CN213635912U - 基板磨削*** - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种基板磨削***。提供一种能够在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置并且能够抑制由于搭载数的增加导致的设置面积的增加的技术。基板磨削***包括送入送出部、清洗部和磨削部。送入送出部具有载置台、第1输送区域和第1输送装置。清洗部具有第1清洗装置、第2清洗装置、第2输送区域和第2输送装置。基板磨削***包括第3输送区域和第3输送装置。第3输送区域配置于清洗部和磨削部之间。第3输送装置设置于第3输送区域，相对于清洗部和磨削部输送基板。第3输送区域与第1清洗装置和第2输送区域相邻地配置，第3输送区域以第2输送区域为基准而配置于与第2清洗装置相反的一侧。清洗部和磨削部被分隔壁隔离。

Description

基板磨削***

技术区域

本公开涉及一种基板磨削***。

背景技术

专利文献1记载的加工装置包括第1输送单元、位置调整机构、第2输送单元、转盘、卡盘台、加工单元以及清洗机构。第1输送单元将基板从盒向位置调整机构输送。位置调整机构对基板的位置进行调整。第2输送单元将基板从位置调整机构向转盘上的卡盘台输送。当卡盘台抽吸保持基板时，转盘旋转，基板被配置于加工单元的下方。加工单元利用砂轮磨削基板。第2输送单元抽吸保持磨削后的基板并回转，将该磨削后的基板向清洗机构输送。清洗机构对磨削后的基板进行清洗。第1输送单元将清洗后的基板从清洗机构向盒输送。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-185645号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

本公开的一技术方案提供一种能够在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置并且能够抑制由于搭载数量的增加导致的设置面积的增加的技术。

用于解决问题的方案

本公开的第一技术方案的基板磨削***包括送入送出部、清洗部以及磨削部。所述送入送出部具有供收容基板的盒载置的载置台、与所述载置台相邻地配置的第1输送区域、以及设置于所述第1输送区域并相对于所述盒送入送出所述基板的第1输送装置。所述清洗部具有对所述基板进行清洗的第1清洗装置、对所述基板进行清洗的第2清洗装置、配置于所述第1清洗装置和所述第2清洗装置之间的第2输送区域、以及设置于所述第2输送区域且相对于所述第1清洗装置和所述第2清洗装置输送所述基板的第2输送装置。所述磨削部具有对所述基板进行磨削的磨削装置。所述基板磨削***包括第3输送区域和第3输送装置。所述第3输送区域配置于所述清洗部和所述磨削部之间。所述第3输送装置设置于所述第3输送区域且相对于所述清洗部和所述磨削部输送所述基板。所述第3输送区域与所述第1清洗装置以及所述第2输送区域相邻地配置，该第3输送区域以所述第2输送区域为基准而配置于与所述第2清洗装置相反的一侧。所述清洗部和所述磨削部被分隔壁隔离。

本公开的第二技术方案根据上述第一技术方案所述的基板磨削***，其特征在于，所述清洗部和所述第3输送区域被分隔壁隔离，在隔离所述第1清洗装置和所述第3输送区域的分隔壁形成有供所述基板通过的输送口，在所述输送口设有对所述输送口进行开闭的闸门。

本公开的第三技术方案根据上述第一或第二技术方案所述的基板磨削***，其特征在于，所述清洗部具有对由所述磨削装置磨削前的所述基板的中心进行检测的检测装置。

本公开的第四技术方案根据上述第三技术方案所述的基板磨削***，其特征在于，所述检测装置和所述第1清洗装置在铅垂方向上层叠。

本公开的第五技术方案根据上述第一至第四技术方案中任一方案所述的基板磨削***，其特征在于，所述第1清洗装置在由所述第2输送装置输送由所述磨削装置磨削后的所述基板之前对该基板进行清洗，所述清洗部还具有对由所述磨削装置磨削前的所述基板进行清洗的第3清洗装置。

本公开的第六技术方案根据上述第五技术方案所述的基板磨削***，其特征在于，所述第1清洗装置和所述第3清洗装置在铅垂方向上层叠。

本公开的第七技术方案根据上述第一至第六技术方案中任一技术方案所述的基板磨削***，其特征在于，所述第2清洗装置包括喷嘴，该喷嘴喷出对由所述磨削装置磨削后的所述基板进行蚀刻的化学溶液。

