JP2016063216A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016063216A JP2016063216A JP2015156129A JP2015156129A JP2016063216A JP 2016063216 A JP2016063216 A JP 2016063216A JP 2015156129 A JP2015156129 A JP 2015156129A JP 2015156129 A JP2015156129 A JP 2015156129A JP 2016063216 A JP2016063216 A JP 2016063216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity region
- region
- semiconductor substrate
- conductivity type
- type impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 402
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 119
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 53
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 28
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 14
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 14
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】単位画素セル14は、第1導電型の第1導電型領域31a、第2導電型の第1の不純物領域44、および第2導電型の第2の不純物領域36を含む半導体基板31と、光電変換部10と、第1のトランジスタ12と、を備え、第1の不純物領域は、一部が半導体基板の表面に位置し、光電変換部と電気的に接続され、第2の不純物領域は、第1の不純物領域を介して光電変換部と電気的に接続され、第1の不純物領域の不純物濃度よりも小さい不純物濃度を有し、半導体基板の表面に垂直な方向から見たとき、第2の不純物領域の第1の部分は、第1のトランジスタ12の第1のゲート電極の第2の部分と重なっている。
【選択図】図2
Description
図1から図4を参照しながら、本実施形態に係る撮像装置1の構造および機能を説明する。
図1は、第1の実施形態に係る撮像装置1の回路構成を模式的に示している。
図2は、本実施形態に係る撮像装置1内の単位画素セル14の断面を、模式的に示している。図2は、実際の構造とは異なる。図2では、説明を簡略化する観点から3つのトランジスタを1つの断面に示している。
図5A、図5B、図6Aおよび図6Bを参照しながら、撮像装置1の製造方法の一例を説明する。なお、従来の積層型の撮像装置の製造方法において用いられる、種々の方法を広く用いて撮像装置1を製造し得る。以下、公知の方法についての詳細な説明は省略する。
図7を参照しながら、本実施形態に係る撮像装置1を説明する。本実施形態に係る撮像装置1は、図2に示す単位画素セル14に代えて、図7に示す単位画素セル14Aを備えている。単位画素セル14Aは、半導体基板31の表面領域にp型不純物領域40Aが形成されている点で、図2に示す単位画素セル14とは異なっている。以下、第1の実施形態と異なる点を中心に説明し、共通点についての詳細な説明は省略する。
図8を参照しながら、本実施形態に係る撮像装置1を説明する。本実施形態に係る撮像装置1は、図2に示す単位画素セル14に代えて、図8に示す単位画素セル14Bを備えている。単位画素セル14Bは、半導体基板31に焼き付き防止用トランジスタ60が形成されている点で、単位画素セル14とは異なっている。以下、第1の実施形態と異なる点を中心に説明し、共通点についての詳細な説明は省略する。
図9を参照しながら、本実施形態に係る撮像装置1を説明する。本実施形態に係る撮像装置1は、図2に示す単位画素セル14に代えて、図9に示す単位画素セル14Cを備えている。単位画素セル14Cは、リセットトランジスタ12のドレイン側の構造が、ソース側にも適用されている点で、単位画素セル14とは異なっている。以下、第1の実施形態と異なる点を中心に説明し、共通点についての詳細な説明は省略する。
図10および図11を参照しながら、本実施形態に係る撮像装置1を説明する。本実施形態に係る撮像装置1の単位画素セル14Dは、リセットトランジスタ12に直列に接続されたトランジスタ(以下、「転送トランジスタ70」と称する。)を備えている点で、単位画素セル14とは異なっている。以下、第1の実施形態と異なる点を中心に説明し、共通点についての詳細な説明は省略する。
図12Aから図12Eを参照しながら、図4に示すレイアウトとは異なる、リセットトランジスタ12のゲート電極39Aのレイアウト例を説明する。
(1)FD部の空乏化が抑制され、その結果、狭チャネル効果を大幅に抑制することができる。
(2)FD部の寄生抵抗が低減され、リセットトランジスタ12の駆動力が低下することを抑制できる。
(3)FD部周辺の空乏層が、FD部とp型不純物領域35との間の領域(つまり、p-型不純物領域31a)に拡大することにより、その間のpn接合電界が緩和され、リーク電流が抑制される。
(4)FD部周辺の寄生容量を低減することができ、かつ、リセットトランジスタ12のゲート電極39AとFD部との間の結合容量が強化されるのでフィードバック動作の精度を向上させることができる。
半導体基板の法線方向から見たとき、リセットトランジスタのゲート幅を規定する方向において、ゲート電極の幅は、第2の不純物領域の幅よりも大きくてもよい。
これにより、狭チャネル効果を大幅に抑制することができる。また、リセットトランジスタの駆動力が低下することを抑制できる。
〔項目2〕
半導体基板の法線方向から見たとき、ゲート電極は、少なくとも一部が第1導電型の画素ウェル領域に重なるように形成されていてもよい。
これにより、ゲート電極のバリエーションを提供することができる。
〔項目3〕
半導体基板の法線方向から見たとき、ゲート電極は、切り欠き形状を有していてもよい。
これにより、ゲート電極のバリエーションを提供することができる。
〔項目4〕
第1導電型の半導体基板に第2導電型の不純物を注入して、第2導電型の第2の不純物領域を形成することと、
半導体基板上にリセットトランジスタのゲート電極を形成することと、
ゲート電極を形成した後、ゲート電極と第2の不純物領域とが重なり合う領域の少なくとも一部と重なるように、第1導電型の第3の不純物領域を半導体基板表面に形成することと、
半導体基板の法線方向から見たとき、第3の不純物領域と重ならないように半導体基板表面に第2導電型の第1の不純物領域を形成することと、を包含する、撮像装置の製造方法であってもよい。
この製造方法によると、暗電流による影響を抑制して高画質で撮像を行うことができる撮像装置を提供できる。
〔項目5〕
上記製造方法において、ゲート電極を形成することよりも前に、第2導電型の不純物を注入して、第1の不純物領域と第2の不純物領域とを電気的に接続する第2導電型の第4の不純物領域を形成することをさらに含んでもよい。
これにより、第2の不純物領域を半導体基板のより深い位置に形成できるので、pn接合電界が緩和され、リーク電流が抑制される撮像装置を提供できる。
10 光電変換部
11 増幅トランジスタ
12 リセットトランジスタ
13 アドレストランジスタ
14、14A、14B、14C 単位画素セル
15 垂直走査部
16 光電変換膜制御線
17 垂直信号線
18 負荷部
19 カラム信号処理部
20 水平信号読み出し部
21 電源配線
22 差動増幅器
23 フィードバック線
24 フローティングディフュージョン
31 半導体基板
32 n型不純物領域
33 p型不純物領域
34 p型不純物領域
