JP6172030B2 - ワークの切断方法及び加工液 - Google Patents
ワークの切断方法及び加工液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6172030B2 JP6172030B2 JP2014077178A JP2014077178A JP6172030B2 JP 6172030 B2 JP6172030 B2 JP 6172030B2 JP 2014077178 A JP2014077178 A JP 2014077178A JP 2014077178 A JP2014077178 A JP 2014077178A JP 6172030 B2 JP6172030 B2 JP 6172030B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive grains
- wire
- workpiece
- cutting
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 title description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 76
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 45
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 20
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 14
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- -1 that is Chemical compound 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/06—Grinders for cutting-off
- B24B27/0633—Grinders for cutting-off using a cutting wire
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
ワイヤーソー装置は、ワイヤー(高張力鋼線)を高速走行させて、ここにスラリーを掛けながら、ワーク(例えばシリコンインゴットが挙げられる。)を押し当てて切断し、多数のウェーハを同時に切り出す装置である(特許文献1参照)。
図4に示すように、ワイヤーソー101は、主に、ワークを切断するためのワイヤー102、ワイヤー102を巻回したワイヤーガイド103、ワイヤー102に張力を付与するための張力付与機構104、切断されるワークを送り出すワーク送り手段105、切断時に砥粒をクーラントに分散して混合した加工液(スラリー)を供給するためのノズル106等で構成されている。
複数のワイヤーガイド間に螺旋状に巻回された軸方向に走行するワイヤーでワイヤー列を形成し、ワークと前記ワイヤーとの接触部に砥粒を含む加工液を供給しながら、前記ワイヤー列に前記ワークを押し当てることで、前記ワークを切断するワークの切断方法であって、
使用済みの前記砥粒に対して硫酸と過酸化水素水の混合液で処理を行い、処理後の砥粒を前記ワークの切断に再利用するワークの切断方法を提供する。
ワイヤーソーを用いたワーク切断に使用した後に再利用した砥粒を含む加工液であって、
前記砥粒に含有される銅の濃度が砥粒1g当たり1ppm以下のものである加工液を提供する。
上記で説明したように、ワークの切断に使用した砥粒を再利用する場合には、砥粒がワイヤー等に由来する金属に汚染されているため、ウェーハが金属で汚染されることとなり、品質が悪化したりするという問題があった。
本発明のワークの切断方法の一つの態様としては、(a)1回目のワークの切断を行い、(b)(a)工程で排出された使用済み砥粒を回収し、(c)硫酸と過酸化水素水の混合液によって使用済み砥粒を処理し、(d)(c)工程で得られた処理後の砥粒を再利用して、(e)2回目のワークの切断を行う工程を含む方法を挙げることができる。尚、図1に示すように、(e)工程で排出された使用済み砥粒に対しても、(b)工程〜(e)工程を繰り返すことで再利用することができる。
このワイヤーソー101では、ノズル106から砥粒を含むスラリーを供給し、ワイヤー102でワークを切断する。ワークの切断に用いたスラリーは廃スラリーとして、排出される。
尚、上記の分析方法としては、使用済み砥粒サンプル5gを混酸(フッ酸と硝酸の混合液)50ccで3時間の間、酸抽出した後、10倍希釈の後、ICP−OES測定(誘導結合プラズマ発光分析法)を行う方法を挙げることができる。
#2000砥粒を用いて直径300mmのシリコンインゴットの切断を行った後、使用済み砥粒サンプル5gを混酸(フッ酸と硝酸の混合液)50ccで3時間の間、酸抽出して10倍希釈した後、ICP−OES測定を行った。この方法で分析を行った結果、砥粒1g当たりに含有される銅の濃度は、未使用の新品砥粒では1.87ppmであったのに対し、使用済み砥粒では143.00ppmであった。
実験で得られた使用済み砥粒に対して硫酸と過酸化水素水の混合液で処理を行い、分析を行った。処理条件としては、使用済み砥粒10gを75%硫酸123gと30%過酸化水素水27gの混合液で撹拌後、濾過し、純水で水洗した後、乾燥を行った。混合液での処理の際の温度は25℃、処理時間は24時間で行った。分析方法は先と同様、使用済み砥粒サンプル5gを混酸(フッ酸と硝酸の混合液)50ccで3時間の間、酸抽出した後、10倍希釈してICP−OES測定を行った。
上述の処理を行った砥粒を実験と同様に分析したところ、砥粒1g中に含有される銅の濃度は、0.42ppmであり処理前の砥粒に対して300分の1以下の水準にまでに低減した。結果を図2に示す。
実験で得られた使用済み砥粒に対して、従来法である苛性ソーダと硫酸で処理を実施して実験及び実施例と同様に分析を行った。その結果、砥粒1g中に含有される銅の濃度は、141.34ppmであり、処理前の値から変化がなかった。結果を図2に示す。
砥粒中に含まれる銅が切断後ウェーハ内の銅濃度に与える影響を確認の為、実施例1で得られた処理後の砥粒を用いて、直径300mmのシリコンインゴットの切断を行った。切断の際、砥粒と混合するクーラントは未使用の新品クーラント、ワイヤーは表面にメッキの無いワイヤーを準備し、それぞれ使用した。
