JP7292120B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。

洗浄処理後の基板を乾燥させる手法として、基板の表面に揮発性液体を供給することによって基板上に残存する液体を揮発性液体に置換した後、揮発性液体を揮発させることによって基板を乾燥させる手法が知られている。

特開２０１５－２１３１０５号公報

本開示は、基板に付着するパーティクルの量を低減することができる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理方法は、処理液供給工程と、２液供給工程と、第１移動工程と、第２移動工程とを含む。処理液供給工程は、基板に処理液を供給する。２液供給工程は、処理液供給工程後、基板に処理液を供給しつつ、処理液よりも揮発性が高い乾燥用液体を基板に供給する。第１移動工程は、２液供給工程において、処理液の吐出位置を基板の外周部へ向けて移動させる。第２移動工程は、第１移動工程後であって、乾燥用液体の基板への供給が開始されてから予め設定された時間が経過した後、乾燥用液体の吐出位置を基板の外周部へ向けて移動させる。

本開示によれば、基板に付着するパーティクルの量を低減することができる。

図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。 図２は、実施形態に係る処理ユニットの構成を示す図である。 図３は、処理ユニットが実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。 図４は、置換処理の動作例を示す図である。 図５は、置換処理の動作例を示す図である。 図６は、置換処理の動作例を示す図である。 図７は、置換処理の動作例を示す図である。 図８は、置換処理の動作例を示す図である。 図９は、置換処理の動作例を示す図である。 図１０は、変形例に係る第２移動ステップの動作例を示す図である。

以下に、本開示による基板処理方法および基板処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理方法および基板処理装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。

＜基板処理システムの構成＞
図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置台１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置台１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

キャリア載置台１１には、複数のロードポートが搬送部１２に隣接するように並べて配置されており、複数のロードポートのそれぞれにキャリアＣが１つずつ載置される。

搬送部１２は、キャリア載置台１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置台１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置台１１のキャリアＣへ戻される。

＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６について図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係る処理ユニット１６の構成を示す図である。

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、第１供給部４０と、第２供給部５０と、回収カップ６０とを備える。

チャンバ２０は、基板保持機構３０、第１供給部４０、第２供給部５０および回収カップ６０を収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。具体的には、保持部３１は、複数の把持部３１ａを備えており、複数の把持部３１ａを用いてウェハＷの周縁部を把持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在し、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。

第１供給部４０は、リンス液ノズル４１と、薬液ノズル４２と、リンス液ノズル４１および薬液ノズル４２を支持する第１アーム４３と、第１アーム４３を移動させる第１移動機構４４とを備える。

リンス液ノズル４１は、供給ライン４６７に接続される。供給ライン４６７は、リンス液ノズル４１とリンス液供給源４６とを接続する。リンス液供給源４６は、供給ライン４６７を介してリンス液ノズル４１にリンス液を供給する。ここでは、リンス液としてＤＩＷ（脱イオン水）が用いられる。供給ライン４６７には、バルブ４５が設けられる。バルブ４５は、供給ライン４６７を開閉することによってリンス液ノズル４１からウェハＷへのＤＩＷの吐出および非吐出を切り替える。

薬液ノズル４２は、供給ライン４８７に接続される。供給ライン４８７は、薬液ノズル４２と薬液供給源４８とを接続する。薬液供給源４８は、供給ライン４８７を介して薬液ノズル４２に薬液を供給する。薬液の種類は特に限定されないが、たとえば、ＨＦ（フッ酸）、ＳＣ１（アンモニア／過酸化水素／水の混合液）などが用いられる。供給ライン４８７には、バルブ４７が設けられる。バルブ４７は、供給ライン４８７を開閉することによって薬液ノズル４２からウェハＷへの薬液の吐出および非吐出を切り替える。

第２供給部５０は、乾燥用液体ノズル５１と、乾燥用液体ノズル５１を支持する第２アーム５３と、第２アーム５３を移動させる第２移動機構５４とを備える。

乾燥用液体ノズル５１は、供給ライン５６７に接続される。供給ライン５６７は、乾燥用液体ノズル５１と乾燥用液体供給源５６とを接続する。乾燥用液体供給源５６は、供給ライン５６７を介して乾燥用液体ノズル５１に乾燥用液体を供給する。ここでは、乾燥用液体としてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。なお、乾燥用液体は、たとえばアセトンなどのＩＰＡ以外の揮発性溶剤であってもよい。その他、乾燥用液体は、リンス液（ここではＤＩＷ）よりも揮発性の高い液体であればよい。供給ライン５６７には、バルブ５５が設けられる。バルブ５５は、供給ライン５６７を開閉することによって乾燥用液体ノズル５１からウェハＷへのＩＰＡの吐出および非吐出を切り替える。