35 p型不純物領域
36 n型不純物領域
37 n型不純物領域
38A、38B、38C、38D ゲート絶縁膜
39A、39B、39C、39D ゲート電極
40 p型不純物領域
40A p型不純物領域
41A、41B、41C、41D、41E n型不純物領域
42 素子分離領域
43A、43B、43C 層間絶縁膜
44 n型不純物領域
45 コンタクトプラグ
46A、46B、46C 配線
47A、47B、47C プラグ
50 画素電極
51 光電変換膜
52 透明電極
60 焼き付き防止トランジスタ
61 p型不純物領域
62 電源線
70 転送トランジスタ
Claims (18)
- 1次元または2次元に配列された複数の単位画素セルを備え、
前記複数の単位画素セルの各々は、
第1導電型の第1導電型領域と、前記第1導電型領域に設けられた第2導電型の第1の不純物領域と、前記第1導電型領域に設けられた第2導電型の第2の不純物領域と、を含む、半導体基板と、
前記半導体基板の上方に位置する光電変換部と、
第1のゲート電極と、ソースまたはドレインの一方としての、前記第2の不純物領域の少なくとも一部と、を含む、第1のトランジスタと、
を備え、
前記第1の不純物領域は、一部が前記半導体基板の表面に位置し、前記光電変換部と電気的に接続され、
前記第2の不純物領域は、前記第1の不純物領域を介して前記光電変換部と電気的に接続され、前記第1の不純物領域の不純物濃度よりも小さい不純物濃度を有し、
前記半導体基板の前記表面に垂直な方向から見たとき、前記第2の不純物領域の第1の部分は、前記第1のゲート電極の第2の部分と重なっている、撮像装置。 - 前記第1の部分と、前記第2の部分とは、前記第1導電型領域を間に介して、前記方向に離間している、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1のトランジスタを介して、前記光電変換部を初期化するためのリセット電圧が、前記光電変換部に印加される、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1のトランジスタは、リセットトランジスタである、
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記半導体基板は、一部が前記半導体基板の表面に位置し、前記第1導電型の第3の不純物領域をさらに含み、
前記方向から見たとき、前記第3の不純物領域第3の部分は、前記第1のゲート電極の前記第2の不純物領域側の端部と重なり、
前記半導体基板の表面から深さ方向における不純物濃度のプロファイルにおいて、前記第2の不純物領域の不純物濃度が最大となる第2の深さは、前記第3の不純物領域の不純物濃度が最大となる第3の深さよりも深い、請求項1に記載の撮像装置。 - 前記プロファイルにおいて、前記第2の深さは、前記第1の不純物領域の不純物濃度が最大となる第1の深さよりも深い、請求項5に記載の撮像装置。
- 前記半導体基板は、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域とを電気的に接続する、前記第1導電型領域に設けられた前記第2導電型の第4の不純物領域をさらに含む、請求項5に記載の撮像装置。
- 前記プロファイルにおいて、前記第1の不純物領域の不純物濃度のピーク値は、前記第2の不純物領域の不純物濃度の最大値よりも大きく、
前記第1の不純物領域の不純物濃度の最大値は、前記第4の不純物領域の不純物濃度の最大値よりも大きい、請求項7に記載の撮像装置。 - 前記方向から見たとき、前記第3の不純物領域の前記第3の部分は、前記第1のゲート電極の前記第2の部分の少なくとも一部と重なる、請求項5に記載の撮像装置。
- 前記半導体基板は、前記方向から見たとき、前記第2の不純物領域と重ならない前記第1導電型の分離領域をさらに備える、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記半導体基板は、前記方向から見たとき、前記第2の不純物領域と重ならない前記第1導電型の画素ウェル領域をさらに備える、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記半導体基板は、
前記第1導電型領域および前記画素ウェル領域下に位置し、前記第1導電型領域および前記画素ウェル領域に接する、前記第1導電型の第5の不純物領域と、
前記第5の不純物領域下に位置し、前記第5の不純物領域に接する、前記第2導電型の第6の不純物領域と、
前記第6の不純物領域下に位置し、前記第6の不純物領域に接する、前記第1導電型の第7の不純物領域と、
前記第5の不純物領域と前記第7の不純物領域との間に位置し、前記第5の不純物領域と前記第7の不純物領域とを電気的に接続する、前記第1導電型の第8の不純物領域と、をさらに備える、請求項11に記載の撮像装置。 - 前記第1のゲート電極下の前記半導体基板表面において、前記第3の不純物領域、前記第2の不純物領域、前記第1導電型領域が互いに隣接し、2つのpn接合が形成されている、請求項5に記載の撮像装置。
- 前記複数の単位画素セルの各々は、
第2のゲート電極と、ソースまたはドレインの一方としての、前記第2の不純物領域の少なくとも一部と、を含む、第2のトランジスタをさらに備え、
前記第2のゲート電極は、前記第1の不純物領域と電気的に接続され、
前記方向から見たとき、前記第2の不純物領域の第4の部分は、前記第2のゲート電極の第5の部分と重なっている、請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第2のトランジスタは、前記光電変換部に所定以上の光が入射したときに動通状態となる、請求項14に記載の撮像装置。
- 前記半導体基板は、前記半導体基板の表面において前記第3の不純物領域に隣接し、前記第1の不純物領域と前記第3の不純物領域との間に位置する、前記第1導電型領域に設けられた前記第1導電型の第9の不純物領域をさらに含み、
前記第9の不純物領域の不純物濃度は、前記第3の不純物領域の不純物濃度よりも小さい、請求項5に記載の撮像装置。 - 1次元または2次元に配列された複数の単位画素セルを備え、
複数の単位画素セルの各々は、
第1導電型の半導体基板と、
前記第1導電型の半導体基板の上方に位置し、入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板に設けられたリセットトランジスタと、
前記光電変換部と電気的に接続され、前記半導体基板の表面に位置する第2導電型の第1の不純物領域と、
前記半導体基板内に位置し、且つ、前記第1の不純物領域と電気的に接続され、前記信号電荷を蓄積する第2導電型の第2の不純物領域と、
を備え、
前記第2の不純物領域は、第1の不純物領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有し、
前記半導体基板の前記表面に垂直な方向から見たとき、前記第2の不純物領域の少なくとも一部が、前記リセットトランジスタのゲート電極と重なる、撮像装置。 - 1次元または2次元に配列された複数の単位画素セルを備え、
前記複数の単位画素セルの各々は、
第1導電型の半導体基板と、
前記第1導電型の半導体基板の上方に位置し、入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、
前記半導体基板に設けられたリセットトランジスタと、
前記光電変換部と電気的に接続され、前記半導体基板の表面に位置する第2導電型の第1の不純物領域と、
前記半導体基板内に位置し、前記リセットトランジスタのソース又はドレインとしての前記第2導電型の第2の不純物領域と、
前記半導体基板の前記表面に形成された前記第1導電型の第3の不純物領域と、
を備え、
前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域とは電気的に接続されており、
前記第3の不純物領域の少なくとも一部は、前記半導体基板の前記表面に垂直な方向から見たとき、前記リセットトランジスタのゲート電極の端部と重なり、
前記方向から見たとき、前記第2の不純物領域は、前記第1の不純物領域および前記第3の不純物領域の下方に位置すると共に、その少なくとも一部が前記リセットトランジスタの前記ゲート電極と重なる、撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/846,947 US9711558B2 (en) | 2014-09-12 | 2015-09-07 | Imaging device with photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014186492 | 2014-09-12 | ||
JP2014186492 | 2014-09-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016063216A true JP2016063216A (ja) | 2016-04-25 |
JP6406585B2 JP6406585B2 (ja) | 2018-10-17 |
Family
ID=55796232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015156129A Active JP6406585B2 (ja) | 2014-09-12 | 2015-08-06 | 撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6406585B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107845649A (zh) * | 2016-09-20 | 2018-03-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及其制造方法 |
WO2019009023A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2019024075A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
CN110556390A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
US10593714B2 (en) | 2017-07-24 | 2020-03-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
JP2020043332A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2020057776A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2020065050A (ja) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2020113793A (ja) * | 2020-04-08 | 2020-07-27 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
US10734432B2 (en) | 2017-07-31 | 2020-08-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
WO2020170658A1 (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2023013366A1 (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120922A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置 |
JP2011130364A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法、カメラ |
JP2012060076A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2012151369A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
WO2012176454A1 (ja) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2012176390A1 (ja) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2014002390A1 (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
WO2014002330A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2015220339A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
-
2015
- 2015-08-06 JP JP2015156129A patent/JP6406585B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120922A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置 |
JP2011130364A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法、カメラ |
JP2012060076A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2012151369A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
WO2012176454A1 (ja) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2012176390A1 (ja) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2014002330A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2014002390A1 (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2015220339A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107845649A (zh) * | 2016-09-20 | 2018-03-27 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及其制造方法 |
JP2018050035A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
JP7162251B2 (ja) | 2017-07-05 | 2022-10-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2019213188A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-12-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US11678083B2 (en) | 2017-07-05 | 2023-06-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
WO2019009023A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP6474014B1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-02-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US11233958B2 (en) | 2017-07-05 | 2022-01-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US10593714B2 (en) | 2017-07-24 | 2020-03-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
JP2019024075A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US10734432B2 (en) | 2017-07-31 | 2020-08-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US11094734B2 (en) | 2017-07-31 | 2021-08-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
JP2019212901A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7511193B2 (ja) | 2018-05-31 | 2024-07-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7262078B2 (ja) | 2018-05-31 | 2023-04-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
CN110556390A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP7454789B2 (ja) | 2018-09-06 | 2024-03-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2020043332A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7411893B2 (ja) | 2018-10-01 | 2024-01-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2020057776A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7411894B2 (ja) | 2018-10-15 | 2024-01-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2020065050A (ja) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7511187B2 (ja) | 2019-02-22 | 2024-07-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2020170658A1 (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7050111B2 (ja) | 2020-04-08 | 2022-04-07 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
JP2020113793A (ja) * | 2020-04-08 | 2020-07-27 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
WO2023013366A1 (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6406585B2 (ja) | 2018-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6406585B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP6541080B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US9711558B2 (en) | Imaging device with photoelectric converter | |
JP3584196B2 (ja) | 受光素子及びそれを有する光電変換装置 | |
TWI297209B (ja) | ||
US7855407B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
TWI342617B (en) | Image sensor with improved color crosstalk | |
US8670059B2 (en) | Photoelectric conversion device having an n-type buried layer, and camera | |
JP5487798B2 (ja) | 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法 | |
US8723285B2 (en) | Photoelectric conversion device manufacturing method thereof, and camera | |
WO2014002362A1 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
CN104253138B (zh) | 光电转换装置和成像*** | |
JP2014045219A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2006261411A (ja) | フォトダイオード領域を埋め込んだイメージセンサ及びその製造方法 | |
JP2009272374A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011114302A (ja) | 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに固体撮像素子及び固体撮像装置 | |
JP6541361B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2009283649A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2019145619A (ja) | 撮像装置およびカメラ | |
JP2009071310A (ja) | イメージセンサー及びその製造方法 | |
JPWO2012160802A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
TWI536553B (zh) | 固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法 | |
JP4241527B2 (ja) | 光電変換素子 | |
JP6689936B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
JP2010087514A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180320 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180821 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180906 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6406585 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |