JP2012225867A - 検査装置 - Google Patents

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Eiji Shirato
英治 白土
Hiroshi Ishikawa
寛 石川
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Abstract

【課題】プローブまでの回路インダクタンスを低減できる検査装置を提供すること。
【解決手段】被検査デバイスたる半導体デバイスの表面に、P側プローブ65AとN側プローブ65Bを接触させ、前記半導体デバイスの電気的特性を検査する検査装置1において、P側プローブ65AとN側プローブ65Bのそれぞれに、平編線から成るP側接続配線材70及びN側接続配線材71を接続し、各P側接続配線材70及びN側接続配線材71の面を対面配置し、各P側接続配線材70及びN側接続配線材71を通じて前記P側プローブ65AとN側プローブ65Bに電位を与える構成とした。
【選択図】図4

Description

本発明は、半導体デバイスの検査装置に関する。
一般に、半導体デバイスの製造においては、モジュール組み立ての前に検査装置を用いた検査が行われている。この種の検査装置では、被試験デバイスたる半導体デバイスの表面の電極パッドにプローブを接触させて電圧を印加し、半導体デバイスを動作させて性能評価や各種の電気特性測定といった検査が行われている(例えば、特許文献1、及び特許文献2参照)。
一方、検査時に半導体デバイスを高速にスイッチングさせると、スイッチングノイズによりプローブに印加される電圧の電位変動が大きくなり、半導体デバイスの正確な評価ができないばかりでなく、半導体デバイスの誤動作を引き起こすという問題がある。そこで、従来、プローブ先端部分のインダクタンスを減少させてスイッチングノイズを抑える技術として、半導体デバイスへの電源供給用プローブと高周波信号用のプローブの先端部にコンデンサを設け、これらのプローブをコンデンサで接続する技術が提案されている(例えば、特許文献3参照)。
特開2005−345247号公報 特開2008−101944号公報 特開平8−226934号公報
しかしながら、従来の技術では、検査装置本体とプローブの間には回路インダクタンスが依然として寄生するため、検査時に半導体デバイスを高速度でスイッチングさせると、回路インダクタンスによりサージ電圧が発生し、被試験デバイスを破壊し、また検査装置自体を破壊する虞がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、プローブまでの回路インダクタンスを低減できる検査装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、半導体デバイスの表面に、正電位プローブ及び負電位プローブを接触させ、前記半導体デバイスの電気的特性を検査する検査装置において、前記正電位プローブ及び負電位プローブのそれぞれに平状配線材を接続し、各平状配線材の面を対面配置し、各平状配線材を通じて前記正電位プローブ及び負電位プローブに電位を与えることを特徴とする。
本発明によれば、正電位プローブ及び負電位プローブに電位を与える配線材を平状配線材とし、各平状配線材の面を対面配置する構成としたため、これら正電位プローブ及び負電位プローブに至る配線材の回路インダクタンスを低減することができ、検査時のサージ電圧を抑制できる。
また本発明は、上記検査装置において、前記平状配線材は可撓性を有し、前記平状配線材の面を、前記半導体デバイスの表面に対して垂直にした姿勢で弓形に撓ませて前記正電位プローブ及び負電位プローブに接続したことを特徴とする。
本発明によれば、平状配線材が可撓性を有し、なおかつ、半導体デバイスの表面に対して平状配線材の面を垂直にした姿勢で弓形に撓ませて正電位プローブ及び負電位プローブに接続したため、正電位プローブ及び負電位プローブを上下させて半導体デバイスの表面との間の距離を可変した場合でも、正電位プローブ及び負電位プローブの対面状態を維持しながら距離の可変に追従して変形させることができる。
また本発明は、上記検査装置において、直流の電源回路と、前記電源回路の正電位及び負電位のそれぞれに接続され、端部に前記平状配線材が接続された正電位側バスライン及び負電位側バスラインを備え、前記正電位側バスライン及び負電位側バスラインを平行平板により構成したことを特徴とする。
本発明によれば、正電位側バスライン及び負電位側バスラインを平行平板により構成したため、電源回路から正電位プローブ及び負電位プローブに至る検査装置全体の経路の回路インダクタンスを低減することができる。
本発明によれば、正電位プローブ及び負電位プローブに電位を与える配線材を平状配線材とし、各平状配線材の面を対面配置する構成としたため、これら正電位プローブ及び負電位プローブに至る配線材の回路インダクタンスを低減することができ、検査時のサージ電圧を抑制できる。
また本発明において、前記平状配線材は可撓性を有し、前記平状配線材の面を、前記半導体デバイスの表面に対して垂直にした姿勢で弓形に撓ませて前記正電位プローブ及び負電位プローブに接続する構成とすることで、正電位プローブ及び負電位プローブを上下させて半導体デバイスの表面との間の距離を可変した場合でも、正電位プローブ及び負電位プローブの対面状態を維持しながら距離の可変に追従して変形させることができる。
また本発明において、直流の電源回路と、前記電源回路の正電位及び負電位のそれぞれに接続され、端部に前記平状配線材が接続された正電位側バスライン及び負電位側バスラインを備え、前記正電位側バスライン及び負電位側バスラインを平行平板により構成することで、電源回路から正電位プローブ及び負電位プローブに至る検査装置全体の経路の回路インダクタンスを低減することができる。
本発明の実施形態に係る検査装置の電気的構成を示す回路図である。 検査装置の主要部の構造的な構成を示す図である。 P側バスライン及びN側バスラインの構成をプローブユニットと共に示す図であり、(A)は全体図を示し、(B)は(A)に点線αで囲って示した部位の拡大図である。 P側バスライン及びN側バスラインとプローブユニットとを模式的に示す図である。 平行平板経路の説明図である。 本実施形態の検査装置、第1比較構成例、及び第2比較構成例の回路インダクタンスを対比して示す図である。 第1比較構成例を示す図である。 第2比較構成例を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明では、パワー半導体デバイスの一例として、直流を交流に変換する電力変換装置たるインバータ装置のアームを例示し、当該アームを被試験デバイス(いわゆる、DUT)として検査する検査装置について説明する。
図1は、検査装置1の電気的構成を示す回路図である。
検査装置1は、インバータ装置が備える1相分のアーム2を検査する装置である。
アーム2は、逆並列接続されたダイオード4を有する2つのスイッチング素子6を直列接続して構成されており、電位が正電位となる高圧側(以下、「P側」と言う)のラインと、電位が負電位(アース電位を含む)となる低圧側(以下、「N側」と言う)のラインとの間に接続され、アーム2の中点Pから出力が得られる。スイッチング素子6には、パワー半導体の一例たるIGBTが用いられている。アーム2は、インバータモジュールに組み込む前のベアチップ状態で検査され、各スイッチング素子6のゲート端子には、ゲートドライブ回路GDが接続され、当該ゲートドライブ回路GDにはゲート電圧を測定するための電圧測定器10が設けられている。また、この検査装置1では、アーム2の熱抵抗試験を実施可能にするために、アーム2をヒータ8で加熱可能になっている。
検査装置1は、アーム2の各スイッチング素子6をゲートドライブ回路GDにより実際の動作状態に則してスイッチング動作させたときの出力を評価可能に構成されており、直流電源12を有した電源回路14と、この電源回路14の高圧側に接続されるP側バスライン16と、低圧側に接続されるN側バスライン18と、負荷回路19とを備え、これらP側バスライン16及びN側バスライン18の間にアーム2が電気的に接続されている。P側バスライン16及びN側バスライン18とアーム2との電気的な接続部66は、プローブユニット62(図2参照)を通じて行われるが、この詳細については後述する。
電源回路14は、電解コンデンサ20、整流ダイオード22、スイッチング素子24及びサイリスタ26を有する昇圧回路28を備え、また、この電源回路14の出力段には出力電圧を測定する電圧測定器30が設けられている。
負荷回路19は、疑似誘導負荷31と、疑似誘導負荷31を流れる電流の向きを切り替えるための4つの切替スイッチ32を備え、インバータ装置が駆動する交流モータ(例えば電気自動車の車両駆動モータ)の負荷を擬似的に再現する。この負荷回路19に上記アーム2の中点Pが接続され、アーム2が負荷回路19を駆動する際の性能試験が行われる。
検査装置1は、上記の他にも、アーム2の両端電圧を検出する電圧測定器34、アーム2の中点PからP側バスライン16及びN側バスライン18の電位差をそれぞれ検出する電圧測定器36、38、P側バスライン16及びN側バスライン18のそれぞれの電流を検出するカレントトランス40、42、P側バスライン16に設けられた短絡保護回路44、及び負荷回路19とアーム2の間に設けられたスナバコンデンサ46を備えている。
短絡保護回路44は、検査時にアーム2が短絡破壊された時に生じる短絡電流から検査装置1を保護するための回路であり、逆並列接続されたダイオード49を有し、P側バスライン16に介挿されるスイッチング素子50と、カレントトランス40に基づいて短絡電流を検出し、スイッチング素子50のゲートドライブ回路GDを制御してオフし、P側バスライン16を絶縁する短絡保護制御部52とを有する。
図2は、検査装置1の主要部の構造的な構成を示す図である。
検査装置1は、同図に示すように、フィクスチャ60と、ワークセット部61とを備えている。
フィクスチャ60は、電源回路14から後段の各種回路を箱型の筐体60Aに収めるとともに、多数のプローブ65を有した上記プローブユニット62を内蔵し、アーム2の表面に設けられた各スイッチング素子6の電極パッド(図示略)にプローブユニット62を所定の押圧力で押し付けて各プローブ65をコンタクトさせるものである。
ワークセット部61は、アーム2を載置する載置台63と、この載置台63を上下に可動する昇降ユニット64とを備えている。アーム2を載置台63にセットする時には、昇降ユニット64が載置台63を下降位置まで下げることで載置台63にアーム2をセット可能にし、検査時には載置台63を上げて所定位置にアーム2をセットする。
載置台63の直上には、上記プローブユニット62が位置する。直下の所定位置にアーム2がセットされた後、プローブユニット62は、フィクスチャ60の図示せぬ昇降機構によって下降し、これによりプローブユニット62のプローブ65がアーム2の表面に触針する。このプローブ65とアーム2の接触により、上述の電気的な接続部66が構成される。
プローブユニット62は、上述のP側バスライン16及びN側バスライン18に電気的に接続され、これらを通じて電源回路14から電位が与えられる。
ここで、アーム2の検査時には、各スイッチング素子6が高速でスイッチングされることから、P側バスライン16及びN側バスライン18に回路インダクタンスが寄生すると、当該回路インダクタンスに起因してサージ電圧が発生する。
そこで、本実施形態では、P側バスライン16及びN側バスライン18を互いに対面した金属平板により構成することで、サージ電圧を抑制することとしている。
図3は、P側バスライン16及びN側バスライン18の構成をプローブユニット62と共に示す図であり、図3(A)は全体図を示し、図3(B)は図3(A)に点線αで囲って示した部位の拡大図である。また図4は、P側バスライン16及びN側バスライン18とプローブユニット62とを模式的に示す図である。
図3(A)に示すように、P側バス用配線板67及びN側バス用配線板68は、それぞれ金属平板により構成されており、一端部には電源回路14が接続される電源接続端部67A、68Aが設けられ、また他端部には端子台ブロック67B、68Bが設けられている。これら端子台ブロック67B、68Bのそれぞれには、図3(B)に示すように、P側接続配線材70とN側接続配線材71の一端が固定される。
一方、プローブユニット62は、図3(B)及び図4に示すように、平面視矩形板状のベース72を備え、当該ベース72の上面に、端子台ブロック67B、68Bから延びるP側接続配線材70とN側接続配線材71の他端を固定する端子台73、74が設けられている。各端子台73、74からは、ベース72を下方に貫通して延びる多数のプローブ65が設けられている。
各プローブ65は、図4に示すように、スプリング75によって全長が伸縮自在に構成されている。すなわち、フィクスチャ60がアーム2とプローブユニット62の間の距離を調整することで各プローブ65が伸縮し、アーム2に各プローブ65が所定の押圧力で押し付けられる位置に保持される。
端子台73に設けられた複数本のプローブ65(以下、「P側プローブ」と称し、符号65Aを付す)は、電源回路14から、電源接続端部67A、P側バス用配線板67、端子台ブロック67B、P側接続配線材70及び端子台73を通じて高電位(正電位)が与えられる。すなわち、これら電源接続端部67Aから端子台73までの各部材によって上記P側バスライン16が構成されることとなる。