乾燥用液体供給源５６は、ＩＰＡを貯留するタンク５６１と、タンク５６１から出てタンク５６１に戻る循環ライン５６２とを有している。循環ライン５６２にはポンプ５６３が設けられている。ポンプ５６３は、タンク５６１から出て循環ライン５６２を通りタンク５６１に戻る循環流を形成する。また、循環ライン５６２には、ヒータ５６４およびフィルタ５６５がポンプ５６３よりも下流側に設けられる。ヒータ５６４は、循環ライン５６２を流れるＩＰＡを加熱する。たとえば、ＩＰＡは、ヒータ５６４によって６５～７５℃程度に加熱される。フィルタ５６５は、ＩＰＡに含まれるパーティクル等の異物を除去する。

また、循環ライン５６２には、複数の供給ライン５６７が接続されている。各供給ライン５６７は、循環ライン５６２を流れる処理液を対応する処理ユニット１６に供給する。各循環ライン５６２には、必要に応じて、流量制御弁等の流量調整機構、フィルタ等を設けることができる。また、循環ライン５６２には、複数の供給ライン５６７よりも下流側に、循環ライン５６２を開閉するバルブ５６６が設けられている。

タンク５６１には、ＩＰＡを補充する補充部５６８が接続される。また、タンク５６１には、タンク５６１内のＩＰＡを廃棄するためのドレン部５６９が設けられている。

なお、薬液ノズル４２は、第２供給部５０に設けられてもよい。また、処理ユニット１６は、第１アーム４３、第２アーム５３、第１移動機構４４および第２移動機構５４の他に、薬液ノズル４２を支持する第３アームと、この第３アームを移動させる第３移動機構を備えていてもよい。

回収カップ６０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ６０の底部には、排液口６１が形成されており、回収カップ６０によって捕集された処理液は、かかる排液口６１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ６０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口６２が形成される。

＜処理ユニットの具体的動作＞
次に、処理ユニット１６が実行する基板洗浄処理の内容について図３を参照して説明する。図３は、処理ユニット１６が実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図３に示す処理手順は、制御装置４の記憶部１９に格納されているプログラムを制御部１８が読み出すとともに、読み出した命令に基づいて処理ユニット１６等を制御することにより実行される。

図３に示すように、まず、薬液処理が行われる（ステップＳ１０１）。薬液処理では、ウェハＷを保持した保持部３１が回転される。また、薬液ノズル４２がウェハＷの中央上方に配置される。その後、バルブ４７が予め設定された時間開放されることにより、回転するウェハＷの中央部に対し、薬液ノズル４２から薬液が吐出される。ウェハＷの中央部に供給された薬液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの上面全体に広がる。これにより、ウェハＷの上面が処理される。たとえば、ウェハＷのデバイス面である上面が洗浄される。

つづいて、リンス処理が行われる（ステップＳ１０２）。リンス処理では、ウェハＷの中央上方にリンス液ノズル４１が配置される。その後、バルブ４５が予め設定された時間開放されることにより、回転するウェハＷの中央部に対し、リンス液ノズル４１からリンス液であるＤＩＷが吐出される。ウェハＷの中央部に供給されたＤＩＷは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの上面全体に広がる。これにより、ウェハＷの上面に残存する薬液がＤＩＷによって洗い流される。

つづいて、置換処理が行われる（ステップＳ１０３）。置換処理は、ウェハＷ上に残存するＤＩＷを、ＤＩＷよりも揮発性の高いＩＰＡに置換する処理である。ここで、ウェハＷに対するＤＩＷの供給が停止された後で、ウェハＷに対するＩＰＡの供給を開始すると、ＤＩＷの供給が停止されてからＩＰＡが供給されるまでの間にウェハＷが乾く、言い換えれば、ウェハＷの上面が液膜から露出するおそれがある。ウェハＷが乾くことにより、ウェハＷの上面にウォーターマークが発生したり、ウェハＷの上面に残存するパーティクルの量が増加したりするおそれがある。

