JP6160893B1 - レジスト剥離液 - Google Patents
レジスト剥離液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6160893B1 JP6160893B1 JP2017523005A JP2017523005A JP6160893B1 JP 6160893 B1 JP6160893 B1 JP 6160893B1 JP 2017523005 A JP2017523005 A JP 2017523005A JP 2017523005 A JP2017523005 A JP 2017523005A JP 6160893 B1 JP6160893 B1 JP 6160893B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- water
- hydrazine
- resist
- stripping solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 205
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 135
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 97
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 claims description 52
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 abstract 1
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine hydrate Chemical compound O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 192
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 101
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 93
- 239000010408 film Substances 0.000 description 74
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 73
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 56
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 36
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 20
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 18
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- -1 DNQ compound Chemical class 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 229940068918 polyethylene glycol 400 Drugs 0.000 description 6
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 5
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940105990 diglycerin Drugs 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 4
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 4
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 4
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 4
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 4
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002565 Polyethylene Glycol 400 Polymers 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- GEWWCWZGHNIUBW-UHFFFAOYSA-N 1-(4-nitrophenyl)propan-2-one Chemical compound CC(=O)CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 GEWWCWZGHNIUBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- JYYOBHFYCIDXHH-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;hydrate Chemical compound O.OC(O)=O JYYOBHFYCIDXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- IYWCBYFJFZCCGV-UHFFFAOYSA-N formamide;hydrate Chemical compound O.NC=O IYWCBYFJFZCCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- WHQSYGRFZMUQGQ-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylformamide;hydrate Chemical compound O.CN(C)C=O WHQSYGRFZMUQGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
半導体装置等の製造プロセスでは、従来より高温度で硬化を行いレジストの硬化不良を回避している。したがって、従来より剥離力の強い剥離液が必要となる。二級アミンと、極性溶媒として、１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）と、水を含み、添加剤としてヒドラジンを含み、前記水は、１０．０質量％以上３１．０質量％未満であることを特徴とするレジスト剥離液は、高温ベークされたレジストを剥離することができ、膜表面や断面への腐食も起こさない。
Description
本発明は、液晶、有機ＥＬ等のディスプレイデバイスや半導体の製造時に用いるレジストを剥離するための剥離液であり、より詳しくはハードベークされたレジスト膜であっても、レジストを除去できさらに、アルミニウム膜および銅膜に対しても、実質的に腐食しないといえるレジスト剥離液に関する。
液晶や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）では、大画面のものが求められている。一方でノートＰＣ、タブレットＰＣ、スマートフォン用として、小型高精細画面が求められている。大画面用としては、Ｃｕ配線若しくはＣｕ／Ｍｏ積層配線（以後単に「Ｃｕ配線」とも呼ぶ。）を用いたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられている。また、小型高精細画面用としては、Ａｌ配線を用いたＴＦＴが用いられている。なお、以下Ｃｕは銅、Ｍｏはモリブデン、Ａｌはアルミニウムとも呼ぶ。
パネル製造メーカの中には、１つの工場内で、Ｃｕ配線を用いたＴＦＴと、Ｃｕ配線およびＡｌ配線を混在させたＴＦＴを生産している場合もある。Ｃｕ配線とＡｌ配線を混在させたＴＦＴを生産する場合、レジスト膜の剥離工程で、Ａｌ配線を用いる場合と、Ｃｕ配線を用いる場合とでレジスト剥離液を共用することができれば生産コストおよび設備を削減できる。
水系のポジ型フォトレジスト用剥離液は、一般にアルカノールアミン、極性溶媒、水からなる組成であり、レジスト剥離装置内で４０以上、５０℃以下程度に加熱されて使用される。
アルカノールアミンは求核作用によって、ポジ型フォトレジスト剥離液中のアルカリ不溶化剤であるＤＮＱ（ジアゾナフトキノン）化合物のカルボニル基を極性溶媒および水に可溶化するために必須の成分とされている。アルカノールアミンは、窒素元素に結合している水素以外の置換基の数によって一級、二級、三級に分類される。このうち、級数が小さいほど塩基性が強く、求核性も強いことが知られている。
したがって、級数が小さなアルカノールアミンであるほど、アルカリ不溶化剤であるＤＮＱ化合物を極性溶媒や水に可溶化する力が強く、強力なレジスト剥離性能を発揮する。
一方で、アルカノールアミンはＣｕに対してキレート作用があることが知られている。Ｃｕに対するキレート作用は、Ｃｕを可溶化するため、Ｃｕ膜を腐食することになる。Ｃｕに対するキレート作用は、塩基性や求核性同様にアルカノールアミンの級数が小さいほど強い。したがって、級数が小さいアルカノールアミンほど、Ｃｕ膜を強く腐食する。
アモルファスシリコン（以後「ａ−Ｓｉ」ともいう。）や低温ポリシリコン（以後「ＬＴＰＳ」ともいう。）、酸化物半導体（以後「ＩＧＺＯ」とも呼ぶ。）といった半導体の高精細用ＴＦＴの生産プロセスでは、ドライエッチング工程において、レジストがダメージを受けて変性し、レジストを剥離するのが困難になる場合がある。これは、ポジ型レジスト膜を構成するＤＮＱ化合物とノボラック樹脂の重合が過剰に進むためと考えられる。
Ａｌ配線はアルカノールアミンによる腐食作用（キレート作用）を受けない。したがって、変性したレジストを剥離するため、強力な剥離性能を有する一級アルカノールアミンを使用するのが一般的である。
一方、Ｃｕ配線の場合は、一級若しくは二級のアルカノールアミンを用いると、Ｃｕ配線の腐食が許容できない程度に発生する場合が多い。したがって、三級アルカノールアミンを用いる剥離液が提案されている。三級アルカノールアミンはＣｕへのキレート作用が弱く、Ｃｕ膜の腐食を実用上問題のない範囲に抑えることができる。しかし、塩基性や求核性もキレート作用同様弱く、一級若しくは二級のアルカノールアミンを用いたレジスト剥離液と比較し、レジスト剥離力が弱いという欠点があった。
このような技術背景の下で、一級アルカノールアミンを用いたＡｌ配線用レジスト剥離液と同等以上の剥離性能を有し、Ｃｕ配線、Ａｌ配線の両方に用いることができるレジスト剥離液組成物が求められている。
また特許文献１には、（１）式で示される化合物および溶剤を含むレジスト剥離液が開示されている。このレジスト剥離液もＣｕ配線およびＡｌ配線のレジスト剥離工程で共用
できるとされている。
できるとされている。
また、特許文献２には、三級アルカノールアミンを使用するにも関わらず、一級アルカノールアミンを用いたＡｌ配線用レジスト剥離液と同等の剥離力をもつレジスト剥離液が開示されている。この剥離液は、三級アミンと、極性溶媒と、水と、環状アミンと、糖アルコールと、還元剤を含み、前記五員環状アミンはピロリジンもしくは３位に置換基があるピロリジンを有する組成である。
特許文献２の剥離液は、Ｃｕ配線（Ｃｕ／Ｍｏ積層配線を含む）およびＡｌ配線でのレジスト剥離工程で共用することができる。また、仮にレジスト膜にハードベークが施されたとしても、レジスト膜を剥離することができるとされている。
ところで、レジストを用いる半導体装置の製造現場では、より大規模の基板を一度に処理することが行われている。したがって、１回のフォトリソグラフィの工程での失敗は、一度に大量の不良品につながる。そこで、フォトリソグラフィの各工程では、作業パラメータを安全サイドで運用している。
具体的には、レジストの硬化工程ではより高い温度での硬化を行い、レジストの硬化不良という問題を回避している。しかし、これは同時に、従来より剥離力の強い剥離液が必要となることを意味する。
本発明は、上記の課題に鑑みて想到されたものであり、従来より高い温度でベークされたレジストであっても、剥離することができるレジスト剥離液を提供するものである。もちろん、剥離力が強いだけでなく、Ｃｕ、ＭｏおよびＡｌといった金属に対する腐食性が低いといった点も要求されるのは言うまでもない。
より具体的に本発明に係るレジスト剥離液は、
二級アミンと、
極性溶媒として、
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）と、
水を含み、
添加剤として
ヒドラジンを含み、
前記水は、１０．０質量％以上３１．０質量％未満であることを特徴とする。
二級アミンと、
極性溶媒として、
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）と、
水を含み、
添加剤として
ヒドラジンを含み、
前記水は、１０．０質量％以上３１．０質量％未満であることを特徴とする。
本発明に係るレジスト剥離液は、二級アミンを用いているので、従来よりも高温でベークされたレジストであっても、確実に剥離することができる。さらに、本発明に係るレジスト剥離液は、極性溶媒として１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を含むため、二級アミンを含有しているにも関わらず、ＣｕやＭｏ、Ａｌといった金属への腐食が抑制される。
また、本発明に係るレジスト剥離液には、沸点の高い二級アミンが用いられているので、使用後にリサイクルをすることができる。
また、本発明に係るレジスト剥離液は、バスライフに優れ、大気開放状態で１２時間以上放置しても、４日密閉保存しても、レジスト剥離能力に変化はない。
以下本発明に係るレジスト剥離液について説明する。なお、以下の説明は本発明に係るフォトレジスト剥離液の一実施形態を示すものであり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、以下の実施形態および実施例は改変されてもよい。なお、本明細書において、範囲を表す際に用いる「以上」と「以下」は、「その値を含めて大きい」と「その値を含めて小さい」という意味である。また、「未満」は「その値を含めず小さい」という意味である。
本発明に係るレジスト剥離液が剥離するレジスト膜は、ポジ型レジストを想定している。ポジ型レジストには、樹脂としてノボラック系の樹脂が含まれ、感光剤としてジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）化合物が使用される。エッチングを行う場合、基板上にレジスト膜を形成し、パターンを介して露光を行う。
この露光によってＤＮＱ化合物がインデンケテンに変わる。インデンケテンは水と会合すると、インデンカルボン酸に変わり、水に溶解する。ノボラック系の樹脂は、もともとアルカリ溶液に溶解する性質を有するが、ＤＮＱ化合物によって溶解点をプロテクトされている。ＤＮＱ化合物が露光によって変質し、水を含む現像液に溶けだすことで、ノボラック樹脂も溶け出す。このようにしてレジスト膜のパターニングが完成する。
レジスト膜によってパターンニングが完成した基板は、ポストベークを経てウエットエッチング若しくは、ドライエッチング処理が施される。ポストベークはレジスト膜中のノボラック樹脂とＤＮＱ化合物の重合をある程度進めるために行われる。通常１４０℃で５分程度の加熱処理である。本明細書でハードベークとは、１７０℃で３０分以上の加熱条件を言う。ノボラック樹脂とＤＮＱ化合物は、ベーク温度が上昇すると、急速に重合が進み下地の金属膜に強固に固着し、溶解しにくくなる。本発明に係るレジスト剥離液は、このようなハードベークを経たレジスト膜をも対象とする。
本発明に係るレジスト剥離液は、二級アミンと、極性溶媒と、還元剤を含む。二級アミンとしては、沸点が水より高く、また、水と共沸しないものが望ましい。剥離液をリサイクルする際に、水と分離させるためである。そのようなものとして、Ｎ−メチルエタノールアミン（以後「ＭＭＡ」とも呼ぶ。沸点は１５５℃。ＣＡＳ番号１０９−８３−１）、Ｎ−エチルエタノールアミン（以後「ＥＥＡ」とも呼ぶ。沸点１７０℃。ＣＡＳ番号１１０−７３−６）が好適に利用できる。これらは混合してもよい。
また、これらは剥離液全量に対し、０．５質量％以上、９．０質量％以下がよく、好ましくは１．０質量％以上、８．０質量％以下、最も好ましくは２．０質量％以上、７．０質量％以下がよい。二級アミンが少ないと、ハードベークしたレジストを剥離することができない。一方、多すぎると、金属ダメージが大きくなる。なお、性能としては、９．０質量％を含有させても、必要とされる性能に対して問題は発生しないことを確認している。
極性溶媒としては、水と親和性のある有機溶媒（水溶性有機溶媒と呼ぶ。）であればよい。また上記の二級アミンとの混合性が良好であればより好適である。
このような水溶性有機溶媒としては、１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（以後「ＤＭＩ」とも呼ぶ。ＣＡＳ番号８０−７３−９）が好適に利用できる。極性溶媒は、水溶性有機溶媒と水で構成される。
極性溶媒としては、剥離液全量に対して二級アミンと後述する還元剤の量を除いた量である。具体的には９０．６０質量％以上９９．４７質量％以下である。
極性溶媒中の各材料には、以下のような望ましい範囲がある。まず、水は、レジスト剥離液全量に対して、１０．０質量％以上、３１．０質量％未満が好適である。水が多すぎると、金属膜がＡｌの場合にＡｌを腐食させてしまうという問題が生じるからである。１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）は極性溶媒の残りとしてよい。１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）は、それだけで、ヒドラジンを安定させ、二級アミンおよびヒドラジンの金属膜の表面および断面へのダメージを緩和させる。
添加剤としては、還元剤のヒドラジン（以後「ＨＮ」とも記す。ＣＡＳ番号３０２−０１−２）が好適に利用できる。還元剤の添加は、二級アミンによるＭｏアンダーカットを抑制する。還元剤は、レジスト剥離液全量に対して０．０３質量％以上０．４質量％以下の範囲が望ましい。より好ましくは０．０６質量％以上、０．２質量％以下の範囲である。なお、ヒドラジンは安全に取扱う観点から水和物（ヒドラジン一水和物：「ＨＮ・Ｈ２Ｏ」と記す。）を用いても良い。
以下に本発明に係るレジスト剥離液の実施例および比較例を示す。レジスト剥離液は「レジスト剥離性」と「金属膜の腐食性」と「バスライフ」の３点について評価した。
＜レジスト剥離性＞
シリコン基板上に、シリコン熱酸化膜を１００ｎｍ成膜し、シリコン熱酸化膜上にスパッタ法で銅膜を３００ｎｍの厚みに形成した。その銅膜上にポジ型レジスト液をスピンコートで塗布しレジスト膜を作製した。レジスト膜が乾燥した後、配線パターンのマスクを用いて露光した。そして現像液で、感光した部分のレジストを除去した。つまり、銅膜上に配線パターンのレジスト膜が残った部分と、銅膜が露出した部分がある状態である。その後シリコン基板全体を１７０℃で３０分のポストベークを行った。
シリコン基板上に、シリコン熱酸化膜を１００ｎｍ成膜し、シリコン熱酸化膜上にスパッタ法で銅膜を３００ｎｍの厚みに形成した。その銅膜上にポジ型レジスト液をスピンコートで塗布しレジスト膜を作製した。レジスト膜が乾燥した後、配線パターンのマスクを用いて露光した。そして現像液で、感光した部分のレジストを除去した。つまり、銅膜上に配線パターンのレジスト膜が残った部分と、銅膜が露出した部分がある状態である。その後シリコン基板全体を１７０℃で３０分のポストベークを行った。
次に、過水系の銅のエッチャントを用いて、露出した銅膜をエッチングし除去した。銅膜のエッチングが終了した後、残った銅のパターン上のレジスト膜を、サンプルレジスト剥離液を用いて剥離した。剥離のための処理時間は１５分とし、剥離までの時間を測定した。剥離できたかどうかの光学顕微鏡で干渉をかけながら観察することで判断した。
１５分経過しても銅膜上にレジスト膜の残りが確認された場合は、「×」（バツ）とし、レジスト膜の残りが確認されなかった場合は、「○」（マル）とした。この場合は、剥離が完了した時間も記録した。なお、「○」（マル）は成功若しくは合格を意味し、「×」（バツ）は失敗若しくは不合格を意味する。以下の評価でも同じである。
＜金属膜の腐食性＞
金属膜の腐食性は以下のようにして評価した。まず、シリコン基板上にシリコン熱酸化膜を１００ｎｍの厚みに成膜した。次に、シリコン基板上のシリコン熱酸化膜上に、モリブデン膜を２０ｎｍの厚みで成膜し、その上に続けて銅膜を３００ｎｍの厚みで成膜し、Ｃｕ／Ｍｏの積層膜サンプルを作製した。これを、「Ｃｕ／Ｍｏ」と記す。また、シリコン基板上のシリコン熱酸化膜上にアルミニウム膜を３００ｎｍの厚さで成膜し、Ａｌ膜サンプルを作製した。これを「Ａｌ」と記す。
金属膜の腐食性は以下のようにして評価した。まず、シリコン基板上にシリコン熱酸化膜を１００ｎｍの厚みに成膜した。次に、シリコン基板上のシリコン熱酸化膜上に、モリブデン膜を２０ｎｍの厚みで成膜し、その上に続けて銅膜を３００ｎｍの厚みで成膜し、Ｃｕ／Ｍｏの積層膜サンプルを作製した。これを、「Ｃｕ／Ｍｏ」と記す。また、シリコン基板上のシリコン熱酸化膜上にアルミニウム膜を３００ｎｍの厚さで成膜し、Ａｌ膜サンプルを作製した。これを「Ａｌ」と記す。
これらの評価サンプル上に配線形状にパターニングしたレジストを形成し、腐食性評価用の基材とした。つまり、腐食性評価用基材は、シリコン基板上のシリコン熱酸化膜上に形成されたＣｕ／Ｍｏ膜、Ａｌ膜のいずれかの層と、その上に配線形状に形成されたレジスト層からなる。
これらの腐食性評価用基材を銅膜用若しくは、アルミニウム膜用のエッチャントにジャストエッチングする時間の間浸漬させ、エッチングを行った。その後エッチング後の腐食性評価用基材をサンプルレジスト剥離液に４分間浸漬させ、レジスト膜を剥離した。サンプルレジスト剥離液に４分間浸漬させた腐食性評価用基材を洗浄し、乾燥させた後、膜表面を観察した。また、配線部分を切断し、切断面を観察した。
なお、ジャストエッチングの判断は、エッチング開始からシリコン熱酸化膜が目視で確認できた時点とした。
膜表面および切断面の観測は、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（日立製：ＳＵ８０２０型）を用い、加速電圧１ｋＶ、３０，０００〜５０，０００倍の条件で行った。
切断面形状の概念図を図１に示す。図１（ａ）には、「Ａｌ」の場合の切断面形状を示す。ジャストエッチングされた部分の切断面形状は、基板１に対してほぼ３０°乃至６０°の角度のテーパー角５が形成されている。膜部２は、Ａｌ膜である。
図１（ｂ）には「Ｃｕ／Ｍｏ」の場合を示す。「Ｃｕ／Ｍｏ」の場合は、少なくとも上層の膜部２（Ｃｕ）はテーパー角５を有している。下地層３（Ｍｏ）は、膜部２のテーパー面６に沿ってエッチングされるのが望ましい。しかし、図１（ｂ）に示すように、膜部２よりエッチング残りがあってもよい。
腐食性の評価は、この断面形状の観察により、膜部２や膜部２の表面４若しくは下地層３のいずれかに腐食が確認された場合は、バツ（×）と判断し、腐食が観測されなかった場合はマル（○）と判断した。
特に「Ｃｕ／Ｍｏ」の場合は、図１（ｃ）に示すように、下地層３（Ｍｏ）と膜部２（Ｃｕ）の間に腐食が発生する場合がある。つまり、膜部２と下地層３の界面から下地層３のＭｏの溶解がスタートし、選択的にＭｏ（下地層３）が銅層（膜部２）より早くエッチングされることがある。したがって、下地層３と膜部２の間に隙間１０を確認できた場合は、評価はバツ（×）とした。
＜バスライフ＞
レジスト剥離液は、アミン、有機溶剤、還元剤といった材料の混合組成物である。空気中の二酸化炭素が剥離液中に溶解し、炭酸・重炭酸イオンとなったり、アミンと反応してカルバメートイオンを生じたりする結果、剥離力が低下したり、金属ダメージが大きくなったりする。
レジスト剥離液は、アミン、有機溶剤、還元剤といった材料の混合組成物である。空気中の二酸化炭素が剥離液中に溶解し、炭酸・重炭酸イオンとなったり、アミンと反応してカルバメートイオンを生じたりする結果、剥離力が低下したり、金属ダメージが大きくなったりする。
特に、大規模な工場では、大量のレジスト剥離液が大気開放環境で使用される。また、レジスト剥離液は循環使用されるため、レジスト剥離液は空気と会合する機会が多い。したがって、バスライフが短いと、頻繁にレジスト剥離液の入れ替え若しくは、継ぎ足しが必要となる。
試験方法としては、各レジスト剥離液を調製後、０時間、６時間、１２時間の時間で、常温大気中環境下で放置し、レジスト剥離性の試験を行い、「Ｃｕ／Ｍｏ」、「Ａｌ」の表面および断面状態をＳＥＭで観察した。評価方法は、＜レジスト剥離性＞と＜金属の腐食性＞についての場合と同じである。
また、レジスト剥離液は、容器に入れて搬入される。しかし、常温で容器保存できなければ、工場での使い勝手は極めて悪くなる。そこで、密閉常温保存によって、成分の変化についても調べた。
評価方法は密閉容器に入れ、常温で４日間放置し、ヒドラジンの安定性を測定した。ヒドラジンが調製直後と比較して、１％以上減少した場合は「×」とし、１％未満であれば、「○」とした。
＜サンプルレジスト剥離液＞
以下の要領でサンプルレジスト剥離液を調製した。
以下の要領でサンプルレジスト剥離液を調製した。
（実施例１）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例１のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例１のサンプルレジスト剥離液とした。
なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。以下全ての実施例と比較例において、ヒドラジン一水和物を用いた場合は、同様の意味である。
（実施例２）
二級アミンとしてＮ―エチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ―エチルエタノールアミン（ＥＥＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例２のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ―エチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ―エチルエタノールアミン（ＥＥＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例２のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例２は実施例１の二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ））を、Ｎ―エチルエタノールアミン（ＥＥＡ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（実施例３）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７０．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例３のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７０．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例３のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例３は実施例１の極性溶媒のＤＭＩと水の比率を変更した組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２４．０３６質量％であるといえる。
（実施例４）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６８．９質量％
水 ２６．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例４のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６８．９質量％
水 ２６．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例４のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例４は、実施例１の極性溶媒のＤＭＩと水の比率を変更した組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２６．０３６質量％であるといえる。
（実施例５）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６６．９質量％
水 ２８．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例５のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６６．９質量％
水 ２８．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例５のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例５は、実施例１の極性溶媒のＤＭＩと水の比率を変更した組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２８．０３６質量％であるといえる。
