JP6182840B2 - 放射線検出器の製造方法 - Google Patents
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Description
前記センサ基板は、受光可能な複数の画素を有する。
前記シンチレータ層は、前記センサ基板上に設けられている。
前記隔壁は、300μm以上800μm以下の高さ、及び、10μm以上40μm以下の幅を有し、前記シンチレータ層を画素ごとに区画するように設けられている。
前記隔壁が形成された前記基板を焼成することにより、300μm以上800μm以下の高さ、及び、10μm以上40μm以下の幅を有する前記隔壁が形成される。
前記焼成後、前記基板上の前記隔壁により囲まれた領域内にシンチレータ材料が充填される。
なお、本技術に係る上記の「基板」は、受光可能な前記複数の画素を有するセンサ基板であってもよいし、それに対向する対向基板であってもよい。
図1においては、センサ基板11の構造を簡略化して示している。センサ基板11は、受光可能な複数の画素PXからなる画素部(後述の画素部10)を有する。センサ基板11は、この画素部10の周辺領域に、画素部10を駆動するための駆動回路が配設されるようにして構成される。画素部10は、TFT(Thin Film Transistor)等のスイッチ素子(後述のトランジスタTr)と、図1に示すように、光電センサであるフォトダイオード16とを画素ごとに有している。これらの素子の構造及び配置などは、公知の種々の構造及び配置が適用され得る。
シンチレータ層12は、放射線の照射により蛍光を発する放射線蛍光体により構成される層である。シンチレータ層12の材料であるシンチレータ材料は、少なくとも蛍光体材料を含む。蛍光体材料としては、放射線のエネルギーを吸収して、例えば波長が300nm〜800nmの電磁波(可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波(光))への変換効率が高いものが望ましい。後に製造方法の説明においても述べるが、例えばGd2O2Sを主成分とする蛍光体粒子を含むペースト材料の塗布により、シンチレータ層が形成され得る。
基本組成式(I):MIX・aMIIX'2・bMIIIX''3:zA
で表わされるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を用いてもよい。
基本組成式(II):MIIFX:zLn
で表わされる希土類付活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体を用いてもよい。上記式において、MIIはBa,Sr及びCaからなる群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属を表す。LnはCe,Pr,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Nd,Er,Tm及びYbからなる群より選択される少なくとも1種の希土類元素を表す。Xは、Cl,Br及びIからなる群より選択される少なくとも1種のハロゲン元素を表す。また、zは、0<z≦0.2である。
また、基本組成(III):Ln2O2S
で表される希土類酸硫化物系蛍光体を用いてもよい。
上記式において、LnはLa,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Lu及びYbからなる群より選択される少なくとも2種の希土類元素を表す。
また、他に、LnTaO4:(Nb,Gd)系,Ln2SiO5:Ce系,LnOX:Tm系(Lnは希土類元素である),ZnWO4,LuAlO3:Ce,Gd3Ga25O12:Cr,Ce、HfO2等が挙げられる。
対向基板13は、例えば1mm以下の厚さを有するガラス板であり、シンチレータ層12を上面から封止し、シンチレータ層12への水分の浸入を防ぐものである。この対向基板13の側面には、耐衝撃性能を高める(微小クラックに起因する割れを防ぐ)ための樹脂コーティングが施されていてもよいし、対向基板13とシンチレータ層12との間に、反射膜など他の層が積層されていてもよい。
図3は、センサ基板11における画素部10と、その周辺領域に配設された画素駆動回路の一例を模式的に示す。このように、センサ基板11では、画素部10の周囲に、画素部10を駆動するための回路部15が配設されている。画素部10では、フォトダイオード16及びトランジスタを含む画素(単位画素)PXがマトリクス状に配置されている。各画素PXは、画素駆動線27(具体的には、行選択線)及び信号線28に接続されている。
図6は、隔壁の幅(d1)と、その幅の隔壁を有する放射線検出器により得られる輝度(輝度比)との関係を示すグラフである。図7は、その関係を示す表である。
図8は、隔壁の高さ(d2)と、その高さの隔壁を有する放射線検出器により得られる輝度(輝度比)との関係を示すグラフである。図9は、その関係を示す表である。
図10は、例1に係る放射線検出器を示す。この放射線検出器51は、センサ基板11、対向基板13、隔壁14及びシンチレータ層52を備える。シンチレータ層52は、蛍光体材料で形成される蛍光体層521と、蛍光体材料及び樹脂材料の両方を含む混合層522とを含む。混合層522は、蛍光体層521とセンサ基板11との間に設けられている。
400μm〜600μmである。この隔壁14のサイズは、後述する例2〜4に係る実施形態においても同様に適用され得る。混合層の厚さは、10μm〜200μmとされることが望ましい。
図13は、例2に係る放射線検出器の製造方法を説明するための図である。
この例2に係る放射線検出器61では、対向基板13上に形成された隔壁14内の領域に、蛍光体材料及び樹脂材料の両方を含む材料62'が充填され、その充填後の焼成(例えば図5のステップ112に相当する「焼成」)が行われないことにより、樹脂材料が除去されないでシンチレータ層62に全体的に分布するように残存する。この樹脂材料は、上記例1で挙げた樹脂材料でよい。
図14は、例3に係る放射線検出器の製造方法を説明するための図である。
