JP6117024B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は酸化物半導体層31と酸化物半導体層32とを有する半導体装置の一例である。
例えば、酸化物半導体層31中へのH2Oの侵入を防止することが好ましい。
半導体装置の作製方法の一例を説明する(図3〜図13)。
表示装置の一例について説明する。
表示装置の一例について説明する。
表示装置の一例について説明する。
図19は図12において酸化物半導体層321、酸化物半導体層322、酸化物半導体層323、酸化物半導体層324、酸化物半導体層325、酸化物半導体層326、酸化物半導体層327、酸化物半導体層328、酸化物半導体層329、酸化物半導体層330、酸化物半導体層331、酸化物半導体層332を追加した図面の一例である。
図21は図12において酸化物半導体層311〜酸化物半導体層319に孔を設けた図面の一例である。
図23は図9の無機絶縁層500の孔の形状を変更した図面の一例である。
図9では孔564の面積はコンタクトホール551の面積よりも大きい。
図27は図9の無機絶縁層500に形成された孔の形状を変更した図面の一例である。
図11(A)では、樹脂層600のコンタクトホールが無機絶縁層500のコンタクトホールよりも大きい。
樹脂層と接触する酸化物半導体層を容量素子の一方の電極として用いる例を図31、図32に示す。
図35は図31において、酸化物半導体層350の端部を導電層450で覆った場合の一例である。
図37は、図31において酸化物半導体層351、酸化物半導体層352等を追加した場合の一例である。
表示装置の一例について説明する。
図44は図38において、導電層1404を、導電層1406、酸化物半導体層1304、及び導電層1407に置換した図面の一例である。
図47は図38において、導電層1404をトランジスタに置換した図面の一例である。
図50は図38において、酸化物半導体層1351、酸化物半導体層1352等を追加した図面の一例である。
発光装置の画素回路はどのような回路でも適用することができる。
発光装置の画素回路はどのような回路でも適用することができる。
開示する発明は画素回路以外の回路にも適用することができる。
トランジスタとして、ボトムゲート型のトランジスタを適用しても良いし、トップゲート型のトランジスタを適用しても良い。
各層の材料について説明する。
半導体装置とは、半導体を有する素子を有する装置である。
本発明の一態様は、新規な構造を有する半導体装置を提供することを第2の目的としている。
他の実施の形態において、無機絶縁層と酸化物半導体層との間に所定の導電層を配置する例を示した。
無機絶縁層を介して微量のH2Oが酸化物半導体層へ侵入してしまう場合がある。
他の実施の形態では樹脂層を基板全面に設けた例を示したが、樹脂層を局所的に設けても良い。
樹脂層のかわりに水素を含む層を用いても良い。
樹脂層又は水素を含む層を局所的に設ける場合、樹脂層又は水素を含む層を無機絶縁層の下に設けることができる。
21 導電層
22 導電層
30 絶縁層
31 酸化物半導体層
32 酸化物半導体層
33 酸化物半導体層
41 導電層
42 導電層
43 導電層
44 導電層
50 無機絶縁層
51 保護層
52 保護層
55 機能層
56 絶縁層
60 樹脂層
70 導電層
88 水素を含む層
99 放熱性を有する層
100 基板
110 基板
201 導電層
202 導電層
300 絶縁層
301 酸化物半導体層
302 酸化物半導体層
303 酸化物半導体層
304 酸化物半導体層
305 酸化物半導体層
306 酸化物半導体層
311 酸化物半導体層
312 酸化物半導体層
313 酸化物半導体層
314 酸化物半導体層
315 酸化物半導体層
316 酸化物半導体層
317 酸化物半導体層
318 酸化物半導体層
319 酸化物半導体層
321 酸化物半導体層
322 酸化物半導体層
323 酸化物半導体層
324 酸化物半導体層
325 酸化物半導体層
326 酸化物半導体層
327 酸化物半導体層
328 酸化物半導体層
329 酸化物半導体層
330 酸化物半導体層
331 酸化物半導体層
332 酸化物半導体層
350 酸化物半導体層
351 酸化物半導体層
352 酸化物半導体層
401 導電層
402 導電層
403 導電層
411 導電層
412 導電層
413 導電層
414 導電層
415 導電層
416 導電層
450 導電層
500 無機絶縁層
510 絶縁層
561 孔
562 孔
563 孔
564 孔
564a 孔
564b 孔
564c 孔
564d 孔
564e 孔
564f 孔
564g 孔
564h 孔
564i 孔
564j 孔
564k 孔
564l 孔
564m 孔
564n 孔
565 孔
566 孔
567 孔
568 孔
569 孔
551 コンタクトホール
552 コンタクトホール
553 コンタクトホール
554 コンタクトホール
555 コンタクトホール
556 コンタクトホール
600 樹脂層
701 導電層
702 導電層
703 導電層
704 導電層
705 導電層
706 導電層
707 導電層
708 導電層
709 導電層
710 導電層
711 導電層
712 導電層
800 液晶層
900 導電層
1100 基板
1201 導電層
1202 導電層
1203 導電層
1300 絶縁層
1301 酸化物半導体層
1302 酸化物半導体層
1303 酸化物半導体層
1304 酸化物半導体層
1305 酸化物半導体層
1351 酸化物半導体層
1352 酸化物半導体層
1401 導電層
1402 導電層
1403 導電層
1404 導電層
1405 導電層
1406 導電層
1407 導電層
1408 導電層
1409 導電層
1500 無機絶縁層
1701 導電層
1702 導電層
1600 樹脂層
1800 有機化合物を含む層
1900 導電層
Tr トランジスタ
Tr1 トランジスタ
Tr2 トランジスタ
Tr3 トランジスタ
Tr4 トランジスタ
Tr5 トランジスタ
Tr6 トランジスタ
CL 配線
G 配線
G1 配線
G2 配線
G3 配線
IN 配線
OUT 配線
S 配線
RE 配線
V 配線
V1 配線
V2 配線
Vdd 配線
Vss 配線
LC 液晶素子
EL 発光素子
R 抵抗素子
C 容量素子
C1 容量素子
C2 容量素子
Claims (4)
- 基板上に第1の導電層を有し、
前記第1の導電層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第1の酸化物半導体層を有し、
前記絶縁層上に第2の酸化物半導体層を有し、
前記第1の酸化物半導体層上に第2の導電層を有し、
前記第1の酸化物半導体層上に第3の導電層を有し、
前記第2の導電層上及び前記第3の導電層上に無機絶縁層を有し、
前記無機絶縁層上に樹脂層を有し、
前記第1の酸化物半導体層は、前記第1の導電層と重なる領域を有し、
前記樹脂層は、前記第1の酸化物半導体層と接触せず、
前記樹脂層は、前記無機絶縁層の有する孔の内側において、前記第2の酸化物半導体層と接触する部分を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上に第1の導電層を有し、
前記第1の導電層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第1の酸化物半導体層を有し、
前記絶縁層上に第2の酸化物半導体層を有し、
前記絶縁層上に第3の酸化物半導体層を有し、
前記第1の酸化物半導体層上に第2の導電層を有し、
前記第1の酸化物半導体層上に第3の導電層を有し、
前記第2の導電層上及び前記第3の導電層上に無機絶縁層を有し、
前記無機絶縁層上に樹脂層を有し、
前記第1の酸化物半導体層は、前記第1の導電層と重なる領域を有し、
前記樹脂層は、前記第1の酸化物半導体層と接触せず、
前記樹脂層は、前記無機絶縁層の有する孔の内側において、前記第2の酸化物半導体層と接触する部分を有し、
前記樹脂層は、前記第3の酸化物半導体層と接触せず、
前記基板は、第1の領域と第2の領域と第3の領域とを有し、
前記第1の酸化物半導体層は、前記第1の領域と重なる領域を有し、
前記第2の酸化物半導体層は、前記第2の領域と重なる領域を有し、
前記第3の酸化物半導体層は、前記第3の領域と重なる領域を有し、
前記第3の領域は、前記第1の領域と前記第2の領域の間に位置することを特徴とする半導体装置。 - 基板上に第1の導電層を有し、
前記第1の導電層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第1の層を有し、
前記絶縁層上に第2の層を有し、
前記第1の層上に第2の導電層を有し、
前記第1の層上に第3の導電層を有し、
前記第2の導電層上及び前記第3の導電層上に無機絶縁層を有し、
前記無機絶縁層上に樹脂層を有し、
前記第1の層は、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有し、
前記第2の層は、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有し、
前記第1の層は、前記第1の導電層と重なる領域を有し、
前記樹脂層は、前記第1の層と接触せず、
前記樹脂層は、前記無機絶縁層の有する孔の内側において、前記第2の層と接触する部分を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上に第1の導電層を有し、
前記第1の導電層上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に第1の層を有し、
前記絶縁層上に第2の層を有し、
前記絶縁層上に第3の層を有し、
前記第1の層上に第2の導電層を有し、
前記第1の層上に第3の導電層を有し、
前記第2の導電層上及び前記第3の導電層上に無機絶縁層を有し、
前記無機絶縁層上に樹脂層を有し、
前記第1の層は、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有し、
前記第2の層は、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有し、
前記第3の層は、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有し、
前記第1の層は、前記第1の導電層と重なる領域を有し、
前記樹脂層は、前記第1の層と接触せず、
前記樹脂層は、前記無機絶縁層の有する孔の内側において、前記第2の層と接触する部分を有し、
前記樹脂層は、前記第3の層と接触せず、
前記基板は、第1の領域と第2の領域と第3の領域とを有し、
前記第1の層は、前記第1の領域と重なる領域を有し、
前記第2の層は、前記第2の領域と重なる領域を有し、
前記第3の層は、前記第3の領域と重なる領域を有し、
前記第3の領域は、前記第1の領域と前記第2の領域の間に位置することを特徴とする半導体装置。
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