JP6111720B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
ドリフト層1となるFZ(Floating Zone)−n導電型(以降、単にn型)のSi半導体基板(以降、ウェハと略記することがある)の一方の主面(裏面とする)には、その全面にp導電型(以降、単にp型)コレクタ層13を有する。このコレクタ層13にはコレクタ電極14がオーミック接触している。Siウェハの表面側には、複数設けられている各デバイス領域内の周辺部に、表面側からのボロン拡散によって形成され、反対面のコレクタ層13に達する深いp型分離領域7を備える。
図9は従来の逆阻止IGBTの製造方法を示すプロセスフロー図である。まず、p型分離領域7を形成するために、(a)各デバイスのチップ端部となる各デバイス領域の周辺部に、Siウェハの表面側からp型ドーパント(例えばボロン)を高温長時間拡散し、仕上がりのウェハ厚さと同程度かそれ以上の深さの拡散層を形成してp型分離領域7とする。(b)このボロンの高温長時間拡散によりp型分離領域7とともにSiウェハに表面に形成される酸化膜をすべて除去する。(c)1100℃での熱酸化などにより、Siウェハに所要の厚さのフィールド酸化膜16を形成する。(d)POA(ポスト酸化アニール:Post Oxidation Anneal)処理として、窒素雰囲気で1100℃−30分の熱処理を加える。このPOA処理温度としては、酸化膜形成温度より少し低い温度(1000℃〜1100℃の範囲)から選ぶことができる。(e)フォトリソグラフィ工程、イオン注入および熱拡散処理などにより、p型分離領域7の内周側の活性領域100および接合終端領域101に、Siウェハの表層領域(n型領域2、p型ベース領域3、n+型エミッタ領域4、p+型コンタクト領域5、フィールドリミットリング6など)を形成する。(f)活性領域100内のフィールド酸化膜16を除去する。(g)ゲート酸化膜9、ゲート電極8、フィールドプレート11、層間絶縁膜15、エミッタ電極10などのSiウェハ表面上の機能領域を形成する。その後、図示しないが、よく知られたプロセスにより、n型Siウェハの裏面を、p型分離領域7が裏面に露出する厚さにまで研削して薄くし、裏面からボロンをイオン注入することによりコレクタ層13およびコレクタ電極14を形成して逆阻止IGBTとする。
(実施例1)
以下、図1〜図7を参照して、本発明にかかる実施例1として、逆阻止IGBTの製造方法について説明する。
(実施例2)
逆阻止IGBTの製造工程において、1回の分離拡散工程でp型分離領域7に必要な深さまで拡散できない場合を実施例2として示す。
2: n型領域
3: p型ベース領域
4: n+型エミッタ領域
5: p+型コンタクト領域
6: フィールドリミットリング
7: p型分離領域
8: ゲート電極
9: ゲート酸化膜
10: エミッタ電極
11: フィールドプレート
13: コレクタ層
14: コレクタ電極
15: 層間絶縁膜
16: フィールド酸化膜
17: コレクタ接合
21: 第1酸化膜
22: 第2酸化膜
23: 第3酸化膜
100: 活性領域
101: 接合終端領域
O: 酸素濃度
I: 格子間Si濃度
V: Si格子空孔濃度
Claims (8)
- シリコンからなる第1導電型の半導体基板の第1主面に形成した第1酸化膜をマスクとして、該半導体基板内の各デバイス領域内の周辺部に第2導電型の分離領域を選択的に酸化雰囲気で形成する第1工程と、前記第1酸化膜を全面除去し、再度前記分離領域表面に第2酸化膜を選択的に形成し、酸素外方拡散処理を施して前記分離領域の内周側の半導体基板表面に低酸素領域を形成した後、前記第2酸化膜を除去する第2工程と、第3酸化膜を形成し、アルゴン雰囲気においてポスト酸化アニール処理を施してフィールド酸化膜を形成する第3工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程における前記分離領域を形成する条件が、1150℃以上1330℃以下の温度範囲であって、拡散時間が80時間以上300時間以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程における前記酸素外方拡散処理の条件が、アルゴン雰囲気で1000℃以上1250℃以下のいずれかの温度と2時間以上6時間以下のいずれかの処理時間であり、形成される前記低酸素領域の深さが10μm以上30μm以下の範囲のいずれかであることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程における前記酸素外方拡散処理の条件である前記1000℃以上1250℃以下の温度への昇降温速度が4℃/分以上であることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程における前記酸素外方拡散処理の昇降温速度が、少なくとも600℃から800℃までの範囲で4℃/分以上にされていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法
- 前記第3工程において、前記ポスト酸化アニール処理の熱処理温度が1000℃以上1100℃以下の範囲のいずれかの温度であることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程と前記第2工程とを、前記分離領域が前記半導体装置の耐圧に必要な半導体基板の厚さを超える深さになるまで繰り返し、該深さに到達後、前記第3工程を行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置が逆阻止IGBTであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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