また端子台74に設けられた複数本のプローブ65(以下、「N側プローブ」と称し、符号65Bを付す)は、電源回路14から、電源接続端部68A、N側バス用配線板68、端子台ブロック68B、N側接続配線材71及び端子台74を通じてアース電位(負電圧)が与えられ、これら電源接続端部68Aから端子台74までの各部材によって上記N側バスライン18が構成される。
検査時においては、P側プローブ65Aのそれぞれがアーム2のP側のスイッチング素子6のコレクタ電極パッドに接触し、またN側プローブ65BのそれぞれがN側のスイッチング素子6のエミッタ電極パッドに接触する。
これらP側バスライン16及びN側バスライン18にあっては、図2及び図3(A)に示すように、P側バス用配線板67及びN側バス用配線板68が電源接続端部67A、68Aから端子台ブロック67B、68Bまで、互いに面を平行に対面させた状態で延在することで、電気配線経路が平行平板経路となっており、これにより、電気配線経路の回路インダクタンスの抑制が図られている。
詳述すると、図5に示すように、互いに面を平行に対面させて配置された一対の金属製の板状配線材80のそれぞれに正電位と負電位を与えて電流Iを互いに反対方向に流したとする。このとき、電流Iが流れる方向に沿った板状配線材80の長さをa、板状配線材80の幅(長さaの方向と直交する方向の長さ)をw、一対の板状配線材80の間隔をd、一対の板状配線材80の間の透磁率をμとした場合、板状配線材80の電流Iによる磁束密度Bは、長さa、及び幅wが間隔dよりも十分に大きいときには、次式(1)により表される。
Figure 2012225867
また板状配線材80を貫く方向にx軸を定義し、板状配線材80の間の磁束φを求めると、次式(2)から次式(3)が求められる。
Figure 2012225867
Figure 2012225867
したがって、この一対の板状配線材80から成る平行平板経路の回路インダクタンスLは、次式(4)のようになる。
Figure 2012225867
この式(4)により、板状配線材80では幅wが間隔dに対して十分に大きいことから、平行平板経路の回路インダクタンスLが低減されることが分かる。
これにより、P側バスライン16及びN側バスライン18にあっては、平行平板経路を構成するP側バス用配線板67及びN側バス用配線板68によって電源接続端部67A、68Aから端子台ブロック67B、68Bまでが配線されているため、この間の回路インダクタンスLが十分に低減されることとなる。
ただし、上述の通り、P側バス用配線板67及びN側バス用配線板68からプローブユニット62の間は、P側接続配線材70とN側接続配線材71により接続されることから、これらP側接続配線材70とN側接続配線材71による回路インダクタンスも低減する必要がある。
そこで簡単には、これらP側接続配線材70及びN側接続配線材71を、P側バス用配線板67及びN側バス用配線板68と同様に金属製の平板により構成し、互いに対面配置する構成とすれば良い。
しかしながら、検査装置1にあっては、アーム2へのP側プローブ65A、及びN側プローブ65Bの押圧力を一定にすべく、アーム2とプローブユニット62の距離がフィクスチャ60によって可変調整されることから、P側接続配線材70及びN側接続配線材71を金属板で構成すると、距離の調整がし難くなり、また距離の調整によって対面配置状態が崩れ易くなる。
そこで、本実施形態では、P側接続配線材70及びN側接続配線材71には金属製の平板ではなく、図4に示すように、平編線を用いることとしている。平編線は、例えば銅等の金属製素線を集束したものをむらなく均一に編組し、平たくした平状配線材であって可撓性(柔軟性)を有する。平編線から成るP側接続配線材70及びN側接続配線材71にあっては、図3(B)に示すように、それぞれの面を互いに平行に対面させた状態で、端子台ブロック67B、68B及び端子台73、74の間に固定される。なお、これらP側接続配線材70及びN側接続配線材71は、対面配置時には電気的絶縁が図られる距離だけ離間し、或いはそれぞれが絶縁被膜されている。または、これらP側接続配線材70及びN側接続配線材71の間に絶縁材(例えば絶縁シート)を挟み込んでも良い。
このとき、P側接続配線材70及びN側接続配線材71は、アーム2とプローブユニット62の距離の調整に対応可能な程度の長さを有し、また、それぞれが端子台ブロック67B、68B及び端子台73、74の間で、アーム2の表面に対して面を垂直にした姿勢で弓形に撓ませてP側プローブ65A及びN側プローブ65Bに接続されている。