この例3に係る放射線検出器71では、対向基板13上に形成された隔壁14内の領域に、蛍光体材料及びガラス材料(例えばガラス粒子)の両方を含む材料72’が充填される。その後、これが焼成される。焼成の温度や時間等の条件によって、ガラスの状態や含有量が適宜調整され得る。
図15は、例4に係る放射線検出器の製造方法を説明するための図である。
この例4に係る放射線検出器81では、対向基板13上に形成された隔壁14内の領域に、蛍光体材料が充填される。そして、その隔壁14及びシンチレータ層12上に、樹脂材料を含むシート82が転写される。このシート82は、そのシンチレータ層12及び隔壁14と、図示しないセンサ基板との間に設けられるキャップ層として機能する。
図16は、例5に係る放射線検出器の製造方法を説明するための図である。図17は、その製造方法を示すフローチャートである。
これらのそれぞれの場合において、隔壁14の厚さは、上記したように、10μm〜40μm、10μm〜35μm、または、10μm〜30μm、20〜40μm、20〜35μm、20〜30μmなどの範囲を取り得る。
その場合、そのガラス転移温度が上記同様に600℃以上とされてもよい。基板の比重は、2.4g/cm3以下で、その厚さは0.5mm〜1.0mmであってもよいが、これらの値には限られない。
また、センサ基板11側の熱膨張係数が、ガラス基板のそれに対して±20%の範囲内であってもよい。これは、両者の熱膨張係数差が大きすぎることによる、センサとシンチレータの位置すれを抑制するためである。
また、蛍光体材料の融点は、上記のような製造プロセス上、600℃以下であってもよい。
(1)受光可能な複数の画素を有するセンサ基板と、
前記センサ基板上に設けられたシンチレータ層と、
300μm以上800μm以下の高さ、及び、10μm以上40μm以下の幅を有し、前記シンチレータ層を画素ごとに区画するように設けられた隔壁と
を具備する放射線検出器。
(2)(1)に記載の放射線検出器であって、
前記隔壁の材料の主成分が無機材料である
放射線検出器。
(3)(2)に記載の放射線検出器であって、
前記隔壁に含まれる前記無機材料は、ガラス及びセラミックのうち少なくとも一方を含有する
放射線検出器。
(4)(2)または(3)に記載の放射線検出器であって、
前記隔壁の材料は、60重量%以上100重量%以下のガラスを含有する
放射線検出器。
(5)(1)から(4)のうちいずれか1項に記載の放射線検出器であって、
前記シンチレータ層は、蛍光体材料及び樹脂材料を含む
放射線検出器。
(6)(5)に記載の放射線検出器であって、
前記シンチレータ層は、
前記蛍光体材料で形成された蛍光体層と、
前記蛍光体層と前記センサ基板との間に配置され、前記蛍光材料及び前記樹脂材料の両方を含む混合層とを含む
放射線検出器。
(7)(1)から(4)のうちいずれか1項に記載の放射線検出器であって、
前記シンチレータ層は、蛍光体材料及びガラス材料を含む
放射線検出器。
(8)(1)から(4)のうちいずれか1項に記載の放射線検出器であって、
前記シンチレータ層は、蛍光体材料を含み、
前記放射線検出器は、前記シンチレータ層及び前記隔壁と、前記センサ基板との間に設けられたキャップ層をさらに具備する
放射線検出器。
(9)(8)に記載の放射線検出器であって、
前記キャップ層は、少なくとも樹脂材料を含む
放射線検出器。
(10)(9)に記載の放射線検出器であって、
前記キャップ層は、前記蛍光体材料及び前記樹脂材料を混合した材料を含む
放射線検出器。
(11)フォトマスクを用いた感光性ペースト材料の露光処理及びその現像処理により、隔壁を基板上に形成し、
前記隔壁が形成された前記基板を焼成することにより、300μm以上800μm以下の高さ、及び、10μm以上40μm以下の幅を有する前記隔壁を形成し、
前記焼成後、前記基板上の前記隔壁により囲まれた領域内にシンチレータ材料を充填する
放射線検出器の製造方法。
(12)(11)に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記感光性ペースト材料は、無機材料と有機バインダとを含有する
放射線検出器の製造方法。
(13)(11)または(12)に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記基板は、受光可能な前記複数の画素を有するセンサ基板に対向する対向基板であり、
前記隔壁は、複数の画素に対応するように形成され、
前記シンチレータ材料で構成されるシンチレータ層が、前記センサ基板上に配置されるように、前記センサ基板及び前記対向基板を貼り合わせる工程
をさらに具備する放射線検出器の製造方法。
(14)(11)から(13)のうちいずれか1項に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記シンチレータ材料の充填により形成されたシンチレータ層上に、少なくとも樹脂材料を含む材料を塗布または転写する工程
をさらに具備する放射線検出器の製造方法。
(15)(14)に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記塗布工程は、前記樹脂材料を含む溶液を、前記シンチレータ層上に塗布する
放射線検出器の製造方法。
(16)(14)に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記転写工程は、前記樹脂材料を含むシート材料を、前記シンチレータ層上に転写する
放射線検出器の製造方法。
(17)(14)に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記塗布工程は、蛍光体材料及び前記樹脂材料を含むペースト材料を、前記シンチレータ層上に塗布する
放射線検出器の製造方法。
(18)(11)または(12)に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記基板は、受光可能な複数の画素を有するセンサ基板であり、
前記隔壁は、前記複数の画素に対応するように形成される
放射線検出器の製造方法。
(19)(18)に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記センサ基板上の、前記シンチレータ材料の充填により形成されたシンチレータ層上に、少なくとも樹脂材料を含む材料を塗布または転写する工程と、
前記材料が塗布または転写された前記シンチレータ層が、対向基板上に配置されるように、前記センサ基板及び前記対向基板を貼り合わせる工程と
をさらに具備する放射線検出器の製造方法。
11…センサ基板
12、52、62、72…シンチレータ層
13…対向基板
14…隔壁
16…フォトダイオード
82…シート
92…ペースト材料
Claims (2)
- 受光可能な複数の画素を有するセンサ基板と、前記センサ基板に対向する対向基板とを備える放射線検出器の製造方法であって、
フォトマスクを用いた感光性ペースト材料の露光処理及びその現像処理により、60重量%以上100重量%以下のガラスを含有する材料でなる隔壁を前記対向基板上に形成し、
前記隔壁が形成された前記対向基板を焼成することにより、300μm以上800μm以下の高さ、及び、10μm以上40μm以下の幅を有する前記隔壁を形成し、
前記焼成後、前記対向基板上の前記隔壁により囲まれた領域内に、粉粒状の蛍光体材料を含むシンチレータ材料を充填し、
前記シンチレータ材料の充填により形成されたシンチレータ層上に、蛍光体材料及び樹脂材料を含むシート材料を転写することで、300μmの厚さのキャップ層を形成し、
前記シート材料の転写後、前記シンチレータ層及びその上の前記シート材料が前記センサ基板と前記対向基板との間に配置されるように、前記センサ基板及び前記対向基板を貼り合わせる
放射線検出器の製造方法。 - 請求項1に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記感光性ペースト材料は、無機材料と有機バインダとを含有する
放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012201790A JP6182840B2 (ja) | 2012-06-25 | 2012-09-13 | 放射線検出器の製造方法 |
PCT/JP2013/002976 WO2014002363A1 (ja) | 2012-06-25 | 2013-05-09 | 放射線検出器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012142132 | 2012-06-25 | ||
JP2012142132 | 2012-06-25 | ||
JP2012201790A JP6182840B2 (ja) | 2012-06-25 | 2012-09-13 | 放射線検出器の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017145110A Division JP6515958B2 (ja) | 2012-06-25 | 2017-07-27 | 放射線検出器及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014029314A JP2014029314A (ja) | 2014-02-13 |
JP2014029314A5 JP2014029314A5 (ja) | 2015-04-02 |
JP6182840B2 true JP6182840B2 (ja) | 2017-08-23 |
Family
ID=49782565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012201790A Active JP6182840B2 (ja) | 2012-06-25 | 2012-09-13 | 放射線検出器の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6182840B2 (ja) |
WO (1) | WO2014002363A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017191113A (ja) * | 2012-06-25 | 2017-10-19 | ソニー株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11597877B2 (en) | 2013-01-21 | 2023-03-07 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Passivation of metal halide scintillators |
US10087367B2 (en) | 2013-01-21 | 2018-10-02 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Passivation of metal halide scintillators |
US11098248B2 (en) | 2013-01-21 | 2021-08-24 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Passivation of metal halide scintillators |
KR102098124B1 (ko) * | 2013-11-20 | 2020-04-07 | 도레이 카부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 |
US10393887B2 (en) * | 2015-07-19 | 2019-08-27 | Afo Research, Inc. | Fluorine resistant, radiation resistant, and radiation detection glass systems |
EP3193337A1 (en) * | 2016-01-13 | 2017-07-19 | Siemens Medical Solutions USA, Inc. | Passivation of metal halide scintillators |
JP6781868B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2020-11-11 | 国立大学法人静岡大学 | 放射線検出素子の製造方法 |
CN109328035B (zh) | 2016-06-15 | 2022-05-10 | 株式会社岛津制作所 | 放射线摄影装置 |
WO2018020555A1 (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 野洲メディカルイメージングテクノロジー株式会社 | シンチレータセンサ基板及びシンチレータセンサ基板の製造方法 |
EP3660542A1 (en) * | 2018-11-29 | 2020-06-03 | Koninklijke Philips N.V. | Hybrid x-ray and optical detector |
US11465932B2 (en) | 2019-03-25 | 2022-10-11 | Afo Research, Inc. | Alkali free fluorophosphate based glass systems |
CN116904183A (zh) | 2020-09-30 | 2023-10-20 | 株式会社博迈立铖 | 闪烁体结构体及其制造方法 |
JP6879426B1 (ja) * | 2020-09-30 | 2021-06-02 | 日立金属株式会社 | シンチレータ構造体およびその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09145845A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-06-06 | Canon Inc | 放射線検出器及び放射線検出装置 |
JP4097455B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2008-06-11 | 化成オプトニクス株式会社 | デジタルラジオグラフィー用酸硫化ガドリニウム蛍光体、放射線像変換スクリーン及び放射線像撮像装置 |
JP2003262672A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその製造方法 |
EP1489434A1 (en) * | 2002-03-28 | 2004-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray detector |
JP2004239722A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
JP4307127B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置 |
JP2004317300A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Toshiba Corp | 放射線平面検出器及びその製造方法 |
JP2004340737A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Toshiba Corp | 放射線検出器及びその製造方法 |
DE102004056999A1 (de) * | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Szintillatorschicht für einen Röntgendetektor und Szintillatorschicht |
JP5313632B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2013-10-09 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器 |
JP2011007552A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置、及びシンチレータパネルの製造方法 |
JP5369979B2 (ja) * | 2009-08-05 | 2013-12-18 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像検出装置 |
JP2011257339A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出装置 |
US9177683B2 (en) * | 2011-05-26 | 2015-11-03 | Toray Industries, Inc. | Scintillator panel and method for manufacturing scintillator panel |
-
2012
- 2012-09-13 JP JP2012201790A patent/JP6182840B2/ja active Active
-
2013
- 2013-05-09 WO PCT/JP2013/002976 patent/WO2014002363A1/ja active Application Filing
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017191113A (ja) * | 2012-06-25 | 2017-10-19 | ソニー株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014002363A1 (ja) | 2014-01-03 |
JP2014029314A (ja) | 2014-02-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150217 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150217 |
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