本公开的第八技术方案根据上述第一至第七技术方案中任一技术方案所述的基板磨削***，其特征在于，所述第1清洗装置包括对由所述磨削装置磨削后的所述基板进行擦洗的清洗体。

本公开的第九技术方案根据上述第一至第八技术方案中任一方案所述的基板磨削***，其特征在于，所述第3输送装置包括从上方吸附保持所述基板的吸盘，所述第2输送装置包括从下方保持所述基板的输送臂。

实用新型的效果

采用本公开的一技术方案，能够在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置并且能够抑制由于搭载数量的增加导致的设置面积的增加。

附图说明

图1是表示一实施方式的基板磨削***的俯视图。

图2是表示图1的基板磨削***的侧视图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本公开的实施方式进行说明。另外，在各附图中，有时对相同或者对应的结构标注相同的附图标记，并省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。

如图1所示，基板磨削***1包括送入送出部2、清洗部3、磨削部5以及控制装置9。从X轴方向负侧向X轴方向正侧依次配置有送入送出部2、清洗部3以及磨削部5。

送入送出部2具有载置台21。载置台21供盒C载置。盒C在铅垂方向上隔开间隔地收容有多张基板W。基板W例如是硅晶圆或者化合物半导体晶圆等半导体基板。也可以使用玻璃基板来代替半导体基板。载置台21包括在Y轴方向上配置成一列的多个载置板22。在多个载置板22分别载置有盒C。另外，载置板22的数量未被特别地限定。同样地，盒C的数量也未被特别地限定。

另外，送入送出部2具有与载置台21相邻地配置的第1输送区域23。第1输送区域23配置于载置台21的X轴方向正侧。另外，第1输送区域23配置于后述的传送装置35的X轴方向负侧。

此外，送入送出部2具有设置于第1输送区域23的第1输送装置24。第1输送装置24将基板W相对于盒C送入送出。第1输送装置24包括保持基板W的第1输送臂24a。第1输送臂24a能够在水平方向(X轴方向和Y轴方向这两方向)和铅垂方向上移动，并且能够以铅垂轴线为中心旋转。第1输送装置24在盒C和传送装置35之间输送基板W。第1输送臂24a的数量可以是一个，也可以是多个。

清洗部3具有第1清洗装置31和第2清洗装置32。第1清洗装置31对基板W进行清洗。例如，第1清洗装置31包括对由后述的磨削装置51磨削后的基板W进行擦洗的清洗体31a。清洗体31a是海绵或者刷子等，用于除去磨削屑等微粒。清洗体31a只要能够对基板W的磨削后的上表面进行擦洗即可，清洗体31a配置于基板W的上方。不过，清洗体31a也可以配置于基板W的上下两方，也可以对基板W的上下两表面进行清洗。

第2清洗装置32也对基板W进行清洗。例如，第2清洗装置32包括喷嘴32a，该喷嘴32a喷出对由磨削装置51磨削后的基板W进行蚀刻的化学溶液。喷嘴32a向旋转的基板W的上表面的中心供给化学溶液。化学溶液在离心力的作用下从基板W的上表面的中心朝向边缘润湿开来。化学溶液是一般的化学溶液即可，例如可以是氟硝酸或者碱性溶液等。化学溶液对基板W的磨削后的上表面进行蚀刻，除去磨削痕。

如图2所示，清洗部3还可以具有第3清洗装置33。第3清洗装置33与第1清洗装置31以及第2清洗装置32不同，其对由磨削装置51磨削前的基板W进行清洗。能够将洁净的基板W载置于磨削装置51的卡盘51b，能够抑制异物的咬入等，因此能够提高基板W的磨削品质。

第3清洗装置33与第1清洗装置31同样地包括对基板W进行擦洗的清洗体。清洗体是海绵或者刷子等，用于除去微粒。为了在将基板W载置于卡盘51b时抑制异物的咬入，清洗体对基板W的下表面进行擦洗即可，清洗体配置于基板W的下方。不过，清洗体也可以配置于基板W的上下两方，也可以对基板W的上下两表面进行清洗。

为了减小基板磨削***1的设置面积，第1清洗装置31和第3清洗装置33也可以在铅垂方向上层叠。另外，在图2中，第1清洗装置31配置于第3清洗装置33的上方，但是第1清洗装置31和第3清洗装置33的配置也可以反过来，第1清洗装置31也可以配置于第3清洗装置33的下方。

清洗部3还可以具有检测装置34。检测装置34对由磨削装置51磨削前的基板W的中心进行检测。在俯视时，能够将后述的卡盘51b的中心和基板W的中心对准。检测装置34除了基板W的中心之外，也可以检测基板W的晶体取向，具体而言也可以检测表示基板W的晶体取向的凹口或者定向平面。在与卡盘51b一起旋转的旋转坐标系中，能够将基板W的晶体取向对准成期望的取向。

为了减小基板磨削***1的设置面积，第1清洗装置31和检测装置34也可以在铅垂方向上层叠。另外，在图2中，第1清洗装置31配置于检测装置34的上方，但是第1清洗装置31和检测装置34的配置也可以反过来，第1清洗装置31也可以配置于检测装置34的下方。在图2中，检测装置34配置于第1清洗装置31和第3清洗装置33这两者的下方，但检测装置34也可以配置于第1清洗装置31和第3清洗装置33之间，检测装置34也可以配置于第1清洗装置31和第3清洗装置33这两者的上方。

清洗部3还具有传送装置35。传送装置35暂时收容基板W。可以是多个传送装置35在铅垂方向上层叠。传送装置35的配置、数量未被特别地限定。

如图1所示，清洗部3具有配置于第1清洗装置31和第2清洗装置32之间的第2输送区域36。第2清洗装置32配置于第2输送区域36的Y轴方向正侧，第1清洗装置31配置于第2输送区域36的Y轴方向负侧。另外，传送装置35配置于第2输送区域36的X轴方向负侧，磨削装置51配置于第2输送区域36的X轴方向正侧。

此外，清洗部3具有设置于第2输送区域36的第2输送装置37。第2输送装置37相对于第1清洗装置31和第2清洗装置32输送基板W。第2输送装置37也可以相对于第3清洗装置33输送基板W。另外，第2输送装置37也可以相对于检测装置34输送基板W。此外，第2输送装置37也可以相对于传送装置35输送基板W。

第2输送装置37包括保持基板W的第2输送臂37a。第2输送臂37a能够在水平方向(X轴方向和Y轴方向这两方向)和铅垂方向上移动，并且能够以铅垂轴线为中心旋转。第2输送臂37a从下方保持基板W。基板W载置于第2输送臂37a。第2输送臂37a的数量可以是一个，也可以是多个。

磨削部5包括磨削装置51。磨削装置51对基板W进行磨削。磨削包括研磨。磨削所用的磨料可以是固结磨料和游离磨料中的任一者。磨削装置51例如具有旋转台51a、4个卡盘51b以及3个磨削单元51c。

旋转台51a绕旋转中心线Z1等间隔地保持有4个卡盘51b，该旋转台51a以旋转中心线Z1为中心旋转。4个卡盘51b分别与旋转台51a一起旋转，依次向送入送出位置A0、1次磨削位置A1、2次磨削位置A2、3次磨削位置A3、送入送出位置A0移动。

送入送出位置A0兼作进行基板W的送入的送入位置和进行基板W的送出的送出位置。另外，在本实施方式中，送入位置和送出位置是相同的位置，但是送入位置和送出位置也可以是不同的位置。1次磨削位置A1是进行1次磨削的位置。2次磨削位置A2是进行2次磨削的位置。3次磨削位置A3是进行3次磨削的位置。

4个卡盘51b以各自的旋转中心线为中心旋转自如地安装于旋转台51a。在1次磨削位置A1、2次磨削位置A2以及3次磨削位置A3，卡盘51b以各自的旋转中心线为中心旋转。

一个磨削单元51c在1次磨削位置A1对基板W进行1次磨削。另一个磨削单元51c在2次磨削位置A2对基板W进行2次磨削。剩余的磨削单元51c在3次磨削位置A3对基板W进行3次磨削。

另外，磨削单元51c的数量为一个以上即可。另外，卡盘51b的数量多于磨削单元51c的数量即可。另外，也可以没有旋转台51a。在没有旋转台51a的情况下，卡盘51b的数量也可以与磨削单元51c的数量相同，也可以是一个。

如图1所示，基板磨削***1包括配置于清洗部3和磨削部5之间的第3输送区域61。第3输送区域61与第1清洗装置31和第2输送区域36相邻地配置，该第3输送区域61以第2输送区域36作为基准而配置于与第2清洗装置32相反的一侧。

清洗部3在俯视时为将矩形的角去除而成的形状，第3输送区域61配置于该去除后的位置。第3输送区域61也可以设于覆盖清洗部3和第3输送区域61这两者的壳体的内部，也可以设于与覆盖清洗部3的壳体相独立的另一壳体的内部，并与清洗部3连接。

基板磨削***1包括设置于第3输送区域61的第3输送装置62。第3输送装置62相对于清洗部3和磨削部5输送基板W。具体而言，第3输送装置62将基板W从检测装置34向磨削装置51的卡盘51b输送，并将基板W从卡盘51b向第1清洗装置31输送。

第3输送装置62包括保持基板W的吸盘62a。吸盘62a从上方吸附保持基板W。吸盘62a能够在水平方向(X轴方向和Y轴方向这两方向)和铅垂方向上移动，并且能够以铅垂轴线为中心旋转。

清洗部3和磨削部5被分隔壁71隔离。分隔壁71例如将磨削部5和清洗部3的第2输送区域36隔离。能够利用分隔壁71抑制磨削屑从磨削部5向清洗部3流入。

根据本实施方式，能够使清洗部3从磨削部5分离，能够在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置。磨削部5的大部分区域被磨削装置51占据，因此与在磨削部5的剩余的区域搭载清洗装置的情况相比，能够增加清洗装置的搭载数量，能够提高清洗性能。另外，在洁净度较高的区域搭载清洗装置，因此能够使清洗后的基板W维持于洁净的状态。

另外，根据本实施方式，在清洗部3的缺口位置配置有第3输送区域61。因此，能够抑制由于清洗装置的搭载数量的增加导致的基板磨削***1的设置面积的增加。

清洗部3和第3输送区域61被分隔壁72、分隔壁73隔离。分隔壁72将第3输送区域61和清洗部3的第2输送区域36隔离。另外，分隔壁73将第3输送区域61和清洗部3的第1清洗装置31隔离。能够利用分隔壁72、分隔壁73抑制磨削屑从磨削部5经由第3输送区域61向清洗部3流入。

在分隔壁73形成有供基板W通过的输送口。基板W从检测装置34经由分隔壁73的输送口向磨削装置51的卡盘51b输送。另外，基板W从卡盘51b经由分隔壁73的输送口向第1清洗装置31输送。

在分隔壁73的输送口设有对输送口进行开闭的闸门74。闸门74通常使分隔壁73的输送口关闭，在基板W通过时使分隔壁73的输送口开放。能够利用闸门74抑制磨削屑从磨削部5经由分隔壁73的输送口向清洗部3流入，能够进一步提高清洗部3的洁净度。

磨削部5和第3输送区域61也可以被分隔壁75隔离。在该分隔壁75形成有供基板W通过的输送口。该输送口也可以由未图示的闸门开闭。

控制装置9例如是计算机，包括CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91和存储器等存储介质92。在存储介质92存储有对在基板磨削***1中执行的各种处理进行控制的程序。控制装置9使CPU91执行存储于存储介质92的程序，从而对基板磨削***1的动作进行控制。

接着，对基板磨削***1的动作进行说明。下述动作在控制装置9的控制下实施。

首先，第1输送装置24从盒C取出基板W，并向传送装置35输送该基板W。接着，第2输送装置37将基板W从传送装置35向第3清洗装置33输送。

接着，第3清洗装置33对由磨削装置51磨削前的基板W进行清洗。能够将洁净的基板W载置于磨削装置51的卡盘51b，能够抑制异物的咬入等，因此能够提高基板W的磨削品质。第3清洗装置33对基板W的下表面进行清洗。在基板W干燥后，第2输送装置37将基板W从第3清洗装置33向检测装置34输送。

另外，也可以没有第3清洗装置33。在该情况下，第2输送装置37将基板W从传送装置35向检测装置34输送。

接着，检测装置34检测基板W的中心。检测装置34也可以还检测基板W的凹口等。之后，第3输送装置62将基板W从检测装置34向磨削装置51的卡盘51b输送。

控制装置9基于检测装置34的检测结果对第3输送装置62进行控制，将卡盘51b的中心和基板W的中心对准。另外，控制装置9基于检测装置34的检测结果对第3输送装置62进行控制，在与卡盘51b一起旋转的旋转坐标系中，将基板W的晶体取向对准成期望的取向。

