって、(b1)OLEDの裏面からバリアを通して延在し、裏面のバリアよりも大きい熱伝導率を有する材料から形成されるフィードスルーパッチと、(b2)OLEDの裏面に設けられ、フィードスルーパッチから、OLEDアセンブリを受ける固定具まで延在する放熱トレースとを含む温度管理手段と
を備える、OLEDアセンブリ。 - 温度管理手段が、厚さ500nm以上の金属カソードを含む、請求項1記載のOLEDアセンブリ。
- 金属カソードの厚さが2000nm以下である、請求項2記載のOLEDアセンブリ。
- 金属カソードが15(スズ)〜110(ケイ素)GPaの剛性率を有する、請求項2又は請求項3記載のOLEDアセンブリ。
- 金属カソードが20(アンチモン)〜430(銀)W/(mK)の熱伝導率を有する、請求項2乃至請求項4のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- 金属カソードが、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、又はそれらの混合物、組合せもしくは合金からなる群から選択される金属を含む、請求項2乃至請求項5のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- 金属カソードが複数の材料を含む、請求項2乃至請求項6のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- 金属カソードが2層構造であって、第1の層が50nm以下の厚さを有し、熱伝導性の第2の層の厚さが450nm以上であり、2層の合計の厚さが500nm以上である、請求項7記載のOLEDアセンブリ。
- 第1の層がアルミニウ又は銀のうちの一方であり、第2の層がアルミニウム又は銀のうちの他方であるか、或いはケイ素(Si)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)又はそれらの混合物、組合せもしくは合金である、請求項8記載のOLEDアセンブリ。
- OLEDが1ワット以上60ワット未満の範囲で動作する、請求項1乃至請求項9のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- OLEDの領域が70cm2よりも大きい発光表面積を有する、請求項1乃至請求項10のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- フィードスルーパッチが金属を含む、請求項1乃至請求項11のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- 温度管理手段が高熱伝導性接着剤を含む、請求項1乃至請求項12のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- 接着剤が1.0W/(mK)〜5.0W/(mK)の熱伝導率を有する、請求項13記載のOLEDアセンブリ。
- 接着剤が10〜100μmの厚さを有する、請求項13又は14記載のOLEDアセンブリ。
- 放熱トレースが金属の薄層を含む、請求項1乃至請求項15のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- 放熱トレースの薄層金属が、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、又はそれらの混合物、組合せもしくは合金からなる群から選択され、10〜100μm程度の厚さを有する、請求項16記載のOLEDアセンブリ。
- 放熱トレースが、金属の薄層に隣接して位置する、グラファイト、グラフェン酸化物、ITO、ハロゲン化酸化スズ、ZnO及び複合ポリスチレンの1種以上を含む、請求項16又は請求項17記載のOLEDアセンブリ。
- 温度管理手段が、気密封止OLEDの裏面に沿って設けられた薄い可撓性プレートを含み、可撓性プレートが固定具である、請求項1乃至請求項18のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- プレートが金属を含む、請求項19記載のOLEDアセンブリ。
- プレートの金属が、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、又はそれらの混合物、組合せもしくは合金からなる群から選択され、10〜100μm程度の厚さを有する、請求項19記載のOLEDアセンブリ。
- プレートが、発光面積の少なくとも30%である露出表面積を有する、請求項19乃至請求項21のいずれか1項記載のOLEDアセンブリ。
- 温度管理手段がさらに、OLEDの周縁端部に沿って設けられた周縁放熱トレース(154)を含み、放熱トレースが周縁放熱トレースに接続された、請求項1記載のOLEDアセンブリ。
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