比較例1で得られた処理後の砥粒を用いて実施例2と同様にシリコンインゴットの切断を行った。
分析のサンプルは、1本のワークを切断して得られた複数枚のウェーハの中から2枚のウェーハを抽出した(サンプル1、サンプル2)。得られたウェーハの表層を50μmエッチオフした後、それぞれのウェーハから試験片を3個切り出して得られた、計6サンプルとした。試験片の切り出しは、ウェーハの中央部付近から採取した。採取したサンプルについて、全溶解法にて金属不純物の濃度をICP−MS測定(誘導結合プラズマ質量分析法)し、ウェーハ中に含まれる銅、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、クロム、鉄、ニッケル、及び亜鉛の濃度を定量した。結果を図3に示す。
一方で、実施例2で得られたウェーハ中の銅濃度を測定したところ、図3に示すように、最大で4.14E+11 atoms/cm3、最小で1.85E+11 atoms/cm3の銅濃度が検出された。
両者の切断後ウェーハ中の銅濃度を比較すると、実施例2の方が比較例2に比べ、最大値で約22分の1以下、最小値で約2分の1以下になっており、銅濃度を低減できることが明らかになった。
Claims (2)
- 複数のワイヤーガイド間に螺旋状に巻回された軸方向に走行するワイヤーでワイヤー列を形成し、ワークと前記ワイヤーとの接触部に砥粒を含む加工液を供給しながら、前記ワイヤー列に前記ワークを押し当てることで、前記ワークを切断するワークの切断方法であって、
ワイヤーソーから排出される廃スラリー中に含まれる使用済みの前記砥粒を回収し、該回収した使用済みの前記砥粒に対して硫酸と過酸化水素水の混合液で処理を行い、処理後の砥粒をクーラントに混合して前記加工液とすることで、前記処理後の砥粒を前記ワークの切断に再利用することを特徴とするワークの切断方法。 - ワイヤーソーを用いたワーク切断に使用した後に銅を除去して再利用した砥粒を含む加工液であって、
前記砥粒に含有される銅の濃度が砥粒1g当たり1ppm以下のものであることを特徴とする加工液。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014077178A JP6172030B2 (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | ワークの切断方法及び加工液 |
PCT/JP2015/001214 WO2015151408A1 (ja) | 2014-04-03 | 2015-03-06 | ワークの切断方法及び加工液 |
CN201580012652.XA CN106132631B (zh) | 2014-04-03 | 2015-03-06 | 工件的切断方法及加工液 |
SG11201607416QA SG11201607416QA (en) | 2014-04-03 | 2015-03-06 | Method for slicing workpiece and processing liquid |
KR1020167026522A KR102367641B1 (ko) | 2014-04-03 | 2015-03-06 | 워크의 절단방법 및 가공액 |
US15/124,245 US10189181B2 (en) | 2014-04-03 | 2015-03-06 | Method for slicing workpiece and processing liquid |
DE112015001156.0T DE112015001156B4 (de) | 2014-04-03 | 2015-03-06 | Verfahren zum Aufschneiden eines Werkstücks und Prozessflüssigkeit |
TW104107389A TWI613034B (zh) | 2014-04-03 | 2015-03-09 | 工件的切斷方法及加工液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014077178A JP6172030B2 (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | ワークの切断方法及び加工液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015196236A JP2015196236A (ja) | 2015-11-09 |
JP6172030B2 true JP6172030B2 (ja) | 2017-08-02 |
Family
ID=54239762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014077178A Active JP6172030B2 (ja) | 2014-04-03 | 2014-04-03 | ワークの切断方法及び加工液 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10189181B2 (ja) |
JP (1) | JP6172030B2 (ja) |
KR (1) | KR102367641B1 (ja) |
CN (1) | CN106132631B (ja) |
DE (1) | DE112015001156B4 (ja) |
SG (1) | SG11201607416QA (ja) |
TW (1) | TWI613034B (ja) |
WO (1) | WO2015151408A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190149885A1 (en) * | 2017-11-13 | 2019-05-16 | Philo, Inc. | Thumbnail preview after a seek request within a video |
CN112829096A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-25 | 镇江耐丝新型材料有限公司 | 一种表面无黄铜镀层的切割钢丝及其制备方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4856490A (en) * | 1987-09-09 | 1989-08-15 | Osaka Diamond Industrial Co., Ltd. | Wire saw |
WO1995004372A1 (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-09 | Semitool, Inc. | Methods for processing semiconductors to reduce surface particles |
JP2606156B2 (ja) * | 1994-10-14 | 1997-04-30 | 栗田工業株式会社 | 研磨剤粒子の回収方法 |
US6159858A (en) * | 1995-07-04 | 2000-12-12 | Fujitsu Limited | Slurry containing manganese oxide and a fabrication process of a semiconductor device using such a slurry |
JP3244426B2 (ja) * | 1996-03-26 | 2002-01-07 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソー用ワイヤの製造方法及びワイヤソー用ワイヤ |
US20020111024A1 (en) * | 1996-07-25 | 2002-08-15 | Small Robert J. | Chemical mechanical polishing compositions |
JP3106416B2 (ja) | 1996-09-20 | 2000-11-06 | 株式会社東京精密 | ワイヤソーのワイヤ走行制御方法 |
JP3123483B2 (ja) * | 1997-10-28 | 2001-01-09 | 日本電気株式会社 | プローブカード及びプローブカード形成方法 |
IT1299540B1 (it) | 1998-07-01 | 2000-03-16 | Memc Electronic Materials | Procedimento per separare e rigenerare abrasivo esausto a base di glicole e carburo di silicio ai fini della loro riutilizzazione |
JP4369054B2 (ja) | 1999-07-01 | 2009-11-18 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・ソシエタ・ペル・アチオニ | 使用済グリコール系スラリーの分離、再生および再使用法 |
EP1561557B1 (en) | 2001-05-29 | 2011-03-30 | MEMC ELECTRONIC MATERIALS S.p.A. | Method for treating an exhausted glycol-based slurry |
MY144587A (en) * | 2001-06-21 | 2011-10-14 | Kao Corp | Polishing composition |
US6884634B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Specifying method for Cu contamination processes and detecting method for Cu contamination during reclamation of silicon wafers, and reclamation method of silicon wafers |
JP2005057054A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハおよびその製造方法 |
JP2005153035A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | ワイヤーソー装置 |
ITRM20050329A1 (it) * | 2005-06-24 | 2006-12-25 | Guido Fragiacomo | Procedimento per il trattamento di sospensioni abrasive esauste per il recupero delle loro componenti riciclabili e relativo impianto. |
JP2007207679A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Canon Inc | 燃料電池用中空白金触媒粒子、膜電極接合体、それらの製造方法および燃料電池 |
WO2009078130A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | ワイヤソーによるワークの切断方法およびワイヤソー |
JP2009149480A (ja) | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Sharp Corp | シリコン再生方法 |
US20090211167A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Sumco Corporation | Slurry for wire saw |
US8425639B2 (en) * | 2008-05-30 | 2013-04-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Wire saw slurry recycling process |
US8383003B2 (en) * | 2008-06-20 | 2013-02-26 | Nexplanar Corporation | Polishing systems |
CN102388121B (zh) * | 2008-12-31 | 2013-08-21 | Memc新加坡私人有限公司 | 从锯屑回收并提纯硅颗粒的方法 |
KR101642165B1 (ko) * | 2009-02-03 | 2016-07-22 | 더 나노스틸 컴퍼니, 인코포레이티드 | 재료 절단방법 및 재료 절단용품 |
JP2011005561A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンインゴットの切断方法および切断システム |
JP2011016185A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Sumco Corp | スラリー流通経路の洗浄液およびその洗浄方法 |
CN102179880A (zh) * | 2011-03-30 | 2011-09-14 | 苏州市汇峰机械设备厂 | 多线切割机 |
JP5858050B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-02-10 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材再生方法 |
JP6022836B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2016-11-09 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及び基板ホルダ洗浄方法 |
-
2014
- 2014-04-03 JP JP2014077178A patent/JP6172030B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-06 DE DE112015001156.0T patent/DE112015001156B4/de active Active
- 2015-03-06 WO PCT/JP2015/001214 patent/WO2015151408A1/ja active Application Filing
- 2015-03-06 US US15/124,245 patent/US10189181B2/en active Active
- 2015-03-06 KR KR1020167026522A patent/KR102367641B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-06 SG SG11201607416QA patent/SG11201607416QA/en unknown
- 2015-03-06 CN CN201580012652.XA patent/CN106132631B/zh active Active
- 2015-03-09 TW TW104107389A patent/TWI613034B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201607416QA (en) | 2016-10-28 |
TW201545840A (zh) | 2015-12-16 |
DE112015001156T5 (de) | 2017-03-16 |
JP2015196236A (ja) | 2015-11-09 |
US20170015019A1 (en) | 2017-01-19 |
US10189181B2 (en) | 2019-01-29 |
CN106132631A (zh) | 2016-11-16 |
WO2015151408A1 (ja) | 2015-10-08 |
KR102367641B1 (ko) | 2022-02-28 |
CN106132631B (zh) | 2019-06-28 |
DE112015001156B4 (de) | 2024-05-02 |
KR20160140647A (ko) | 2016-12-07 |
TWI613034B (zh) | 2018-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005046726B4 (de) | Nichtpolierte monokristalline Siliziumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
JP5263536B2 (ja) | ワークの切断方法 | |
JP5173945B2 (ja) | クーラント再生方法およびスラリー再生方法 | |
JP6172030B2 (ja) | ワークの切断方法及び加工液 | |
JP2010278327A (ja) | シリコンインゴットの切断方法 | |
KR102100839B1 (ko) | 워크의 절단방법 | |
JP2005313030A (ja) | スラリ再生方法 | |
JP5888203B2 (ja) | ワイヤソー用スラリーの製造方法 | |
CN113226640B (zh) | 工件的切断方法及线锯 | |
CN109716486B (zh) | 硅锭的切割方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆 | |
JP7376215B2 (ja) | シリコンインゴット切断廃棄物をリサイクルするための処理方法 | |
JP6090154B2 (ja) | スライス方法 | |
JP5578409B2 (ja) | 半導体ウェーハ製造方法 | |
US20240234125A9 (en) | Method for producing discs from a cylindrical rod made of a semiconductor material | |
US20240136173A1 (en) | Method for producing discs from a cylindrical rod made of a semiconductor material | |
JP2018148042A (ja) | ウェーハの製造方法 | |
KR20220147311A (ko) | 코팅 제거수단을 포함하는 잉고트 절삭장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160307 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20160930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161011 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170208 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170502 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6172030 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |