JP6107730B2 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6107730B2 JP6107730B2 JP2014074315A JP2014074315A JP6107730B2 JP 6107730 B2 JP6107730 B2 JP 6107730B2 JP 2014074315 A JP2014074315 A JP 2014074315A JP 2014074315 A JP2014074315 A JP 2014074315A JP 6107730 B2 JP6107730 B2 JP 6107730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- forming apparatus
- film forming
- side electrode
- peripheral surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
例えば、上述した被加工材料の表面にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)成膜処理する技術が特許文献1(特開2004−47207号公報)等により知られている。
また、マイクロ波供給窓22において、第1マイクロ波透過部22Dを除く部分である下方部分の外周面は、ステンレス等の金属で形成された側面導体23で被覆されている。
側面導体23は、処理容器2の内側面にネジ止め等によって固定され、電気的に処理容器2に接続されている。マイクロ波供給窓22の中央には同軸導波管21の中心導体21Aが設けられる。中心導体21Aから、処理容器2の内部に向けて中心導体21Bが延長されている。延長された中心導体21Bと、支持凹部22B内の保持具9と側面導体23とで処理容器2内部にも同軸導波管が構成され、マイクロ波が突出部22Aに伝播する。
ここに、第1マイクロ波透過部22Dの長さ(高さ)は2mm以上に設定されており、また、第1マイクロ波透過部22Dと側面電極23Aの内周面との間隔は2mm以下に設定されている、側面電極23Aの高さは20mm以上に設定されている。
また、側面電極23Aの高さは、図1、図2(A)に示すように、突出部22Aの高さよりも高く形成されているので、側面電極23Aの内周面と第1マイクロ波透過部22D及び中心導体24の外周面との間に存在する狭い領域が中心導体24の突出方向に拡大される。これにより、空間20内の中心導体がプラズマ衝撃によりスパッタリングされて生成されるスパッタ粒子のほとんどは側面電極23Aの内周面及び側面導体23の水平部23Bに付着する。従って第1マイクロ波透過部22Dにスパッタ粒子が付着し難くなって第1マイクロ波透過部22Dがスパッタ粒子により汚染されることを防止することができる。
成膜装置1は負電圧電源15、および負電圧パルス発生部16を備えたが、更に正電圧電源、および正電圧パルス発生部を備えてもよいし、負電圧パルス発生部16の代わりに、パルス状の負のバイアス電圧でなく、連続する負のバイアス電圧を印加する負電圧発生部を備えてもよい。
通常、表面波励起プラズマを発生させる場合、ある程度以上の電子(イオン)密度におけるプラズマと、これに接する誘電体との界面に沿ってマイクロ波が供給される。供給されたマイクロ波は、この界面に電磁波のエネルギが集中した状態で表面波として伝播される。その結果、界面に接するプラズマは高エネルギ密度の表面波によって励起され、さらに増幅される。これにより高密度プラズマが生成されて維持される。ただし、この誘電体を導電性材料に換えた場合、導電性材料は表面波の導波路としては機能せず、好ましい表面波の伝播及びプラズマ励起を生ずることはできない。
尚、以下においては、理解を容易にするため、同一の部材等に対しては同一の番号を付して説明する。
このとき、第2マイクロ波透過部22Eは、第1マイクロ波透過部22Dと直交する状態で存在するので、スパッタ粒子が第2マイクロ波透過部22Eに若干付着されるものの、第1マイクロ波透過部22Dにスパッタ粒子が付着されない限り成膜上全く問題はない。
図4において、第3実施形態に係る成膜装置1におけるマイクロ波供給窓22のマイクロ波透過部の構成は、前記した第1実施形態の成膜装置1と同様の構成を有しているが、保持具9には導電性を有する板状の被覆部材9Aが設けられている。かかる被覆部材9Aの周縁からは延出部9Bが延設されている(図4では、下方に垂下されている)。
図5において、第4実施形態に係る成膜装置1におけるマイクロ波供給窓22のマイクロ波透過部の構成は、前記した第1実施形態の成膜装置1と同様の構成を有しているが、マイクロ波供給窓22の突出部22Aに当接する側面導体23の水平部23Bが厚く形成されている。
図6において、第5実施形態に係る成膜装置1におけるマイクロ波供給窓22のマイクロ波透過部の構成は、前記した第1実施形態の成膜装置1と同様の構成を有しているが、側面電極23Aは、その内周面と中心導体24における保持具9との間隔、及び、その内周面と第1マイクロ波透過部22Dの外周面との間隔が狭くなるように構成されている。
図7において、第6実施形態に係る成膜装置1におけるマイクロ波供給窓22のマイクロ波透過部の構成は、前記した第1実施形態の成膜装置1と同様の構成を有しているが、保持具9の端面(図7の下端面)にマイクロ波供給窓22の突出部22Aと同一サイズに形成された導電性の被覆部材9Aが設けられており、かかる被覆部材9Aによりマイクロ波供給窓22の突出部22Aの上端面22Cが被覆されている。
前記第1乃至第7実施形態においては、第1マイクロ波透過部22Dは、側面電極23Aの内周面に平行に形成するように構成したが、これに限定されることはない。図9に示す第8実施形態におけるように、突出部22Aの形状を同軸導波管21側から離間するに従って徐々に外側に拡径するテーパ状に形成してもよい。かかる構成では、第1マイクロ波透過部22Dは、図9に示すように、上方に向かうに従って拡径するようにテーパ状に形成され、保持具9の下端部にて下方に向かって縮径するようにテーパ部9Cを形成することにより、第1マイクロ波透過部22Dを透過するマイクロ波が空間20内を上方へ進行するようにしている。
2 処理容器
5 ガス供給部
6 制御部
8 被加工材料
9 保持具
11 マイクロ波パルス制御部
12 マイクロ波発振器
13 マイクロ波電源
15 負電圧電源
16 負電圧パルス発生部
17 アイソレータ
18 チューナ
19 導波管
21 同軸導波管
22 マイクロ波供給窓
22A 突出部
22B 支持凹部
22C 上端面
22D 第1マイクロ波透過部
22E 第2マイクロ波透過部
23A 側面電極
23B 水平部
23C 内側周端縁
23D 段差部
25 負電圧電極
Claims (5)
- 導電性を有する被加工材料を少なくとも含み、前記被加工材料へマイクロ波を供給する導波管から突設された同軸導波管に沿う方向へ、前記被加工材料が収容される処理容器の内側に向かって突出する中心導体の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、
前記被加工材料の処理表面に沿う第1方向に突出形成された形状であって、前記第1方向と交差する方向に設けられ、前記中心導体または前記中心導体と電気的に接続された導電体で被覆される上端面と、前記上端面と接続し、前記上端面と交差する方向に延びる側面に第1マイクロ波透過部とが設けられた突出部とを備え、前記マイクロ波供給部により供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝播させるマイクロ波供給窓と、
前記第1マイクロ波透過部及び前記中心導体の少なくとも一部を囲む位置に、前記第1マイクロ波透過部及び前記中心導体との間に所定間隔を開けて設けられる側面電極と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記側面電極は、アースされており、
前記マイクロ波供給窓のうち、前記突出部の前記側面の前記第1方向における基端部側の一部、及び前記一部から前記第1方向と交差する方向に延出された面が、前記側面電極と導通された導電体により被覆され、
前記第1マイクロ波透過部は、前記突出部の前記側面のうち、前記導電体により被覆されていない部分に設けられることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記マイクロ波供給窓には、前記第1マイクロ波透過部と交差する方向に延長された第2マイクロ波透過部を備え、
前記第1マイクロ波透過部の前記第1方向の長さは、前記第2マイクロ波透過部の前記交差する方向の長さより長いことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記中心導体は、前記同軸導波管に沿う方向に前記マイクロ波供給窓から突出し、前記被加工材料と、前記被加工材料を保持する保持具とを含み、
前記側面電極は、その内周面と前記中心導体との間隔、および前記内周面と前記第1マイクロ波透過部の外周面との間隔のうち、少なくともいずれかの間隔を変化させる形状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の成膜装置。 - 前記側面電極の内周面には、前記同軸導波管に沿う方向に前記マイクロ波供給窓から前記処理容器の内側に向かって突出する前記中心導体の外周面と、前記第1マイクロ波透過部とに対向して段差が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014074315A JP6107730B2 (ja) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014074315A JP6107730B2 (ja) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015196863A JP2015196863A (ja) | 2015-11-09 |
JP6107730B2 true JP6107730B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=54546746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014074315A Active JP6107730B2 (ja) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6107730B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4019972B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2007-12-12 | 株式会社島津製作所 | プラズマ処理装置 |
JP5870423B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2016-03-01 | ブラザー工業株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
JP6260980B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2018-01-17 | 国立大学法人名古屋大学 | 成膜装置、成膜方法および成膜プログラム |
JP6081842B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-02-15 | ブラザー工業株式会社 | 成膜装置 |
-
2014
- 2014-03-31 JP JP2014074315A patent/JP6107730B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015196863A (ja) | 2015-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2014038642A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法および成膜プログラム | |
JP2004244713A (ja) | 薄膜作製方法および装置 | |
JP6060016B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び成膜プログラム | |
JP4781711B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP5073545B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法 | |
JP6081842B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6107730B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6100580B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び成膜プログラム | |
US10290471B2 (en) | Device for generating plasma by means of microwaves | |
JP6107731B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6102816B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び成膜プログラム | |
JP6256056B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6358020B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6467990B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6467991B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6296334B2 (ja) | 成膜装置 | |
US6223686B1 (en) | Apparatus for forming a thin film by plasma chemical vapor deposition | |
KR20200001493A (ko) | 플라스마 처리 장치 | |
JP6167972B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6256159B2 (ja) | 連続加工装置、および連続加工方法 | |
JP6221524B2 (ja) | 成膜装置及び治具 | |
JP2023130168A (ja) | 成膜装置 | |
JP2024067093A (ja) | 成膜装置 | |
KR20220117149A (ko) | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP2000001784A (ja) | Cvd容器のクリーニング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6107730 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |