JP6162478B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
また、第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成され、前記第1導電型と逆の第2導電型を有する第2半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極とを備える半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆う蛍光体層と、前記蛍光体層に覆われた領域内の支持基板上方に配置され、前記第1電極または前記第2電極と電気的に接続された給電部とを有し、前記給電部は、第1材料で形成され、前記第1電極または前記第2電極と電気的に接続される厚膜層と、前記厚膜層上の一部に形成され、前記蛍光体層の発する蛍光を、前記第1材料より吸収する第2材料で形成される吸収層とを備える半導体発光装置が提供される。
2 n型GaN層
3 発光層
4 p型GaN層
5 p側半導体層上電極層
6 フリンジ層
7 p側高反射層
8 p側拡散防止層
9 p側高反射キャップ層
10 絶縁キャップ層
11 n側ビア電極
12 絶縁フロート層
13 n側高反射層
14 導電層
14n 素子n側接続電極層(n側キャップ層)
14p 素子p側接続電極層
21 支持基板
22 絶縁層
23 融着層
23n、23np、23p 電極層
24 厚膜パッド層
24no、24po ボンディング用開口
25 グレア光吸収層
26 全面保護膜
27 裏面金属層
31A、31B 半導体発光素子
41 パッケージ基板
42 接合材
43p、43n ワイヤー
44p、44n 給電用パッド
45 蛍光体層
CH コンタクトホール
CV 凹部
En、EnA、EnB n側電極
Ep、EpA、EpB p側電極
ES 給電部
HL 穴
IS pn電極間絶縁層
Claims (8)
- 第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成され、前記第1導電型と逆の第2導電型を有する第2半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極とを備える半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆う蛍光体層と、
前記蛍光体層に覆われた領域内の支持基板上方に配置され、前記第1電極または前記第2電極と電気的に接続された給電部と
を有し、
平面視上、前記支持基板が露出した領域が、前記給電部に隣接し、
前記給電部は、
第1材料で形成され、前記第1電極または前記第2電極と電気的に接続される厚膜層と、
前記厚膜層上の一部に形成され、前記蛍光体層の発する蛍光を、前記第1材料より吸収する第2材料で形成される吸収層と
を備える半導体発光装置。 - 前記第2材料は、前記半導体発光素子の発光する色の光を、前記第1材料より吸収する請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第2材料は、Ti、Cr、Ni、またはTiNである請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記吸収層は、ワイヤーボンディングを行う位置以外の位置において、前記厚膜層を覆っている請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記給電部の、前記半導体発光素子側の端部領域は、平面視上、前記半導体発光素子の端部領域と重なっている請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記厚膜層及び前記吸収層は、前記支持基板の外周に沿い、枠状に形成されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記半導体発光素子は、
前記第2半導体層側から、前記発光層を貫通して前記第1半導体層を露出するように形成された凹部と、
前記凹部の底面で前記第1半導体層と電気的に接続し、前記第2半導体層の上面上方に延在して形成された前記第1電極と、
前記第2半導体層の上面で前記第2半導体層と電気的に接続し、平面視上前記凹部を囲む穴が形成された前記第2電極と、
前記第2半導体層の上方で、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された絶縁層と
を有し、
前記第2電極は、前記発光層側から入射した光を反射させる光反射電極であり、
前記第1電極は、平面視上、前記穴を覆うように形成され、前記発光層側から入射した光を反射する光反射電極層を含み、
前記第1電極の光反射電極層の縁領域は、平面視上、前記第2電極の穴を画定する縁領域と重なるように形成されている請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体発光装置。 - 第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成され、前記第1導電型と逆の第2導電型を有する第2半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極とを備える半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆う蛍光体層と、
前記蛍光体層に覆われた領域内の支持基板上方に配置され、前記第1電極または前記第2電極と電気的に接続された給電部と
を有し、
前記給電部は、
第1材料で形成され、前記第1電極または前記第2電極と電気的に接続される厚膜層と、
前記厚膜層上の一部に形成され、前記蛍光体層の発する蛍光を、前記第1材料より吸収する第2材料で形成される吸収層と
を備える半導体発光装置。
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