すなわち、P側接続配線材70及びN側接続配線材71は、プローブユニット62の上下方向に弓形に撓んでいるので、アーム2とプローブユニット62の距離を可変調整する場合でも、これに追従してP側接続配線材70及びN側接続配線材71が変形する。また、P側接続配線材70及びN側接続配線材71の面は、プローブユニット62の移動方向に平行(すなわち、アーム2の表面に対して垂直)な姿勢で配置されているから、これらP側接続配線材70及びN側接続配線材71が上下方向に変形する際に、水平方向に撓みが発生するのが抑えられ、それぞれの対面状態が良好に維持される。
これにより、アーム2とプローブユニット62の距離の調整に際し、これらP側接続配線材70及びN側接続配線材71の対面状態を常に維持することができ、回路インダクタンスLを低減した状態を常に維持することができ、検査時にサージ電圧の発生を抑制することができ、被試験デバイスの破壊や検査装置自体の破壊が防止される。
また、P側接続配線材70及びN側接続配線材71を平編線とすることで、当該平編線が撓んだときにプローブユニット62に加わる加重を例えば金属平板等に比べて小さく抑えることができ、P側プローブ65A及びN側プローブ65Bの押圧力に及ぼす影響を小さくできる。
図6は、本実施形態の検査装置1(図示では「本実施例」)、第1比較構成例、及び第2比較構成例の回路インダクタンスLを対比して示す図である。また図7は第1比較構成例の模式図であり、図7(A)は全体構成図、図7(B)は主要部を示す斜視図である。図8は第2比較構成例の模式図であり、図8(A)は全体構成図、図8(B)は主要部を示す斜視図である。なお、これら図7、及び図8において、図4に示した部材と同じものについては同一の符号を付して、その説明を省略する。
第1比較構成例100は、図7(A)に示すように、P側プローブ65A及びN側プローブ65Bを保持するプローブユニット62に代えて、端子台ブロック67B、68Bのそれぞれに、板バネ性を有する薄板状の金属配線板170の一端部を固定し、他端部にプローブ165を固定したものである。この金属配線板170は、上述のフィクスチャ60(図2)に設けた絶縁性の筐体190にスプリング191を挟んで取り付けられており、当該筐体190の上下動により、プローブ165がアーム2を押し付ける押圧力が調整される。図7(B)に示すように、P側の金属配線板170(以下、「P側金属配線板」と言い符号170Aを付す)と、N側の金属配線板170(以下、「N側金属配線板」と言い符号170Bを付す)とは、それぞれ互いに水平に同一平面上に横並びに配置されている。
第2比較構成例200は、図8(A)に示すように、プローブユニット62と、P側バス用配線板67及びN側バス用配線板68の終端部である端子台ブロック67B、68Bとの間を複数本のワイヤ線270で接続したものである。図8(B)に示すように、P側プローブ65Aに接続される一群のワイヤ線270(以下、「P側ワイヤ線群」と言い符号270Aを付す)と、N側プローブ65Bに接続される一群のワイヤ線270(以下、「N側ワイヤ線群」と言い符号270Bを付す)とは、それぞれ、いわゆるフラットケーブルのように同一平面内に並んで配置されており、また、P側ワイヤ線群270A及びN側ワイヤ線群270Bも互いに水平に同一平面上に横並びに配置されている。
これらの第1及び第2比較構成例100、200と、本実施形態の検査装置1との比較において、前掲図6に示すように、この検査装置1では回路インダクタンスLが良好に抑えられていることが分かる。
このように、本実施形態によれば、P側プローブ65A及びN側プローブ65Bに電位を与えるP側接続配線材70及びN側接続配線材71を平状配線材たる平編線とし、各P側接続配線材70及びN側接続配線材71の面を対面配置する構成としたため、これらP側プローブ65A及びN側プローブ65Bに至る配線材の回路インダクタンスを低減することができ、検査時のサージ電圧を抑制できる。
また本実施形態によれば、P側接続配線材70及びN側接続配線材71は可撓性を有し、また、それぞれが端子台ブロック67B、68B及び端子台73、74の間で、アーム2の表面に対して面を垂直にした姿勢で弓形に撓ませてP側プローブ65A及びN側プローブ65Bに接続する構成とした。
これにより、アーム2とプローブユニット62の距離を可変調整する場合でも、これに追従してP側接続配線材70及びN側接続配線材71が変形させることができ、また、この変形に際して、水平方向(面に垂直な方向)に撓みが発生するのが抑えられ、それぞれの対面状態を良好に維持することができる。
また本実施形態によれば、電源回路14に接続されたP側バスライン16及びN側バスライン18を、P側バス用配線板67及びN側バス用配線板68による平行平板により構成したため、電源回路14からP側プローブ65A及びN側プローブ65Bに至る全体の経路の回路インダクタンスLを低減することができ、検査時のサージ電圧の発生を抑制できる。
なお、上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で任意に変形及び応用が可能である。
例えば、上述した実施形態では、被試験デバイスとしてインバータ装置のアーム2を検査する検査装置を例示したが、これに限らず、IGBTやMOSFET等のパワー半導体デバイス、及び当該パワー半導体により構成したモジュールデバイスの検査装置として広く用いることができる。
1 検査装置
2 アーム(半導体デバイス)
6 スイッチング素子
14 電源回路
16 P側バスライン
18 N側バスライン
19 負荷回路
60 フィクスチャ
61 ワークセット部
62 プローブユニット
65、165、 プローブ
65A P側プローブ(正電位側プローブ)
65B N側プローブ(負電位側プローブ)
67 P側バス用配線板
67B、68B 端子台ブロック
68 N側バス用配線板
70 P側接続配線材(板状配線材)
71 N側接続配線材(板状配線材)
73、74 端子台
80 板状配線材
170 金属配線板
270 ワイヤ線
270A P側ワイヤ線群
270B N側ワイヤ線群
L 回路インダクタンス

Claims (3)

  1. 半導体デバイスの表面に、正電位プローブと負電位プローブを接触させ、前記半導体デバイスの電気的特性を検査する検査装置において、
    前記正電位プローブ及び負電位プローブのそれぞれに平状配線材を接続し、各平状配線材の面を対面配置し、各平状配線材を通じて前記正電位プローブ及び負電位プローブに電位を与えることを特徴とする検査装置。
  2. 前記平状配線材は可撓性を有し、
    前記平状配線材の面を、前記半導体デバイスの表面に対して垂直にした姿勢で弓形に撓ませて前記正電位プローブ及び負電位プローブに接続したことを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
  3. 直流の電源回路と、前記電源回路の正電位及び負電位のそれぞれに接続され、端部に前記平状配線材が接続された正電位側バスライン及び負電位側バスラインを備え、
    前記正電位側バスライン及び負電位側バスラインを平行平板により構成したことを特徴とする請求項1又は2に記載の検査装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014190760A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Railway Technical Research Institute 亀裂監視装置
JP2014190761A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Railway Technical Research Institute 亀裂監視材及び亀裂監視装置
JP2015172566A (ja) * 2014-02-18 2015-10-01 本田技研工業株式会社 電流印加装置、半導体素子の製造方法及び検査装置
JP2016004015A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 富士電機株式会社 半導体試験装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014190760A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Railway Technical Research Institute 亀裂監視装置
JP2014190761A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Railway Technical Research Institute 亀裂監視材及び亀裂監視装置
JP2015172566A (ja) * 2014-02-18 2015-10-01 本田技研工業株式会社 電流印加装置、半導体素子の製造方法及び検査装置
JP2016004015A (ja) * 2014-06-19 2016-01-12 富士電機株式会社 半導体試験装置
CN105277865A (zh) * 2014-06-19 2016-01-27 富士电机株式会社 半导体试验装置

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