JP6140400B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
61、81 第1層間絶縁膜、
62、82 パイプゲート、
63、83 絶縁膜、
64、74、84、95 第1物質膜、
65、85 第2物質膜、
66、86 電荷遮断膜、メモリ膜及びトンネル絶縁膜、
67、87 チャンネル用膜、
68、88 絶縁膜、
69、89 導電性プラグ、
70、90、91 絶縁膜、
73、94 第3層間絶縁膜
Claims (21)
- パイプゲート内に埋め込まれたパイプチャンネル及び前記パイプチャンネルと繋がれた一対のドレインサイドチャンネル、及びソースサイドチャンネルを含むチャンネルを含むメモリブロックと、
隣合う前記メモリブロックの間に位置された第1スリットと、
前記一対のソースサイドチャンネルとドレインサイドチャンネルの間に位置された第2スリットと、
隣合う前記ドレインサイドチャンネルの間に位置されて、ドレイン選択ラインが形成された深みまで形成された第3スリットと、
を含み、
隣合う前記ソースサイドチャンネルは、ソースサイドワードライン及びソース選択ラインを共有して、隣合う前記ドレインサイドチャンネルは、ドレインサイドワードラインを共有して、隣合う前記ドレインサイドチャンネルの前記ドレイン選択ラインは、前記第3スリットによって相互分離されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記メモリブロックのスリミング領域内部に位置されるか、あるいは前記スリミング領域の縁に位置されるか、または前記スリミング領域の縁及び内部に位置された少なくとも一つの第5スリットをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記スリミング領域の両側端に形成された第1コンタクトパッド及び前記スリミング領域内部に形成された第2コンタクトパッドのうち少なくとも一つをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記メモリブロックのスリミング領域内部に位置されて、一方向に平行に拡張されたライン形態の第5スリットをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記メモリブロックのスリミング領域の両側端に形成されたコンタクトパッドと、
前記メモリブロックの前記スリミング領域内部に位置されて、第1方向に延びたラインパターンと、前記ラインパターンに結合し、前記コンタクトパッドに向かって突出する突出部とを含むように構成された第5スリットと、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記メモリブロックのスリミング領域の両側端に形成された第1コンタクトパッドと、
前記メモリブロックの前記スリミング領域内部に形成された第2コンタクトパッドと、
前記メモリブロックの前記スリミング領域内部において前記第1コンタクトパッドと前記第2コンタクトパッドとの間に位置されて、第1方向に拡張された第1ラインパターンと前記第1方向と交差された第2方向に平行に拡張された第2ラインパターンが交差された形態の第5スリットと、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記メモリブロックのスリミング領域内部に位置されて、隣合う前記メモリブロックの境界を横切るライン形態の第5スリットをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1スリットと前記メモリブロックのスリミング領域の間に位置された少なくとも一つの第6スリットをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 一方向に配列された前記チャンネルを含む一つのチャンネル列は、ジグザグ形態に配列されて少なくとも二つのビットラインと繋がれたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- パイプゲート上に第1物質膜及び第2物質膜を交互に形成する段階と、
前記パイプゲート内に埋め込まれたパイプチャンネル及び前記第1物質膜、及び前記第2物質膜を貫通しながら前記パイプチャンネルと繋がれた一対のドレインサイドチャンネル、及びソースサイドチャンネルを含むチャンネルを形成する段階と、
前記第1物質膜及び第2物質膜をエッチングして隣合うメモリブロックの間に位置された第1スリットを形成する段階と、
前記第1スリット内に絶縁膜を埋め込む段階と、
前記第1物質膜及び前記第2物質膜をエッチングして前記一対のソースサイドチャンネルとドレインサイドチャンネルとの間に位置された第2スリットを形成する段階と、
前記第2スリットによって露出した前記第2物質膜をリセスする段階と、
前記第2物質膜がリセスされた領域内に層間絶縁膜または導電膜を埋め込む段階と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1スリット形成の時、隣合う前記ドレインサイドチャンネルの間または隣合う前記ソースサイドチャンネルの間に位置された第3スリットを共に形成することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1スリット内に絶縁膜を埋め込む段階後、前記第1物質膜及び第2物質膜を選択ライン深みまでエッチングして、隣合う前記ドレインサイドチャンネルの間または隣合う前記ソースサイドチャンネルの間に位置された第4スリットを形成する段階と、
前記第4スリット内に絶縁膜を埋め込む段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1スリット形成の時または前記第2スリット形成の時、
前記メモリブロックのスリミング領域内部に位置されるか、あるいは前記スリミング領域の外部に位置されるか、または前記スリミング領域の内部及び外部に位置された少なくとも一つの第5スリットを共に形成することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2スリット形成の時、
前記第1スリットとスリミング領域の間に位置された少なくとも一つの第6スリットを共に形成することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 一方向に配列された前記チャンネルを含む一つのチャンネル列はジグザグ形態に配列されて少なくとも二つのビットラインと繋がれたことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上に第1物質膜及び第2物質膜を交互に形成する段階と、
前記基板から突出されながら前記第1物質膜及び前記第2物質膜を貫通するチャンネルを形成する段階と、
前記第1物質膜及び前記第2物質膜をエッチングして、メモリブロックのスリミング領域に位置された少なくとも一つの第1スリットを形成する段階と、
前記第1スリット内に第1絶縁膜を埋め込む段階と、
前記第1物質膜及び前記第2物質膜をエッチングして、前記チャンネルの間に位置された少なくとも一つの第2スリットを形成する段階と、
前記第2スリットによって露出した前記第2物質膜をリセスする段階と、
前記第2物質膜がリセスされた領域内に層間絶縁膜または導電膜を埋め込む段階と、
前記第1絶縁膜を埋め込む段階後に、前記第1物質膜及び第2物質膜を選択ライン深みまでエッチングして前記チャンネルの間に位置された少なくとも一つの第6スリットを形成する段階と、
前記少なくとも一つの第6スリット内に第2絶縁膜を埋め込む段階と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1スリットは、
前記スリミング領域内部に形成されるか、あるいは前記スリミング領域の縁に形成されるか、または前記スリミング領域の内部及び縁に形成されたことを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1スリット形成の時または前記第2スリット形成の時、隣合うメモリブロックの間に位置された第3スリットを共に形成することを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1スリット形成の時、
前記チャンネルの間に位置された少なくとも一つの第4スリットを共に形成することを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1スリット形成の時、
隣合うメモリブロックの間に位置された第3スリットを共に形成して、前記第2スリット形成の時、前記第3スリットと前記スリミング領域との間に位置された第5スリットを共に形成することを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。 - 一方向に配列された前記チャンネルを含む一つのチャンネル列は、ジグザグ形態に配列されて少なくとも二つのビットラインと繋がれたことを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
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