そこで、置換処理では、リンス処理に引き続きリンス液ノズル４１からウェハＷの上面にＤＩＷを供給しながら、乾燥用液体ノズル５１からウェハＷの上面にＩＰＡを供給する。すなわち、ＤＩＷおよびＩＰＡの２液をウェハＷに対して同時に供給する。その後、リンス液ノズル４１をウェハＷの外周部へ向けて移動させる。これにより、ＩＰＡの液膜を広げつつ、未だＩＰＡが到達していないウェハＷ上の領域をＤＩＷの液膜で覆うことができる。したがって、ウェハＷの乾燥を抑制することができる。置換処理の詳細については後述する。

つづいて、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０４）。乾燥処理では、保持部３１の回転数が増加される。これにより、ウェハＷに残存するＩＰＡが振り切られてウェハＷが乾燥する。乾燥処理が終了すると、保持部３１の回転が停止される。その後、ウェハＷは、基板搬送装置１７（図１参照）によって処理ユニット１６から搬出される。これにより、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が完了する。

ところで、乾燥用液体ノズル５１から吐出されるＩＰＡには、バルブ５５から生じた異物が混入するおそれがある。この異物は、たとえば、バルブ５５の開閉動作においてバルブ５５の可動部（ピストン）がバルブ５５の固定部（シリンダー）と擦れ合うことによって生じる金属粉等の微粒子である。特に、本実施形態のように加熱されたＩＰＡを用いる場合、加熱されたＩＰＡによってバルブ５５が熱膨張することで、可動部と固定部との間の摩擦力が増大する結果、異物の発生量が増大するおそれがある。また、本実施形態のようにＤＩＷおよびＩＰＡの同時出しを行う場合、異物を含んだＩＰＡとＤＩＷとがウェハＷ上で混ざると、ウェハＷ上で異物が固着することによってパーティクルが増加するおそれがある。

そこで、実施形態に係る処理ユニット１６では、バルブ５５から生じた異物をウェハＷ上に残存しにくくするべく、置換処理における第２供給部５０等の動作を制御することとした。以下、置換処理における処理ユニット１６の具体的動作について図４～図９を参照して説明する。図４～図９は、置換処理の動作例を示す図である。

なお、図４～図６は、置換処理における２液供給ステップの動作例を示す図である。また、図５および図６は、置換処理における第１移動ステップの動作例を示す図である。また、図８は、置換処理における第２移動ステップ、維持ステップ、回転数変更ステップおよび流量変更ステップの動作例を示す図である。また、図９は、置換処理における第３移動ステップの動作例を示す図である。

まず、図４に示すように、リンス処理に引き続き、すなわち、リンス処理の終了後、リンス液ノズル４１からのＤＩＷの吐出を停止させることなく、ウェハＷの中央上方に配置されたリンス液ノズル４１から回転するウェハＷに対してＤＩＷが供給される。また、乾燥用液体ノズル５１が第２移動機構５４（図２参照）によってウェハＷの外方からウェハＷの中央部へ向けて移動を開始する。

ここで、異物Ｍは、バルブ５５が閉じるときにより多く生じる。このため、図４に示すように、供給ライン５６７には、前回の置換処理においてバルブ５５を閉じたときに生じた異物Ｍが残存している。ここでは、異物Ｍがバルブ５５よりも下流側の供給ライン５６７に残存している例を示しているが、異物Ｍは、バルブ５５よりも上流側の供給ライン５６７やバルブ５５内にも残存している場合がある。

つづいて、図５に示すように、リンス液ノズル４１が第１移動機構４４（図２参照）によってウェハＷの中央部から外周部へ向けて移動を開始する。また、乾燥用液体ノズル５１がウェハＷの中央上方に到達した後、バルブ５５が開かれることによって、乾燥用液体ノズル５１からウェハＷの中央部に対してＩＰＡが供給される。図６に示すように、ＩＰＡの液膜は、リンス液ノズル４１の移動に伴って拡大する。

つづいて、図７に示すように、リンス液ノズル４１がウェハＷの外周部へ到達した後、バルブ４５が閉じられることによって、リンス液ノズル４１からウェハＷへのＤＩＷの供給が停止される。これにより、ウェハＷの乾燥を抑制しつつ、ウェハＷの上面全体にＩＰＡの液膜を形成することができる。

図５～図７に示すように、処理ユニット１６では、バルブ５５周辺に残存する異物Ｍが、ＤＩＷの供給が停止される前に乾燥用液体ノズル５１から吐出されないように、バルブ５５よりも下流側の供給ライン５６７の容積およびＩＰＡの流量が設定される。これにより、異物Ｍを含んだＩＰＡとＤＩＷとが混ざることが抑制されるため、パーティクルの増加を抑制することができる。なお、これに限らず、少なくともウェハＷの上面全体にＩＰＡの液膜が形成された後で、異物Ｍを含んだＩＰＡが乾燥用液体ノズル５１から吐出されるように、バルブ５５よりも下流側の供給ライン５６７の容積およびＩＰＡの流量が設定されればよい。異物Ｍを含んでいないＩＰＡによってウェハＷの上面全体を覆うことで、異物ＭのウェハＷへの付着を抑制することができる。

つづいて、ＩＰＡのウェハＷへの供給が開始されてから（図５参照）予め設定された時間（第１設定時間）が経過すると、乾燥用液体ノズル５１がウェハＷの外周部へ向かって移動を開始する。

第１設定時間は、バルブ５５よりも下流側の供給ライン５６７の容積、ＩＰＡの流量、乾燥用液体ノズル５１の移動速度等に基づき、バルブ５５が開かれた後、異物Ｍが乾燥用液体ノズル５１から吐出されるまでに要する時間よりも短い時間に設定される。「バルブ５５が開かれた後、異物Ｍが乾燥用液体ノズル５１から吐出されるまでに要する時間」は、事前の実験あるいはシミュレーション等により決定される。

これにより、図８に示すように、乾燥用液体ノズル５１がウェハＷの外周部に到達した後で、異物Ｍを含んだＩＰＡがウェハＷの外周部に吐出されるようになる。このように、異物Ｍを含んだＩＰＡをウェハＷの外周部に吐出するようにすることで、異物Ｍを含んだＩＰＡをウェハＷの中央部に吐出した場合と比較して、異物ＭのウェハＷへの付着量を抑制することができる。

乾燥用液体ノズル５１の位置は、乾燥用液体ノズル５１がウェハＷの外周部に到達した後、予め設定された時間（第２設定時間）が経過するまで、ウェハＷの外周部に維持される。第２設定時間は、異物Ｍを含んだＩＰＡが乾燥用液体ノズル５１から吐出されてから吐出し終わるまでに要する時間以上の時間に設定される。これにより、たとえば後段の第３移動ステップにおいて異物Ｍを含んだＩＡがウェハＷの外周部よりも径方向内側に吐出されることを抑制することができる。

また、図８に示すように、乾燥用液体ノズル５１がウェハＷの外周部に到達した後、第２設定時間が経過するまで、保持部３１の回転数が増加される。すなわち、ウェハＷがより高速で回転される。これにより、ウェハＷの外周部に吐出された異物Ｍを早急にウェハＷの外方へ排出することができる。すなわち、異物Ｍの排出性能を高めることができる。第２設定時間が経過した後、保持部３１の回転数は元の回転数に戻される。

また、乾燥用液体ノズル５１がウェハＷの外周部に到達した後、第２設定時間が経過するまで、乾燥用液体ノズル５１から吐出されるＩＰＡの流量が増加される。これにより、異物Ｍを含んだＩＰＡを低流量で吐出した場合と比べて、異物Ｍを含んだＩＰＡがウェハＷ上に残存しにくくなるため、異物Ｍの排出性能を高めることができる。第２設定時間が経過した後、ＩＰＡの流量は元の流量に戻される。

つづいて、第２設定時間が経過すると、図９に示すように、乾燥用液体ノズル５１がウェハＷの外周部から中央部へ向けて移動を開始する。そして、乾燥用液体ノズル５１がウェハＷの中央部に到達した後、予め設定された時間（第３設定時間）が経過するまで、乾燥用液体ノズル５１からウェハＷの中央部に対してＩＰＡが供給される。その後、第３設定時間が経過すると、バルブ５５が閉じられることによって乾燥用液体ノズル５１からウェハＷへのＩＰＡの供給が停止される。

なお、上述したように、異物Ｍはバルブ５５が閉じるときにより多く生じる。ここで、本願発明者は、バルブ５５の閉速度を遅くするほど、ウェハＷ上のパーティクル量が減少することを見出した。この知見に基づき、バルブ５５は、開速度よりも閉速度の方が低く設定されてもよい。このように設定されることで、次回の置換処理においてウェハＷ上に吐出される異物Ｍの量を低減することができる。たとえばバルブ５５が単動式のノーマルクローズバルブである場合、バルブ５５の閉速度は、バルブ５５を開くための空気圧を調整するスピードコントローラを用いて調整することができる。なお、バルブ５５は復動式であってもよい。バルブ５５として復動式のバルブを用いることにより、単動式のバルブよりも閉速度をより遅く設定することが可能である。

＜第２移動ステップの変形例＞
次に、上述した第２移動ステップの変形例について図１０を参照して説明する。図１０は、変形例に係る第２移動ステップの動作例を示す図である。

図１０に示すように、第２移動ステップにおいて、乾燥用液体ノズル５１は、ウェハＷの外周部を通り過ぎて、ウェハＷの外方まで移動される。この場合、異物Ｍを含んだＩＰＡは、ウェハＷの外方に吐出される。このため、ウェハＷの上面に異物Ｍが付着することをより確実に抑制することができる。なお、異物Ｍを含んだＩＰＡが把持部３１ａ（図２参照）に付着することを抑制するために、保持部３１に代えて、たとえばバキュームチャックなどのウェハＷの下面を吸着保持する保持部を用いることとしてもよい。

上述してきたように、実施形態に係る基板処理方法は、処理液供給工程（一例として、リンス処理）と、２液供給工程（一例として、置換処理における２液供給ステップ）と、第１移動工程（一例として、置換処理における第１移動ステップ）と、第２移動工程（一例として、置換処理における第２移動ステップ）とを含む。処理液供給工程は、基板（一例として、ウェハＷ）に処理液（一例として、ＤＩＷ）を供給する。２液供給工程は、処理液供給工程後、基板に処理液を供給しつつ、処理液よりも揮発性が高い乾燥用液体（一例として、ＩＰＡ）を基板に供給する。第１移動工程は、２液供給工程において、処理液の吐出位置を基板の外周部へ向けて移動させる。第２移動工程は、第１移動工程後であって、乾燥用液体の基板への供給が開始されてから予め設定された時間（一例として、第１設定時間）が経過した後、乾燥用液体の吐出位置を基板の外周部へ向けて移動させる。

これにより、たとえば、異物を含んだ乾燥用液体を基板の外周部に吐出することができる。このため、異物を含んだ乾燥用液体を基板の中央部に吐出する場合と比べて基板への異物の付着量を抑えることができる。したがって、基板に付着するパーティクルの量を低減することができる。また、たとえば、乾燥用液体の吐出を開始する前にダミーディスペンスを行って異物を排出する場合と比べて、乾燥用液体の消費量を抑制することができる。

なお、上述した実施形態では、２液供給工程において乾燥用液体を基板の中央部に吐出した後、第２移動工程において、乾燥用液体の吐出位置を基板の外周部へ向けて移動させる場合の例について説明した。しかし、第２移動工程前における乾燥用液体の吐出位置は、必ずしも基板の中央部であることを要せず、基板の外周部よりも径方向内側であればよい。

また、上述した実施形態では、第２移動工程において、乾燥用液体を吐出させながら乾燥用液体の吐出位置を移動させる場合の例について説明した。これに限らず、たとえば、第２移動工程が完了するまでの間、乾燥用液体の吐出を停止させてもよい。

また、上述した実施形態では、第１移動工程において、処理液の吐出位置が基板の外周部に到達した後、処理液の吐出を停止させる場合の例について説明した。これに限らず、処理液は、基板の外周部において吐出され続けてもよい。

予め設定された時間は、乾燥用液体が流通する配管（一例として、供給ライン５６７）のうち乾燥用液体の吐出および非吐出を切り替えるバルブ（一例として、バルブ５５）よりも下流側に位置する部分の容積と、配管を流通する乾燥用液体の流量とに基づいて決定されてもよい。

たとえば処理液が水である場合、基板上で異物と水とが接触することで異物が基板に固着して、基板上のパーティクル量が増加するおそれがある。これに対し、予め設定された時間を上記のように設定することで、異物と水とが混ざることが抑制されるため、パーティクルの増加を抑制することができる。

予め設定された時間は、バルブが開かれた後、バルブから生じた異物（一例として、異物Ｍ）が乾燥用液体とともに吐出されるまでに要する時間よりも短い時間に設定されてもよい。これにより、たとえば処理液が水である場合に、異物と水とが混ざることが抑制されるため、パーティクルの増加を抑制することができる。

実施形態に係る基板処理方法は、第３移動工程（一例として、置換処理における第３移動ステップ）をさらに含んでいてもよい。第３移動工程は、第２移動工程後、乾燥用液体の吐出位置を基板の中央部へ向けて移動させる。これにより、乾燥用液体とともに吐出される異物の基板への付着を抑制しつつ、基板に乾燥用液体の液膜を形成することができる。

実施形態に係る基板処理方法は、維持工程（一例として、置換処理における維持ステップ）をさらに含んでいてもよい。維持工程は、第２移動工程後、第３移動工程の前に、乾燥用液体の吐出位置を基板の外周部に維持する。これにより、たとえば異物を含んだ乾燥用液体が外周部以外の基板上に吐出されることを抑制することができる。したがって、異物の基板への付着量をより確実に抑制することができる。

実施形態に係る基板処理方法は、回転数変更工程（一例として、置換処理における回転数変更ステップ）をさらに含んでいてもよい。回転数変更工程は、維持工程において基板の回転数を増加させる。これにより、たとえば基板の外周部に吐出された異物を早急に基板の外方へ排出することができる。

実施形態に係る基板処理方法は、流量変更工程（一例として、置換処理における流量変更ステップ）をさらに含んでいてもよい。流量変更工程は、維持工程において、乾燥用液体の流量を増加させる。これにより、異物を含んだ乾燥用液体を低流量で吐出した場合と比べて、異物を含んだ乾燥用液体が基板上に残存しにくくなるため、異物の排出性能を高めることができる。

第２移動工程は、乾燥用液体の吐出位置を基板の外方まで移動させてもよい。この場合、異物を含んだ乾燥用液体は、基板の外方に吐出される。このため、基板に異物が付着することをより確実に抑制することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置（一例として、処理ユニット１６）は、保持部（一例として、基板保持機構３０）と、第１供給部（一例として、第１供給部４０）と、第２供給部（一例として、第２供給部５０）と、制御部（一例として、制御部１８）とを備える。保持部は、基板（一例として、ウェハＷ）を回転可能に保持する。第１供給部は、保持部に保持された基板に対して処理液（一例として、ＤＩＷ）を供給する第１ノズル（一例として、リンス液ノズル４１）と、第１ノズルを移動させる第１移動機構（一例として、第１移動機構４４）とを含む。第２供給部は、保持部に保持された基板に対し、処理液よりも揮発性が高い乾燥用液体（一例として、ＩＰＡ）を供給する第２ノズル（一例として、乾燥用液体ノズル５１）と、第２ノズルを移動させる第２移動機構（一例として、第２移動機構５４）とを含む。制御部は、第１供給部および第２供給部を制御することにより、処理液供給処理と、２液供給処理と、第１移動処理と、第２移動処理とを実行させる。処理液供給処理は、基板に処理液を供給する。２液供給処理は、処理液供給処理後、基板に処理液を供給しつつ、乾燥用液体を前記基板に供給する。第１移動処理は、２液供給処理において、処理液の吐出位置を基板の外周部へ向けて移動させる。第２移動処理は、第１移動処理後であって、乾燥用液体の基板への供給が開始されてから予め設定された時間が経過した後、乾燥用液体の吐出位置を基板の外周部へ向けて移動させる。これにより、基板に付着するパーティクルの量を低減することができる。

第２供給部は、乾燥用液体を第２ノズルに供給する配管と、配管に設けられ、配管を開閉することによって乾燥用液体の吐出および非吐出を切り替えるバルブとをさらに備える。バルブは、開速度よりも閉速度の方が低く設定されてもよい。これにより、バルブから生じる異物の量を少なくすることができる。したがって、基板に付着するパーティクルの量を低減することができる。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
４ 制御装置
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
１９ 記憶部
２０ チャンバ
３０ 基板保持機構
３１ 保持部
３２ 支柱部
３３ 駆動部
４０ 第１供給部
４１ リンス液ノズル
４２ 薬液ノズル
４３ 第１アーム
４４ 第１移動機構
４５ バルブ
４６ リンス液供給源
４７ バルブ
４８ 薬液供給源
５０ 第２供給部
５１ 乾燥用液体ノズル
５３ 第２アーム
５４ 第２移動機構
５５ バルブ
５６ 乾燥用液体供給源
４６７，４８７，５６７ 供給ライン

Claims (9)

1. 基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記処理液供給工程後、前記基板に前記処理液を供給しつつ、前記処理液よりも揮発性が高い乾燥用液体を前記基板に供給する２液供給工程と、
   前記２液供給工程において、前記処理液の吐出位置を前記基板の外周部へ向けて移動させる第１移動工程と、
   前記第１移動工程後であって、前記乾燥用液体の前記基板への供給が開始されてから予め設定された時間が経過した後、前記乾燥用液体の吐出位置を前記基板の外周部へ向けて移動させる第２移動工程と
   を含み、
   前記予め設定された時間は、
   前記乾燥用液体が流通する配管のうち前記乾燥用液体の吐出および非吐出を切り替えるバルブよりも下流側に位置する部分の容積と、前記配管を流通する前記乾燥用液体の流量とに基づいて決定される、基板処理方法。
2. 基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記処理液供給工程後、前記基板に前記処理液を供給しつつ、前記処理液よりも揮発性が高い乾燥用液体を前記基板に供給する２液供給工程と、
   前記２液供給工程において、前記処理液の吐出位置を前記基板の外周部へ向けて移動させる第１移動工程と、
   前記第１移動工程後であって、前記乾燥用液体の前記基板への供給が開始されてから予め設定された時間が経過した後、前記乾燥用液体の吐出位置を前記基板の外周部へ向けて移動させる第２移動工程と
   を含み、
   前記予め設定された時間は、
   前記乾燥用液体が流通する配管に設けられ、前記乾燥用液体の吐出および非吐出を切り替えるバルブが開かれた後、前記バルブから生じた異物が前記乾燥用液体とともに吐出されるまでに要する時間よりも短い時間に設定される、基板処理方法。
3. 基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記処理液供給工程後、前記基板に前記処理液を供給しつつ、前記処理液よりも揮発性が高い乾燥用液体を前記基板に供給する２液供給工程と、
   前記２液供給工程において、前記処理液の吐出位置を前記基板の外周部へ向けて移動させる第１移動工程と、
   前記第１移動工程後であって、前記乾燥用液体の前記基板への供給が開始されてから予め設定された時間が経過した後、前記乾燥用液体の吐出位置を前記基板の外周部へ向けて移動させる第２移動工程と、
   前記第２移動工程後、前記乾燥用液体の吐出位置を前記基板の中央部へ向けて移動させる第３移動工程と
   を含む、基板処理方法。
4. 前記第２移動工程後、前記乾燥用液体の吐出位置を前記基板の中央部へ向けて移動させる第３移動工程
   をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
5. 前記第２移動工程後、前記第３移動工程の前に、前記乾燥用液体の吐出位置を前記基板の外周部に維持する維持工程
   をさらに含む、請求項３または４に記載の基板処理方法。
6. 前記維持工程において、前記基板の回転数を増加させる回転数変更工程
   をさらに含む、請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記維持工程において、前記乾燥用液体の流量を増加させる流量変更工程
   をさらに含む、請求項５または６に記載の基板処理方法。
8. 前記第２移動工程は、
   前記乾燥用液体の吐出位置を前記基板の外方まで移動させる、請求項１～４の何れか一つに記載の基板処理方法。
9. 基板を回転可能に保持する保持部と、
   前記保持部に保持された前記基板に対して処理液を供給する第１ノズルと、前記第１ノズルを移動させる第１移動機構とを含む第１供給部と、
   前記保持部に保持された前記基板に対し、前記処理液よりも揮発性が高い乾燥用液体を供給する第２ノズルと、前記第２ノズルを移動させる第２移動機構とを含む第２供給部と、
   前記第１供給部および前記第２供給部を制御することにより、前記基板に処理液を供給する処理液供給処理と、前記処理液供給処理後、前記基板に前記処理液を供給しつつ、前記乾燥用液体を前記基板に供給する２液供給処理と、前記２液供給処理において、前記処理液の吐出位置を前記基板の外周部へ向けて移動させる第１移動処理と、前記第１移動処理後であって、前記乾燥用液体の前記基板への供給が開始されてから予め設定された時間が経過した後、前記乾燥用液体の吐出位置を前記基板の外周部へ向けて移動させる第２移動処理とを実行させる制御部と
   を備え、
   前記第２供給部は、
   前記乾燥用液体を前記第２ノズルに供給する配管と、
   前記配管に設けられ、前記配管を開閉することによって前記乾燥用液体の吐出および非吐出を切り替えるバルブと
   をさらに備え、
   前記バルブは、開速度よりも閉速度の方が低く設定される、基板処理装置。

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