JP6050091B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板処理装置においては、例えば種々の処理流体を用いて基板の処理が行われる。

特許文献１に記載される基板処理装置は、基板上にレジストを塗布するためのレジスト塗布処理部を備える。レジスト塗布処理部には、レジストを吐出する吐出ノズルが設けられる。吐出ノズルは、エアバルブを介して吐出ポンプに接続される。吐出ポンプは、トラップタンクに貯留されるレジストを吐出ノズルに向けて圧送する。エアバルブが開かれている場合、吐出ノズルからレジストが吐出され、エアバルブが閉じられている場合、吐出ノズルからのレジストの吐出が停止される。

特開２００８−２５１８９０号公報

上記の基板処理装置においては、レジストの吐出タイミングおよび吐出量がエアバルブおよび吐出ポンプにより調整される。この場合、エアバルブおよび吐出ポンプが吐出ノズルと別個に設けられているので、基板処理装置の構成が複雑になる。

本発明の目的は、簡単な構成で処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することが可能な基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に処理流体を供給することにより基板の処理を行う基板処理装置であって、処理流体を吐出するように構成された吐出ノズルと、吐出ノズルに処理流体を供給するように構成された流体供給部とを備え、吐出ノズルは、流体供給部により供給される処理流体を貯留可能な貯留部と、吐出口を有するとともに、貯留部から吐出口に処理流体を導くための吐出流路を形成する流路形成部と、貯留部から吐出流路を通して吐出口に導かれる処理流体の流量を調整可能に構成された流量調整機構とを含み、流体供給部は、吐出ノズルに導かれる処理流体を継続的に加圧する加圧部を含むものである。

この基板処理装置においては、流体供給部から吐出ノズルに処理流体が供給され、吐出ノズルから基板に処理流体が吐出される。これにより、基板の処理が行われる。吐出ノズルにおいては、貯留部に処理流体が貯留され、流路形成部により形成される吐出流路を通して貯留部から吐出口に処理流体が導かれる。

貯留部から吐出口に導かれる処理流体の流量は、流量調整機構により調整される。それにより、吐出口からの処理流体の吐出流量が調整される。また、貯留部から吐出口に導かれる処理流体の流量が０に調整されることにより、吐出口からの処理流体の吐出が停止される。それにより、吐出口からの処理流体の吐出タイミングを調整することができる。したがって、簡単な構成で処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。
また、流体供給部が、吐出ノズルに導かれる処理流体を継続的に加圧する加圧部を含むので、処理流体を貯留部から吐出口に確実に導くことができる。

（２）流量調整機構は、吐出流路を閉塞する閉塞位置と吐出流路の少なくとも一部を開放する開放位置との間で移動可能に設けられた開閉部材と、開閉部材に振動を与えることにより開閉部材を閉塞位置と開放位置との間で周期的に移動させる振動発生部とを含んでもよい。

この場合、開閉部材が開放位置にあるときには、処理流体が貯留部から吐出流路を通して吐出口に導かれ、開閉部材が閉塞位置にあるときには、処理流体が貯留部から吐出口に導かれない。閉塞位置と開放位置との間における開閉部材の移動の周期は、振動発生部から開閉部材に与えられる振動の周期に応じて変化する。

これにより、振動発生部から開閉部材に振動が与えられるタイミングを調整することにより、処理流体の吐出タイミングを調整することができる。また、振動発生部から開閉部材に与えられる振動の周期を調整することにより、吐出流量を調整することができる。したがって、簡単な構成で処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。

（３）振動発生部は、圧電素子を含んでもよい。この場合、圧電素子により開閉部材の振動を精度良く制御することができる。したがって、簡単な構成で処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を精度良く調整することができる。

（４）圧電素子は、吐出流路を取り囲むように配置されてもよい。この場合、圧電素子から開閉部材に振動を効率的に伝達させることができる。したがって、処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量をより精度良く調整することができる。

（５）貯留部は、貯留空間を有するとともに、貯留空間を吐出流路に連通させる流出口を底部に有し、流路形成部は、貯留部の貯留空間内の処理流体が流出口を通して下方に導かれるように吐出流路を形成し、開閉部材は、閉塞位置において流出口を閉塞し、開放位置において流出口の少なくとも一部を開放するように貯留空間内に配置されてもよい。

この場合、開閉部材に振動が与えられていないときには、開閉部材が流出口を閉塞し、開閉部材に振動が与えられているときには、開閉部材が流出口の少なくとも一部を周期的に開放する。また、流出口が開放された状態では、処理流体が自重で吐出口に導かれ、吐出口から吐出される。これにより、簡単な構成で処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。

（６）流出口は円形の開口部であり、開閉部材は、開口部を閉塞するように開口部上に移動可能に設けられた球状部材を含んでもよい。この場合、球状部材に振動が与えられていないときには、重力により球状部材が開口部を閉塞し、球状部材に振動が与えられているときには、球状部材と開口部の縁部との間に周期的に隙間が生じる。それにより、簡単な構成で処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。

（７）流体供給部は、処理流体を一時的に貯留する第１の貯留タンクと、第１の貯留タンクから吐出ノズルに処理流体を導くように設けられた第１の配管と、第１の配管内の流路を開閉するように第１の配管に設けられた第１の開閉バルブとをさらに含み、加圧部は、開閉バルブと吐出ノズルとの間の第１の配管の部分に設けられた加圧ポンプを含んでもよい。

この場合、第１の開閉バルブが開かれた状態で、第１の貯留タンクに貯留された処理流体が加圧ポンプにより加圧されつつ第１の配管を通して吐出ノズルに導かれる。これにより、吐出ノズルに処理流体を安定に供給することができる。また、第１の開閉バルブが閉じられた状態で、吐出ノズルから処理流体を吐出させることにより、処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を安定に調整することができる。

（８）流体供給部は、処理流体を一時的に貯留する第２の貯留タンクと、第２の貯留タンクに処理流体を導くように設けられた第２の配管と、第２の貯留タンクから吐出ノズルに処理流体を導くように設けられた第３の配管と、第２の配管内の流路を開閉するように第２の配管に設けられた第２の開閉バルブとをさらに含み、加圧部は、第２の貯留タンク内の処理流体に圧力を加えるように第２の貯留タンクに設けられてもよい。

この場合、第２の開閉バルブが開かれた状態で、第２の配管を通して第２の貯留タンクに処理流体が導かれ、第２の開閉バルブが閉じられた状態で、第２の貯留タンク内の処理流体が加圧部により加圧されつつ第３の配管を通して吐出ノズルに導かれる。これにより、第２の貯留タンク内の処理流体が第２の配管を通して逆流することを防止しつつ、吐出ノズルに安定に処理流体を供給することができる。また、加圧部が第２の貯留タンクに設けられるので、加圧部の占有スペースを削減することができる。

（９）流体供給部は、吐出ノズルと一体的に設けられ、処理流体を一時的に貯留しかつ吐出ノズルに処理流体を供給可能に構成された第３の貯留タンクと、第３の貯留タンクに処理流体を導くように設けられた第４の配管と、第４の配管内の流路を開閉するように第４の配管に設けられた第３の開閉バルブとをさらに含み、加圧部は、第３の貯留タンク内の処理流体に圧力を加えるように第３の貯留タンクに設けられてもよい。

この場合、第３の開閉バルブが開かれた状態で、第４の配管を通して第３の貯留タンクに処理流体が導かれ、第３の開閉バルブが閉じられた状態で、第３の貯留タンク内の処理流体が加圧部により加圧されつつ吐出ノズルに供給される。これにより、第３の貯留タンク内の処理流体が第４の配管を通して逆流することを防止しつつ、吐出ノズルに安定に処理流体を供給することができる。また、加圧部が第３の貯留タンクに設けられるとともに、第３の貯留タンクが吐出ノズルと一体的に設けられるので、第３の貯留タンクおよび加圧部の占有スペースを削減することができる。

（１０）処理流体は、基板に膜を形成するための塗布液を含んでもよい。この場合、簡単な構成で処理液の吐出タイミングおよび吐出流量が調整されるので、基板処理装置の構成を複雑化させることなく、基板に膜を適正に形成することができる。

（１１）処理流体は、基板に現像処理を行うための現像液を含んでもよい。この場合、簡単な構成で現像液の吐出タイミングおよび吐出流量が調整されるので、基板処理装置の構成を複雑化させることなく、基板に現像処理を適正に行うことができる。
（１２）本発明に係る基板処理装置は、基板に現像液を供給することにより基板の現像処理を行う基板処理装置であって、現像液を吐出するように構成された現像ノズルと、現像ノズルに現像液を供給するように構成された現像液供給部とを備え、現像ノズルは、現像液供給部により供給される現像液を貯留可能な貯留部と、複数の吐出口をそれぞれ有するとともに、貯留部から複数の吐出口に現像液を導くための複数の吐出流路をそれぞれ形成する複数の流路形成部と、貯留部から複数の吐出流路を通して複数の吐出口に導かれる現像液の流量をそれぞれ調整可能に構成された複数の流量調整機構とを含むものである。
（１３）貯留部は複数の流出口を有し、各流路形成部は筒状であり、かつ各吐出流路は貯留部の各流出口から各吐出口に現像液を導き、各流量調整機構は、各流出口を閉塞する閉塞位置と各流出口の少なくとも一部を開放する開放位置との間で移動可能に貯留部内に設けられた開閉部材と、各流路形成部の外面上に取り付けられ、各開閉部材に振動を与えることにより各開閉部材を閉塞位置と開放位置との間で周期的に移動させる圧電素子とを含んでもよい。
（１４）本発明に係る基板処理装置は、基板に現像液を供給することにより基板の現像処理を行う基板処理装置であって、現像液を吐出するように構成された現像ノズルと、現像ノズルに現像液を供給するように構成された現像液供給部とを備え、現像ノズルは、現像液供給部により供給される現像液をそれぞれ貯留可能な複数の貯留部と、複数の吐出口をそれぞれ有するとともに、複数の貯留部から複数の吐出口に現像液を導くための複数の吐出流路をそれぞれ形成する複数の流路形成部と、複数の貯留部から複数の吐出流路を通して複数の吐出口に導かれる現像液の流量をそれぞれ調整可能に構成された複数の流量調整機構と、複数の貯留部および複数の流路形成部を一体的に取り囲むように設けられたケーシングとを含むものである。
（１５）各貯留部は流出口を有し、各流路形成部は筒状であり、かつ各吐出流路は各貯留部の流出口から各吐出口に現像液を導き、各流量調整機構は、各流出口を閉塞する閉塞位置と各流出口の少なくとも一部を開放する開放位置との間で移動可能に各貯留部内に設けられた開閉部材と、各流路形成部の外面上に取り付けられ、各開閉部材に振動を与えることにより各開閉部材を閉塞位置と開放位置との間で周期的に移動させる圧電素子とを含んでもよい。

本発明によれば、簡単な構成で処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。

基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。 主として図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。 主として図１の熱処理部、および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。 主として図１の搬送部を示す側面図である。 処理液供給ユニットの構成を示す模式図である。 塗布ノズルの構成を示す模式的断面図である。 塗布ノズルの動作について説明するための模式的断面図である。 処理液供給ユニットの第１の変形例を示す図である。 処理液供給ユニットの第２の変形例を示す図である。 現像ノズルの一例を示す外観斜視図である。 現像ノズルの一例を示す模式的断面図である。 現像ノズルの他の例を示す模式的断面図である。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
（１−１）全体構成
図１は、基板処理装置１００の構成を示す模式的平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２と搬送部１１２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図４参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。

（１−２）塗布処理部および塗布現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４，３２，３４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理室３１，３３の各々には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、塗布液を吐出する複数の塗布ノズル２８およびその塗布ノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。各塗布ノズル２８は処理液供給ユニット２００（図５）に接続され、処理液供給ユニット２００から塗布ノズル２８に処理液が供給される。塗布ノズル２８および処理液供給ユニット２００の詳細については後述する。

本実施の形態では、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９の塗布ノズル２８に、処理液として反射防止膜形成用の塗布液（以下、反射防止液と呼ぶ）が供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９の塗布ノズル２８に、処理液としてレジスト膜形成用の塗布液（以下、レジスト液と呼ぶ）が供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９の塗布ノズル２８に、処理液としてレジストカバー膜形成用の塗布液（以下、レジストカバー液と呼ぶ）が供給される。

各塗布処理ユニット１２９においては、複数の塗布ノズル２８のうちのいずれかの塗布ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される状態で、その塗布ノズル２８から塗布液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に塗布液が塗布される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。本実施の形態では、各現像処理ユニット１３９に３組のスピンチャック３５およびカップ３７が設けられる。スピンチャック３５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８を一方向に移動させる移動機構３９を備える。現像液ノズル３８は、図示しない現像液供給ユニットに接続される。

現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される状態で、一方の現像ノズル３８が一方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、続いて、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣り合うように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。後述の処理液供給ユニット２００の一部は、流体ボックス部５０，６０内に配置される。

（１−３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。

図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。以下、熱処理ユニットＰＨＰにおける加熱処理および冷却処理を単に熱処理と呼ぶ。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（１−４）搬送部の構成
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３においてインターフェイスブロック１５と隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

（１−５）動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１（図４）に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。

この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。

搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３（図４）に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。

第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。

この場合、塗布処理室３２において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗに熱処理が行われた後、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗのエッジ露光処理が行われ、その基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。

この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１３８（図４）は、裏面洗浄処理ブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。塗布処理室３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１〜図３）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送し、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

インターフェイスブロック１５において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２，３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４，３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理を並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。

（２）処理液供給ユニット
本実施の形態では、複数の塗布ノズル２８にそれぞれ対応するように複数の処理液供給ユニット２００が設けられる。図５は、処理液供給ユニット２００の構成を示す模式図である。図５に示すように、処理液供給ユニット２００は、処理液ボトル２１０、タンク２２０、フィルタレーションポンプＰ１、フィルタ２３０、タンク２４０、バルブＶ１、加圧ポンプＰ２および温調部２５０を含む。処理液ボトル２１０は配管Ｌ１を介してタンク２２０に接続される。図示しない気体供給源から処理液ボトル２１０に気体（例えば、窒素ガス）が供給されることにより、処理液ボトル２１０内の処理液（塗布液）が配管Ｌ１を通してタンク２２０に導かれる。

処理液ボトル２１０に処理液が残存している場合、タンク２２０が処理液で満たされる。処理液ボトル２１０内の処理液がなくなると、タンク２２０内で処理液の液面が徐々に低下する。タンク２２０内で処理液の液面が一定の高さより低くなると、処理液ボトル２１０の交換を促す警報が発令される。

タンク２２０が配管Ｌ２を介してフィルタレーションポンプＰ１に接続され、フィルタレーションポンプＰ１が配管Ｌ３を介してフィルタ２３０に接続される。タンク２２０内の処理液は、フィルタレーションポンプＰ１によって配管Ｌ２，Ｌ３を通してフィルタ２３０に導かれ、フィルタ２３０を通して清浄化される。フィルタ２３０には排出管Ｌ７が接続される。排出管Ｌ７にはバルブＶ２が介挿される。バルブ２が開かれることにより、フィルタ２３０に滞留する気体が排出管Ｌ７を通して排出される。

フィルタ２３０は配管Ｌ４を介してタンク２４０に接続される。フィルタ２３０により清浄化された処理液は、配管Ｌ４を通してタンク２４０に導かれる。タンク２４０には排出管Ｌ８が接続される。排出管Ｌ８にはバルブＶ３が介挿される。バルブＶ３が開かれることにより、タンク２４０に滞留する気体が排出管Ｌ８を通して排出される。

タンク２４０は配管Ｌ５を介して加圧ポンプＰ２に接続される。配管Ｌ５にバルブＶ１が介挿される。加圧ポンプＰ２が配管Ｌ６を介して塗布ノズル２８に接続される。バルブＶ１が開かれることにより、タンク２４０内の処理液が配管Ｌ５，Ｌ６を通して塗布ノズル２８に導かれる。この場合、塗布ノズル２８に導かれる処理液は、加圧ポンプＰ２によって継続的に加圧される。配管Ｌ６に沿うように、温調部２５０が設けられる。温調部２５０には、恒温水が継続的に供給される。温調部２５０により、配管Ｌ６内で処理液の温度が一定に調整される。

塗布ノズル２８から処理液が吐出される際には、バルブＶ１が閉じられてもよい。この場合、塗布ノズル２８からの処理液の吐出タイミングおよび吐出流量を安定に調整することができる。

（３）塗布ノズル
図６は、塗布ノズル２８の構成を示す模式的断面図である。図７は、塗布ノズル２８の動作について説明するための模式的断面図である。図６に示すように、塗布ノズル２８は、貯留部５１、導入部５２および吐出部５３を有する。貯留部５１は、円形の上部開口５１ａおよび円形の下部開口５１ｂを有するとともに、処理液を貯留可能な貯留空間５１ｃを有する。貯留部５１の上部開口５１ａから上方に延びるように管状の導入部５２が設けられる。導入部５２の上端部に、図５の配管Ｌ６が接続される。貯留部５２の下部開口５１ｂから下方に延びるように管状の吐出部５３が設けられる。吐出部５３の下端部に吐出口５３ａが設けられ、貯留部５１から吐出口５３ａに処理液を導くための吐出流路５３ｂが吐出部５３により形成される。貯留部５１、導入部５２および吐出部５３の外周面を取り囲むように、ケーシング５６，５７が設けられる。

下部開口５１ｂを閉塞するように貯留部５１の貯留空間５１ｃ内に球状部材５４が配置される。貯留部５１に近接しかつ吐出流路５３ｂを取り囲むように吐出部５３の外周面に圧電素子５５が取り付けられる。圧電素子５５は、電圧印加装置７０に電気的に接続される。電圧印加装置７０は、図１の制御部１１４により制御され、所望のタイミングで所望の周波数の交流電圧を圧電素子５５に印加可能に構成される。

図５の配管Ｌ６および導入部５２を通して貯留部５１の貯留空間５１ｃに処理液が導入され、貯留空間５１ｃが処理液で満たされる。図５の加圧ポンプＰ２により、貯留空間５１ｃ内の処理液に一定の圧力が加わる。圧電素子５５に電圧が印加されていない場合、図７（ａ）に示すように、処理液の圧力および重力により球状部材５４が貯留部５１の下部開口５１ｂの縁部に押し当てられる。それにより、下部開口５１ｂが液密に閉塞される。したがって、貯留空間５１ｃから吐出流路５３ｂに処理液が導かれず、吐出口５３ａから処理液が吐出されない。

圧電素子５５に電圧が印加されることにより圧電素子５５が振動する。圧電素子５５の振動は吐出部５３および貯留部５１を介して球状部材５４に伝達される。それにより、図７（ｂ）に示すように、球状部材５４の少なくとも一部が周期的に下部開口５１ｂの縁部から離間し、球状部材５４と下部開口５１ｂの縁部との間に隙間が生じる。したがって、下部開口５１ｂが周期的に開かれる。その結果、貯留空間５１ｃから下部開口５１ｂを通して吐出流路５３ｂに処理液が導かれ、吐出口５３ａから処理液が吐出される。したがって、圧電素子５５への電圧の印加タイミングを調整することにより、塗布ノズル２８からの処理液の吐出のタイミングを調整することができる。

また、圧電素子５５に印加される電圧の周波数に応じて、圧電素子５５の振動の周期が変化する。下部開口５１ｂが開かれる周期は、圧電素子５５の振動の周期に依存する。下部開口５１ｂが開かれる周期が短いほど、単位時間当たりに吐出部５３から吐出される処理液の量（以下、吐出流量と呼ぶ）が多くなる。したがって、圧電素子５５への印加電圧の周波数を調整することにより、処理液の吐出流量を調整することができる。

（４）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、圧電素子５５に電圧が印加されることにより、球状部材５４が振動し、下部開口５１ｂが周期的に開かれる。それにより、下部開口５１ｂを通して吐出流路５３ｂに処理液が導かれ、吐出口５３ａから処理液が吐出される。

この場合、圧電素子５５への電圧の印加タイミングを調整することにより、塗布ノズル２８からの処理液の吐出のタイミングを調整することができる。また、圧電素子５５への印加電圧の周波数を調整することにより、処理液の吐出流量を調整することができる。

これにより、簡単な構成で処理液の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。したがって、基板処理装置１００の構成を複雑化させることなく、基板Ｗ上の所望の位置に所望の流量で処理液として塗布液を供給することができ、基板Ｗ上に反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜を適正に形成することができる。

また、本実施の形態では、貯留部５１内に球状部材５４が配置され、貯留部５１に近接しかつ吐出流路５３ｂを取り囲むように吐出部５３の外周面に圧電素子５５が取り付けられる。それにより、圧電素子５５から球状部材５４に振動を効率的に伝達させることができる。したがって、処理液の吐出タイミングおよび吐出流量を精度良く調整することができる。

また、本実施の形態では、円形の下部開口５１ｂを閉塞するように下部開口５１ｂ上に球状部材５４が配置される。それにより、球状部材５４に振動が与えられていないときには、重力により球状部材５４が下部開口５１ｂを閉塞し、球状部材５４に振動が与えられているときには、球状部材５４と下部開口５１ｂの縁部との間に周期的に隙間が生じる。それにより、簡単な構成で処理液の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。

また、本実施の形態では、下部開口５１ｂから下方に延びるように吐出流路５３ｂが形成されるので、処理液が自重によって貯留空間５１ｃから吐出口５３ａに導かれる。さらに、塗布ノズル２８に導かれる処理液が加圧ポンプＰ２により継続的に加圧されるので、より確実に貯留空間５１ｃから吐出口５３ａに処理液が導かれる。したがって、処理液の吐出タイミングおよび吐出流量を精度良く調整することができる。

（５）処理液供給ユニットの変形例
（５−１）第１の変形例
図８は、処理液供給ユニット２００の第１の変形例を示す図である。図８の処理液供給ユニット２００について、図５の例と異なる点を説明する。

図８の処理液供給ユニット２００は、図５のタンク２４０および加圧ポンプＰ２の代わりに、加圧タンク２６０を備える。加圧タンク２６０は、貯留部２６１および加圧部２６２を含む。貯留部２６１は、処理液を貯留可能に構成される。加圧部２６２は、貯留部２６１内の処理液を加圧可能に構成される。貯留部２６１には排出管Ｌ１０が接続される。排出管Ｌ１０にはバルブＶ５が介挿される。バルブＶ５が開かれることにより、貯留部２６１に滞留する気体が排出管Ｌ１０を通して排出される。

フィルタ２３０が配管Ｌ１１を介して加圧タンク２６０の貯留部２６１に接続される。配管Ｌ１１にバルブＶ１ａが介挿される。バルブＶ１ａが開かれることにより、フィルタ２３０により清浄化された処理液が配管Ｌ１１を介して加圧タンク２６０の貯留部２６１に導かれる。一方、バルブＶ１ａが閉じられることにより、加圧タンク２６０からフィルタ２３０への処理液の逆流が防止される。加圧タンク２６０に温調部２５０が設けられる。温調部２５０により、加圧タンク２６０内の処理液の温度が一定に調整される。

加圧タンク２６０の貯留部２６１は配管Ｌ１２を介して塗布ノズル２８に接続される。加圧タンク２６０の貯留部２６１に貯留される処理液は、配管Ｌ１２を介して塗布ノズル２８に導かれる。この場合、加圧部２６２によって貯留部２６１内の処理液が加圧されることにより、塗布ノズル２８に導かれる処理液が継続的に加圧される。

本例では、加圧タンク２６０に加圧部２６２が設けられるので、図５の例のように、タンク２４０と加圧ポンプＰ２とが別個に設けられる場合と比べて、処理液供給ユニット２００の占有スペースを削減することができる。

（５−２）第２の変形例
図９は、処理液供給ユニット２００の第２の変形例を示す図である。図９の処理液供給ユニット２００について、図５の例と異なる点を説明する。

図９の処理液供給ユニット２００は、図５のタンク２４０および加圧ポンプＰ２の代わりに、加圧タンク２７０を備える。加圧タンク２７０は、塗布ノズル２８と一体的に設けられる。加圧タンク２７０は、貯留部２７１および加圧部２７２を含む。貯留部２７１および加圧部２７２は、図８の貯留部２６１および加圧部２６２とそれぞれ同様の機能を有する。貯留部２７１には排出管Ｌ１３が接続される。排出管Ｌ１３にはバルブＶ６が介挿される。バルブＶ６が開かれることにより、貯留部２７１に滞留する気体が排出管Ｌ１３を通して排出される。

フィルタ２３０が配管Ｌ１４を介して加圧タンク２７０の貯留部２７１に接続される。配管Ｌ１４にバルブＶ１ｂが介挿される。バルブＶ１ｂが開かれることにより、フィルタ２３０により清浄化された処理液が配管Ｌ１４を介して加圧タンク２７０の貯留部２７１に導かれる。一方、バルブＶ１ｂが閉じられることにより、加圧タンク２７０からフィルタ２３０への処理液の逆流が防止される。加圧タンク２７０の貯留部２７１内の処理液は塗布ノズル２８に導かれる。この場合、加圧部２７２によって貯留部２７１内の処理液が加圧されることにより、塗布ノズル２８に導かれる処理液が継続的に加圧される。

図５の温調部２５０の代わりに、温調部２８０が設けられる。温調部２８０は、図２の塗布処理ユニット１２９に設けられる。温調部２８０は、図５の温調部２５０と同様の機能を有するとともに、塗布ノズル２８を載置可能に設けられる。基板Ｗに対して処理液の吐出が行われない際には、塗布ノズル２８が温調部２８０に載置され、温調部２８０により加圧タンク２７０内および塗布ノズル２８内の処理液の温度が一定に調整される。この場合、温調部２８０によって温調された直後の処理液を基板Ｗに供給することができるので、温調されてから基板Ｗに供給されるまでの期間に処理液の温度が変化することを抑制することができる。

本例では、加圧タンク２７０に加圧部２７２が設けられ、さらに加圧タンク２７０が塗布ノズル２８と一体的に設けられるので、図８の例のように、加圧タンク２６０が塗布ノズル２８と別個に設けられる場合と比べて、処理液供給ユニット２００の占有スペースをさらに削減することができる。

（６）現像ノズル
図１の現像処理ユニット１３９の現像ノズル３８が図５、図８または図９の処理液供給ユニット２００に接続されてもよい。図１０および図１１は、現像ノズル３８の一例を示す外観斜視図および模式的断面図である。図１０に示すように、ノズルアーム３８１の先端部に現像ノズル３８が取り付けられる。図１１に示すように、現像ノズル３８は、貯留部３５１、導入部３５２および複数の吐出部３５３を有する。

貯留部３５１は、円形の上部開口３５１ａおよび複数の円形の下部開口３５１ｂを有するとともに、処理液として現像液を貯留可能な貯留空間３５１ｃを有する。複数の下部開口３５１ｂは、一方向に並ぶように設けられる。貯留部３５１の上部開口３５１ａから上方に延びるように管状の導入部３５２が設けられる。導入部３５２の上端部に、図５の配管Ｌ６、図８の配管Ｌ１２、または図９の配管Ｌ１４が接続される。貯留部３５１の各下部開口３５１ｂから下方に延びるように管状の吐出部３５３が設けられる。各吐出部３５３の下端部に吐出口３５３ａが設けられ、貯留部３５１から吐出口３５３ａに現像液を導くための吐出流路３５３ｂが各吐出部３５３により形成される。

複数の下部開口３５１ｂをそれぞれ閉塞するように貯留空間３５１ｃ内に複数の球状部材３５４が配置される。貯留部３５１に近接しかつ各吐出流路３５３ｂを取り囲むように、各吐出部３５３の外周面に圧電素子３５５が取り付けられる。各圧電素子３５５は、電圧印加装置３７０に電気的に接続される。電圧印加装置３７０は、図１の制御部１１４により制御され、所望の圧電素子３５５に所望のタイミングで所望の周波数の交流電圧を印加可能に構成される。

導入部３５２を通して貯留部３５１の貯留空間３５１ｃに現像液が導入され、貯留空間３５１ｃが現像液で満たされる。いずれの圧電素子３５５にも電圧が印加されていない場合、複数の球状部材３５４により貯留部３５１の複数の下部開口３５１ｂがそれぞれ液密に閉塞される。そのため、貯留空間３５１ｃからいずれの吐出流路３５３ｂにも現像液が導かれず、いずれの吐出口３５３ａからも現像液が吐出されない。

いずれかの圧電素子３５５に電圧が印加されると、その圧電素子３５５が振動するとともに、その圧電素子３５５が接触する吐出部３５３上の球状部材３５４が振動する。それにより、対応する下部開口３５１ｂが周期的に開かれ、開かれた下部開口３５１ｂを通して吐出流路３５３ｂに現像液が導かれる。したがって、複数の圧電素子３５５に選択的に電圧を印加することにより、所望の吐出口３５３ａから現像液を吐出させることができる。また、上記の例と同様に、圧電素子３５５への電圧の印加タイミングを調整することにより、現像液の吐出のタイミングを調整することができ、圧電素子３５５への印加電圧の周波数を調整することにより、現像液の吐出流量を調整することができる。

これにより、簡単な構成で現像液の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。したがって、基板処理装置１００の構成を複雑化させることなく、基板Ｗ上の所望の位置に所望の流量で現像液を供給することができ、基板Ｗの現像処理を適正に行うことができる。

図１２は、現像ノズル３８の他の例を示す模式的断面図である。図１２の現像液ノズル３８について図１１の例と異なる点を説明する。図１２の現像ノズル３８においては、複数の吐出部３５３に対応するように、複数の貯留部３５１および複数の導入部３５２がそれぞれ設けられる。この場合、複数の貯留部３５１が別個に設けられるので、各圧電素子３５５の振動が貯留部３５１を介して対応する球状部材３５４以外の球状部材３５４に伝達されることが防止される。それにより、所望でない吐出口３５３ａから現像液が吐出されることが防止される。

（７）他の実施の形態
（７−１）
上記実施の形態では、流量調整機構として圧電素子５５（または圧電素子３５５）および球状部材５４（または球状素子３５４）が塗布ノズル２８（または現像ノズル３８）に設けられるが、他の流量調整機構が塗布ノズル２８（または現像ノズル３８）に設けられてもよい。例えば、モータ等によって機械的に吐出流路を開閉し、かつその開閉周期を調整可能な開閉機構が流量調整機構として塗布ノズル２８（または現像ノズル３８）に設けられてもよい。

（７−２）
上記実施の形態では、１つの処理液供給ユニット２００から１つの塗布ノズル２８（または現像液ノズル３８）に処理液が供給されるが、これに限らず、１つの処理液供給ユニット２００から複数の塗布ノズル２８（または現像液ノズル３８）に処理液が供給されてもよい。例えば、１つの処理液供給ユニット２００から共通の処理液を吐出する複数の塗布ノズル２８に処理液が供給されてもよい。

（７−３）
上記実施の形態では、貯留部５１（または貯留部３５１）に近接しかつ吐出流路５３ｂ（または吐出流路３５３ｂ）を取り囲むように吐出部５２（または吐出部３５２）の外周面に圧電素子５５（または圧電素子３５５）が取り付けられるが、圧電素子５５（または圧電素子３５５）の配置はこれに限らない。球状部材５４（または球状素子３５４）に振動を伝達することが可能であれば、例えば、貯留部５１（または貯留部３５１）内に圧電素子５５（または圧電素子３５５）が配置されてもよい。

（７−４）
上記実施の形態では、振動発生部として圧電素子５５，３５５が用いられるが、これに限らない。球状部材５４（または球状素子３５４）に振動を与えることが可能であれば、例えば、モータ等の電気部品が振動発生部として用いられてもよい。

（７−５）
上記実施の形態では、貯留部５１（または貯留部３５１）に円形の下部開口５１ｂ（または下部開口３５１ｂ）が設けられ、球状部材５４（または球状部材３５４）により下部開口５１ｂ（または下部開口３５１ｂ）が開閉されるが、これに限らない。下部開口５１ｂ（または下部開口３５１ｂ）が四角形等の他の形状を有してもよく、球状部材５４（または球状部材３５４）の代わりに他の形状の開閉部材が用いられてもよい。

（７−６）
上記実施の形態では、吐出ノズルとして塗布液を吐出する塗布ノズル２８および現像液を吐出する現像ノズル３８が用いられるが、これに限らず、基板Ｗを処理するための気体を吐出する吐出ノズルが用いられてもよい。

（７−７）
上記実施の形態は、露光装置１５に隣接するように設けられ、露光処理の前後における基板Ｗの処理を行う基板処理装置１００に本発明を適用した例であるが、他の基板処理装置に本発明を適用してもよい。例えば、基板Ｗに洗浄液を供給することにより基板Ｗに洗浄処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよく、または基板Ｗにエッチング液を供給することにより基板Ｗのエッチング処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、塗布ノズル２８および現像ノズル３８が吐出ノズルの例であり、処理液供給ユニット２００が流体供給部の例であり、貯留部５１，３５１が貯留部の例であり、吐出口５３ａ，３５３ａが吐出口の例であり、吐出流路５３ｂ，３５３ｂが吐出流路の例であり、吐出部５３，３５３が流路形成部の例であり、球状部材５４，３５４および圧電素子５５，３５５が流量調整機構の例である。また、球状部材５４，３５４が開閉部材および球状部材の例であり、圧電素子５５，３５５が振動発生部および圧電素子の例であり、貯留空間５１ｃ，３５１ｃが貯留空間の例であり、下部開口５１ｂ，３５１ｂが流出口の例であり、加圧ポンプＰ２および加圧部２６２，２７２が加圧部の例である。また、タンク２４０が第１の貯留タンクの例であり、配管Ｌ５，Ｌ６が第１の配管の例であり、バルブＶ１が第１の開閉バルブの例であり、加圧ポンプＰ２が加圧ポンプの例であり、加圧タンク２６０が第２の貯留タンクの例であり、配管Ｌ１１が第２の配管の例であり、配管Ｌ１２が第３の配管の例であり、バルブＶ１ａが第２の開閉バルブの例であり、加圧タンク２７０が第３の貯留タンクの例であり、配管Ｌ１４が第４の配管の例であり、バルブＶ１ｂが第３の開閉バルブの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
（９）参考形態
参考形態に係る基板処理装置は、基板に処理流体を供給することにより基板の処理を行う基板処理装置であって、処理流体を吐出するように構成された吐出ノズルと、吐出ノズルに処理流体を供給するように構成された流体供給部とを備え、吐出ノズルは、流体供給部により供給される処理流体を貯留可能な貯留部と、吐出口を有するとともに、貯留部から吐出口に処理流体を導くための吐出流路を形成する流路形成部と、貯留部から吐出流路を通して吐出口に導かれる処理流体の流量を調整可能に構成された流量調整機構とを含むものである。
この基板処理装置においては、流体供給部から吐出ノズルに処理流体が供給され、吐出ノズルから基板に処理流体が吐出される。これにより、基板の処理が行われる。吐出ノズルにおいては、貯留部に処理流体が貯留され、流路形成部により形成される吐出流路を通して貯留部から吐出口に処理流体が導かれる。
貯留部から吐出口に導かれる処理流体の流量は、流量調整機構により調整される。それにより、吐出口からの処理流体の吐出流量が調整される。また、貯留部から吐出口に導かれる処理流体の流量が０に調整されることにより、吐出口からの処理流体の吐出が停止される。それにより、吐出口からの処理流体の吐出タイミングを調整することができる。したがって、簡単な構成で処理流体の吐出タイミングおよび吐出流量を調整することができる。
流体供給部は、吐出ノズルに導かれる処理流体を継続的に加圧する加圧部を含んでもよい。この場合、処理流体を貯留部から吐出口に確実に導くことができる。

本発明は、基板の種々の処理に有効に利用可能である。

２８ 塗布ノズル
３８ 現像ノズル
５１，３５１ 貯留部
５１ａ，３５１ａ 上部開口
５１ｂ，３５１ｂ 下部開口
５１ｃ，３５１ｃ 貯留空間
５２，３５２ 導入部
５３，３５３ 吐出部
５３ａ，３５３ａ 吐出口
５３ｂ，３５３ｂ 吐出流路
５４，３５４ 球状部材
５５，３５５ 圧電素子
１００ 基板処理装置
２００ 処理液供給ユニット
２４０ タンク
２６０，２７０ 加圧タンク
２６２，２７２ 加圧部
Ｌ１〜Ｌ６，Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１４ 配管
Ｐ２ 加圧ポンプ
Ｖ１，Ｖ１ａ，Ｖ１ｂ バルブ
Ｗ 基板

Claims (15)

1. 基板に処理流体を供給することにより基板の処理を行う基板処理装置であって、
   処理流体を吐出するように構成された吐出ノズルと、
   前記吐出ノズルに処理流体を供給するように構成された流体供給部とを備え、
   前記吐出ノズルは、
   前記流体供給部により供給される処理流体を貯留可能な貯留部と、
   吐出口を有するとともに、前記貯留部から前記吐出口に処理流体を導くための吐出流路を形成する流路形成部と、
   前記貯留部から前記吐出流路を通して前記吐出口に導かれる処理流体の流量を調整可能に構成された流量調整機構とを含み、
   前記流体供給部は、前記吐出ノズルに導かれる処理流体を継続的に加圧する加圧部を含む、基板処理装置。
2. 前記流量調整機構は、
   前記吐出流路を閉塞する閉塞位置と前記吐出流路の少なくとも一部を開放する開放位置との間で移動可能に設けられた開閉部材と、
   前記開閉部材に振動を与えることにより前記開閉部材を前記閉塞位置と前記開放位置との間で周期的に移動させる振動発生部とを含む、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記振動発生部は、圧電素子を含む、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記圧電素子は、前記吐出流路を取り囲むように配置される、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記貯留部は、貯留空間を有するとともに、前記貯留空間を前記吐出流路に連通させる流出口を底部に有し、
   前記流路形成部は、前記貯留部の前記貯留空間内の処理流体が前記流出口を通して下方に導かれるように前記吐出流路を形成し、
   前記開閉部材は、前記閉塞位置において前記流出口を閉塞し、前記開放位置において前記流出口の少なくとも一部を開放するように前記貯留空間内に配置される、請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記流出口は円形の開口部であり、
   前記開閉部材は、前記開口部を閉塞するように前記開口部上に移動可能に設けられた球状部材を含む、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記流体供給部は、
   処理流体を一時的に貯留する第１の貯留タンクと、
   前記第１の貯留タンクから前記吐出ノズルに処理流体を導くように設けられた第１の配管と、
   前記第１の配管内の流路を開閉するように前記第１の配管に設けられた第１の開閉バルブとをさらに含み、
   前記加圧部は、前記開閉バルブと前記吐出ノズルとの間の前記第１の配管の部分に設けられた加圧ポンプを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記流体供給部は、
   処理流体を一時的に貯留する第２の貯留タンクと、
   前記第２の貯留タンクに処理流体を導くように設けられた第２の配管と、
   前記第２の貯留タンクから前記吐出ノズルに処理流体を導くように設けられた第３の配管と、
   前記第２の配管内の流路を開閉するように前記第２の配管に設けられた第２の開閉バルブとをさらに含み、
   前記加圧部は、前記第２の貯留タンク内の処理流体に圧力を加えるように前記第２の貯留タンクに設けられる、請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記流体供給部は、
   前記吐出ノズルと一体的に設けられ、処理流体を一時的に貯留しかつ前記吐出ノズルに処理流体を供給可能に構成された第３の貯留タンクと、
   前記第３の貯留タンクに処理流体を導くように設けられた第４の配管と、
   前記第４の配管内の流路を開閉するように前記第４の配管に設けられた第３の開閉バルブとをさらに含み、
   前記加圧部は、前記第３の貯留タンク内の処理流体に圧力を加えるように前記第３の貯留タンクに設けられる、請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 処理流体は、基板に膜を形成するための塗布液を含む、請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 処理流体は、基板に現像処理を行うための現像液を含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の基板処理装置。
12. 基板に現像液を供給することにより基板の現像処理を行う基板処理装置であって、
    現像液を吐出するように構成された現像ノズルと、
    前記現像ノズルに現像液を供給するように構成された現像液供給部とを備え、
    前記現像ノズルは、
    前記現像液供給部により供給される現像液を貯留可能な貯留部と、
    複数の吐出口をそれぞれ有するとともに、前記貯留部から前記複数の吐出口に現像液を導くための複数の吐出流路をそれぞれ形成する複数の流路形成部と、
    前記貯留部から前記複数の吐出流路を通して前記複数の吐出口に導かれる現像液の流量をそれぞれ調整可能に構成された複数の流量調整機構とを含む、基板処理装置。
13. 前記貯留部は複数の流出口を有し、
    各流路形成部は筒状であり、かつ各吐出流路は前記貯留部の各流出口から各吐出口に現像液を導き、
    各流量調整機構は、
    各流出口を閉塞する閉塞位置と各流出口の少なくとも一部を開放する開放位置との間で移動可能に前記貯留部内に設けられた開閉部材と、
    各流路形成部の外面上に取り付けられ、各開閉部材に振動を与えることにより各開閉部材を前記閉塞位置と前記開放位置との間で周期的に移動させる圧電素子とを含む、請求項１２記載の基板処理装置。
14. 基板に現像液を供給することにより基板の現像処理を行う基板処理装置であって、
    現像液を吐出するように構成された現像ノズルと、
    前記現像ノズルに現像液を供給するように構成された現像液供給部とを備え、
    前記現像ノズルは、
    前記現像液供給部により供給される現像液をそれぞれ貯留可能な複数の貯留部と、
    複数の吐出口をそれぞれ有するとともに、前記複数の貯留部から前記複数の吐出口に現像液を導くための複数の吐出流路をそれぞれ形成する複数の流路形成部と、
    前記複数の貯留部から前記複数の吐出流路を通して前記複数の吐出口に導かれる現像液の流量をそれぞれ調整可能に構成された複数の流量調整機構と、
    前記複数の貯留部および前記複数の流路形成部を一体的に取り囲むように設けられたケーシングとを含む、基板処理装置。
15. 各貯留部は流出口を有し、
    各流路形成部は筒状であり、かつ各吐出流路は各貯留部の流出口から各吐出口に現像液を導き、
    各流量調整機構は、
    各流出口を閉塞する閉塞位置と各流出口の少なくとも一部を開放する開放位置との間で移動可能に各貯留部内に設けられた開閉部材と、
    各流路形成部の外面上に取り付けられ、各開閉部材に振動を与えることにより各開閉部材を前記閉塞位置と前記開放位置との間で周期的に移動させる圧電素子とを含む、請求項１４記載の基板処理装置。

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