（実施例６）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ２．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７３．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例６のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ２．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７３．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例６のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例６は実施例１の二級アミンの量を減らした組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２４．０３６質量％であるといえる。
（実施例７）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ３．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７２．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例７のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ３．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７２．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例７のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例７は実施例１の二級アミンの量を減らした組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２４．０３６質量％であるといえる。
（実施例８）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ４．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７１．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例８のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ４．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７１．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例８のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例８は実施例１の二級アミンの量を減らした組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２４．０３６質量％であるといえる。
（実施例９）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７０．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例９のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７０．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例９のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例９は実施例１の二級アミンの量と同じ量にした組成である。ただし、実施例１とは、水の量が異なる。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２４．０３６質量％であるといえる。
（実施例１０）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ６．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６９．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例１０のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ６．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６９．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例１０のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例１０は実施例１の二級アミンの量を増やした組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２４．０３６質量％であるといえる。
（実施例１１）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ７．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６８．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例１１のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ７．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６８．９質量％
水 ２４．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して実施例１１のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例１１は実施例１の二級アミンの量を増やした組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２４．０３６質量％であるといえる。
（比較例１）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水とＮ−メチルホルムアミドを混合した。
Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ：ＣＡＳ番号１２３−３９−７） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例１のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水とＮ−メチルホルムアミドを混合した。
Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ：ＣＡＳ番号１２３−３９−７） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例１のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例１は実施例１の極性溶媒の１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）をＮ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例２）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを混合した。
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ：ＣＡＳ番号６８−１２−２） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例２のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを混合した。
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ：ＣＡＳ番号６８−１２−２） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例２のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例２は実施例１の極性溶媒の１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例３）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と２−ピロリドンを混合した。
２−ピロリドン（２Ｐ：ＣＡＳ番号６１６−４５−５） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例３のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と２−ピロリドンを混合した。
２−ピロリドン（２Ｐ：ＣＡＳ番号６１６−４５−５） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例３のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例３は実施例１の極性溶媒の１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を２−ピロリドン（２Ｐ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例４）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１−メチル−２−ピロリドンを混合した。
１−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ：ＣＡＳ番号８７２−５０−４） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例４のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１−メチル−２−ピロリドンを混合した。
