JP6120685B2 - 電力用半導体装置の製造方法 - Google Patents
電力用半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6120685B2 JP6120685B2 JP2013121438A JP2013121438A JP6120685B2 JP 6120685 B2 JP6120685 B2 JP 6120685B2 JP 2013121438 A JP2013121438 A JP 2013121438A JP 2013121438 A JP2013121438 A JP 2013121438A JP 6120685 B2 JP6120685 B2 JP 6120685B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power semiconductor
- pressure
- semiconductor element
- semiconductor device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 220
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 26
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 20
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- -1 diamond Chemical compound 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Description
図1〜図4は、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置の製造方法およびその製造方法で製造した電力用半導体装置について説明するためのものであって、図1(a)〜(d)は、製造工程中の各段階における電力用半導体素子を含む回路部材、および圧力均一化シートと加圧板部分の断面図、図2と図3は電力用半導体装置の製造方法に用いる加圧装置の構成を説明するためのもので、図2(a)は加圧装置の断面図、図2(b)は加圧装置に設置される加圧板のうち、上型と電力用半導体素子との寸法関係を示すための上型部分の(下方からの)平面図、図3は下型の構成を示す平面図である。そして、図4は従来の電力用半導体装置の製造方法における、図1(d)に対応する段階での電力用半導体素子を含む回路部材、および圧力均一化シートと加圧板部分の断面図である。
加圧装置10は、図1に示すように、上支持盤11と下支持盤13とが支柱14により間隔を固定され、上支持盤11と下支持盤13との間には、支柱14によって上下方向に摺動可能なスライド盤12が設けられている。そして、スライド盤12と下支持盤13とは、例えば、シリンダ15cとピストン15pからなる油圧プレス、あるいはサーボプレス等のような加圧力発生部15を介して連結されている。そして、加圧力発生部15の動作(例えば、油圧)を制御することで、スライド盤12が上下し、所望の力で上支持盤11とスライド盤12との間でプレス加工を行うことができるようになっている。
まず、はじめに、図1(a)に示すように、配線部材4の回路面側(図中上側)の所定範囲に、所定厚みのペースト状の接合材3Pを塗布する。そして、その上に、電力用半導体素子2の裏面(図中下側の面)を対向させて配置し、接合準備品1Aを形成する。
本実施の形態2にかかる電力用半導体装置の製造方法では、上記実施の形態1にかかる電力用半導体装置の製造方法を複数の電力用半導体素子を同時に接合する場合の形態について記載するものである。基本的な考え方は実施の形態1と同様であり、例えば、後述する加圧板の構成において、電力用半導体素子が隣接する部分に対応する部分以外の構成については、実施の形態1と同様である。
電力用半導体素子2の配線部材4への接合は、加圧装置10のコスト低減やサイズ低減の観点から、より低圧力で行うことが望ましい。また、低い圧力での接合が可能となれば、同一の荷重であっても、一括して接合できる電力用半導体素子2の数が増加し、生産性を向上させることができる。上記のような理由から、接合圧力の低圧力化は多くのメリットがある。しかしながら、接合時の圧力を低下させると、接合面内での圧力にばらつきがある場合、局所的に接合に必要な圧力を下回る領域が発生し、接合不良を生じる恐れがある。このように接合圧力を低下させた場合には、加圧力が大きい場合には問題にならなかった接合面内での圧力のばらつきが問題となる。
なお、張出部21bの形状は、図9、図10で説明したような略円形状に限定されるものではなく、例えば、図11に示すように略矩形状でも良い。ただし、図11のように加圧面21fの4隅部分が角状になっていると、圧力均一化シート50に角が食い込み、その部分が局所的に薄くなりやすい。そのため、張出部21bには、角を有しない形状の方が好ましい。したがって、張出部21bは、図11に示した略矩形状のような形状よりも、図9、図10に示した略円形状のような角の無い形状が望ましい。加えて、張出部21bのエッジ部にRなどの連続的な傾斜をつけることで、圧力均一化シート50への食い込みをさらに低減することができ、より効果的に圧力均一化シート50が局所的に薄くなるのを防止することができる。
Claims (9)
- 焼結性金属粒子を含有する接合材と加圧装置を用いて、配線部材と電力用半導体素子との接合を行う電力用半導体装置の製造方法であって、
鉛直方向において、前記電力用半導体素子が前記配線部材の上方に位置するように、前記接合材を介して前記電力用半導体素子を前記配線部材に重ね、前記加圧装置の一対の加圧板の間の所定位置に設置する設置工程と、
前記一対の加圧板により加熱、加圧して、前記接合材の焼結性金属粒子を焼結させて前記電力用半導体素子を前記配線部材に接合する接合工程と、を含み、
前記一対の加圧板のうち、上側の加圧板と前記電力用半導体素子の主面との間には、樹脂シートを介在させており、
前記上側の加圧板は、その加圧面が前記主面を内包するように配置され、かつ、前記接合工程中に変形した前記樹脂シートの端部を前記加圧面よりも上方にかわすための空間が形成されていることを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂シートは、前記主面よりも大きく、前記端部が前記上側の加圧板に接触しない大きさであることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂シートの端部が前記上側の加圧板に接触しないように、前記空間は前記上側の加圧板の加圧面の位置から上方に所定距離裕度を確保して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置の製造方法。
- 前記電力用半導体素子の主面は矩形をなし、
前記空間は、前記主面の4辺のそれぞれの中間部分から外側に所定幅離れた部分に形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置の製造方法。 - 前記所定幅は、0〜5mm、あるいは前記電力用半導体素子の主面の縦または横の寸法の0〜5%の範囲に設定されることを特徴とする請求項4に記載の電力用半導体装置の製造方法。
- 前記上側の加圧板の加圧面には、前記所定幅より大きな所定距離分、前記電力用半導体素子の主面の4隅に対応する位置から外側に張り出す張出部が形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の電力用半導体装置の製造方法。
- 前記所定距離は、1〜4mm、あるいは前記電力用半導体素子の主面の縦または横の寸法の40%以下の範囲に設定されることを特徴とする請求項6に記載の電力用半導体装置の製造方法。
- 前記電力用半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電力用半導体装置の製造方法。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、およびダイヤモンド、のうちのいずれかであることを特徴とする請求項8に記載の電力用半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013121438A JP6120685B2 (ja) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | 電力用半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013121438A JP6120685B2 (ja) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | 電力用半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014239170A JP2014239170A (ja) | 2014-12-18 |
JP6120685B2 true JP6120685B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=52136094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013121438A Active JP6120685B2 (ja) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | 電力用半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6120685B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6206021B2 (ja) * | 2013-09-12 | 2017-10-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置の製造方法および電力用半導体装置 |
JP6752722B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2020-09-09 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装装置および実装方法 |
JP6680699B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2020-04-15 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装装置および実装方法 |
DE112017002421B4 (de) * | 2016-05-12 | 2023-08-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitereinheit und verfahren zum herstellen einer halbleitereinheit |
JP6580259B2 (ja) | 2016-05-26 | 2019-09-25 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
NL2021137B1 (en) * | 2018-06-15 | 2019-12-20 | Boschman Tech Bv | Sintering Process Product Carrier |
KR20210068080A (ko) * | 2018-10-04 | 2021-06-08 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 내열 이형 시트 및 열 압착 방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006059904A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007067175A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5084829B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2012-11-28 | パナソニック株式会社 | 半導体素子の実装構造体の製造方法、半導体素子の実装方法、及び加圧ツール |
-
2013
- 2013-06-10 JP JP2013121438A patent/JP6120685B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014239170A (ja) | 2014-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6120685B2 (ja) | 電力用半導体装置の製造方法 | |
JP6206021B2 (ja) | 電力用半導体装置の製造方法および電力用半導体装置 | |
JP5414644B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20150179551A1 (en) | Semiconductor device | |
JP6336138B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6129107B2 (ja) | 電力用半導体装置、および電力用半導体装置の製造方法 | |
JP6890520B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
CN106847781B (zh) | 功率模块封装及其制造方法 | |
JP6279162B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2014135411A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
CN111696877A (zh) | 用于接合至少两个接合构件的装置和方法 | |
US10741413B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5210935B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013131592A (ja) | リード端子およびこれを用いた半導体装置 | |
JP2017117869A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2015138843A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5895549B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2018006492A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6316221B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012209469A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2019021680A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5680011B2 (ja) | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 | |
JP5724415B2 (ja) | 半導体モジュール | |
KR102394542B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2021039993A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170328 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6120685 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |