JP6074785B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態にかかる炭化珪素半導体装置としてのMOSキャパシタを示す断面図である。このMOSキャパシタ1は、高濃度の窒素がドーピングされた厚さ300μmの(0001)面を有する第1導電型(n型)の高濃度の炭化珪素基板11表面上に、低濃度の窒素がドーピングされた第1導電型(n型)の半導体層からなる炭化珪素エピタキシャル層12が設けられる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図6は、本発明の第2実施形態による、リフロー処理の温度と、リフロー中のガスの交換の手順を示すタイミングチャートである。この第2実施形態では、4H−SiC半導体に対するリフロー処理として、室温より昇温を行うが(時期t1)、温度が400℃を超えるタイミングで不活性ガスよりフォーミングガスへ雰囲気を置換する(時期t2)。このガスの置換は、昇温と並行して実施しても構わない。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図7は、本発明の第3実施形態による、リフロー処理の温度と、リフロー中のガスの交換の手順を示すタイミングチャートである。この第3実施形態では、4H−SiC半導体リフロー処理を行う際に、生産性に優れるリフロー炉(例えば、縦型アニール炉や、拡散炉等)に適用する例を説明する。第1実施形態および第2実施形態で説明したように、室温から希望処理温度(800℃)に昇温させる時間と、希望処理温度から室温まで降温させる時間は、いずれも長くなる。このことは、タクトタイムの増大につながり、生産性を下げることになる。本発明の第3実施形態は、このようなタクトタイムの増大を解消し、生産性を高めるものである。
11 炭化珪素基板(4H−SiC基板)
12 炭化珪素エピタキシャル層
13 ゲート絶縁膜
14 ゲート電極
15 裏面電極
17 層間絶縁膜
31 C−Vメーター
Claims (6)
- 炭化珪素半導体の(000−1)面上、または、(11−20)面上に接するように第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極の一部を除去し開口部を形成する工程と、該開口部の少なくとも一部に第2絶縁膜を形成する工程と、リフロー処理により前記第2絶縁膜の平坦化を実施する工程と、を有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記リフロー処理は、リフロー炉の温度を、界面順位密度が増大しない所定の温度に保ち、前記第2絶縁膜が形成された炭化珪素半導体を当該リフロー炉に投入し、大気または不活性ガスの雰囲気から、水素または不活性ガスと水素の混合ガスを用いた雰囲気に置換した後、処理希望温度まで上昇させ、
前記所定の温度は、400℃程度であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記リフロー処理は、前記処理希望温度まで上昇させた後、前記処理希望温度を希望処理時間保持し、その後、前記所定の温度以下まで降温させ、前記混合ガスから大気または不活性ガスの雰囲気に置換した後、前記炭化珪素半導体を前記リフロー炉から排出することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 少なくとも酸素と水蒸気を含むガス中で熱酸化をし、前記炭化珪素半導体の(000−1)面上に接するように前記第1絶縁膜を形成する工程が、ゲート絶縁膜を形成する工程の少なくとも一部であることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記混合ガス中の前記不活性ガスは、ヘリウム、アルゴン、窒素のいずれかを用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記処理希望温度が600℃以上1100℃以下の範囲であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記混合ガス中の水素濃度が1%以上かつ4%以下の範囲であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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