JP6174338B2 - プラガブル光トランシーバ - Google Patents
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Description
本願は、2012年3月2日の米国仮特許出願No.61/605,775の優先権主張の利益を享受するものであり、当該出願に記載された内容は、本明細書に含まれるものとする。
上側ハウジングと、下側ハウジングと、前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、を備える。
前記光−電気アセンブリは、基板と、少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、光結合システムと、を備える。
前記光結合システムは、外側ブラガブル光インタフェースと、前記基板上に固定して搭載された光結合素子と、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備える。
前記光結合素子は、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記導光構造に第1の光信号を結合し、前記導光構造から前記受信オプトエレクトロニクス部品に第2の光信号を結合するよう構成される。
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースに前記第1の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースから前記第2の光信号を結合するよう構成される。
前記外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに前記第1の光信号を結合し、受信ファイバから前記第2の光信号を結合するよう構成される。
前記導光構造は、さらに、前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品との間隔を合わせるために前記ジャンパーファイバの位置を機械的に固定するジャンパープラグを備えてもよい。前記ジャンパーファイバは、前記ジャンパープラグの端面で終端してもよい。
また、プラガブル光トランシーバは、さらに、上側金属シールドと、下側金属シールドと、を備えていてもよい。前記上側金属シールドと前記下側金属シールドとは、前記光結合素子と前記基板とを囲うよう構成されていてもよい。前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、非伝導性の成形可能材料で形成されていてもよい。
前記光結合素子は、さらに、前記基板に固定されるラッチ要素を備えていてもよい。
前記ジャンパープラグは、前記光結合素子と分離可能なよう嵌め合わされてもよい。
前記ラッチ要素は、前記ジャンパープラグが前記光結合素子から外れることを防ぐように構成されていてもよい。
上側ハウジングと、下側ハウジングと、前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、を備える。
前記光−電気アセンブリは、基板と、少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、外側ブラガブル光インタフェース、前記基板上に固定して搭載された光結合素子、及び、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造を備えた光結合システムと、を備える。
前記光結合システムは、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記外側プラガブル光インタフェースに第1の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースで受信した第2の光信号を前記受信オプトエレクトロニクス部品に導くよう構成される。
前記光結合素子は、前記基板上に接合され、前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品と前記インタフェース集積回路とを収容する空洞部を有する。
前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、金属製である。
前記光−電気アセンブリは、基板と、少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、外側ブラガブル光インタフェース、前記基板上に固定して搭載された光結合素子、及び、前記外側プラガブル光インタフェースと前記光結合素子とに光学的に接続される導光構造を備えた光結合システムと、を備える。
前記光結合素子は、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記導光構造に第1の光信号を結合し、前記導光構造から前記受信オプトエレクトロニクス部品に第2の光信号を結合するよう構成される。
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースに前記第1の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースから前記第2の光信号を結合するよう構成される。
前記外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに前記第1の光信号を結合し、受信ファイバから前記第2の光信号を結合するよう構成される。
前記インタフェース集積回路は、送信ドライバ回路と受信回路とを備えている。
前記送信ドライバ回路は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と電気的に接続され、1mm未満の間隔で前記送信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置される。
前記レシーバ回路は、前記受信オプトエレクトロニクス部品に電気的に接続され、1mm未満の間隔で前記受信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置される。
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと光学的に接続されるフレキシブル導波路基板を備える。
MSA規格に従う。トランシーバの物理的なサイズは、SFP/SFP+
MSA規格に従う。
Claims (18)
- 上側ハウジングと、
下側ハウジングと、
前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、
を備えたプラガブル光トランシーバであって、
前記光−電気アセンブリは、
基板と、
少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、
少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、
前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、
前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、
外側プラガブル光インタフェースと、前記基板上に固定して搭載された光結合素子と、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備えた光結合システムと、を備え、
前記光結合素子は、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記導光構造に第1の光信号を結合し、前記導光構造から前記受信オプトエレクトロニクス部品に第2の光信号を結合するよう構成され、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースに前記第1の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースから前記第2の光信号を結合するよう構成され、
前記外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに前記第1の光信号を結合し、受信ファイバから前記第2の光信号を結合するよう構成されており、
さらに、
前記導光構造は、複数の反射面を備え、
前記外側プラガブル光インタフェースは、送信ポート及び受信ポートを備えており、
前記反射面は、前記第1の光信号を前記送信ポートに結合させ、前記受信ポートから前記第2の光信号を結合させるよう構成され、
前記送信ポートと前記受信ポートとの間隔は、前記基板上に配置された前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品との間隔より大きい、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記送信オプトエレクトロニクス部品は、VCSELであり、
前記受信オプトエレクトロニクス部品は、フォトダイオードであり、
前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品とは、1mm未満の間隔で前記基板に搭載されている、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記インタフェース集積回路は、送信ドライバ回路と受信回路とを備えており、
