JP6130374B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
このように構成されたミラーアレイ100においては、複数のミラー131,131,…が主軸X方向に配列されている。そして、隣り合うミラー131,131の間には微小な隙間G0が設けられている。隙間G0において、一方のミラー131には、他方のミラー131の方へ突出する突起部134が設けられている。
このように構成されたミラーアレイ100は、SOI基板109をエッチングしたり、その表面に成膜することにより製造される。例えば、第1シリコン層191をICP−RIE等の異方性エッチングを行うことによりミラー本体132、アクチュエータ本体141及び梁本体151等を形成する。その後、ミラー本体132の表面にAu/Ti膜を成膜して、鏡面層133を形成する。また、アクチュエータ本体141の表面及び梁本体151の表面に、Pt/Ti膜(下部電極143,153)、チタン酸ジルコン酸鉛(圧電体層144,154)及びAu/Ti膜(上部電極145,155)を順に成膜して、圧電素子142,152を形成する。その後、圧電素子142,152に所定の電圧を印加して分極処理を施す。
したがって、本実施形態によれば、ミラーアレイ100は、隙間G0を空けて配置されたミラー131,131を備え、少なくとも一方のミラー131は、移動可能に構成されており、一方のミラー131には、隙間G0において、他方のミラー131の方へ突出する突起部134が設けられており、一方のミラー131のうち突起部134に隣接する部分には、凹部135a,135bが設けられている。
突起部134及び凹部135a,135bの配置は、前記実施形態に限られるものではない。以下に、その変形例を示す。
図5は、変形例1に係る第1ミラー131A及び第2ミラー131Bの部分拡大図である。変形例1においては、一方のミラー131に突起部134が設けられ、他方のミラー131に凹部135a,135bが設けられている。
図6は、変形例2に係る第1ミラー131A及び第2ミラー131Bの部分拡大図である。変形例2においては、一方のミラー131に突起部134及び凹部135aが設けられ、他方のミラー131に凹部135bが設けられている。
図7は、変形例3に係る第1ミラー131A及び第2ミラー131Bの部分拡大図である。変形例3においては、一方のミラー131に突起部134a及び凹部135a,135bが設けられ、他方のミラー131にも同様の突起部134b及び凹部135c,135dが設けられている。
図8は、変形例4に係る第1ミラー131A及び第2ミラー131Bの部分拡大図である。変形例4においては、一方のミラー131に突起部134a及び凹部135a,135bが設けられ、他方のミラー131にも同様の突起部134bが設けられている。つまり、変形例1における第1ミラー131Aのうち、第2ミラー131Bの突起部134と対向する部分にも突起部が設けられている。
図9は、変形例5に係る第1ミラー131A及び第2ミラー131Bの部分拡大図である。変形例5においては、一方のミラー131に突起部134a及び凹部135aが設けられ、他方のミラー131にも同様の突起部134b及び凹部135bが設けられている。つまり、変形例2における第1ミラー131Aの対向部分136にも突起部が設けられている。
ミラーデバイス103の構成は、前記実施形態に限られるものではない。以下に、その変形例を示す。
図10は、変形例6に係るミラーアレイ200の平面図である。変形例6に係るミラーアレイ200は、各ミラーデバイス203の構成が前記ミラーデバイス103の構成と異なる。以下、ミラーアレイ200の構成のうち、ミラーデバイス103と異なる部分を中心に説明する。変形例6に特有の構成については、200番台の符号を付して説明する場合がある。その場合、十の位以下の数字及び記号については、ミラーデバイス103と同様の機能を有する構成には同じ数字及び記号を用いる。
図11は、ミラーアレイ300の平面図である。変形例7に係るミラーアレイ300は、各ミラーデバイス303の構成がミラーデバイス103の構成と異なる。以下、ミラーアレイ300の構成のうち、ミラーデバイス103と異なる部分を中心に説明する。変形例7に特有の構成については、300番台の符号を付して説明する場合がある。その場合、十の位以下の数字及び記号については、ミラーデバイス103と同様の機能を有する構成には同じ数字及び記号を用いる。
図12は、ミラーアレイ400の平面図である。変形例8に係るミラーアレイ400は、各ミラーデバイス403の構成がミラーデバイス103の構成と異なる。以下、ミラーアレイ400の構成のうち、ミラーデバイス103と異なる部分を中心に説明する。変形例8に特有の構成については、400番台の符号を付して説明する場合がある。その場合、十の位以下の数字及び記号については、ミラーデバイス103と同様の機能を有する構成には同じ数字及び記号を用いる。
前記実施形態について、以下のような構成としてもよい。
131 ミラー
134,134a,134b 突起部
135a,135b,135c,135d 凹部
136 対向部分
G0 隙間
X 主軸
Y 副軸
Claims (6)
- 第1部分と、
前記第1部分との間に所定の第1間隔を有する隙間を空けて配置された第2部分とを備え、
前記第1部分及び第2部分の少なくとも一方は、移動可能に構成されており、
前記第2部分には、前記隙間において、前記第1部分の方へ突出する突起部が設けられており、
前記第1部分のうち前記突起部と対向する部分に隣接する部分及び前記第2部分のうち前記突起部に隣接する部分の少なくとも一方には、凹部が設けられており、
前記突起部が設けられた部分における前記第1部分と前記第2部分との隙間は、前記第1間隔よりも小さな第2間隔となっており、
前記凹部が設けられた部分における前記第1部分と前記第2部分との隙間は、前記第1間隔よりも大きな第3間隔となっている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記第1部分のうち前記突起部と対向する部分に隣接する両側の部分、又は、前記第2部分のうち前記突起部に隣接する両側の部分に設けられている半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記突起部の先端は、凸状に湾曲している半導体装置。 - 請求項1乃至3の何れか1つに記載の半導体装置において、
隙間を空けて配列され、移動可能に構成された複数のミラーを備え、
前記第1部分及び第2部分は、隣り合う前記ミラーである半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1部分は、該第1部分の周縁を構成する複数の辺を有し、
前記第2部分は、該第2部分の周縁を構成する複数の辺を有し、
前記第1部分の一の辺と前記第2部分の一の辺とは、前記第1間隔を有して、互いに対向するように配置され、
前記突起部は、前記第2部分の一の辺から前記第1部分の方へ突出しており、
前記凹部は、前記第1部分の一の辺又は前記第2部分の一の辺よりも凹んでいる半導体装置。 - 周縁を構成する複数の辺を有する第1部分と、
周縁を構成する複数の辺を有し、前記第1部分との間に隙間を空けて配置された第2部分とを備え、
前記第1部分及び第2部分の少なくとも一方は、移動可能に構成されており、
前記隙間は、前記第1部分の一の辺と前記第2部分の一の辺との間に形成され、
前記第2部分の一の辺には、前記隙間において、前記第1部分の方へ突出する突起部が設けられており、
前記第1部分の一の辺のうち前記突起部と対向する部分に隣接する部分及び前記第2部分の一の辺のうち前記突起部に隣接する部分の少なくとも一方には、該一の辺よりも凹んだ凹部が設けられている半導体装置。
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