JP5922901B2 - 処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法 - Google Patents
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Description
(7)処理液供給装置は、フィルタにより気泡が除去された処理液を圧送する第2のポンプと、第1のポンプと第2のポンプとの間に接続される第2の戻し経路とをさらに備え、制御部は、フィルタの立ち上げ時に、第2の戻し経路を通してフィルタにより気泡が除去された処理液を第1のポンプに導くように第2のポンプを制御してもよい。
この場合、フィルタの立ち上げ時に、処理液がフィルタに十分に接触する。これにより、フィルタの性能の立ち上がり時間を短縮することができる。
気泡の除去時には、第1の開閉装置が開状態にされるとともに第2の開閉装置が閉状態にされることにより、気泡を含む処理液がフィルタから戻し経路を通して第1のタンクに戻される。それにより、第1のタンク内の下部に処理液が貯留され、第1のタンク内の上部空間に気体が蓄積される。第1のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより第1のタンク内の処理液の液面が予め定められた第1の位置まで低下した場合に、第1の開閉装置が閉状態にされるとともに第2の開閉装置が開状態にされる。それにより、第1のタンク内の処理液の液面が上昇されるとともに第1のタンク内の上部空間に蓄積された気体が排出経路を通して外部に排出される。この場合、処理液は第1のタンク内の下部に貯留されるので、第1のタンク内から処理液が排出管路を通して外部に排出されない。これにより、処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能になる。また、基板の処理時には、気泡が除去された処理液が処理部に供給される。その結果、基板処理の精度が向上する。
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。
図2は、図1の塗布処理部121、塗布現像処理部131および洗浄乾燥処理部161を+Y方向側から見た図である。
次に、処理液供給ユニット200について説明する。図3は、処理液供給ユニット200の構成を示すブロック図である。図3では、塗布処理ユニット129のノズル28に処理液としてレジスト液、反射防止液またはレジストカバー液を供給する処理液供給ユニット200の構成および動作について説明する。現像処理ユニット139のスリットノズル38に処理液として現像液を供給するための処理液供給ユニット200の構成および動作は、図3の処理液供給ユニット200の構成および動作と同様である。処理液供給ユニット200およびメインコントローラ114により本発明に係る処理液供給装置が構成される。
図6は、図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162を−Y方向側から見た図である。
(5−1)概略構成
図7は、図1の塗布処理部121、搬送部122および熱処理部123を−X方向側から見た図である。図8は、搬送部122,132,163を−Y方向側から見た図である。
次に、搬送機構127について説明する。図9は、搬送機構127を示す斜視図である。
図10は、洗浄乾燥処理ブロック14Aの内部構成を示す図である。なお、図10は、洗浄乾燥処理ブロック14Aを+X方向側から見た図である。
以下、本実施の形態に係る基板処理装置100の各構成要素の動作について説明する。
以下、図1および図8を主に用いてインデクサブロック11の動作を説明する。
以下、図1〜図6および図8を主に用いて第1の処理ブロック12の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構127,128のX方向およびZ方向の移動の説明は省略する。
以下、図1〜図6および図8を主に用いて第2の処理ブロック13の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構137,138のX方向およびZ方向の移動の説明は省略する。
以下、図8および図10を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック14Aおよび搬入搬出ブロック14Bの動作について説明する。
本実施の形態に係る基板処理装置100の塗布処理ユニット129における塗布処理時または現像処理ユニット139における現像処理時には、基板処理時には、気液分離トラップタンク230内の処理液がポンプ240によりフィルタ250に供給される。フィルタ250により気泡が除去された処理液は配管L9,L11を通してノズル28またはスリットノズル38に供給される。
(9−1)上記実施の形態において、メインコントローラ114は、フィルタ250中の気泡の除去処理におけるステップS3の処理で、気液分離トラップタンク230内の処理液の液面が中間液面センサ232により検出されるまで待機し、検出された後にステップS4の処理に進むが、これに限定されない。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
12 第1の処理ブロック
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
15a 基板搬入部
15b 基板搬出部
21〜24,32,34 塗布処理室
25,35 スピンチャック
27,37 カップ
28 ノズル
29 ノズル搬送機構
31,33 現像処理室
38 スリットノズル
39 移動機構
43,45〜47 給気ユニット
44,48 排気ユニット
50,60 流体ボックス部
100 基板処理装置
111 キャリア載置部
112,122,132,163 搬送部
113 キャリア
114 メインコントローラ
115,127,128,137,138,141,142,146 搬送機構
116 ハンド
117 開口部
121 塗布処理部
123,133 熱処理部
125,135 上段搬送室
126,136 下段搬送室
129 塗布処理ユニット
131 塗布現像処理部
139 現像処理ユニット
145 パッキン
161,162 洗浄乾燥処理部
200 処理液供給ユニット
210 処理液ボトル
220 トラップタンク
221,231 上限液面センサ
222,233 下限液面センサ
230 気液分離トラップタンク
232 中間液面センサ
240,260 ポンプ
250 フィルタ
251 流入部
252,253 流出部
280 気体供給源
301,303 上段熱処理部
302,304 下段熱処理部
311,312,313 ガイドレール
314 移動部材
315 回転部材
800 ホストコンピュータ
1000 基板処理システム
CP 冷却ユニット
EEW エッジ露光部
H1〜H6 ハンド
L1〜L11 配管
P−BF1,P−BF2 載置兼バッファ部
P−CP載置兼冷却部
PAHP 密着強化処理ユニット
PASS1〜PASS9 基板載置部
PHP 熱処理ユニット
PN メインパネル
SD1,SD2 洗浄乾燥処理ユニット
v0〜v8 バルブ
W 基板
Claims (11)
- 処理液を用いて基板に処理を行う処理部に処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液を貯留する第1のタンクと、
第1のタンクに処理液を供給する処理液供給系と、
処理液から気泡を除去するフィルタと、
前記第1のタンクから前記フィルタに処理液を供給する供給装置と、
前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記処理部に導く第1の供給経路と、
前記フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから前記第1のタンクに導く第1の戻し経路と、
前記第1の戻し経路を開閉する第1の開閉装置と、
前記第1のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、
前記排出経路を開閉する第2の開閉装置と、
基板の処理時と気泡の除去時とで前記第1の供給経路ならびに前記第1および第2の開閉装置を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記処理部における基板の処理時には、前記第1の開閉装置を閉状態にするとともに前記フィルタにより気泡が除去された処理液が前記処理部に供給されるように前記第1の供給経路を制御し、
気泡の除去時には、前記第1の開閉装置を開状態にするとともに前記第2の開閉装置を閉状態にすることにより、気泡を含む処理液を前記フィルタから前記第1の戻し経路を通して前記第1のタンクに戻し、前記第1のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより前記第1のタンク内の処理液の液面が予め定められた第1の位置まで低下した場合に、前記第1の開閉装置を閉状態にするとともに前記第2の開閉装置を開状態にすることにより、前記第1のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに前記第1のタンク内に蓄積された気体を前記排出経路を通して外部に排出させることを特徴とする処理液供給装置。 - 前記制御部は、前記第1のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第1の位置よりも高い第2の位置に達した場合に、前記第2の開閉装置を閉状態にするとともに前記処理液供給系による前記第1のタンク内への処理液の供給を停止させることを特徴とする請求項1記載の処理液供給装置。
- 前記第1のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第1の位置まで低下したことを検出する第1の液面検出器と、
前記第1のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第2の位置まで上昇したことを検出する第2の液面検出器とをさらに備え、
前記制御部は、前記第1の液面検出器により前記第1のタンク内の処理液の液面が前記第1の位置まで低下したことが検出された場合に、前記第1の開閉装置を閉状態にするとともに前記第2の開閉装置を開状態にし、前記第2の液面検出器により前記第1のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第2の位置に達したことが検出された場合に、前記第2の開閉装置を閉状態にするとともに前記処理液供給系による前記第1のタンク内への処理液の供給を停止させることを特徴とする請求項2記載の処理液供給装置。 - 前記制御部は、前記第1のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第1の位置よりも低い第3の位置まで低下した場合に、前記第2の開閉装置を閉状態にするとともに前記供給装置を停止させることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の処理液供給装置。
- 前記第1のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第3の位置まで低下したことを検出する第3の液面検出器をさらに備え、
前記第3の液面検出器により前記第1のタンク内の処理液の液面が前記第3の位置まで低下したことが検出された場合に、前記第2の開閉装置を閉状態にするとともに前記供給装置を停止させることを特徴とする請求項4記載の処理液供給装置。 - 供給装置は、前記第1のタンクと前記フィルタとの間に設けられた第1のポンプを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の処理液供給装置。
