JP6099438B2 - 発光デバイス及び発光デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
また実装後には、ほこり等によってむきだしのアルミニウム機材と半導体装置が実装された部材の間で直接導電できる環境となる場合もあり、やはり基板下面の酸化絶縁層による絶縁の効果を無意味なものとしてしまうため、静電耐圧の低下を引き起こすことがわかった。すなわち、ほこりの有無などの環境にも十分配慮する必要があり、実装の汎用性に欠ける点で問題があることがわかった。
(1)上下面のみ酸化絶縁された金属または半導体で、上面に発光素子を備えた複数の基板を、それぞれ離間して配置する第一の工程と、複数の基板の側面の全ての面を覆うように白色の絶縁性樹脂を充填し、絶縁性樹脂を硬化して絶縁性樹脂層を形成し、複数の基板を接続する第二の工程と、絶縁性樹脂層の上端と接すると共に発光素子を覆うように、接続された複数の基板の上に透光性樹脂を充填し、透光性樹脂を硬化して透光性樹脂層を形成する第三の工程と、絶縁性樹脂層と透光性樹脂層が同一面を形成するように、絶縁性樹脂層と透光性樹脂層を切断して半導体発光デバイスを個片化する第四の工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。
(2)上下面が酸化絶縁された金属または半導体からなる基板と、基板の上面に実装された発光素子と、発光素子の発光面を覆う透光性樹脂層と、を備えた半導体発光デバイスにおいて、基板の全ての側面が絶縁性樹脂層で覆われており、絶縁性樹脂層の上端は発光素子の下面よりも下に位置し、基板上面と対向する透光性樹脂層の下面は、絶縁性樹脂層の上端と接することを特徴とする半導体発光デバイス。
(3)(2)において、絶縁性樹脂層は、さらに白色顔料を含むことを特徴とする半導体発光デバイス。
(4)(2)において、絶縁性樹脂層は、さらに蛍光体を含むことを特徴とする半導体発光デバイス。
(5)(2)から(4)において、基板は、下面の端部に嵌合部をさらに形成したことを特徴とする半導体発光デバイス。
(6)(2)から(5)において、基板は、上面にさらにセラミックインク層が配置されていることを特徴とする半導体発光デバイス。
脂として機能する透光性樹脂層11によって覆われている。
工程A:基板を用意する工程
工程B:基板を固定し、半導体発光素子を実装する工程
工程C:基板に絶縁性樹脂を充てんするための充てんスペースを形成する工程
工程D:充てんスペースに絶縁性樹脂を充てんする工程
工程E:互いに連結している各発光デバイスを分離し、個別化する工程
以下、上述の第一の実施形態に即して本発明に係る発光デバイスの具体的な製造方法を図2を用いて例示的に記述する。
ペース14に絶縁性樹脂を充てんする工程と、LED素子を封止する工程を説明する。上述の工程Dに相当する。充てんスペース14に絶縁性樹脂を充てんするために、ダイシングシート13に固定された各基板1を、ダイシングシート13を下にしてダイシングシート13ごと型枠15の底部に配置する。型枠15は、絶縁性樹脂の充てんだけではなく透光性樹脂を用いたLED素子7の封止にも用いることができるため、ダイシングシート13の底面からLED素子7の上面の高さよりも、型枠15内部の深さが深いことが好ましい。そして、熱硬化する特性を有する絶縁性樹脂を、セラミックインク9の高さにて硬化されるように充てんして熱を加えて硬化させ、絶縁性樹脂層8を形成する。その後に、熱硬化する特性を有する透光性樹脂を、LED素子7を覆って硬化されるよう充てんし熱を加えて硬化させ、透光性樹脂層11を形成する。なお、本製造方法ではLED素子7を封止する工程まで説明を行ったが、完成した半導体発光デバイス10の使用方法において透光性樹脂11によるLED素子7の封止を必要としない場合には、LED素子7を封止する必要はない。
最後に、図2に示した工程ST4を用いて、互いに連結している各半導体発光デバイス10を分離し、個別化する工程について説明する。工程Eに相当する。型枠から取り出し、各基板1を連結している絶縁性樹脂層8を絶縁性樹脂層8の幅よりも薄い刃を持つ例えばダイシング等を用いた機械加工によって各半導体発光デバイス10に分断されるように切断する。その際、各半導体発光デバイス10の基板1の側面には、均等に絶縁性樹脂層8が残るように、充てんスペース作成時と同じ中心線を有するように切断することが望ましい。そして、ダイシングシート13の基板を固定していない面方向からダイシングシートに紫外線18を照射することによって各半導体発光デバイス10は分離、個別化される。
2 金属機材
3 上面酸化絶縁層
4 下面酸化絶縁層
5 基板電極
6 バンプ
7 LED素子
8 絶縁性樹脂
9 セラミックインク層、
10 半導体発光デバイス
11 透光性樹脂、
12 LED電極
13 ダイシングシート、
14 充てんスペース、
15 型枠、
16 紫外光
17 集合基板
18 紫外線
19 嵌合部
Claims (6)
- 上下面のみ酸化絶縁された金属または半導体で、上面に発光素子を備えた複数の基板を、それぞれ離間して配置する第一の工程と、
前記複数の基板の側面の全ての面を覆うように白色の絶縁性樹脂を充填し、該絶縁性樹脂を硬化して絶縁性樹脂層を形成し、前記複数の基板を接続する第二の工程と、
前記絶縁性樹脂層の上端と接すると共に前記発光素子を覆うように、接続された前記複数の基板の上に透光性樹脂を充填し、該透光性樹脂を硬化して透光性樹脂層を形成する第三の工程と、
前記絶縁性樹脂層と前記透光性樹脂層が同一面を形成するように、前記絶縁性樹脂層と前記透光性樹脂層を切断して半導体発光デバイスを個片化する第四の工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光デバイスの製造方法。 - 上下面が酸化絶縁された金属または半導体からなる基板と、
前記基板の上面に実装された発光素子と、
前記発光素子の発光面を覆う透光性樹脂層と、を備えた半導体発光デバイスにおいて、
基板の全ての側面が絶縁性樹脂層で覆われており、
前記絶縁性樹脂層の上端は前記発光素子の下面よりも下に位置し、
前記基板上面と対向する前記透光性樹脂層の下面は、前記絶縁性樹脂層の上端と接することを特徴とする半導体発光デバイス。 - 前記絶縁性樹脂層は、さらに白色顔料を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体発光デバイス。
- 前記絶縁性樹脂層は、さらに蛍光体を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体発光デバイス。
- 前記基板は、下面の端部に嵌合部をさらに形成したことを特徴とする請求項2から4の
いずれかに記載の半導体発光デバイス。 - 前記基板は、上面にさらにセラミックインク層が配置されていることを特徴とする請求項2から5のいずれかに記載の半導体発光デバイス。
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