１−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ：ＣＡＳ番号８７２−５０−４） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例４のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例４は実施例１の極性溶媒の１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を１−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例５）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水とＮＥＰを混合した。
１−エチル−２−ピロリドン（ＮＥＰ：ＣＡＳ番号２６８７−９１−４） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例５のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水とＮＥＰを混合した。
１−エチル−２−ピロリドン（ＮＥＰ：ＣＡＳ番号２６８７−９１−４） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例５のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例５は実施例１の極性溶媒の１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を１−エチル−２−ピロリドン（ＮＥＰ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例６）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水とγブチロラクトンを混合した。
γブチロラクトン（ＧＢＬ：ＣＡＳ番号９６−４８−０） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例６のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水とγブチロラクトンを混合した。
γブチロラクトン（ＧＢＬ：ＣＡＳ番号９６−４８−０） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例６のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例６は実施例１の極性溶媒の１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）をγブチロラクトン（ＧＢＬ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例７）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と炭酸エチレンを混合した。
炭酸エチレン（ＥＣ：ＣＡＳ番号９６−４９−１） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例７のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と炭酸エチレンを混合した。
炭酸エチレン（ＥＣ：ＣＡＳ番号９６−４９−１） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例７のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例７は実施例１の極性溶媒の１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を炭酸エチレン（ＥＣ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例８）
アミンとして三級アミンのＮ−メチルジエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルジエタノールアミン（ＭＤＥＡ：ＣＡＳ番号１０５−５９−９）
５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例８のサンプルレジスト剥離液とした。
アミンとして三級アミンのＮ−メチルジエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルジエタノールアミン（ＭＤＥＡ：ＣＡＳ番号１０５−５９−９）
５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例８のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例８は実施例１の二級アミンのＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を三級アミンのＮ−メチルジエタノールアミン（ＭＤＥＡ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例９）
アミンとして環状アミンのピロリジンを用いた。
ピロリジン（ＰＲＬ：ＣＡＳ番号１２３−７５−１）
１．５質量％
極性溶媒は、水とＤＭＩを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７８．４質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例９のサンプルレジスト剥離液とした。
アミンとして環状アミンのピロリジンを用いた。
ピロリジン（ＰＲＬ：ＣＡＳ番号１２３−７５−１）
１．５質量％
極性溶媒は、水とＤＭＩを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７８．４質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例９のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例９は実施例１の二級アミンのＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を環状アミンのピロリジン（ＰＲＬ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例１０）
アミンとして環状アミンのヒドロキシエチルピペラジンを用いた。
ヒドロキシエチルピペラジン（ＯＨ−ＰＩＺ：ＣＡＳ番号１０３−７６−４）
５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例１０のサンプルレジスト剥離液とした。
アミンとして環状アミンのヒドロキシエチルピペラジンを用いた。
ヒドロキシエチルピペラジン（ＯＨ−ＰＩＺ：ＣＡＳ番号１０３−７６−４）
５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例１０のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例１０は実施例１の二級アミンのＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を環状アミンのヒドロキシエチルピペラジン（ＯＨ−ＰＩＺ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例１１）
アミンとして一級アミンのモノエタノールアミンを用いた。
モノエタノールアミン（ＭＥＡ：ＣＡＳ番号１４１−４３−５）
５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例１１のサンプルレジスト剥離液とした。
アミンとして一級アミンのモノエタノールアミンを用いた。
モノエタノールアミン（ＭＥＡ：ＣＡＳ番号１４１−４３−５）
５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．９質量％
水 ２０．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例１１のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例１１は実施例１の二級アミンのＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を一級アミンのモノエタノールアミン（ＭＥＡ）に換えた組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると２０．０３６質量％であるといえる。
（比較例１２）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７５．０質量％
水 ２０．０質量％
還元剤は入れなかった。
以上を混合攪拌して比較例１２のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１２は実施例１の還元剤ヒドラジン（ＨＮ）を抜いた組成である。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７５．０質量％
水 ２０．０質量％
還元剤は入れなかった。
以上を混合攪拌して比較例１２のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１２は実施例１の還元剤ヒドラジン（ＨＮ）を抜いた組成である。
（比較例１３）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．５質量％
水 ２０．０質量％
添加剤としてソルビトールを用いた。
ソルビトール（Ｓｔｏｌ：ＣＡＳ番号５０−７０−４） ０．５質量％