前記送信ドライバ回路は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と電気的に接続されると共に、1mm未満の間隔で前記送信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置される、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項3に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記受信回路は、前記受信オプトエレクトロニクス部品に電気的に接続されると共に、1mm未満の間隔で前記受信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置される、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項3に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記送信ドライバ回路と前記受信回路とは、一つのチップに集積されている、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記送信ポートと前記受信ポートとの間隔は、SFP/SFP+MAS規格に準拠する、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記光結合素子は、前記基板上に接合されており、前記送信オプトエレクトロニクス部品と、前記受信オプトエレクトロニクス部品と、前記インタフェース集積回路と、を収容する空洞部を有している、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと前記光結合素子とを光学的に接続する一対のジャンパーファイバを備え、
前記一対のジャンパーファイバは、送信ジャンパーファイバと受信ジャンパーファイバとを備える、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項8に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記ジャンパーファイバは、前記送信オプトエレクトロニクス部品からの光信号を結合するために約90度曲げられている、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと光学的に接続されるフレキシブル導波路基板を備えた、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項8に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品との間隔を合わせるために前記ジャンパーファイバの位置を機械的に固定するジャンパープラグを備え、
前記ジャンパーファイバは、前記ジャンパープラグの端面で終端している、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、金属製である、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
上側金属シールドと、下側金属シールドと、を備え、
前記上側金属シールドと前記下側金属シールドとは、前記光結合素子と前記基板とを囲い、
前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、非伝導性の成形可能材料で形成されている、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項1に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記光結合システムは、一つのモールド成形された光素子により構成される、
プラガブル光トランシーバ。 - 請求項11に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記光結合素子は、前記基板に固定されるラッチ要素を備え、
前記ジャンパープラグは、前記光結合素子と分離可能なよう嵌め合わされ、
前記ラッチ要素は、前記ジャンパープラグが前記光結合素子から外れることを防ぐように構成される、
プラガブル光トランシーバ。 - 上側ハウジングと、
下側ハウジングと、
前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、
を備えたスモールフォームファクタプラガブル光トランシーバであって、
前記光−電気アセンブリは、
基板と、
少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、
少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、
前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、
前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、
外側プラガブル光インタフェースと、前記基板上に固定して搭載された光結合素子と、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備えた光結合システムと、を備え、
前記光結合システムは、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記外側プラガブル光インタフェースに第1の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースで受信した第2の光信号を前記受信オプトエレクトロニクス部品に導くよう構成され、
前記光結合素子は、前記基板上に接合され、前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品と前記インタフェース集積回路とを収容する空洞部を有し、
前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、金属製であり、
さらに、
前記導光構造は、複数の反射面を備え、
前記外側プラガブル光インタフェースは、送信ポート及び受信ポートを備えており、
前記反射面は、前記第1の光信号を前記送信ポートに結合させ、前記受信ポートから前記第2の光信号を結合させるよう構成され、
前記送信ポートと前記受信ポートとの間隔は、前記基板上に配置された前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品との間隔より大きい、
スモールフォームファクタプラガブル光トランシーバ - 請求項16に記載のスモールフォームファクタプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと前記光結合素子とを光学的に接続する一対のジャンパーファイバを備え、
前記一対のジャンパーファイバは、送信ジャンパーファイバと受信ジャンパーファイバとを備える、
スモールフォームファクタプラガブル光トランシーバ。 - 上側ハウジングと、
下側ハウジングと、
前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、
を備えたプラガブル光トランシーバであって、
前記光−電気アセンブリは、
基板と、
少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、
少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、
前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、
前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、
外側プラガブル光インタフェースと、前記基板上に固定して搭載された光結合素子と、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備えた光結合システムと、を備え、
前記光結合素子は、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記導光構造に第1の光信号を結合し、前記導光構造から前記受信オプトエレクトロニクス部品に第2の光信号を結合するよう構成され、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースに前記第1の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースから前記第2の光信号を結合するよう構成され、
前記外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに前記第1の光信号を結合し、受信ファイバから前記第2の光信号を結合するよう構成され、
前記インタフェース集積回路は、送信ドライバ回路と受信回路とを備えており、
前記送信ドライバ回路は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と電気的に接続されると共に、1mm未満の間隔で前記送信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置され、
前記受信回路は、前記受信オプトエレクトロニクス部品に電気的に接続されると共に、1mm未満の間隔で前記受信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置され、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと光学的に接続されるフレキシブル導波路基板を備え、
さらに、
前記導光構造は、複数の反射面を備え、
前記外側プラガブル光インタフェースは、送信ポート及び受信ポートを備えており、
前記反射面は、前記第1の光信号を前記送信ポートに結合させ、前記受信ポートから前記第2の光信号を結合させるよう構成され、
前記送信ポートと前記受信ポートとの間隔は、前記基板上に配置された前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品との間隔より大きい、
プラガブル光トランシーバ。
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