- 前記フィルタにより気泡が除去された処理液を圧送する第2のポンプと、
前記第1のポンプと前記第2のポンプとの間に接続される第2の戻し経路とをさらに備え、
前記制御部は、前記フィルタの立ち上げ時に、前記第2の戻し経路を通して前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記第1のポンプに導くように前記第2のポンプを制御する、請求項6記載の処理液供給装置。 - 処理液供給系は、
処理液を貯留する処理液貯留容器と、
処理液貯留容器から供給される処理液を貯留する第2のタンクと、
前記第2のタンク内の処理液を前記第1のタンクに導く第2の供給経路とを含み、
前記処理液貯留容器内の処理液が加圧されることにより、前記処理液貯留容器内の処理液が前記第2のタンクおよび前記第2の供給経路を通して前記第1のタンクに供給されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の処理液供給装置。 - 基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、
前記処理部に処理液を供給する請求項1〜8のいずれかに記載の処理液供給装置とを備えることを特徴とする基板処理装置。 - 処理液を用いて基板に処理を行う処理部に処理液を供給する処理液供給装置における気泡の除去方法であって、
前記処理液供給装置は、
処理液を貯留する第1のタンクと、処理液から気泡を除去するフィルタと、前記第1のタンクから前記フィルタに処理液を供給する供給装置と、前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記処理部に導く第1の供給経路と、前記フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから前記第1のタンクに導く戻し経路と、前記戻し経路を開閉する第1の開閉装置と、前記第1のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、前記排出経路を開閉する第2の開閉装置とを含み、
前記除去方法は、
前記処理部における基板の処理時に、前記第1のタンク内の処理液を前記供給装置により前記フィルタに供給するステップと、
前記処理部における基板の処理時に、前記第1の開閉装置を閉状態にするとともに前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記処理部に供給するステップと、
気泡の除去時に、前記第1の開閉装置を開状態にするとともに前記第2の開閉装置を閉状態にすることにより、気泡を含む処理液を前記フィルタから前記戻し経路を通して前記第1のタンクに戻すステップと、
気泡の除去時に、前記第1のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより前記第1のタンク内の処理液の液面が予め定められた第1の位置まで低下した場合に、前記第1の開閉装置を閉状態にするとともに前記第2の開閉装置を開状態にすることにより、前記第1のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに前記第1のタンク内に蓄積された気体を前記排出経路を通して外部に排出させるステップとを含むことを特徴とする気泡の除去方法。 - 基板処理装置における基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、処理液を用いて基板に処理を行う処理部と、処理液を貯留する第1のタンクと、処理液から気泡を除去するフィルタと、前記第1のタンクから前記フィルタに処理液を供給する供給装置と、前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記処理部に導く第1の供給経路と、前記フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから前記第1のタンクに導く戻し経路と、前記戻し経路を開閉する第1の開閉装置と、前記第1のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、前記排出経路を開閉する第2の開閉装置とを含み、
前記基板処理方法は、
基板の処理時に、前記第1のタンク内の処理液を前記供給装置により前記フィルタに供給するステップと、
基板の処理時に、前記第1の開閉装置を閉状態にするとともに前記フィルタから前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記第1の供給経路を通して前記処理部に供給するステップと、
気泡の除去時に、前記第1の開閉装置を開状態にするとともに前記第2の開閉装置を閉状態にすることにより、前記気泡を含む処理液を前記フィルタから前記戻し経路を通して前記第1のタンクに戻すステップと、
気泡の除去時に、前記第1のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより前記第1のタンク内の処理液の液面が予め定められた第1の位置まで低下した場合に、前記第1の開閉装置を閉状態にするとともに前記第2の開閉装置を開状態にすることにより、前記第1のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに前記第1のタンク内に蓄積された気体を前記排出経路を通して外部に排出させるステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。
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