以上を混合攪拌して比較例１３のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１３は、実施例１の添加剤（還元剤：ヒドラジン（ＨＮ））をソルビトールに換えた組成である。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．５質量％
水 ２０．０質量％
添加剤としてソルビトールを用いた。
ソルビトール（Ｓｔｏｌ：ＣＡＳ番号５０−７０−４） ０．５質量％
以上を混合攪拌して比較例１３のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１３は、実施例１の添加剤（還元剤：ヒドラジン（ＨＮ））をソルビトールに換えた組成である。
（比較例１４）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．５質量％
水 ２０．０質量％
添加剤としてジグリセリンを用いた。
ジグリセリン（ＣＡＳ番号６２７−８２−７） ０．５質量％
以上を混合攪拌して比較例１４のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１４は、実施例１の添加剤（還元剤：ヒドラジン（ＨＮ））をジグリセリンに換えた組成である。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．５質量％
水 ２０．０質量％
添加剤としてジグリセリンを用いた。
ジグリセリン（ＣＡＳ番号６２７−８２−７） ０．５質量％
以上を混合攪拌して比較例１４のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１４は、実施例１の添加剤（還元剤：ヒドラジン（ＨＮ））をジグリセリンに換えた組成である。
（比較例１５）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．５質量％
水 ２０．０質量％
添加剤としてサッカリンを用いた。
サッカリン（ＣＡＳ番号８１−０７−２） ０．５質量％
以上を混合攪拌して比較例１５のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１５は、実施例１の添加剤（還元剤：ヒドラジン（ＨＮ））をサッカリンに換えた組成である。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．５質量％
水 ２０．０質量％
添加剤としてサッカリンを用いた。
サッカリン（ＣＡＳ番号８１−０７−２） ０．５質量％
以上を混合攪拌して比較例１５のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１５は、実施例１の添加剤（還元剤：ヒドラジン（ＨＮ））をサッカリンに換えた組成である。
（比較例１６）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．５質量％
水 ２０．０質量％
添加剤としてポリエチレングリコール４００（ＰＥＧ４００）を用いた。
ポリエチレングリコール４００（ＰＥＧ４００：ＣＡＳ番号２５３２２−６８−３）
０．５質量％
以上を混合攪拌して比較例１６のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１６は、実施例１の添加剤（還元剤：ヒドラジン（ＨＮ））をポリエチレングリコール４００に換えた組成である。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ７４．５質量％
水 ２０．０質量％
添加剤としてポリエチレングリコール４００（ＰＥＧ４００）を用いた。
ポリエチレングリコール４００（ＰＥＧ４００：ＣＡＳ番号２５３２２−６８−３）
０．５質量％
以上を混合攪拌して比較例１６のサンプルレジスト剥離液とした。比較例１６は、実施例１の添加剤（還元剤：ヒドラジン（ＨＮ））をポリエチレングリコール４００に換えた組成である。
（比較例１７）
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６３．９質量％
水 ３１．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例１７のサンプルレジスト剥離液とした。
二級アミンとしてＮ−メチルエタノールアミンを用いた。
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ） ５．０質量％
極性溶媒は、水と１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノンを混合した。
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ） ６３．９質量％
水 ３１．０質量％
還元剤としてヒドラジンを用いた。
ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ） ０．１質量％
以上を混合攪拌して比較例１７のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例１７は実施例１の水の量を２０．０質量％から３１．０質量％に増やした組成である。なお、ヒドラジン一水和物の０．１質量％は、ヒドラジン０．０６４質量％に当たる。ヒドラジン一水和物の残りの０．０３６質量％分は水である。したがって、上記の水の組成比は、ヒドラジン一水和物として投入される分も含めると３１．０３６質量％であるといえる。
実施例１および比較例１〜７の組成と評価結果を表１に示す。また、実施例１および２と比較例８〜１１の組成と評価結果を表２に示す。また、実施例１と比較例１２〜１６の組成と評価結果を表３に示す。また、実施例１、３〜５と比較例１７の組成と評価結果を表４に示す。また、実施例６〜１１の組成と評価結果を表５に示す。
表１に実施例１および比較例１〜７の組成と評価結果を示す。実施例１を参照する。アミンとして二級アミンのＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を用い、極性溶媒として１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）と水だけの混合液を用いることで、１７０℃３０分という条件でベークしたレジストを４分以内に剥離することができた。また、「Ｃｕ／Ｍｏ」および「Ａｌ」の膜のダメージも良好であった。
また、剥離液を大気開放状態で放置しておいた時のバスライフは１２時間経過しても、剥離力は変わらなかった。さらに、４日間の密閉保存でもヒドラジンの減少は認められなかった。
比較例１は、実施例１の極性溶媒の１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）に換えて、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）を用いたものである。
比較例２は、ＤＭＩに換えて、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用いたものである。
比較例３は、ＤＭＩに換えて、２−ピロリドン（２Ｐ）を用いたものである。
比較例４は、ＤＭＩに換えて、１−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を用いたものである。
比較例５は、ＤＭＩに換えて、１−エチル−２−ピロリドン（ＮＥＰ）を用いたものである。
比較例６は、ＤＭＩに換えて、γブチロラクトン（ＧＢＬ）を用いたものである。
比較例７は、ＤＭＩに換えて、炭酸エチレン（ＥＣ）を用いたものである。
比較例２は、ＤＭＩに換えて、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用いたものである。
比較例３は、ＤＭＩに換えて、２−ピロリドン（２Ｐ）を用いたものである。
比較例４は、ＤＭＩに換えて、１−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を用いたものである。
比較例５は、ＤＭＩに換えて、１−エチル−２−ピロリドン（ＮＥＰ）を用いたものである。
比較例６は、ＤＭＩに換えて、γブチロラクトン（ＧＢＬ）を用いたものである。
比較例７は、ＤＭＩに換えて、炭酸エチレン（ＥＣ）を用いたものである。
比較例１は、調製直後の剥離性については、良好に剥離が行われた。しかし、大気中に放置しておくと、「Ｃｕ／Ｍｏ」の断面および表面でダメージが発生した。また、４日の密閉放置では、ヒドラジンの減少が観察された。
比較例２も、調製直後の剥離性については、良好に剥離が行われた。しかし、大気中に放置しておくと、１２時間後に「Ｃｕ／Ｍｏ」の断面および表面でダメージが発生した。また、４日の密閉放置では、ヒドラジンの減少が観察された。
比較例３は、調製直後の剥離性、大気中の１２時間の放置後の金属膜へのダメージで問題は起きなかった。しかし、４日の密閉放置では、ヒドラジンの減少が観察された。
比較例４も、調製直後の剥離性、大気中の１２時間の放置後の金属膜へのダメージで問題は起きなかった。しかし、４日の密閉放置では、ヒドラジンの減少が観察された。
比較例５も、調製直後の剥離性、大気中の１２時間の放置後の金属膜へのダメージで問題は起きなかった。しかし、４日の密閉放置では、ヒドラジンの減少が観察された。
比較例６は、調製直後の剥離性については、良好に剥離が行われた。しかし、「Ｃｕ／Ｍｏ」の断面および表面でダメージが発生した。したがって、バスライフについては、試験を行わなかった。
比較例７は、調製直後にハードベークしたレジスト膜を剥離することができなかった。したがって、バスライフについては、試験を行わなかった。
以上のように、実施例１の二級アミンのＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を用い、極性溶媒として１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）と水だけの混合液を用い、ヒドラジンを含む剥離液は、剥離能力およびバスライフについて良好な結果を得た。
表２に、実施例１および２と比較例８〜１１の組成と評価結果を示す。実施例１は再掲であるので、括弧で示した。実施例２は、二級アミンをＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）に換えて、Ｎ−エチルエタノールアミン（ＥＥＡ）を用いた場合である。実施例２は、剥離力および金属へのダメージおよびバスライフも実施例１同様良好であった。
比較例８〜１１は、アミンを変更した場合である。比較例８は、アミンを三級アミンのＮ−メチルジエタノールアミン（ＭＤＥＡ）を用いた場合である。また、比較例９は、環状アミンのピロリジン（ＰＲＬ）を用いた場合であり、比較例１０は、環状アミンのヒドロキシエチルピペラジン（ＯＨ−ＰＩＺ）を用いた場合である。比較例１１は一級アミンのモノエタノールアミン（ＭＥＡ）を用いた例である。
比較例８、９、１０はハードベークしたレジストを剥離することはできなかった。したがって、バスライフについては、試験を行わなかった。また、一級アミンのモノエタノールアミン（ＭＥＡ）は、調製直後は、ハードベークしたレジストを剥離することはできたが、「Ｃｕ／Ｍｏ」の表面および断面にダメージを与えた。したがって、比較例１１についてもバスライフについての試験は、行わなかった。
表３に、実施例１と比較例１２〜１６の組成と評価結果を示す。実施例１は再掲であるので、括弧で示した。比較例１２は、ヒドラジン（ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ））を入れない組成である。比較例１２は調製直後にはハードベークしたレジストを剥離することはできた。しかし、「Ｃｕ／Ｍｏ」の膜ダメージが生じた。
比較例１３は添加剤としてソルビトール（Ｓｔｏｌ）を入れたものである。また、比較例１４は添加剤としてジグリセリンを入れたものである。比較例１３、比較例１４は調製直後にハードベークしたレジストを剥離することができなかった。
比較例１５は添加剤としてサッカリンを入れたものである。また、比較例１６は、添加剤としてポリエチレングリコール４００（ＰＥＧ４００）を入れたものである。比較例１５および比較例１６は調製直後には、ハードベークしたレジストを剥離することができた。しかし、両比較例とも「Ｃｕ／Ｍｏ」の断面にダメージが生じた。
以上のことから、ヒドラジン（ヒドラジン一水和物（ＨＮ・Ｈ２Ｏ））は本発明に係る剥離液に必須の材料であると言える。
表４に、実施例１、３〜５と比較例１７の組成と評価結果を示す。実施例１は再掲であるので、括弧で示した。表４は、水の量についての検討である。実施例３は水分量を２４．０質量％にしたものであり、実施例４は水分量を２６．０質量％にしたものであり、実施例５は水分量を２８．０質量％にしたものである。一方比較例１７は水分量を３１．０質量％まで増やしたものである。
その他の組成は実施例１と同じである。したがって、剥離力やバスライフについては、いずれのサンプルも問題はなかった。しかし、水分量を３１．０質量％まで増やした比較例１７は「Ａｌ」の表面および断面に腐食が生じた。以上のことから、水分量は３１．０質量％未満でなければならないことが分かる。
表５に実施例６〜１１の組成と評価結果を示す。実施例６〜１１はアミンの量を検討したものである。水の量は全て２４．０質量％にそろえてある。また、表の並びは、アミンの量が少ないものから多いものへ配列した。実施例６はＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を２．０質量％であり、実施例７は３．０質量％、実施例８は４．０質量％である。これらは実施例１のＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）の組成比（５．０質量％）よりアミンが少ない組成である。なお、実施例９のアミンの量は、実施例１のＭＭＡの組成比と同じ５．０質量％である。
実施例１０はＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を６．０質量％、実施例１１はＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）を７．０質量％の場合である。実施例１０および１２は実施例１よりもＮ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）の量が多い組成である。
表５に示した実施例６〜１１のいずれのサンプルも、剥離力、金属表面へのダメージ、およびバスライフについて実施例１同様に良好であった。すなわち、Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）は、７．０質量％と高濃度で調製しても、性能に問題はない。つまり本発明の組成では、アミンについては、規定の調合比からずれたとしても、性能に問題が生じない。
本発明に係るレジスト剥離液は、特にハードベークされたレジストを確実に剥離することが可能であり、フォトレジストを使用する局面で好適に利用することができる。
１ 基板
２ 膜部
３ 下地層
４ （膜部の）表面
５ テーパー角
１０ （下地のＭｏ層とＣｕ層の間の）隙間
２ 膜部
３ 下地層
４ （膜部の）表面
５ テーパー角
１０ （下地のＭｏ層とＣｕ層の間の）隙間
Claims (3)
- 二級アミンと、
極性溶媒として、
１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）と、
水を含み、
添加剤として
ヒドラジンを含み、
前記水は、１０．０質量％以上３１．０質量％未満であることを特徴とするレジスト剥離液。 - 前記二級アミンは、Ｎ−メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）と、Ｎ−エチルエタノールアミン（ＥＥＡ）の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載されたレジスト剥離液。
- レジストを剥離するレジスト剥離液であって、
０．５質量％以上、９．０質量％以下の二級アミンと、
０．０３質量％以上０．４質量％以下のヒドラジンと、
１０．０質量％以上、３１．０質量％未満の水と、
残りが１，３−ジメチルー２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）で構成されることを特徴とするレジスト剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106133105A TWI629353B (zh) | 2016-09-30 | 2017-09-27 | Receptor stripping solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2016/004436 WO2018061064A1 (ja) | 2016-09-30 | 2016-09-30 | レジスト剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6160893B1 true JP6160893B1 (ja) | 2017-07-12 |
| JPWO2018061064A1 JPWO2018061064A1 (ja) | 2018-10-04 |
Family
ID=59308856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017523005A Active JP6160893B1 (ja) | 2016-09-30 | 2016-09-30 | レジスト剥離液 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6160893B1 (ja) |
| CN (1) | CN107995960B (ja) |
| TW (1) | TWI629353B (ja) |
| WO (1) | WO2018061064A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020194418A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
| JP6823821B1 (ja) * | 2019-11-20 | 2021-02-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3828513A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-01 | Merck Patent Gmbh | Abloesemittel fuer fotoresists |
| JPH06298974A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-25 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
| JPH0887117A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| JPH08334905A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| JPH0996911A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| JPH09311467A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Nitto Denko Corp | レジスト剥離剤 |
| JPH10239865A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Jsr Corp | ネガ型フォトレジスト用剥離液組成物 |
| JP2000056480A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
| JP2001022095A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-26 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト用剥離液 |
| JP2001022096A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-26 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト用剥離液 |
| WO2001021750A1 (fr) * | 1999-09-24 | 2001-03-29 | Tokuyama Corporation | Detergent |
| JP2002162754A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト用剥離液とその利用 |
| JP2003068699A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Showa Denko Kk | サイドウォール除去液 |
| JP2003255565A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
| JP2004045774A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| WO2016101333A1 (zh) * | 2014-12-23 | 2016-06-30 | 郑玢 | 一种光阻残留物清洗液 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4810764B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-11-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤組成物 |
| KR100718527B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2007-05-16 | 테크노세미켐 주식회사 | 네거티브 포토레지스트용 박리액 조성물 |
| JP4716225B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2011-07-06 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP5575318B1 (ja) * | 2013-09-02 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | レジスト剥離液 |
| JP6277511B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-02-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
-
2016
- 2016-09-30 JP JP2017523005A patent/JP6160893B1/ja active Active
- 2016-09-30 CN CN201680034620.4A patent/CN107995960B/zh active Active
- 2016-09-30 WO PCT/JP2016/004436 patent/WO2018061064A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-09-27 TW TW106133105A patent/TWI629353B/zh active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3828513A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-01 | Merck Patent Gmbh | Abloesemittel fuer fotoresists |
| JPH06298974A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-25 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
| JPH0887117A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| JPH08334905A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| JPH0996911A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| JPH09311467A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Nitto Denko Corp | レジスト剥離剤 |
| JPH10239865A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Jsr Corp | ネガ型フォトレジスト用剥離液組成物 |
| JP2000056480A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
| JP2001022095A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-26 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト用剥離液 |
| JP2001022096A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-26 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト用剥離液 |
| WO2001021750A1 (fr) * | 1999-09-24 | 2001-03-29 | Tokuyama Corporation | Detergent |
| JP2002162754A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト用剥離液とその利用 |
| JP2003068699A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Showa Denko Kk | サイドウォール除去液 |
| JP2003255565A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
| JP2004045774A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| WO2016101333A1 (zh) * | 2014-12-23 | 2016-06-30 | 郑玢 | 一种光阻残留物清洗液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2018061064A1 (ja) | 2018-10-04 |
| TW201814036A (zh) | 2018-04-16 |
| CN107995960B (zh) | 2019-03-12 |
| TWI629353B (zh) | 2018-07-11 |
| CN107995960A (zh) | 2018-05-04 |
| WO2018061064A1 (ja) | 2018-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6277511B2 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP5593466B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP5885046B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP2016095413A (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP6160893B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP6176584B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP5885041B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP6198095B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP5885043B1 (ja) | レジスト剥離液とその製造方法 | |
| JP6213803B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
| JP5885045B1 (ja) | レジスト剥離液とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170427 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170427 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170519 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170530 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170531 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6160893 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |