JP2013071022A - 洗浄装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理体の一面側の洗浄領域に洗浄液を局所的に供給して、被処理体の側面や他面側への洗浄液の回り込みを防止できる洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体であるテンプレートＴの転写パターン（洗浄領域）を当該転写パターンが下方に向くように保持機構４により吸着保持する。前記転写パターンを含み、テンプレートＴの外縁よりも内方側の領域との間に洗浄液を満たして通流させるための通流空間を液収容部３１により形成し、前記通流空間に液収容部３１の底面に形成された第１の開口部３１ａからリンス液を供給し、前記転写パターンを囲むように液収容部３１と転写パターン２外側領域との間に形成された隙間３０を介して排液部３２に排液する。リンス液は液収容部３１内を通流するので、洗浄領域に局所的に供給され、テンプレートＴの側面や他面側への洗浄液の回り込みを抑えながら洗浄処理を行うことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、被処理体例えばその一面に転写パターンが形成されたテンプレートに洗浄液を供給して洗浄処理を行う技術に関する。

近年、半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に微細なレジストパターンを形成するにあたり、フォトリソグラフィに代わるインプリント法と呼ばれる手法が提案されている。この手法では、特許文献１〜４に記載されているように、転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、レジストパターンの形成が行われている。

インプリント法について、図２６を参照して簡単に説明すると、先ず、ウエハＷに、紫外線（ＵＶ）にて硬化する性質を有するレジスト液を塗布してレジスト膜１１を形成し、このレジスト膜１１の上方側からテンプレート１２を押し付け、その下面側の転写パターン１３をレジスト膜１１に転写する。次いで、テンプレート１２を介してレジスト膜１１の表面に紫外線を照射し、レジスト膜１１を硬化させた後、テンプレート１２を上昇させることにより、レジスト膜１１に所定のパターンを形成する。ここで、前記転写パターン１３の表面には例えばフッ素樹脂からなる離型膜１４が形成されており、テンプレート１２をレジスト膜１１から外すときに、パターンの型崩れやテンプレート１２側へのレジスト膜１１の付着を防止している。

この離型膜１４は、離型剤を転写パターン１３の表面に塗布した後加熱して、前記表面に離型剤を結合させ、次いで余剰の離型剤を除去するリンス処理を行うことによって形成されている。前記リンス処理は、例えば特許文献１に記載されるように、リンス液にテンプレート１２を浸漬させたり、テンプレート１２を回転させながら、当該テンプレート１２表面にリンス液を供給することによって行われている。

しかしながら、これらの手法では、テンプレート１２の側面や転写パターン１３が形成されていない他面側にもリンス液が供給されてしまう。転写パターン１３以外の領域にリンス液を供給しても当該リンス液を乾燥させればよいが、仮にリンス液と共に、テンプレート１２の側面や他面側に余剰の離型剤が流動してしまうと、その部位に離型膜が形成されるため、これを抑制することが望ましい。離型膜はフッ素樹脂からなり、摩擦係数が小さいことから、例えば搬送アームが保持する領域や、アライメントを行う治具が押える領域に離型膜が形成されると、搬送アームからテンプレート１２が脱落したり、アライメント作業を正確に実施できなくなる懸念が生じるからである。このため、転写パターン１３の形成領域の近傍領域にリンス液を供給して、局所的に洗浄する手法の開発が要請されている。

特開２０１１−８０５号公報 特開２０１１−５６９５号公報 特開２０１１−９３５９号公報 特開２０１１−５６７４７号公報

本発明は、このような事情の下になされたものであり、一面側に洗浄領域を備えた被処理体に対して、前記洗浄領域を含む領域に局所的に洗浄液を供給することにより、洗浄処理の際に、被処理体の側面や他面側への洗浄液の回り込みを抑えることができる技術を提供することにある。

このため本発明は、非洗浄領域の内側に洗浄領域が形成された被処理体を、前記洗浄領域が下方に向くように保持する保持機構と、
前記保持機構に保持された被処理体の洗浄領域を含み、被処理体の外縁よりも内方側の領域との間に洗浄液を満たして通流させるための通流空間を形成する通流空間形成部と、
前記通流空間に前記洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記通流空間の洗浄液を排液する洗浄液排液部と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、被処理体の一面側の洗浄領域を含み、被処理体の外縁よりも内方側の領域との間に洗浄液を満たして通流させるための通流空間に前記洗浄液を通流させながら洗浄している。このため、前記洗浄領域を含む領域に洗浄液を局所的に供給することができるので、被処理体の側面や他面側への洗浄液の回り込みを抑えながら前記洗浄領域の洗浄を行うことができる。

本発明に係る洗浄装置の一例を示す縦断面図である。 前記洗浄装置を示す概略斜視図である。 テンプレートを示す平面図である。 テンプレートを示す縦断面図である。 前記洗浄装置に設けられた装置本体を示す平面図である。 前記洗浄装置に設けられた保持機構を示す平面図である。 前記洗浄装置を示す縦断面図である。 前記洗浄装置にテンプレートを搬送する搬送機構の一例を示す平面図である。 テンプレートに離型膜を形成する処理を説明する工程図である。 前記洗浄装置にて実施されるリンス処理を説明する縦断面図である。 前記洗浄装置にて実施されるリンス処理を説明する縦断面図である。 前記洗浄装置にて実施されるリンス処理を説明する縦断面図である。 前記洗浄装置にて実施されるリンス処理を説明する縦断面図である。 前記洗浄装置にて実施されるリンス処理を説明する縦断面図である。 本発明の洗浄装置の他の例を示す概略斜視図である。 本発明の洗浄装置のさらに他の例を示す縦断面図である。 本発明の洗浄装置のさらに他の例を示す縦断面図である。 本発明の洗浄装置のさらに他の例を示す縦断面図である。 本発明の洗浄装置のさらに他の例を示す縦断面図である。 本発明の洗浄装置のさらに他の例を示す縦断面図である。 本発明の洗浄装置のさらに他の例を示す縦断面図である。 本発明の洗浄装置を備えたインプリントシステムの一例を示す平面図である。 前記インプリントシステムのテンプレート処理部の一例を示す概略斜視図である。 前記インプリントシステムに設けられた反転装置の一例を示す側面図である。 前記反転装置を示す平面図である。 インプリント処理を説明する工程図である。

以下、本発明の一実施の形態について、被処理体であるテンプレートに離型膜を形成する際に、テンプレートを洗浄する洗浄装置に適用した場合を例にして説明する。図１は、本発明の洗浄装置２の一実施の形態を示す縦断面図、図２はその概略斜視図である。先ず、テンプレートＴについて、図３及び図４を参照して説明する。このテンプレートＴは、例えば石英等の光を透過する材料により、平面形状が四角形状例えば正方形状に構成されている。そして、その一面側中央には、他の領域から突出するようにパターンエリア２１が設けられており、このパターンエリア２１内に所定の転写パターン２２が形成されている。本発明では、転写パターン２２を含む、テンプレートＴの中央領域が洗浄領域に相当し、この洗浄領域の外側の領域であって、洗浄液が供給されない領域が非洗浄領域に相当する。従って非洗浄領域には、テンプレートＴの側面や他面側のみならず、テンプレートＴの一面側の外縁よりも内方側であって、洗浄液と接触しない領域も含まれる。

転写パターン２２は例えばフォトリソグラフィにより構成され、当該転写パターン２２の表面には、背景技術にて記載したように、テンプレートＴ側へのレジストの付着を防ぎ、転写性の良好なレジスト形状を形成するために、離型膜２３が形成されている。テンプレートＴは例えば一辺が１５２ｍｍ（６インチ）、パターンエリア２１は例えば２６ｍｍ×３３ｍｍ、パターンエリア２１の高さｈ１は例えば０．０５ｍｍに夫々設定されている。

洗浄装置２は、装置本体３と、テンプレートＴの保持機構４と、を備えている。装置本体３は、図２及び図５（図１のＡ−Ａ’線断面図）に示すように、平面形状が略円形状に構成され、上部本体３Ａと下部本体３Ｂとにより構成されている。この例では、下部本体３Ｂは、上部本体３Ａよりも平面形状が一回り大きくなるように設定されており、上部本体３Ａには、その上面の中央部に液収容部３１が形成されている。

液収容部３１は通流空間形成部をなすものであり、この例では、後述するようにテンプレートＴが洗浄位置にあるときに、パターンエリア２１を含み、テンプレートＴの外縁よりも内方側の領域に洗浄液を満たして通流させるための通流空間を形成するように凹部状に構成されている。液収容部３１の平面形状は例えば円形状に構成され、テンプレートＴのパターンエリア２１よりも一回り大きくなるように設定されている。液収容部３１の大きさの一例を挙げると、直径が例えば５０ｍｍである。また、液収容部３１には例えば底面部の中央に、前記洗浄位置にあるテンプレートＴの転写パターン２２に対向するように開口する第１の開口部３１ａが形成されている。

装置本体３における液収容部３１の周囲には、当該液収容部３１を囲むように環状の排液部３２が設けられている。この排液部３２は洗浄液排液部をなすものであり、液収容部３１の下方側まで伸びるように形成されている。また、液収容部３１と排液部３２との間には、下方側に傾斜する傾斜面３３が形成されており、液収容部３１からオーバーフローしたリンス液が、当該傾斜面３３によりガイドされながら、重力により排液部３２に排液されるように構成されている。

さらに、装置本体３における排液部３２の周囲には、当該排液部３２を囲むように環状のガス流路３４が形成されている。このガス流路３４の上面はガス吐出口３５をなしており、こうして排液部３２を囲むように環状のガス吐出口３５が形成される。このガス吐出口３５は、前記洗浄位置にあるテンプレートＴの周縁領域の下面に近接するように設けられており、このガス吐出口３５から前記テンプレートＴの周縁領域（非洗浄領域）に、その周方向に沿ってガスが吹き付けられる。そして、このテンプレートＴの周縁領域へのガスの供給により、リンス液が前記周縁領域よりも外方側に回り込むことが防止される。

さらに、装置本体３の内部には、液収容部３１にリンス液を供給するための洗浄液供給路３６が形成され、この供給路３６の一端側は、前記第１の開口部３１ａに接続されている。また、洗浄液供給路３６の他端側は例えば装置本体３の側壁部に開口すると共に、共通路５１を介して洗浄液供給管５２と、ガス供給管５３と、吸引管５４とに接続されている。前記洗浄液供給管５２は、開閉バルブや流量調整バルブ等を備えた流量調整部５２ａを介して、リンス液（洗浄液）である例えば純水の供給源５２ｂに接続されている。例えばリンス液の供給源５２ｂには、図示しない送液機構が設けられており、この送液機構としては、窒素ガス等の圧送用ガスを利用する機構や、ポンプ等が用いられる。また、前記ガス供給管５３は、開閉バルブや流量調整バルブ等を備えた流量調整部５３ａを介して、乾燥用ガスである窒素（Ｎ_２）ガスの供給源５３ｂに接続されている。さらに、吸引管５４は、開閉バルブＶ１を介して第１の吸引機構である吸引ポンプＰ１に接続されている。

さらにまた、前記排液部３２には、例えば装置本体３の側壁部に開口する排液路３７が接続されており、この排液路３７は開閉バルブＶ２を備えた排液管５５を介して第２の吸引機構である吸引ポンプＰ２に接続されている。この吸引ポンプＰ２は、本発明の吸引機構に相当するものである。また、前記ガス流路３４の他端側はガス供給管５６に接続され、このガス供給管５６は、開閉バルブや流量調整バルブ等を備えた流量調整部５６ａを介して、洗浄液の回り込み防止用のガス例えば窒素ガスの供給源５６ｂに接続されている。このような装置本体３は、例えば下面中央を支持部２６により支持されている。

この例では、洗浄液供給路３６と、洗浄液供給管５２と、洗浄液の供給源５２ｂとにより洗浄液供給部が構成されている。また、ガス吐出口３５と、ガス流路３４と、ガス供給管５６と、回り込み防止用のガスの供給源５６ｂとにより、前記洗浄位置にあるテンプレートＴの非洗浄領域に、洗浄液の回り込み防止用のガスを供給するガス供給部が構成されている。なお、乾燥用ガスや回り込み防止用のガスとしては、Ｎ_２ガス等の不活性ガスの他に、ドライエア等を用いるようにしてもよい。

前記保持機構４は、パターンエリア２１が下方に向くようにテンプレートＴを吸着保持するように構成されている。この保持機構４は、図２及び図６に示すように、例えば中央部に開口部４０が形成された四角形状に構成され、テンプレートＴの他面側（パターンエリア２１が形成されていない面）において、テンプレートＴの周縁側の保持領域２４を吸着保持するようになっている。図６は、保持機構４を上方側から見たときの平面図であり、その下面に保持されるテンプレートＴを一点鎖線にて示している。前記開口部４０は、パターンエリア２１と対応する位置に、当該パターンエリア２１よりも大きく形成されており、この例ではパターンエリア２１に合わせて四角形状に構成されている。ここで、テンプレートＴの保持領域２４は、外縁から例えば２０ｍｍ（図１及び図６中ｈ３）内側までの領域である。

保持機構４の内部には、例えばテンプレートＴの保持領域２４と対応する位置に、例えば環状の吸引路４１が設けられており、この吸引路４１の下面には多数の吸引孔４２が形成されている。この吸引路４１は、例えば開閉バルブＶ３を備えたフレキシブルな吸引管５７を介して真空排気機構である真空ポンプＰ３に接続されている。

前記保持機構４は、図７に示すように、移動機構をなす昇降機構５８により、テンプレートＴの洗浄処理を行う洗浄位置（図１に示す位置）と、この洗浄位置の上方側の受け渡し位置（図７に示す位置）との間で昇降自在に構成されている。前記洗浄位置とは、保持機構４により保持されているテンプレートＴの転写パターン２２と、液収容部３１との間に洗浄液の通流空間を形成する位置であり、受け渡し位置とは、保持機構４と外部の搬送機構６との間でテンプレートＴの受け渡しを行う位置である。テンプレートＴが前記洗浄位置にあるときには、テンプレートＴの一面側の周縁領域の下面とガス吐出口３５との距離ｈ４が例えば１００μｍになるように設定されている。

また、テンプレートＴが前記洗浄位置にあるときには、テンプレートＴの一面側におけるパターンエリア２１の外側の非洗浄領域の下面と液収容部３１の上面との距離ｈ５が１００μｍ程度になるように設定される。これにより、液収容部３１と洗浄位置にあるテンプレートＴとの間には、環状の隙間３０が形成されることになる。この隙間３０は、洗浄領域を含み、テンプレートＴの外縁よりも内方側の領域を囲むように開口する第２の開口部に相当する。そして、この隙間３０を介して、液収容部３１からオーバーフローしたリンス液が排液部３２に流出するようになっている。

このような洗浄装置は例えば筐体７１内に収納されており、外部の搬送機構６によって搬送口７２を介してテンプレートが搬入出されるようになっている。ここで、外部の搬送機構６について図８を用いて簡単に説明すると、例えばテンプレートＴよりも大きい例えば円弧状のアーム部６１を備え、このアーム部６１にはその内縁から各々内側に突出する４個の保持部６２が設けられている。この保持部６２は、夫々テンプレートＴの角部を保持するように構成され、こうしてテンプレートＴを転写パターン２２を下向きにした状態で保持するようになっている。前記アーム部６１は、図示しない駆動部により、進退自在、昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

さらに、上述の洗浄装置２は制御部７を備えている。この制御部７は、例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部を備えていて、前記プログラムには制御部７から洗浄装置２の各部、例えば流量調整部５２ａ，５３ａ，５６ａや開閉バルブＶ１〜Ｖ３、昇降機構５８等に制御信号を送り、所定の洗浄処理例えば保持機構４によるテンプレートＴの着脱動作、保持機構４の昇降動作、リンス液の供給や排液、乾燥ガスや回り込み防止用のガスの供給や供給停止等を制御して、所定の処理を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）等の記憶部に格納されて制御部７にインストールされる。

続いて、本発明の洗浄装置２の作用について説明するが、この洗浄装置２は、テンプレートＴに離型膜を形成する際に、テンプレートＴを洗浄する処理に用いられるので、テンプレートＴに離型膜を形成する処理について、図９を用いて簡単に説明する。先ず、新規のテンプレートＴの転写パターン２２が形成されている一面に対して、紫外線を照射するＵＶ処理を行う。この新規のテンプレートＴとは、未だインプリント処理に用いられていないテンプレートのことである。紫外線を照射することにより、テンプレートＴの一面側に付着している有機物が除去され、当該一面側に水酸基（ＯＨ基）が露出する。次いで、テンプレートＴの一面側に離型膜２３の材料である離型剤２５を塗布する塗布処理を行う。この離型剤２５とは、−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３等のシランカップリング基に、−ＣＨ_２、−ＣＦ_２や−ＣＦ_３等からなる主鎖が結合したものであり、シランカップリング基がテンプレートＴ表面のＯＨ基と結合して、フッ素（Ｆ）が上層側に存在するフッ素樹脂よりなる離型膜２３が形成される。

次いで、加熱処理を行うと、テンプレートＴ表面のＯＨ基とシランカップリング基との反応が促進され、この反応により生成するメチル基（−ＣＨ_３）や水等など副生成物が飛ばされる。この後、テンプレートＴに洗浄液（リンス液）を供給し、余剰の離型剤２５を除去するリンス処理を行うことにより、転写パターン２２の表面に離型膜２３が形成されたテンプレートＴが得られる。本発明の洗浄装置２では、このリンス処理が行われる。

こうして得られたテンプレートＴはインプリント装置に搬送され、当該インプリント装置にて、背景技術の欄にて説明したような工程にて、レジストパターンの形成処理が実施される。そして、インプリント装置にて所定のインプリント処理を実施した後は、この使用後のテンプレートＴに対して、転写パターン２２の表面に結合した離型膜２３を除去する洗浄処理が行われる。洗浄されたテンプレートＴは、新規テンプレートと同様の手法にて、再び上述の一連の処理を行って離型膜２３の形成が行われる。また、洗浄されたテンプレートＴに対して、例えば外観検査等の所定の検査を行ってから、離型膜２３の形成を行う場合もある。

続いて、本発明の洗浄装置２にて行われるリンス処理について説明する。先ず、図７に示すように、保持機構４を受け渡し位置に上昇しておき、テンプレートＴを、外部の搬送機構６により保持機構４の下方側に搬送する。このテンプレートＴは、転写パターン２２の表面に離型剤２５が塗布され、次いで加熱処理が実施されたものであり、前記搬送機構６に転写パターン２２が下を向いた状態で保持されている。次いで、保持機構４を下降させて当該保持機構４の下面をテンプレートＴの他面側の保持領域２４に接触させる。そして、開閉バルブＶ３を開き真空ポンプＰ３によって吸引路４１を吸引することにより、保持機構４にテンプレートＴを吸着保持させる。このときの保持機構４の高さ位置が、テンプレートＴの着脱を行う位置に相当する。

続いて、搬送機構６を退行させてから、図１０に示すように保持機構４を下降させ、図１に示す洗浄位置に移動させる。次いで、図１１に示すように、開閉バルブＶ２を開いて吸引ポンプＰ２により排液部３２を吸引すると共に、流量調整部５６ａを制御してガス流路３４内にＮ_２ガスを導入し、ガス吐出口３５からテンプレートＴの周縁領域に向けてＮ_２ガスを吐出する。ガス吐出口３５よりも内方側の排液部３２が吸引されていることから、Ｎ_２ガスの大部分は内方側に向い、排液部３２を介して流れていき、Ｎ_２ガスの一部はガス吐出口３５よりも外方側へ向かう。なお、排液部３２は吸引ポンプＰ２により常時吸引するようにしてもよい。

次に、図１２に示すように、排液部３２を吸引ポンプＰ２により吸引し、ガス吐出口３５からＮ_２ガスを吐出した状態で、流量調整部５２ａを制御して、洗浄液供給路３６を介して液収容部３１内にリンス液Ｒを供給する。リンス液Ｒの供給源５２ｂからのリンス液Ｒの送液と排液部３２の吸引により、液収容部３１ではその底部中央に形成された第１の開口部３１ａからリンス液Ｒが供給されて、徐々に液収容部３１を満たして行く。そして、液収容部３１の容量を越えると、液収容部３１とテンプレートＴとの間に形成された隙間３０（第２の開口部）を介して、排液部３２へオーバーフローして行く。この際、排液部３２は下方側に伸びるように構成されているので、液収容部３１のリンス液Ｒは、傾斜面３３によりガイドされながら、重力により速やかに排液部３２へと流出していく。

ここで、テンプレートＴが前記洗浄位置にあるときには、テンプレートＴから突出するパターンエリア２１は液収容部３１内に収まるように構成されている。このため、液収容部３１にリンス液Ｒが満たされると、転写パターン２２を含むテンプレートＴの中央側の洗浄領域がリンス液に接触する。そして、既述のように、リンス液Ｒは液収容部３１から排液部３２へ通流していくため、液収容部３１では周縁側へ向かう液流れが形成される。こうして、リンス液Ｒは転写パターン２２に接触しながら流動していき、排液部３２に排液される。

このとき、転写パターン２２の表面には、転写パターン２２の表面と結合していない余剰の離型剤２５が付着している。つまり、転写パターン２２の表面の水酸基と反応して結合するのは離型剤２５の一分子層であり、この上に、水酸基と反応しない余剰分の離型剤２５が載っている状態にある。このため、リンス液Ｒが転写パターン２２と接触しながら通流していくと、余剰分の離型剤２５がリンス液Ｒの流れに伴って流動し、転写パターン２２から剥がされる。そして、剥がれた離型剤２５は、リンス液Ｒと共に排液部３２に流出して行き、吸引ポンプＰ２による吸引によって、装置本体３外部に除去される。

こうして、所定時間リンス液Ｒを供給して、転写パターン２２の洗浄（リンス処理）を行った後、図１３に示すように、排液部３２を吸引し、ガス吐出口３５からＮ_２ガスを吐出した状態で、リンス液Ｒの供給を停止し、開閉バルブＶ１を開いて吸引ポンプＰ１により洗浄液供給路３６を吸引する。これにより、液収容部３１内のリンス液Ｒは排液部３２を介して排出されると共に、洗浄液供給路３６を介して排出され、リンス液Ｒ（洗浄液）の流路である洗浄液供給路３６、液収容部３１及び排液部３２からリンス液Ｒが除去される。

次いで、図１４に示すように、排液部３２を吸引し、ガス吐出口３５からＮ_２ガスを吐出した状態で、開閉バルブＶ１を閉じて吸引ポンプＰ１による吸引を停止し、流量調整部５３ａを制御して乾燥用のＮ_２ガスを洗浄液供給路３６に導入する。乾燥用のＮ_２ガスは、排液部３２が吸引されていることから、洗浄液供給路３６を介して液収容部３１に供給され、さらに排液部３２を介して排気される。これにより、転写パターン２２が乾燥されると共に、リンス液Ｒの流路内部も乾燥される。

この後、開閉バルブＶ２、流量調整部５６ａ及び流量調整部５３ａの開閉バルブを閉じて、排液部３２の吸引、ガス吐出口３５からのＮ_２ガスの吐出及び乾燥用ガスの導入を停止する。続いて、保持機構４から搬送機構６にリンス処理後のテンプレートＴを受け渡す。この動作では、先ず、保持機構４を受け渡し位置まで上昇させ、保持機構４の下方側に搬送機構６を進入させてから、保持機構４を着脱位置まで下降させる。この位置は、搬送機構６の保持部６２の上にテンプレートＴが載置される位置であり、次いで、開閉バルブＶ３を閉じて、真空吸着を解除することにより、保持機構４から搬送機構６にテンプレートＴを受け渡す。この後、保持機構４を上昇させてから、テンプレートＴを保持した搬送機構６を退行させ、搬送機構６により次工程に搬送する。

上述の実施の形態によれば、液収容部３１の底面中央の第１の開口部３１ａから供給されたリンス液は、液収容部３１内に溜まり、液収容部３１とテンプレートＴの非洗浄領域との間に形成された隙間３０（第２の開口部）を介して排液部３２へと排液されていく。

これにより、転写パターン２２付近の洗浄領域のみに局所的に洗浄液が供給されて、転写パターン２２上に存在する余剰の離型剤２５を洗浄除去することができる一方、テンプレートＴの外縁にはリンス液Ｒが供給されないので、テンプレートＴの側面や他面側へのリンス液の回り込みが抑えられる。この際、液収容部３１の周囲の排液部３２は下方側に伸びるように形成されており、既述のように、液収容部３１からオーバーフローしたリンス液Ｒは、重力により排液部３２に向けて確実に流れて行く。このため、リンス液Ｒが排液部３２よりも外側の領域に流出することはない。

さらにまた、転写パターン２２を囲む環状のガス吐出口３５からテンプレートＴの周縁領域に洗浄液の回り込み防止用のＮ_２ガスを供給した状態で、リンス液を液収容部３１に供給している。前記ガス吐出口３５とテンプレートＴの下面との距離は例えば１００μｍと非常に小さく、ここにＮ_２ガスが供給されることから、テンプレートＴの周縁領域には環状のガスカーテンが形成された状態になる。このため、仮にリンス液が飛散したとしても、このガスカーテンによりリンス液の侵入が抑えられるため、テンプレートＴの側面や他面側へのリンス液の付着が抑えられる。この例では、排液部３２を吸引しながら、Ｎ_２ガスを供給しているので、既述のように、前記Ｎ_２ガスの大部分は排液部３２側へ流れて行く。従って、Ｎ_２ガスはテンプレートＴの周縁領域から外方側へは流れて行きにくいので、Ｎ_２ガスの流れに伴って、リンス液がテンプレートＴの側面側へ飛散していくおそれもない。

このように、リンス液がテンプレートＴの外縁に供給されることがないため、リンス液の流れに伴い、余剰の離型剤２５がテンプレートＴの側面や他面側まで流動していくことがない。ここで、テンプレートＴの表面には水酸基が存在しているので、離型剤２５が付着すると、当該水酸基と結合して離型膜２３が形成されてしまうが、上述の洗浄装置２によれば、テンプレートＴの側面や他面側へ離型剤が付着しないことから、これらの領域への離型膜２３の形成が抑えられる。

従って、テンプレートＴにおける、搬送機構６が保持する領域や、アライメントを行う治具が押える領域に離型膜が形成されることがないので、保持機構４や搬送機構６によるテンプレートＴの搬送の際に、テンプレートＴの脱落や位置ずれを抑えて、安定して搬送することができる。また、テンプレートＴのアライメント作業を正確に実施することができる。

さらに、液収容部３１により形成された通流空間では、テンプレートＴの転写パターン２２との間にリンス液を満たして通流させているので、リンス液は転写パターン２２に接触して流動する。このため、微細なパターンの内部までリンス液が十分に行き渡り、余剰の離型剤２５を転写パターン２２表面から確実に除去することができる。また、排液部３２を吸引ポンプＰ２により吸引しているので、転写パターン２２から除去された離型剤２５を当該排液部３２から速やかに排出することができる。

さらにまた、転写パターン２２の近傍領域のみに局所的にリンス液を供給できるので、薬液消費量が少なくて済む。また、リンス液は、洗浄液の流路内を通流しているので、当該洗浄液の流路内を吸引ポンプＰ１，Ｐ２により吸引するという簡易な手法で回収することができる。

さらにまた、この例では、液収容部３１の底部中央の第１の開口部３１ａからリンス液を供給すると共に、転写パターン２２を囲む隙間３０（第２の開口部）を介して排液部３２にリンス液を排液しているので、リンス液が液収容部３１の中央から周縁に向けて同心円状に広がるように流れて行く。このため、リンス液は液収容部３１に、転写パターン２２の面内において一様に満たされていくため、面内均一性の高い洗浄処理を行うことができる。

また、リンス処理後、吸引ポンプＰ２により吸引することにより、液収容部３１から隙間３０を介して排液部３２に排液しているので、リンス液が液収容部３１の周縁に向けて同心円状に広がるように流出し、排液が速やかに行われる。さらに、洗浄液供給路３６内も吸引ポンプＰ１により吸引して、洗浄液の流路内のリンス液を除去してから、当該洗浄液供給路３６を介して乾燥用ガスを供給しているので、洗浄液の流路の乾燥と転写パターン２２の乾燥とを同時に行うことができる。このように乾燥ガスの通流により、転写パターン２２を乾燥しているので、乾燥の際に、リンス液が飛散して、テンプレートＴの側面や他面側に付着するといったこともない。

さらにまた、液収容部３１に対して接離自在に構成された保持機構４によりテンプレートＴを吸着保持し、この保持機構４の高さ位置を制御することにより、液収容部３１とテンプレートＴとの間に前記洗浄液の通流空間及び、隙間３０（第２の開口部）を形成している。このため、前記第２の開口部の大きさの調整を容易に行うことができるので、液収容部３１へのリンス液の供給量と、液収容部３１から排液部３２へのリンス液の排液量とのバランスの調整が容易となる。

以上において、本発明の洗浄装置は、図１５に示すように、環状のガス吐出口３５の上部に、多数の孔部３８ａが周方向に互いに間隔を開けて形成された板状体３８を設けるようにしてもよい。このような構成では、環状のガス流路３４に供給されたガスが、孔部３８ａを介してテンプレートＴの周縁領域に吐出され、孔部３８ａの数や形状、配置を調整することにより、周方向により均一にガスを吐出することができる。

さらに、本発明の洗浄装置は、図１６に示すように、液収容部３１内のリンス液に超音波振動を与える超音波発生機構や、リンス液を加熱する加熱機構７４を備えるように構成してもよい。例えば超音波発生機構をなす超音波発生素子７３や、加熱機構をなすヒータ７４は、装置本体３の液収容部３１の近傍に内蔵される。図１６に示す構成では、超音波発生素子７３とヒータ７４とを両方備える構成を示したが、いずれか一方を備える構成であってもよい。

このように超音波発生素子７３を備える構成では、リンス液に超音波振動が与えられるので、リンス液が細かく振動して転写パターン２２に入り込み易くなり、洗浄効果が高められる。また、ヒータ７４を備える構成では、リンス液に熱エネルギーが与えられ、より活性化されるため、洗浄効果が高められる。

さらに、本発明の洗浄装置の他の実施の形態について、図１７を用いて説明する。この洗浄装置は、インプリント処理後のテンプレートＴの洗浄処理に適用されるものであり、保持機構４に保持されたテンプレートＴの転写パターン２２に紫外線を照射する紫外線照射部８１を備えている。

この例では、紫外線照射部８１は、転写パターン２２の形成領域全体に紫外線を照射すると共に、保持機構４の開口部４０に収まる形状に形成されている。また、テンプレートＴの他面側近傍に位置する処理位置（図１７に示す位置）と、その上方側の位置との間で昇降機構８２により昇降自在に構成され、保持機構４と外部の搬送機構６との間でテンプレートＴの受け渡しが行われるときには、この受け渡し動作を阻害しないように、紫外線照射部８１が上方側に移動するようになっている。その他の構成は、上述の図１の構成と同様である。

前記洗浄処理を行うときには、例えばガス吐出口３５からＮ_２ガスを吐出すると共に、排液部３２を吸引ポンプＰ２により吸引する。そして、この状態で、紫外線照射部８１を前記処理位置に位置させ、テンプレートＴの他面側から転写パターン２２に向けて紫外線を照射しながら、洗浄液（リンス液）の供給源５２ａから純水を液収容部３１に供給する。テンプレートＴは光を透過する材料により構成されているので、紫外線は転写パターン２２の表面に到達し、転写パターン２２と離型膜２３の結合を切断する。この際、リンス液は液収容部３１内を排液部３２に向けて通流しているので、この洗浄液の流動により、離型膜２３がテンプレートＴから剥がれ、転写パターン２２から除去される。

この洗浄処理においても、転写パターン２２の形成領域に局所的に洗浄液を供給することができ、テンプレートＴの側面や他面側への洗浄液の回り込みが抑えられる。このため、テンプレートＴの側面や他面側に、テンプレートＴから剥がれた離型膜２３が再付着するおそれがない。また、洗浄液が局所的に供給されることから、洗浄液の消費量を少なくでき、当該洗浄液の回収を容易に行うことができる。

以上において、本発明の洗浄装置では、保持機構４と液収容部３１とは相対的に昇降自在に構成されていればよく、例えば保持機構４は昇降させずに、装置本体３１の支持部２６に昇降機構を組み込み、装置本体３１側を洗浄液の通流空間を形成する位置と、その下方側の位置との間で昇降自在に構成してもよい。この場合、保持機構４によるテンプレートＴの着脱は、外部の搬送機構６を保持機構４に対して昇降させることにより行われる。

さらに本発明では、図１８に示すように、装置本体３自体にテンプレートＴを載置するようにしてもよい。この例では、装置本体３の側壁部３９の上端にテンプレートＴの一面側の周縁領域を保持させており、前記側壁部３９が保持機構に相当する。また、装置本体３は、側壁部３９と外部の搬送機構６との間でテンプレートＴの受け渡しを行うために、例えば側壁部３９が保持部６２の内側に収まるように構成されている。

さらに、本発明の洗浄装置の通流空間形成部は必ずしも洗浄液を収容する凹部を備える必要はなく、例えば図１９に示すように、テンプレートＴと僅かな隙間を介して対向する面状体を備えるように通流空間形成部８３を構成してもよい。この通流空間形成部８３の中央には第１の開口部８３ａが形成され、通流空間形成部８３とテンプレートＴとの間の隙間は、通流空間形成部８３上に洗浄液が供給されたときに、転写パターン２２との間に洗浄液を満たして通流させることができる大きさに設定されている。通流空間形成部８３には転写パターン２２の外側の非洗浄領域と対向する位置において、洗浄液排液部８４をなす凹部が下方側に伸びるように形成されている。この構成では、通流空間形成部８３とテンプレートＴとの間の隙間が第２の開口部８３ｂをなし、この場合も第２の開口部８３ｂと洗浄液排液部８４とが接続され、第２の開口部８３から洗浄液排液部８４に洗浄液が排液される場合に含まれる。

前記第１の開口部８３ａは、例えば流量調整部８５ａ及び送液ポンプＰを備えた洗浄液供給路８５を介して洗浄液（リンス液）の供給源８５ｂに接続されている。この例では、送液ポンプＰ、洗浄液供給路８５及び洗浄液の供給源８５ｂが洗浄液供給部に相当する。また、洗浄液排液部８４は、開閉バルブＶ４を備えた吸引路８６を介して吸引ポンプＰ４に接続されている。

この構成では、リンス液の供給源８５ｂから送液ポンプＰにより第１の開口部８３ａを介して通流空間形成部８３上に洗浄液を供給すると、この洗浄液は、通流空間形成部８３と転写パターン２２との間の隙間を通流していく。この際、送液ポンプＰによって圧送されたリンス液は通流空間形成部８３上を転写パターン２２と接触しながら、広がるように流れて行き、第２の開口部８３ｂを介して洗浄液排液部８４に排液される。こうして、転写パターン２２表面は、リンス液が接触しながら流動していくことによって洗浄される。

また、洗浄液排液部８４は、テンプレートＴの外縁よりも内方側に形成されているため、通流空間形成部８３により、保持機構４に保持されたテンプレートＴの洗浄領域を含み、テンプレートＴの外縁よりも内方側の領域との間に洗浄液を満たして通流させるための通流空間が形成されることになる。この際、洗浄液排液部８４は、吸引ポンプＰ２により、常時吸引されていてもよいし、洗浄液が有る程度溜まってから吸引してもよい。このような洗浄装置においても、通流空間形成部８３上の洗浄液は第２の開口部８３ｂから洗浄液排液部８４に流れて行くので、洗浄液が第１の開口部８３ａと第２の開口部８３ｂとの間に局所的に供給され、テンプレートＴの側面や他面側への洗浄液の回り込みが防止される。

また、本発明の洗浄装置では、図２０に示すように、第２の開口部を通流空間形成部に設けるようにしてもよい。この例の通流空間形成部８７は、その内部に洗浄液を収容できるように、転写パターン２２を囲む凹部状に構成されると共に、通流空間形成部８７の上端とテンプレートＴの転写パターン２２の外側領域の下面とを接触させるように構成されている。そして、例えば通流空間形成部８７の底面中央に第１の開口部８７ａが形成されると共に、通流空間形成部８７の側壁部に周方向に間隔を開けて複数個の第２の開口部８７ｂが形成されている。この場合にも、テンプレートＴの転写パターン２２を含み、テンプレートＴの外縁よりも内方側の領域を囲むように開口する第２の開口部に相当する。

そして、前記第２の開口部８７ｂは、例えば流量調整部８８ａ及び送液ポンプＰを備えた洗浄液供給路８８を介して洗浄液（リンス液）の供給源８８ｂに夫々接続されている。この例では、送液ポンプＰ、洗浄液供給路８８及び洗浄液（リンス液）の供給源８８ｂが洗浄液供給部に相当する。また、第１の開口部８７ａは、洗浄液排液部をなす排液路８９により、開閉バルブＶ５を介して吸引ポンプＰ５に接続されている。

この構成では、例えば開閉バルブＶ５を閉じた状態で、リンス液の供給源８８ｂから送液ポンプＰにより第２の開口部８７ｂを介して通流空間形成部８７上に洗浄液を供給すると、この洗浄液は、通流空間形成部８７上に貯留していき、当該通流空間形成部８７を満たして、転写パターン２２に接触する。この後、例えば開閉バルブＶ５を開いて、吸引ポンプＰにより排液路８９を吸引し、吸引ポンプＰ５による洗浄液の排液と、送液ポンプＰによる洗浄液の供給とのバランスをとることによって、洗浄液を転写パターン２２と接触させた状態で、第２の開口部８７ｂから第１の開口部８７ａヘ向けて通流させる。こうして、洗浄液は転写パターン２２表面と接触しながら流動していくので、前記転写パターン２２が洗浄される。このような洗浄装置においても、洗浄液は第２の開口部８７ｂと第１の開口部８７ａとの間の通流空間形成部８７により囲まれた領域に局所的に供給されるので、テンプレートＴの側面や他面側への洗浄液の回り込みが防止される。

さらに、本発明の洗浄装置では、図２１に示すように、保持機構に保持されたテンプレートＴの転写パターン２２を含み、テンプレートＴの外縁よりも内方側の領域との間に洗浄液を満たして通流させるための通流空間を形成する通流空間形成部８００と、この通流空間に前記リンス液を供給する洗浄液供給部８０１と、この通流空間の洗浄液を排液する洗浄液排液部８０２、を備える構成であればよい。この際、図示のように、洗浄液供給部８０１と通流空間を接続する第１の開口部８０３と、洗浄液排液部８０２と通流空間を接続する第２の開口部８０４の一方を、転写パターン２２と対向するように開口させ、他方を転写パターン２２を囲むように開口させる必要はない。以上において図１９〜図２１では、保持機構の図示を省略している。

以上において、本発明では、通流空間形成部により形成された通流空間内での洗浄液の通流は、吸引機構による排液部の吸引と、ポンプ等の送液機構による洗浄液供給源からの送液とを組み合わせて行ってもよい。また、吸引機構による排液部の吸引又は、洗浄液供給源からの送液とのいずれか一方により行うようにしてもよい。

さらに、本発明の洗浄装置では、必ずしもテンプレートＴの非洗浄領域に、洗浄領域を囲むように、洗浄液の回り込み防止用のガスを供給するガス供給部を備える必要はない。また、ガス供給部を設ける代わりに、排液部の周囲に、当該排液部を取り囲むように、第２の洗浄液供給部を設けるようにしてもよい。この場合、テンプレートＴの側面へ洗浄液が流れ込まないように、第２の洗浄液供給部の外側の側壁にシール部材を設けて、テンプレートＴの外縁よりも内方側の領域のみに洗浄液を接触させるように構成することが好ましい。

さらに、本発明の洗浄装置では、通流空間形成部により形成された通流空間内に洗浄液を通流させて洗浄処理を行っているが、この洗浄処理には、通流空間に洗浄液を満たして、洗浄液を通流させずに被処理体の洗浄領域と洗浄液とを接触させた後、所定時間経過後に、洗浄液供給源からの洗浄液の送液及び／又は排液部の吸引を行って、洗浄液を通流させる場合も含まれる。

次に、本発明の洗浄装置を備えたインプリントシステムの全体構成について、図２２及び図２３を用いて簡単に説明する。このインプリントシステムは、テンプレートＴに離型膜２３を形成する処理を実施するテンプレート処理部と、ウエハＷにレジストパターンを形成するインプリント処理を実施するインプリント処理部とを備えている。この例では、第１のテンプレート搬入出部Ｓ１と、テンプレート処理部Ｓ２と、第２のテンプレート搬入出部Ｓ３と、インプリント処理部Ｓ４と、ウエハ搬入出部Ｓ５と、が一列に配列されているように構成されている。

第１のテンプレート搬入出部Ｓ１では、複数枚のテンプレートＴを収納するカセット９１から、受け渡しアームＡ１がテンプレートＴを取り出して、テンプレート処理部Ｓ２に受け渡し、テンプレート処理部Ｓ２から受け渡しアームＡ１が処理済みのテンプレートＴを受け取るように構成されている。

テンプレート処理部Ｓ２は、各種の処理ユニットが多段に設けられた複数個例えば６個の棚ユニットＵ１〜Ｕ６と、これら棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各部に対してテンプレートＴを搬送する搬送機構Ａ２と、を備えている。テンプレート搬入出部Ｓ１に隣接する棚ユニットＵ１は、受け渡しアームＡ１によりテンプレートＴが搬送される受け渡し部（ＴＲＳ）を備えている。また、棚ユニットＵ２，Ｕ３には、上述の塗布処理を実施する塗布装置（ＣＯＴ）と、上述のリンス処理を実施する本発明の洗浄装置２、棚ユニットＵ４には、上述のＵＶ処理を実施するＵＶ照射装置（ＵＶ）と、上述の加熱処理を実施する加熱装置（ＢＡＫＥ）と、テンプレートの温度調整を行う温調装置（ＣＰＬ）、棚ユニットＵ５には、上述の洗浄処理を実施する洗浄装置２Ａと、検査装置と、が夫々組み込まれている。さらに、第２のテンプレート搬入出部Ｓ３に隣接する棚ユニットＵ６は、反転装置９２と受け渡し部とを備えている。前記搬送機構Ａ２は、既述の外部の搬送機構６に相当するものであり、テンプレートＴを保持するアーム部６１が進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

第２のテンプレート搬入出部Ｓ３は、棚ユニットＵ６の各部から、受け渡しアームＡ３がテンプレートＴを受け取り、インプリント処理部Ｓ４に搬送するように構成されている。また、テンプレートＴを保管するバッファ９３や、テンプレートＴのアライメント装置９４が設けられている。

インプリント処理部Ｓ４では、例えば受け渡しアームＡ３との間でテンプレートの受け渡しを行うテンプレート受け渡し部９５と、インプリント処理を実施するインプリント装置９６と、後述するウエハ搬入出部Ｓ５との間でウエハＷの受け渡しを行うウエハ受け渡し部９７と、テンプレート受け渡し部９５とインプリント装置９６との間でテンプレートＴを搬送するテンプレート用搬送機構Ａ４と、ウエハ受け渡し部９７とインプリント装置９６との間でウエハＷを搬送するウエハ用搬送機構Ａ５と、を備えている。図示の便宜上、テンプレート用搬送機構Ａ４とウエハ用搬送機構Ａ５とを並べて描いているが、実際には、互いに干渉せずに各インプリント装置９６に対してテンプレートＴとウエハＷを夫々搬送できるように配置され、例えばこれら搬送機構Ａ４，Ａ５は、夫々進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在に構成されている。

また、ウエハ搬入出部Ｓ５は、複数枚のウエハＷを収納するカセット９８から、受け渡しアームＡ６がウエハＷを取り出して、インプリント処理部Ｓ４のウエハ用受け渡し部９７に受け渡し、インプリント処理部Ｓ４から受け渡しアームＡ６が処理済みのウエハＷを受け取るように構成されている。

このようなインプリントシステムでは、テンプレート処理部Ｓ２に搬送されたテンプレートＴは、転写パターン２２が上を向いた状態で、搬送機構Ａ２により、ＵＶ装置→塗布装置→加熱装置に順次搬送され、既述のＵＶ処理と塗布処理と加熱処理が実施される。次いで、テンプレートＴは搬送機構Ａ２により反転装置９２に搬送され、ここで転写パターン２２が下を向くようにテンプレートＴが反転される。反転装置９２は、例えば図２４に示すように、突出ピン１００を備えた受け渡し機構１０１と、反転機構１０２とを備えている。受け渡し機構１０１は、搬送機構Ａ２と反転機構１０２との間でテンプレートＴの受け渡しを行うものであり、搬送機構Ａ２により転写パターン２２が上を向いた状態でテンプレートＴが突出ピン１００上に受け渡される。この突出ピン１００は、例えばテンプレートＴの周縁領域を保持するように構成されている。

反転機構１０２は、テンプレートＴの互いに対向する側部を支持する一対の支持部１０３，１０３を備えており、これら支持部１０３，１０３は、図示しないテーパ溝にテンプレートの側部を挿入することによりテンプレートＴを支持するように構成されている。また、支持部１０３，１０３は、接離機構１０４により、テンプレートＴを支持する支持位置と、この支持位置の外方側の位置との間で、相互に接近、離隔できるように構成されている。接離機構１０４の基端側は回転機構１０５に接続され、前記支持部１０３，１０３が水平軸回りに回転できるように構成されている。

このような反転装置９２では、突出ピン１００上のテンプレートＴの両側部を支持部１０３，１０３により支持し、突出ピン１００を下降させた後、回転機構１０５により、転写パターン２２が下を向くように回転させる。そして、突出ピン１００を上昇させ、当該突出ピン１００にテンプレートＴを保持させてから、支持部１０３，１０３を離隔させる。こうして、転写パターン２２が下を向くように反転され、突出ピン１００上に保持されているテンプレートＴを搬送機構Ａ１より受け取り、洗浄装置２に搬送して、上述のリンス処理を実施する。

リンス処理後のテンプレートＴは、転写パターン２２が下を向いた状態で、棚ユニットＵ６の受け渡し部に搬送され、第２のテンプレート搬入出部Ｓ３を介して、インプリント処理部Ｓ４に搬送され、テンプレート搬送機構Ａ４によりインプリント装置９６へ搬入される。一方、ウエハＷはウエハ搬入出部Ｓ５からインプリント処理部Ｓ４に搬送され、ウエハ搬送機構Ａ５によりインプリント装置９６へ搬入される。こうして、インプリント装置９６内では、既述のインプリント処理が実施される。インプリント処理後のウエハＷは、ウエハ受け渡し部９７を介して受け渡しアームＡ６により、例えばウエハ搬入出部Ｓ５の元のキャリア９８に戻される。

一方、インプリント処理に使用された使用済みのテンプレートＴは、転写パターン２２が下を向いた状態で、テンプレート受け渡し部９５を介して受け渡しアームＡ３により、テンプレート処理部Ｓ２に戻される。そして、搬送機構Ａ２により、棚ユニットＵ５の洗浄装置２Ａに搬送され、転写パターン２２に結合している離型膜２３を除去する洗浄処理が実施される。

こうして、離型膜２３が除去されたテンプレートＴは、例えば反転装置９２にて反転された後、検査装置に搬送されて所定の検査が実施され、受け渡しアームＡ１により第１のテンプレート搬入出部Ｓ１に戻される。また、反転装置９２にて反転された後、そのまま第１のテンプレート搬入出部Ｓ１に戻される。そして、新たに離型膜２３を形成する処理が実施される。

本発明のリンス処理を実施する洗浄装置２、洗浄処理を実施する洗浄装置２Ａ及びインプリント装置９６では、いずれも、転写パターン２２を下向きにした状態で処理を行うので、リンス処理→インプリント処理→洗浄処理の間でテンプレートＴを反転させる必要が無く、テンプレートＴの搬送を速やかに行うことができる。

また、本発明では、紫外線照射部を備えた洗浄装置２Ａにおいて、転写パターン２２に結合していない余剰の離型剤を除去するリンス処理と、転写パターン２２に結合した離型膜を除去する洗浄処理とを実施するようにしてもよい。この場合、リンス処理の際には、紫外線照射部から紫外線の照射を行わずに、リンス液の通流によって処理が行われる。

以上において、本発明の被処理体としては、テンプレートの他に、シリコン基板、マスク基板やガラス基板等であってもよく、洗浄液としては、純水の他、シンナー等を用いることもできる。

Ｔ テンプレート
Ｗ 半導体ウエハ
２ 洗浄装置
２１ パターンエリア
２２ 転写パターン
２３ 離型膜
２５ 離型剤
３ 装置本体
３１ 液収容部
３２ 排液部
３４ ガス流路
３５ ガス吐出口
４ 保持機構
４１ 吸引路
７ 制御部

Claims (12)

1. 非洗浄領域の内側に洗浄領域が形成された被処理体を、前記洗浄領域が下方に向くように保持する保持機構と、
   前記保持機構に保持された被処理体の洗浄領域を含み、被処理体の外縁よりも内方側の領域との間に洗浄液を満たして通流させるための通流空間を形成する通流空間形成部と、
   前記通流空間に前記洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
   前記通流空間の洗浄液を排液する洗浄液排液部と、を備えることを特徴とする洗浄装置。
2. 前記通流空間形成部に設けられ、前記洗浄領域に対向するように開口する第１の開口部と、
   前記通流空間形成部と前記被処理体の非洗浄領域の下面との間または前記通流空間形成部に設けられ、前記洗浄領域を含み、被処理体の外縁よりも内方側の領域を囲むように開口する第２の開口部と、を備え、
   前記洗浄液供給部は、前記第１の開口部及び第２の開口部の一方に接続され、
   前記洗浄液排液部は、前記第１の開口部及び第２の開口部の他方に接続されることを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
3. 前記洗浄液排液部内の洗浄液を吸引する吸引機構を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の洗浄装置。
4. 前記保持機構は被処理体を吸着保持するように構成され、
   前記保持機構を前記通流空間形成部に対して、前記通流空間を形成する位置と、前記被処理体の受け渡しを行う位置との間で相対的に移動させるための移動機構を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の洗浄装置。
5. 前記保持機構に保持された被処理体の非洗浄領域に、前記洗浄領域を囲むように、洗浄液の回り込み防止用のガスを供給するガス供給部を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の洗浄装置。
6. 前記通流空間に乾燥用のガスを供給する乾燥用ガス供給部を備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の洗浄装置。
7. 前記保持機構に保持された被処理体の洗浄領域に紫外線を照射する紫外線照射部を備えることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の洗浄装置。
8. 前記通流空間の洗浄液に超音波振動を与える超音波発生機構を備えることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の洗浄装置。
9. 前記洗浄液を加熱する加熱機構を備えることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の洗浄装置。
10. 前記被処理体は、一面側に転写パターンが形成され、この転写パターンの表面に離型剤が塗布されたテンプレートであり、
    前記洗浄処理は、洗浄領域である前記転写パターンを洗浄する処理であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の洗浄装置。
11. 前記洗浄処理は、前記転写パターン表面に結合していない余剰の離型剤を除去する処理であることを特徴とする請求項１０記載の洗浄装置。
12. 前記洗浄処理は、前記転写パターン表面に結合した離型剤を除去する処理であることを特徴とする請求項１０記載の洗浄装置。

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