JP6159490B1 - Light transmissive conductive film and method for producing annealed light transmissive conductive film - Google Patents
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Abstract
アニール処理を短時間で行ったとしても、抵抗値を低くすることができる光透過性導電フィルムを提供する。本発明に係る光透過性導電フィルムは、光透過性及び導電性を有する導電層と、前記導電層の一方の表面側に配置されている基材とを備え、前記導電層は、インジウム・スズ酸化物の非晶質層であり、前記導電層におけるＩｎ原子とＳｎ原子との合計の含有量１００重量％中、Ｓｎ原子の含有量が７重量％以上であり、前記導電層のキャリア密度が４×１０２０／ｃｍ３以上、６×１０２０／ｃｍ３以下であり、前記導電層のホール移動度が２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、２８ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である。Provided is a light-transmitting conductive film capable of reducing the resistance value even when annealing is performed in a short time. The light-transmitting conductive film according to the present invention includes a light-transmitting and conductive conductive layer and a substrate disposed on one surface side of the conductive layer, and the conductive layer is made of indium tin. It is an amorphous layer of an oxide, and the content of Sn atoms is 7% by weight or more in the total content of 100% by weight of In atoms and Sn atoms in the conductive layer, and the carrier density of the conductive layer is 4 × 10 20 / cm 3 or more and 6 × 10 20 / cm 3 or less, and the hole mobility of the conductive layer is 20 cm 2 / V · s or more and 28 cm 2 / V · s or less.
Description
本発明は、光透過性及び導電性を有する光透過性導電フィルムに関する。また、本発明は、上記光透過性導電フィルムをアニール処理する工程を備えるアニール処理された光透過性導電フィルムの製造方法に関する。 The present invention relates to a light-transmitting conductive film having light transmittance and conductivity. The present invention also relates to a method for producing an annealed light transmissive conductive film comprising a step of annealing the light transmissive conductive film.
近年、スマートフォン、携帯電話、ノートパソコン、タブレットＰＣ、複写機又はカーナビゲーションなどの電子機器において、タッチパネル式の液晶表示装置が、広く用いられている。このような液晶表示装置では、基材上に透明導電層が積層された光透過性導電フィルムが用いられている。 In recent years, touch panel liquid crystal display devices have been widely used in electronic devices such as smartphones, mobile phones, notebook computers, tablet PCs, copiers, and car navigation systems. In such a liquid crystal display device, a light transmissive conductive film in which a transparent conductive layer is laminated on a substrate is used.
下記の特許文献１には、透明なフィルム基材と、透明なＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）薄膜と、透明な導電性薄膜とがこの順で積層されている透明導電フィルムが開示されている。上記透明な導電性薄膜は、インジウム・スズ複合酸化物により形成されている。The following
上記透明導電層は、通常、光透過性導電フィルム全体をアニール処理することにより、結晶性を高めて用いられる。従来、このアニール処理を長時間行う必要があるため、透明導電フィルムの製造効率が悪くなり、透明導電フィルムのコストが高くなるという問題がある。 The transparent conductive layer is usually used by increasing the crystallinity by annealing the entire light transmissive conductive film. Conventionally, since it is necessary to perform this annealing process for a long time, there is a problem that the production efficiency of the transparent conductive film is deteriorated and the cost of the transparent conductive film is increased.
一方で、アニール処理の時間を短くすると、抵抗値が十分に低くなりにくい。 On the other hand, if the annealing time is shortened, the resistance value is unlikely to be sufficiently low.
本発明の目的は、アニール処理を短時間で行ったとしても、抵抗値を低くすることができる光透過性導電フィルムを提供することである。また、本発明は、上記光透過性導電フィルムを用いるアニール処理された光透過性導電フィルムの製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a light-transmitting conductive film capable of reducing the resistance value even when annealing is performed in a short time. Moreover, this invention is providing the manufacturing method of the light-transmitting conductive film annealed using the said light-transmitting conductive film.
本発明の広い局面によれば、光透過性及び導電性を有する導電層と、前記導電層の一方の表面側に配置されている基材とを備え、前記導電層は、インジウム・スズ酸化物の非晶質層であり、前記導電層におけるＩｎ原子とＳｎ原子との合計の含有量１００重量％中、Ｓｎ原子の含有量が７重量％以上であり、前記導電層のキャリア密度が４×１０２０／ｃｍ３以上、６×１０２０／ｃｍ３以下であり、前記導電層のホール移動度が２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、２８ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である、光透過性導電フィルムが提供される。According to a wide aspect of the present invention, a conductive layer having optical transparency and conductivity, and a base material disposed on one surface side of the conductive layer, the conductive layer is made of indium tin oxide. In the conductive layer, the total content of In atoms and Sn atoms in the conductive layer is 100% by weight, the content of Sn atoms is 7% by weight or more, and the carrier density of the conductive layer is 4 ×. A light-transmitting conductive film, which is 10 20 / cm 3 or more and 6 × 10 20 / cm 3 or less, and the hole mobility of the conductive layer is 20 cm 2 / V · s or more and 28 cm 2 / V · s or less. Provided.
本発明に係る光透過性導電フィルムのある特定の局面では、１５０℃で１０分加熱した後の前記導電層のキャリア密度が７．０×１０２０／ｃｍ３以上、２．０×１０２１／ｃｍ３以下であり、１５０℃で１０分加熱した後の前記導電層のホール移動度が２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、３０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である。On the specific situation with the transparent electroconductive film which concerns on this invention, the carrier density of the said conductive layer after heating for 10 minutes at 150 degreeC is 7.0 * 10 < 20 > / cm < 3 > or more, 2.0 * 10 < 21 > /. cm 3 or less, the hole mobility of the conductive layer after heating 10 minutes at 0.99 ° C. is 20cm 2 / V · s or more, or less 30cm 2 / V · s.
本発明に係る光透過性導電フィルムのある特定の局面では、前記導電層の厚みが１６ｎｍ以上、１９．９ｎｍ以下である。 On the specific situation with the transparent electroconductive film which concerns on this invention, the thickness of the said conductive layer is 16 nm or more and 19.9 nm or less.
本発明の広い局面によれば、上述した光透過性導電フィルムをアニール処理する工程を備える、アニール処理された光透過性導電フィルムの製造方法が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a method for producing an annealed light transmissive conductive film, comprising the step of annealing the light transmissive conductive film described above.
本発明に係る光透過性導電フィルムは、光透過性及び導電性を有する導電層と、上記導電層の一方の表面側に配置されている基材とを備え、上記導電層は、インジウム・スズ酸化物の非晶質層であり、上記導電層におけるＩｎ原子とＳｎ原子との合計の含有量１００重量％中、Ｓｎ原子の含有量が７重量％以上であり、上記導電層のキャリア密度が４×１０２０／ｃｍ３以上、６×１０２０／ｃｍ３以下であり、上記導電層のホール移動度が２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、２８ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下であるので、アニール処理を短時間で行ったとしても、抵抗値を低くすることができる。The light-transmitting conductive film according to the present invention includes a light-transmitting and conductive layer and a base material disposed on one surface side of the conductive layer, and the conductive layer is made of indium tin. It is an amorphous layer of an oxide, and the content of Sn atoms is 7% by weight or more in the total content of 100% by weight of In atoms and Sn atoms in the conductive layer, and the carrier density of the conductive layer is Since 4 × 10 20 / cm 3 or more and 6 × 10 20 / cm 3 or less and the hole mobility of the conductive layer is 20 cm 2 / V · s or more and 28 cm 2 / V · s or less, annealing treatment is performed. Even if it is performed in a short time, the resistance value can be lowered.
以下、本発明の詳細を説明する。 Details of the present invention will be described below.
本発明に係る光透過性導電フィルムは、導電層と、基材とを備える。上記導電層は、光透過性及び導電性を有する。上記基材は、上記導電層の一方の表面側に配置されている。 The light transmissive conductive film according to the present invention includes a conductive layer and a base material. The conductive layer has light transmittance and conductivity. The base material is disposed on one surface side of the conductive layer.
本発明に係る光透過性導電フィルムでは、上記導電層は、インジウム・スズ酸化物の非晶質層である。本発明に係る光透過性導電フィルムでは、上記導電層におけるＩｎ原子とＳｎ原子との合計の含有量１００重量％中、Ｓｎ原子の含有量が７重量％以上である。本発明に係る光透過性導電フィルムでは、上記導電層のキャリア密度が４×１０２０／ｃｍ３以上、６×１０２０／ｃｍ３以下である。本発明に係る光透過性導電フィルムでは、上記導電層のホール移動度が２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、２８ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である。In the light transmissive conductive film according to the present invention, the conductive layer is an amorphous layer of indium tin oxide. In the light-transmitting conductive film according to the present invention, the content of Sn atoms is 7% by weight or more in the total content of 100% by weight of In atoms and Sn atoms in the conductive layer. In the light transmissive conductive film according to the present invention, the carrier density of the conductive layer is 4 × 10 20 / cm 3 or more and 6 × 10 20 / cm 3 or less. In the light-transmissive conductive film according to the present invention, the hole mobility of the conductive layer is 20 cm 2 / V · s or more and 28 cm 2 / V · s or less.
本発明では、上記の構成が備えられているので、アニール処理を短時間で行ったとしても、抵抗値を低くすることができる。本発明者らは、アニール処理前の光透過性導電フィルム自体において、アニール処理後の光透過性導電フィルムの抵抗値を低くすることを可能にする性質を備えさせる検討を行った。本発明者らの検討の結果、アニール処理前の光透過性導電フィルムにおいて、上記導電層が上記の構成を満足していれば、アニール処理を短時間で行ったとしても、抵抗値を低くすることができることを見出した。また、本発明者らの検討の結果、アニール処理を短時間で行ったとしても、抵抗値が低いアニール処理された光透過性導電フィルムを得るためには、アニール処理前の光透過性導電フィルムにおいて、上記導電層が上記の構成を満足していればよいことを見出した。なお、本発明に係る光透過性導電フィルムは、アニール処理を長時間行い、長時間アニール処理された光透過性導電フィルムを得るためにも用いることができる。アニール処理を長時間行えば、抵抗値をより一層低くすることができる。 In the present invention, since the above configuration is provided, the resistance value can be lowered even if the annealing process is performed in a short time. The inventors of the present invention have studied to provide the light-transmitting conductive film itself before the annealing treatment with a property that makes it possible to reduce the resistance value of the light-transmitting conductive film after the annealing treatment. As a result of the study by the present inventors, if the conductive layer satisfies the above configuration in the light-transmitting conductive film before annealing, the resistance value is lowered even if annealing is performed in a short time. I found that I can do it. Further, as a result of the study by the present inventors, in order to obtain an annealed light-transmitting conductive film having a low resistance value even if the annealing process is performed in a short time, the light-transmitting conductive film before the annealing process is obtained. The inventors have found that the conductive layer only needs to satisfy the above-described configuration. In addition, the light-transmitting conductive film according to the present invention can be used for obtaining a light-transmitting conductive film that has been annealed for a long time and has been annealed for a long time. If the annealing process is performed for a long time, the resistance value can be further reduced.
抵抗値をより一層低くする観点からは、アニール処理前の上記導電層のキャリア密度は、好ましくは４．５×１０２０／ｃｍ３以上、好ましくは５．５×１０２０／ｃｍ３以下である。From the viewpoint of further reducing the resistance value, the carrier density of the conductive layer before the annealing treatment is preferably 4.5 × 10 20 / cm 3 or more, preferably 5.5 × 10 20 / cm 3 or less. .
抵抗値をより一層低くする観点からは、アニール処理前の上記導電層のホール移動度は、好ましくは２２ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、好ましくは２６ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である。From the viewpoint of further reducing the resistance value, the hole mobility of the conductive layer before the annealing treatment is preferably 22 cm 2 / V · s or more, and preferably 26 cm 2 / V · s or less.
上記基材は、基材フィルムを含むことが好ましく、ハードコート層を含むことが好ましく、アンダーコート層を含むことが好ましい。本発明に係る光透過性導電フィルムは、保護フィルムを備え、上記基材の第１の表面上に上記導電層が配置されており、上記基材の上記第１の表面とは反対の第２の表面上に、上記保護フィルムが配置されていることが好ましい。 The substrate preferably includes a substrate film, preferably includes a hard coat layer, and preferably includes an undercoat layer. The light-transmitting conductive film according to the present invention includes a protective film, the conductive layer is disposed on the first surface of the base material, and the second opposite to the first surface of the base material. It is preferable that the said protective film is arrange | positioned on the surface of this.
また、本発明に係る光透過性導電フィルムでは、アニール処理された光透過性導電フィルムの抵抗値を低くすることができるため、アニール処理された光透過性導電フィルムを液晶表示装置に用いた場合、表示品質を高めることができる。よって、アニール処理された光透過性導電フィルムは、液晶表示装置に好適に用いることができ、タッチパネルにより好適に用いることができる。 Moreover, in the light-transmitting conductive film according to the present invention, the resistance value of the annealed light-transmitting conductive film can be lowered. Therefore, when the annealed light-transmitting conductive film is used for a liquid crystal display device , Can improve the display quality. Therefore, the light-transmitting conductive film subjected to the annealing treatment can be suitably used for a liquid crystal display device, and can be suitably used for a touch panel.
安定的に低い抵抗値を達成する観点からは、アニール処理（１５０℃で３０分加熱）後の導電層のキャリア密度は好ましくは７．０×１０２０／ｃｍ３以上、好ましくは２．０×１０２１／ｃｍ３以下である。安定的に低い抵抗値を達成する観点からは、アニール処理（１５０℃で３０分加熱）後の導電層のホール移動度は好ましくは２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、好ましくは３０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である。From the viewpoint of stably achieving a low resistance value, the carrier density of the conductive layer after annealing (heating at 150 ° C. for 30 minutes) is preferably 7.0 × 10 20 / cm 3 or more, preferably 2.0 × 10 21 / cm 3 or less. From the viewpoint of stably achieving a low resistance value, the hole mobility of the conductive layer after annealing (heating at 150 ° C. for 30 minutes) is preferably 20 cm 2 / V · s or more, preferably 30 cm 2 / V · s. It is as follows.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光透過性導電フィルムを示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a light-transmitting conductive film according to the first embodiment of the present invention.
図１に示す光透過性導電フィルム１は、アニール処理前の光透過性導電フィルムである。光透過性導電フィルム１は、基材２、導電層３及び保護フィルム４を備える。
A light transmissive
基材２は、第１の表面２ａ及び第２の表面２ｂを有する。第１の表面２ａと、第２の表面２ｂとは、互いに対向している。基材２の第１の表面２ａ上に、導電層３が積層されている。第１の表面２ａは、導電層３が積層される側の表面である。基材２は、導電層３と保護フィルム４との間に配置される部材であり、導電層３の支持部材である。本実施形態では、導電層３は、インジウム・スズ酸化物の非晶質層であり、導電層３におけるＩｎ原子とＳｎ原子との合計の含有量１００重量％中、Ｓｎ原子の含有量が７重量％以上であり、導電層３のキャリア密度は４×１０２０／ｃｍ３以上、６×１０２０／ｃｍ３以下であり、導電層３のホール移動度は２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、２８ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である。The
アニール処理前の光透過性導電フィルムにおいて、導電層は、部分的に設けられていてもよく、パターン状の導電層であってもよい。 In the light transmissive conductive film before the annealing treatment, the conductive layer may be partially provided or a patterned conductive layer.
基材２の第２の表面２ｂ上に、保護フィルム４が積層されている。第２の表面２ｂは、保護フィルム４が積層される側の表面である。保護フィルム４を設けることで、基材２の第２の表面２ｂを保護することができる。
A
基材２は、基材フィルム１１、第１及び第２のハードコート層１２，１３及びアンダーコート層１４を有する。基材フィルム１１は、光透過性の高い材料により構成されている。基材フィルム１１の導電層３側の表面上には、第２のハードコート層１３及びアンダーコート層１４がこの順に積層されている。アンダーコート層１４は、導電層３に接している。
The
基材フィルム１１の保護フィルム４側の表面上には、第１のハードコート層１２が積層されている。第１のハードコート層１２は、保護フィルム４に接している。
A first
導電層３は、光透過性が高く、かつ導電性の高い材料により構成されている。
The
保護フィルムは、粘着剤層により、基材の第２の表面に積層されてもよい。基材の第２の表面は、保護フィルムの上記粘着剤層と接していることが好ましい。 The protective film may be laminated on the second surface of the base material by an adhesive layer. It is preferable that the 2nd surface of a base material is in contact with the said adhesive layer of a protective film.
図２は、本発明の第２の実施形態に係る光透過性導電フィルムを示す断面図である。 FIG. 2 is a sectional view showing a light transmissive conductive film according to the second embodiment of the present invention.
図２に示す光透過性導電フィルム１Ａは、アニール処理前の光透過性導電フィルムである。光透過性導電フィルム１Ａでは、第１のハードコート層１２が設けられていない。光透過性導電フィルム１Ａは、アンダーコート層１４と、第２のハードコート層１３と、基材フィルム１１とがこの順で積層された基材２Ａを有する。光透過性導電フィルム１Ａでは、基材フィルム１１の導電層３とは反対側の表面上に直接、保護フィルム４が積層されている。
A light transmissive
本発明に係る光透過性導電フィルムでは、光透過性導電フィルム１Ａのように、第１のハードコート層が設けられていなくてもよい。基材フィルムの表面上に、保護フィルムが直接積層されていてもよい。また、第２のハードコート層及びアンダーコート層のうち少なくとも一方が設けられていなくてもよい。基材フィルムの導電層側の表面上には、アンダーコート層及び導電層がこの順に積層されていてもよく、基材フィルムに導電層が直接積層されていてもよい。アンダーコート層は、単層であってもよく、多層であってもよい。
In the light transmissive conductive film according to the present invention, the first hard coat layer may not be provided like the light transmissive
次に、図１に示す光透過性導電フィルム１の製造方法、及び、図３に示すアニール処理された光透過性導電フィルム１Ｘの製造方法を説明する。
Next, the manufacturing method of the light-transmitting
光透過性導電フィルム１は、例えば、以下の方法により作製することができる。
The light transmissive
基材フィルム１１の一方の表面上に、第１のハードコート層１２を形成する。具体的には、樹脂に紫外線硬化樹脂を用いる場合は、光硬化性モノマー及び光開始剤を希釈剤中で撹拌して塗工液を作製する。得られた塗工液を基材フィルム１１上に塗布し、紫外線を照射して樹脂を硬化させて、第１のハードコート層１２を形成する。
A first
続いて、第１のハードコート層１２上に保護フィルム４を形成する。保護フィルム４として、基材シート上に粘着剤層が設けられた保護フィルムを用いる場合は、粘着面を第１のハードコート層１２の表面に貼り合わせて、第１のハードコート層１２上に保護フィルム４を形成することができる。
Subsequently, the
次に、基材フィルム１１の第１のハードコート層１２とは反対側の表面上に、第２のハードコート層１３を形成する。具体的には、樹脂に紫外線硬化樹脂を用いる場合は、光硬化性モノマー及び光開始剤を、希釈剤中で撹拌して塗工液を作製する。得られた塗工液を基材フィルム１１の第１のハードコート層１２側とは反対側の表面上に塗布し、紫外線を照射して樹脂を硬化させ第２のハードコート層１３を形成する。
Next, the second
次に、第２のハードコート層１３上にアンダーコート層１４を形成する。具体的に、ＳｉＯ２を用いる場合は、蒸着又はスパッタリングにより第２のハードコート層１３上にアンダーコート層１４を形成することができる。Next, the
上記のようにして、基材フィルム１１上に、第１及び第２のハードコート層１２，１３及びアンダーコート層１４を形成する。なお、本発明において、第１及び第２のハードコート層１２，１３及びアンダーコート層１４は設けなくてもよい。この場合には、基材フィルム１１の導電層３側の表面が、基材２の第１の表面２ａであり、基材フィルム１１の保護フィルム４側の表面が、基材２の第２の表面２ｂである。
As described above, the first and second hard coat layers 12 and 13 and the
次に、アンダーコート層１４上に、導電層３を形成することにより、光透過性導電フィルム１を作製することができる。
Next, the light-transmitting
導電層の形成方法としては、特に限定されない。例えば、蒸着又はスパッタリングにより形成した金属膜をエッチングする方法や、スクリーン印刷又はインクジェット印刷などの各種印刷方法、並びにレジストを用いたフォトリソグラフィー法等の公知のパターニング方法等を用いることができる。形成した導電層は、後述するアニール処理により結晶性を高めて用いることができる。 The method for forming the conductive layer is not particularly limited. For example, a method of etching a metal film formed by vapor deposition or sputtering, various printing methods such as screen printing or inkjet printing, and a known patterning method such as a photolithography method using a resist can be used. The formed conductive layer can be used with its crystallinity enhanced by an annealing treatment to be described later.
光透過性導電フィルム１は、アニール処理によって、図３に示すアニール処理された光透過性導電フィルム１Ｘを得るために好適に用いられる。アニール処理された光透過性導電フィルム１Ｘを得るために、光透過性導電フィルム１をアニール処理する工程を行うことができる。アニール処理前の導電層３がパターン状ではない場合に、導電層３の基材フィルム１１側とは反対側の表面上に、レジスト層を部分的に形成して、エッチング処理することで、パターン状の導電層３Ｘを形成することができる。エッチング処理後には、水洗が行われる。
The light transmissive
アニール処理された光透過性導電フィルム１Ｘは、パターン状の導電層３Ｘを有する。パターン状の導電層３Ｘは、基材２の第１の表面２ａ上に部分的に積層されている。アニール処理された光透過性導電フィルム１Ｘは、基材２の第１の表面２ａ上において、パターン状の導電層３Ｘがある部分と、パターン状の導電層３Ｘがない部分とを有する。
The annealed light transmissive
アニール処理の温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１４０℃以上、好ましくは１７０℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。 The annealing temperature is preferably 120 ° C. or higher, more preferably 140 ° C. or higher, preferably 170 ° C. or lower, and more preferably 160 ° C. or lower.
上記アニール処理の処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下である。本発明では、アニール処理を短時間で行っても、抵抗値を低くすることができる。 The treatment time for the annealing treatment is preferably 5 minutes or more, more preferably 10 minutes or more, preferably 60 minutes or less, more preferably 30 minutes or less. In the present invention, the resistance value can be lowered even if annealing is performed in a short time.
アニール処理された光透過性導電フィルム１Ｘは、保護フィルム４を積層したまま使用してもよいし、保護フィルム４を剥がして使用してもよい。
The annealed light-transmitting
以下、光透過性導電フィルムを構成する各層の詳細を説明する。 Hereinafter, the detail of each layer which comprises a translucent conductive film is demonstrated.
（基材）
基材の全体の厚みは、好ましくは２３μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。(Base material)
The total thickness of the substrate is preferably 23 μm or more, more preferably 50 μm or more, preferably 300 μm or less, more preferably 200 μm or less.
基材フィルム；
基材フィルムは、高い光透過性を有することが好ましい。従って、基材フィルムの材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン、ポリエーテルサルフォン、ポリスルホン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、及びセルロースナノファイバー等が挙げられる。上記基材フィルムの材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。Base film;
The base film preferably has high light transmittance. Accordingly, the material of the base film is not particularly limited. For example, polyolefin, polyethersulfone, polysulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene Examples include phthalate, triacetylcellulose, and cellulose nanofiber. The material for the base film may be used alone or in combination.
基材フィルムの厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、好ましくは１９０μｍ以下、より好ましくは１２５μｍ以下である。基材フィルムの厚みが、上記下限以上及び上記上限以下である場合、導電層のパターンを、より一層視認され難くすることができる。 The thickness of the base film is preferably 5 μm or more, more preferably 20 μm or more, preferably 190 μm or less, more preferably 125 μm or less. When the thickness of the base film is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the pattern of the conductive layer can be made even less visible.
また、基材フィルムの光透過率に関しては、波長３８０〜７８０ｎｍの可視光領域における平均透過率が好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上である。 Regarding the light transmittance of the substrate film, the average transmittance in the visible light region having a wavelength of 380 to 780 nm is preferably 85% or more, and more preferably 90% or more.
また、基材フィルムは、各種安定剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤又は着色剤を含んでいてもよい。 Moreover, the base film may contain various stabilizers, ultraviolet absorbers, plasticizers, lubricants, or colorants.
第１及び第２のハードコート層；
第１及び第２のハードコート層はそれぞれ、バインダー樹脂により構成されていることが好ましい。上記バインダー樹脂は、硬化樹脂であることが好ましい。上記硬化樹脂としては、熱硬化樹脂や、活性エネルギー線硬化樹脂などを用いることができる。生産性及び経済性を良好にする観点から、上記硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂であることが好ましい。First and second hard coat layers;
Each of the first and second hard coat layers is preferably composed of a binder resin. The binder resin is preferably a cured resin. As the curable resin, a thermosetting resin, an active energy ray curable resin, or the like can be used. From the viewpoint of improving productivity and economy, the curable resin is preferably an ultraviolet curable resin.
上記紫外線硬化樹脂を形成するための光硬化性モノマーとしては、例えば、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、ポリ（ブタンジオール）ジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリイソプロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート及びビスフェノールＡジメタクリレートのようなジアクリレート化合物；トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリトリトールモノヒドロキシトリアクリレート及びトリメチロールプロパントリエトキシトリアクリレートのようなトリアクリレート化合物；ペンタエリトリトールテトラアクリレート及びジ−トリメチロールプロパンテトラアクリレートのようなテトラアクリレート化合物；並びにジペンタエリトリトール（モノヒドロキシ）ペンタアクリレートのようなペンタアクリレート化合物等が挙げられる。上記紫外線硬化樹脂としては、５官能以上の多官能アクリレート化合物も用いてもよい。上記多官能アクリレート化合物は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。また、上記多官能アクリレート化合物に、光開始剤、光増感剤、レベリング剤、希釈剤などを添加してもよい。 Examples of the photocurable monomer for forming the ultraviolet curable resin include 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, and tetraethylene glycol diacrylate. , Tripropylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, poly (butanediol) diacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate Such as triisopropylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate and bisphenol A dimethacrylate Triacrylate compounds such as trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol monohydroxytriacrylate and trimethylolpropane triethoxytriacrylate; of pentaerythritol tetraacrylate and di-trimethylolpropane tetraacrylate And tetraacrylate compounds such as dipentaerythritol (monohydroxy) pentaacrylate. As the ultraviolet curable resin, a polyfunctional acrylate compound having five or more functional groups may be used. The said polyfunctional acrylate compound may be used independently and may use multiple together. Moreover, you may add a photoinitiator, a photosensitizer, a leveling agent, a diluent, etc. to the said polyfunctional acrylate compound.
また、第１のハードコート層は、樹脂部及びフィラーにより構成されていてもよい。第１のハードコート層がフィラーを含む場合、導電層のパターンをより一層視認され難くすることができる。なお、第１のハードコート層がフィラーを含む場合、ゆず肌が生じることがあり、光透過性導電フィルムを液晶表示装置に用いると表示光が見えにくくなることがある。従って、ゆず肌を生じ難くする観点からは、第１のハードコート層が、フィラーを含まず、樹脂部のみによって構成されていることが望ましい。あるいは、フィラーの平均粒子径が、第１のハードコート層の厚みより小さく、フィラーが、第１のハードコート層の表面において突出していないことが好ましい。 Moreover, the 1st hard-coat layer may be comprised with the resin part and the filler. When the first hard coat layer contains a filler, the pattern of the conductive layer can be made even less visible. Note that when the first hard coat layer contains a filler, it may be distorted and display light may be difficult to see when a light-transmitting conductive film is used in a liquid crystal display device. Therefore, it is desirable that the first hard coat layer does not contain a filler and is constituted only by the resin portion from the viewpoint of making it difficult to produce the yuzu skin. Or it is preferable that the average particle diameter of a filler is smaller than the thickness of a 1st hard-coat layer, and the filler does not protrude in the surface of a 1st hard-coat layer.
上記フィラーとしては、特に限定されないが、例えば、シリカ、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、二酸化ケイ素、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、酸化錫、酸化セリウム、インジウム−錫酸化物などの金属酸化物粒子；シリコーン、（メタ）アクリル、スチレン、メラミンなどの樹脂粒子等が挙げられる。より具体的には、架橋ポリ（メタ）アクリル酸メチルなどの樹脂粒子を用いることができる。上記フィラーは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。 Examples of the filler include, but are not limited to, metal oxides such as silica, iron oxide, aluminum oxide, zinc oxide, titanium oxide, silicon dioxide, antimony oxide, zirconium oxide, tin oxide, cerium oxide, and indium-tin oxide. Product particles; resin particles such as silicone, (meth) acryl, styrene, melamine, and the like. More specifically, resin particles such as crosslinked poly (meth) methyl acrylate can be used. The said filler may be used independently and may use multiple together.
また、第１及び第２のハードコート層はそれぞれ、各種安定剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤又は着色剤を含んでいてもよい。 The first and second hard coat layers may each contain various stabilizers, ultraviolet absorbers, plasticizers, lubricants, or colorants.
アンダーコート層；
アンダーコート層は、例えば、屈折率調整層である。アンダーコート層を設けることで、導電層と、第２のハードコート層又は基材フィルムとの間の屈折率の差を小さくすることができるので、光透過性導電フィルムの光透過性をより一層高めることができる。Undercoat layer;
The undercoat layer is, for example, a refractive index adjustment layer. By providing the undercoat layer, the difference in refractive index between the conductive layer and the second hard coat layer or the base film can be reduced, so that the light transmissive conductive film can be further improved in light transmittance. Can be increased.
アンダーコート層を構成する材料としては、屈折率調整機能を有する限り特に限定されず、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ａｌ２Ｏ３などの無機材料や、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂及びシロキサンポリマーなどの有機材料が挙げられる。The material constituting the undercoat layer is not particularly limited as long as it has a refractive index adjustment function, inorganic materials such as SiO 2 , MgF 2 , Al 2 O 3 , acrylic resin, urethane resin, melamine resin, alkyd resin, and the like Organic materials such as siloxane polymers can be mentioned.
アンダーコート層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法又は塗工法により形成することができる。 The undercoat layer can be formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a coating method.
（導電層）
導電層は、光透過性を有する導電性材料により形成されている。上記導電性材料として、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）が用いられている。上記導電層は、非晶質層である。(Conductive layer)
The conductive layer is made of a light-transmitting conductive material. Indium tin oxide (ITO) is used as the conductive material. The conductive layer is an amorphous layer.
本発明では、アニール処理前の上記導電層は、上記キャリア密度及び上記ホール移動度が上記の範囲を満足するように形成される。上記キャリア密度及び上記ホール移動度は、導電層の形成時の導入ガスの種類、それらの分圧及びカソードの投入電力量により調整することができる。一例として、導電層をマグネトロンスパッタ装置によって形成する場合、そのプロセスガスとしてＡｒ、Ｎｅ、Ｈｅなどの希ガスや、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２などのガスを組み合わせ、所望の分圧になるよう混合し、使用することで、上記キャリア密度及び上記ホール移動度を調整する。In the present invention, the conductive layer before annealing is formed so that the carrier density and the hole mobility satisfy the above ranges. The carrier density and the hole mobility can be adjusted by the type of introduced gas at the time of forming the conductive layer, the partial pressure thereof, and the input power amount of the cathode. As an example, when the conductive layer is formed by a magnetron sputtering apparatus, a desired partial pressure is obtained by combining a rare gas such as Ar, Ne, or He and a gas such as O 2 , H 2 O, or H 2 as the process gas. The carrier density and the hole mobility are adjusted by mixing and using.
導電層の厚みは、好ましくは１２ｎｍ以上、より好ましくは１６ｎｍ以上、更に好ましくは１７ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下、更に好ましくは１９．９ｎｍ以下である。 The thickness of the conductive layer is preferably 12 nm or more, more preferably 16 nm or more, still more preferably 17 nm or more, preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less, and even more preferably 19.9 nm or less.
導電層の厚みが上記下限以上である場合、光透過性導電フィルムの抵抗値を効果的に低くすることができ、導電性をより一層高めることができる。導電層の厚みが上記上限以下である場合、導電層のパターンをより一層視認され難くすることができ、光透過性導電フィルムをより一層薄くすることができる。 When the thickness of the conductive layer is not less than the above lower limit, the resistance value of the light transmissive conductive film can be effectively reduced, and the conductivity can be further increased. When the thickness of the conductive layer is less than or equal to the above upper limit, the pattern of the conductive layer can be made less visible and the light transmissive conductive film can be made even thinner.
また、導電層の光透過率に関しては、可視光領域における平均透過率が好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上である。 Regarding the light transmittance of the conductive layer, the average transmittance in the visible light region is preferably 85% or more, more preferably 90% or more.
導電層は、Ｉｎ原子及びＳｎ原子を含む。導電層におけるＩｎ原子とＳｎ原子との合計の含有量１００重量％中、Ｓｎ原子の含有量が７重量％以上である。上記Ｓｎ原子の含有量が７重量％未満であると、キャリア密度が大きくならず、抵抗値が悪化する。導電層におけるＩｎ原子とＳｎ原子との合計の含有量１００重量％中、Ｓｎ原子の含有量は、３０重量％以下であってもよく、２０重量％以下であってもよく、１０重量％以下であってもよい。 The conductive layer includes In atoms and Sn atoms. The Sn atom content is 7% by weight or more in the total content of 100% by weight of In atoms and Sn atoms in the conductive layer. When the Sn atom content is less than 7% by weight, the carrier density does not increase and the resistance value deteriorates. Of the total content of 100% by weight of In atoms and Sn atoms in the conductive layer, the content of Sn atoms may be 30% by weight or less, may be 20% by weight or less, and may be 10% by weight or less. It may be.
（保護フィルム）
保護フィルムは、基材シート及び粘着剤層により構成されていることが好ましい。(Protective film)
It is preferable that the protective film is comprised by the base material sheet and the adhesive layer.
上記基材シートは、高い光透過性を有することが好ましい。上記基材シートの材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン、ポリエーテルサルフォン、ポリスルホン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、及びセルロースナノファイバー等が挙げられる。 The base sheet preferably has high light transmittance. The material of the base sheet is not particularly limited, but for example, polyolefin, polyethersulfone, polysulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate , Triacetyl cellulose, and cellulose nanofibers.
上記粘着剤層は、（メタ）アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ウレタン系接着剤又はエポキシ系接着剤により構成することができる。熱処理による粘着力の上昇を抑制する観点から、上記粘着剤層は、（メタ）アクリル系粘着剤により構成されていることが好ましい。 The pressure-sensitive adhesive layer can be composed of a (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a urethane-based adhesive, or an epoxy-based adhesive. From the viewpoint of suppressing an increase in adhesive force due to heat treatment, the adhesive layer is preferably composed of a (meth) acrylic adhesive.
上記（メタ）アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル重合体に、必要に応じて架橋剤、粘着付与樹脂及び各種安定剤などを添加した粘着剤である。 The (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive in which a crosslinking agent, a tackifier resin, various stabilizers, and the like are added to a (meth) acrylic polymer as necessary.
上記（メタ）アクリル重合体は、特に限定されないが、（メタ）アクリル酸エステルモノマーと、他の共重合可能な重合性モノマーとを含む混合モノマーを共重合して得られた（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。 The (meth) acrylic polymer is not particularly limited, but (meth) acrylic copolymer obtained by copolymerizing a mixed monomer containing a (meth) acrylic acid ester monomer and another copolymerizable monomer. A polymer is preferred.
上記（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、特に限定されないが、アルキル基の炭素数が１〜１２の１級又は２級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られる（メタ）アクリル酸エステルモノマーが好ましく、具体的には、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸−２−エチルヘキシルなどが挙げられる。上記（メタ）アクリル酸エステルモノマーは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。 Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic acid ester monomer, It is obtained by esterification reaction of the primary or secondary alkyl alcohol whose carbon number of an alkyl group is 1-12, and (meth) acrylic acid ( A (meth) acrylate monomer is preferable, and specific examples include ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and (meth) acrylate-2-ethylhexyl. The said (meth) acrylic acid ester monomer may be used independently and may use multiple together.
上記他の共重合可能な重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキル；（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキル、グリセリンジメタクリレート、（メタ）アクリル酸グリシジル、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、クロトン酸、マレイン酸及びフマル酸等の官能性モノマーが挙げられる。上記他の共重合可能な重合性モノマーは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。 Examples of other copolymerizable polymerizable monomers include hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, and hydroxybutyl (meth) acrylate; Isobornyl (meth) acrylate, hydroxyalkyl (meth) acrylate, glycerin dimethacrylate, glycidyl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acrylic acid, itaconic acid, maleic anhydride, crotonic acid, malein Examples thereof include functional monomers such as acid and fumaric acid. The other copolymerizable polymerizable monomers may be used alone or in combination.
上記架橋剤としては、特に限定されず、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤、多官能アクリレート化合物などが挙げられる。上記架橋剤は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。 The crosslinking agent is not particularly limited, and for example, an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, a peroxide crosslinking agent, a urea crosslinking agent, a metal alkoxide crosslinking agent, a metal chelate crosslinking agent. Agents, metal salt crosslinking agents, carbodiimide crosslinking agents, oxazoline crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, amine crosslinking agents, polyfunctional acrylate compounds, and the like. The above crosslinking agents may be used alone or in combination.
上記粘着付与樹脂としては、特に限定されないが、例えば、脂肪族系共重合体、芳香族系共重合体、脂肪族・芳香族系共重合体及び脂環式系共重合体等の石油系樹脂；クマロン−インデン系樹脂；テルペン系樹脂；テルペンフェノール系樹脂；重合ロジン等のロジン系樹脂；フェノール系樹脂；キシレン系樹脂等が挙げられる。上記粘着付与樹脂は、水素添加された樹脂であってもよい。上記粘着付与樹脂は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。 The tackifying resin is not particularly limited, and examples thereof include petroleum resins such as aliphatic copolymers, aromatic copolymers, aliphatic / aromatic copolymers, and alicyclic copolymers. Coumarone-indene resin; terpene resin; terpene phenol resin; rosin resin such as polymerized rosin; phenol resin; xylene resin. The tackifying resin may be a hydrogenated resin. The tackifying resins may be used alone or in combination.
保護フィルムの厚みは、好ましくは２５μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。保護フィルムの厚みが、上記下限以上及び上記上限以下である場合、導電層のパターンを、より一層視認され難くすることができる。 The thickness of the protective film is preferably 25 μm or more, more preferably 50 μm or more, preferably 300 μm or less, more preferably 200 μm or less. When the thickness of the protective film is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the pattern of the conductive layer can be made even less visible.
以下、本発明について、具体的な実施例に基づき、更に詳しく説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on specific examples. The present invention is not limited to the following examples.
（実施例１）
（１）光透過性導電フィルムの作製
基材フィルムであるＰＥＴフィルム（厚み１２５μｍ）上に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、インジウム原子とスズ原子との合計１００重量％中にスズ原子の含有量が７重量％となるように、厚さ１７．００ｎｍの導電層（インジウム・スズ酸化物層）を形成して、光透過性導電フィルムを得た。Example 1
(1) Production of light-transmitting conductive film Content of tin atoms in a total of 100% by weight of indium atoms and tin atoms on a PET film (thickness: 125 μm) as a base film using a DC magnetron sputtering apparatus A conductive layer (indium tin oxide layer) having a thickness of 17.00 nm was formed so that the light-transmitting conductive film was obtained.
（２）アニール処理された光透過性導電フィルムの作製
ＰＥＴフィルム上に形成された導電層を、ＩＲアニール機（富士科学器械社製）を用いて、炉内温度１５０℃に設定し、１０分間、又は３０分間アニール処理した。(2) Preparation of annealed light-transmitting conductive film The conductive layer formed on the PET film was set to an in-furnace temperature of 150 ° C. using an IR annealing machine (manufactured by Fuji Scientific Instruments) for 10 minutes. Or annealed for 30 minutes.
（実施例２〜８及び比較例１〜４）
導電層のホール移動度、キャリア密度及び厚みを下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、光透過性導電フィルム、及び、アニール処理された光透過性導電フィルムを得た。導電層のホール移動度及びキャリア密度は、導電層の形成時の導入ガスの種類、及び、それらの分圧量を変更することで調整した。(Examples 2-8 and Comparative Examples 1-4)
A light transmissive conductive film and an annealed light transmissive conductive film in the same manner as in Example 1 except that the hole mobility, carrier density and thickness of the conductive layer were set as shown in Table 1 below. Got. The hole mobility and carrier density of the conductive layer were adjusted by changing the type of gas introduced during the formation of the conductive layer and the amount of partial pressure thereof.
（実施例９〜１６及び比較例５〜８）
導電層におけるＳｎ原子の含有量、導電層のホール移動度、キャリア密度及び厚みを下記の表１に示すように設定したこと以外は実施例１と同様にして、光透過性導電フィルム、及び、アニール処理された光透過性導電フィルムを得た。導電層のホール移動度及びキャリア密度は、導電層の形成時の導入ガスの種類、それらの分圧量及びカソードの投入電力量を変更することで調整した。(Examples 9-16 and Comparative Examples 5-8)
In the same manner as in Example 1 except that the Sn atom content in the conductive layer, the hole mobility, the carrier density and the thickness of the conductive layer were set as shown in Table 1 below, An annealed light-transmitting conductive film was obtained. The hole mobility and carrier density of the conductive layer were adjusted by changing the types of gases introduced during the formation of the conductive layer, their partial pressure amount, and the input power amount of the cathode.
（評価）
（１）アニール処理前の光透過性導電フィルムにおける導電層の厚み
アニール処理前の光透過性導電フィルムにおける導電層の厚みを、蛍光Ｘ線分析装置 ＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＩＩ＋（リガク社製）を用いて、単位面積当たりのＩｎ量を測定することにより求めた。(Evaluation)
(1) The thickness of the conductive layer in the light-transmitting conductive film before the annealing treatment The thickness of the conductive layer in the light-transmitting conductive film before the annealing treatment is measured using a fluorescent X-ray analyzer ZSX Primus III + (manufactured by Rigaku Corporation). It was determined by measuring the amount of In per area.
（２）アニール処理前及びアニール処理後の光透過性導電フィルムにおける導電層のキャリア密度
アニール処理前、及びアニール処理後（１０分後）の光透過性導電フィルムにおいて、導電層のキャリア密度を、ホール効果測定装置（誠南工業社製）を用いて測定した。測定方法はｖａｎ ｄｅｒ ｐａｕｗ法（ＤＣ測定）である。(2) The carrier density of the conductive layer in the light transmissive conductive film before and after the annealing treatment In the light transmissive conductive film before the annealing treatment and after the annealing treatment (after 10 minutes), the carrier density of the conductive layer is It measured using the Hall effect measuring apparatus (made by Seinan Kogyo Co., Ltd.). The measurement method is the van der pauw method (DC measurement).
（３）アニール処理前及びアニール処理後の光透過性導電フィルムにおける導電層のホール移動度
アニール処理前、及びアニール処理後（１０分後）の光透過性導電フィルムにおいて、導電層のホール移動度を、ホール効果測定装置（誠南工業社製）を用いて測定した。(3) Hole mobility of conductive layer in light-transmitting conductive film before and after annealing treatment Hole mobility of conductive layer in light-transmitting conductive film before annealing treatment and after annealing treatment (after 10 minutes) Was measured using a Hall effect measuring device (manufactured by Seinan Kogyo Co., Ltd.).
（４）アニール処理前の光透過性導電フィルム、及びアニール処理後の光透過性導電フィルムにおける抵抗値
アニール処理前の光透過性導電フィルム、及びアニール処理後（１０分後又は３０分後）の光透過性導電フィルムにおいて、導電層の抵抗値を、Ｌｏｒｅｓｔａ−ＡＸ ＭＣＰ−Ｔ３７０（三菱アナリテック社製）を用いて、４端子法にて、測定した。(4) Resistance value in light transmissive conductive film before annealing treatment and light transmissive conductive film after annealing treatment Light transmissive conductive film before annealing treatment and after annealing treatment (after 10 minutes or 30 minutes) In the light transmissive conductive film, the resistance value of the conductive layer was measured by a four-terminal method using Loresta-AX MCP-T370 (manufactured by Mitsubishi Analytech).
１，１Ａ…光透過性導電フィルム
１Ｘ…アニール処理された光透過性導電フィルム
２，２Ａ…基材
２ａ…第１の表面
２ｂ…第２の表面
３…導電層
３Ｘ…パターン状の導電層
４…保護フィルム
１１…基材フィルム
１２…第１のハードコート層
１３…第２のハードコート層
１４…アンダーコート層DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記導電層の一方の表面側に配置されている基材とを備え、
前記導電層は、インジウム・スズ酸化物の非晶質層であり、
前記導電層におけるＩｎ原子とＳｎ原子との合計の含有量１００重量％中、Ｓｎ原子の含有量が７重量％以上であり、
前記導電層のキャリア密度が４×１０２０／ｃｍ３以上、６×１０２０／ｃｍ３以下であり、
前記導電層のホール移動度が２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、２８ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である、光透過性導電フィルム。A conductive layer having optical transparency and conductivity;
A substrate disposed on one surface side of the conductive layer,
The conductive layer is an amorphous layer of indium tin oxide,
In the total content of 100% by weight of In atoms and Sn atoms in the conductive layer, the content of Sn atoms is 7% by weight or more,
The carrier density of the conductive layer is 4 × 10 20 / cm 3 or more and 6 × 10 20 / cm 3 or less,
Hall mobility of the conductive layer is 20cm 2 / V · s or more, or less 28cm 2 / V · s, the optical transparent conductive film.
１５０℃で１０分加熱した後の前記導電層のホール移動度が２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、３０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下である、請求項１に記載の光透過性導電フィルム。The carrier density of the conductive layer after heating at 150 ° C. for 10 minutes is 7.0 × 10 20 / cm 3 or more and 2.0 × 10 21 / cm 3 or less,
The light transmissive conductive film according to claim 1, wherein the hole mobility of the conductive layer after heating at 150 ° C. for 10 minutes is 20 cm 2 / V · s or more and 30 cm 2 / V · s or less.
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