接着，磨削装置51对基板W的上表面进行磨削。基板W与旋转台51a一起旋转，依次向送入送出位置A0、1次磨削位置A1、2次磨削位置A2、3次磨削位置A3、送入送出位置A0移动。之后，第3输送装置62将基板W从卡盘51b向第1清洗装置31输送。

接着，第1清洗装置31对基板W的上表面进行清洗，除去磨削屑。在基板W干燥后，第2输送装置37将基板W从第1清洗装置31向第2清洗装置32输送。

接着，第2清洗装置32对基板W的上表面进行蚀刻，除去磨削痕。在基板W干燥后，第2输送装置37将基板W从第2清洗装置32向传送装置35输送。接着，第1输送装置24将基板W从传送装置35向盒C输送。基板W被收容于盒C。

另外，本实施方式的第1输送装置24将从盒C取出的基板W向传送装置35输送，但是本公开的技术并不限定于此。第1输送装置24也可以将从盒C取出的基板W向第3清洗装置33或者检测装置34输送。

以上，对本公开的基板磨削***进行了说明，但是本公开并不限定于上述实施方式等。在实用新型授权的权利要求书中记载的范畴内，能够进行各种变更、修改、置换、添加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。

Claims (9)

1.一种基板磨削***，其特征在于，

该基板磨削***包括：

送入送出部，其具有供收容基板的盒载置的载置台、与所述载置台相邻地配置的第1输送区域、以及设置于所述第1输送区域并相对于所述盒送入送出所述基板的第1输送装置；

清洗部，其具有对所述基板进行清洗的第1清洗装置、对所述基板进行清洗的第2清洗装置、配置于所述第1清洗装置和所述第2清洗装置之间的第2输送区域、以及设置于所述第2输送区域且相对于所述第1清洗装置和所述第2清洗装置输送所述基板的第2输送装置；

磨削部，其具有对所述基板进行磨削的磨削装置；

第3输送区域，其配置于所述清洗部和所述磨削部之间；以及

第3输送装置，其设置于所述第3输送区域且相对于所述清洗部和所述磨削部输送所述基板，

所述第3输送区域与所述第1清洗装置以及所述第2输送区域相邻地配置，该第3输送区域以所述第2输送区域为基准而配置于与所述第2清洗装置相反的一侧，

所述清洗部和所述磨削部被分隔壁隔离。

2.根据权利要求1所述的基板磨削***，其特征在于，

所述清洗部和所述第3输送区域被分隔壁隔离，

在隔离所述第1清洗装置和所述第3输送区域的分隔壁形成有供所述基板通过的输送口，

在所述输送口设有对所述输送口进行开闭的闸门。

3.根据权利要求1或2所述的基板磨削***，其特征在于，

所述清洗部具有对由所述磨削装置磨削前的所述基板的中心进行检测的检测装置。

4.根据权利要求3所述的基板磨削***，其特征在于，

所述检测装置和所述第1清洗装置在铅垂方向上层叠。

5.根据权利要求1或2所述的基板磨削***，其特征在于，

所述第1清洗装置在由所述第2输送装置输送由所述磨削装置磨削后的所述基板之前对该基板进行清洗，

所述清洗部还具有对由所述磨削装置磨削前的所述基板进行清洗的第3清洗装置。

6.根据权利要求5所述的基板磨削***，其特征在于，

所述第1清洗装置和所述第3清洗装置在铅垂方向上层叠。

7.根据权利要求1或2所述的基板磨削***，其特征在于，

所述第2清洗装置包括喷嘴，该喷嘴喷出对由所述磨削装置磨削后的所述基板进行蚀刻的化学溶液。

8.根据权利要求1或2所述的基板磨削***，其特征在于，

所述第1清洗装置包括对由所述磨削装置磨削后的所述基板进行擦洗的清洗体。

9.根据权利要求1或2所述的基板磨削***，其特征在于，

所述第3输送装置包括从上方吸附保持所述基板的吸盘，

所述第2输送装置包括从下方保持所述基板的输送臂。

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