JP6017373B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ加工手段を用いて基板表面に設定した各区画内に装着した半導体素子を封止体によって封止することにより形成された被加工物を各区画別に切断して分離することによって半導体デバイスを製造する、半導体デバイスの製造方法に関する。本発明は、特に、レーザ加工時に発生する加工飛散物（デブリ：debris）が半導体素子を封止する封止体を焼損若しくは傷損するのを効率良く防止することができるようにした半導体デバイスの製造方法の改良に関する。

ところで、被加工物の表面にレーザ光を照射して該被加工物を、所謂、熱加工によって切断するレーザ加工時においては加工飛散物が発生することが知られている。
また、この加工飛散物が加工部周辺に付着すると、加工品質・精度を得ることができない等の問題があるため、被加工物へのレーザ光照射時にその周辺の部位にアシストガスを吹き付けると共に、このアシストガスと加工飛散物とを外部へ吸引して排出することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、この種のレーザ加工ヘッドは、被加工物表面へのレーザ光照射とアシストガスの吹付作業効率や、加工部周辺からアシストガス及び加工飛散物を外部へ吸引して排出する作業効率等を考慮して、該レーザ加工ヘッドの底面と被加工物表面との間隔を接近させて行うのが通例である。
従って、レーザ加工ヘッドの底面と被加工物表面との間隔を接近させた状態でレーザ加工を行う場合は、上記した各作業効率を向上させることができると云った利点がある。

しかしながら、例えば、基板の表面に光半導体素子を封止する多数の透明樹脂レンズ体が突設されているように、基板表面に多数の凹凸部が配置された形状として形成された被加工物の場合は、レーザ加工時においてレーザ加工ヘッドの底面と各透明樹脂レンズ体との接触を防止するために、該レーザ加工ヘッドの底面を該各透明樹脂レンズ体の高さ位置よりも更に高い位置となるように設定する必要がある。
従って、この場合は、レーザ加工ヘッドの底面と切断予定線を設定した加工部となる基板の表面との間隔は必然的に広くなる（離れる）ので該両者の間隔を接近させることができない。このため、上記した各作業効率を低下させることになると云った問題がある。

また、レーザ光の照射表面に多数の凹凸部が配置された形状として形成された被加工物をレーザ加工する場合においては、更に、次のような問題がある。
図７に示す被加工物Ｗは、基板１の表面に格子状の切断予定線２を設定して設けた多数の区画３内に光半導体素子を封止する多数の透明樹脂レンズ体４が突設されて、該基板１の表面に多数の凹凸部が配置された形状として形成されている。
このような被加工物Ｗに対しても、その切断予定線２に沿ってレーザ光Ｌを照射することによって各区画３毎に切断して分離するレーザ加工を行うことができる。
この場合のレーザ光Ｌは、基板１の表面に設定した切断予定線２に沿って該基板１における始端部位１ａからその終端部位１ｂに向かって直線状に且つ連続して照射される。

図７に示す被加工物Ｗのレーザ加工においては、レーザ加工ヘッドの底面と切断予定線２を設定した基板表面との間隔が広くなることから、該切断予定線２へのレーザ光Ｌの照射時において吹き付けたアシストガスと加工飛散物とを基板表面の外部へ排出する作業効率が悪くなる。
また、該基板表面における切断予定線２の両側に透明樹脂レンズ体４（凸部）が突設されていることから、該切断予定線２に吹き付けたアシストガスの流れが変化する。
即ち、図７(2) に示すように、基板表面の切断予定線２に照射したレーザ光Ｌ及びその切断予定線２に吹き付けたアシストガスを該切断予定線２に沿って（図例においては、下方向へ）走査させると、各区画３における始端側の位置３ａからその中心位置Ｃまでの区間６においてはアシストガスとこれに捕捉された加工飛散物８とはレーザ光Ｌの走査方向とは逆方向（図例では、上方向）へ流動する。
また、上記各区画３の中心位置Ｃを通過してその終端側の位置３ｂに至る区間７においては、上記したとは逆に、アシストガスとこれに捕捉された加工飛散物８とはレーザ光Ｌの走査方向と同じ方向（図例では、下方向）へ流動する。
このようなアシストガス及び加工飛散物８の流動作用に基因して、該加工飛散物が透明樹脂レンズ体４の表面に衝突し或は付着すると、該透明樹脂レンズ体４の表面が焦げて焼損し或はこれを傷損して品質を低下させると云った弊害が生じる。
更に、各区画３の透明樹脂レンズ体４に対する加工飛散物８の衝突作用、或は、加工飛散物８の付着作用は、各区画３における始端側の位置３ａからその中心位置Ｃまでの区間６においては少ないが、各区画３の中心位置Ｃを通過してその終端側の位置３ｂに至る区間７においては多くなる傾向がみられる。
従って、その結果、各区画３の中心位置Ｃを通過してその終端側の位置３ｂに至る区間７においてその表面を焼損し易い部位９が発生すると云った問題がある。

なお、被加工物Ｗのレーザ光照射表面に多数の凹凸部が配置されている場合は、所謂、ＣＷ発振（連続発振）によるＣＷレーザ加工、または、パルス発振によるパルスレーザ加工のいずれにおいてもそのレーザ光照射表面側に加工飛散物が残存して付着する傾向がみられる。これは、レーザ加工ヘッドの底面とレーザ光照射表面（基板表面）との間隔が広くなるので、該レーザ光照射表面に加工飛散物が発生し易く、更に、アシストガスと加工飛散物とを基板表面の外部へ排出する作業効率が悪いことに基因しているものと考えられる。

また、推測ではあるが、基板表面の切断予定線２に照射したレーザ光Ｌ及びその切断予定線２に吹き付けたアシストガスを該切断予定線２に沿って走査させた場合に、区画３における一辺の前半（区間６）を切断するときは、加工飛散物８を含むアシストガスの流れは透明樹脂レンズ体４（凸部）に反射して走査方向とは反対方向に流れる量が大きくなると推測される（図７(2) では上方向）。このとき、区画３の中心位置Ｃの近傍となる２つの凸部４の狭間に流れる加工飛散物８を含むアシストガスの流れは少ないものと推測される。
また、推測ではあるが、区画３における一辺の後半（区間７）を切断するときは、アシストガスの流れは透明樹脂レンズ体４（凸部）に反射して走査方向とは同じ方向に流れる量が大きくなると推測される（図７(2) では下方向）。即ち、加工飛散物８を含むアシストガスが区画３の中心位置Ｃから凸部４の形状に添って広がるため、基板表面を焼損し易い部位９が発生することになると推測される。

特開平９−１９２８７０号公報（第２頁の段落〔0009〕、第４頁の段落〔0029〕、図１等）

本発明は、基板の表面に格子状に設けた多数の区画内に凸部（半導体素子を封止する封止体）が配置された形状として形成された被加工物に対するレーザ加工時において、該各凸部への加工飛散物の衝突或は付着作用を抑制して、該各凸部の焼損若しくは傷損を防止することができる、半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するための本発明に係るレーザ加工方法は、基板10の表面に格子状の切断予定線20を設定した多数の区画30内に半導体デバイスを装着して封止することにより、基板10表面の高さと半導体デバイス封止体(40)との高さとに高低差を有する被加工物Ｗに対して、その切断予定線20に沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、基板10を各区画30毎に切断して分離するレーザ加工方法であって、
基板10の切断予定線20に沿って第一列目の区画31における始端側の位置30ａからその中心位置Ｃまでレーザ光Ｌを照射して該切断予定線20の区間60を切断すると共に、第一列目の区画31における中心位置Ｃから第二列目の区画32における始端側の位置30ａまでレーザ光Ｌの照射を停止して該切断予定線20の区間70を切断しないようにし、更に、最終列目の区画に至るまで該切断予定線20上におけるレーザ光Ｌの照射と停止とを繰り返すことにより、該切断予定線20に沿って各列の区画30における始端側の位置30ａからその中心位置Ｃまでレーザ光Ｌを照射して該切断予定線20の各区間60を切断する往路切断工程と、
上記往路切断工程を経た切断予定線20の最終列目の区画30における終端側の位置30ｂから第一列目の区画31におけるその中心位置Ｃまでレーザ光Ｌを照射してこの間における未切断個所（往路切断工程において切断されていない個所）である切断予定線20の各区間70を切断する復路切断工程と、
上記した往路切断工程及び復路切断工程における少なくとも基板10の切断予定線20へのレーザ光Ｌ照射時において切断予定線20の部位（レーザ光Ｌと同軸）にアシストガス90を吹き付けて供給するアシストガス吹付工程とを含み、
更に、基板10の各切断予定線20に沿って上記往路切断工程を行い、次に、上記往路切断工程を経た切断予定線20の上記復路切断工程を行うことによって基板10における各区画30を各別に切断して分離することを特徴とする。

また、本発明に係るレーザ加工方法は、半導体デバイスが、光半導体素子を透明樹脂レンズ体から成る封止体(40)に封止成形されていることを特徴とする。

また、本発明に係るレーザ加工方法は、アシストガス吹付工程時において、切断予定線20の部位に吹き付けたアシストガス90及び切断予定線20の部位から発生した加工飛散物80を外部へ吸引して排出する吸引排出工程を行うことを特徴とする。

また、本発明に係るレーザ加工方法は、前記往路切断工程において切断予定線20に沿って形成される往路切断部60ａ内を、レーザ光の照射側からその反対側に空気を強制的に排出することにより、前記切断予定線20の部位に吹き付けたアシストガス及び前記切断予定線20の部位から発生した加工飛散物80を排出する工程を行い、
前記復路切断工程において切断予定線20に沿って形成される復路切断部70ａ内を、レーザ光の照射側からその反対側に空気を強制的に排出する工程を行うことを特徴とする。

本発明方法によれば、基板10の表面に格子状に設けた多数の区画30内に凸部（透明樹脂レンズ体40）が配置された形状として形成された被加工物Ｗに対するレーザ加工時において、該各凸部への加工飛散物80の衝突或は付着作用を効率良く防止若しくは抑制し得るため、該各凸部の焼損若しくは傷損を防止することができる。

また、本発明方法によれば、各凸部への加工飛散物80の付着作用を効率良く防止若しくは抑制し得てレーザ加工品質が改善されるため、例えば、次工程となる被加工物Ｗの洗浄工程を省力化或は簡略化することができる。

本発明に係るレーザ加工方法の説明図であって、レーザ加工装置の構成概略を示す一部切欠正面図である。 図１に対応するレーザ加工装置の要部を示す一部切欠拡大正面図である。 本発明方法における往路切断工程についての説明図であって、図３(1) は被加工物の要部を示す平面図、図３(2) はその要部拡大平面図である。 図３に対応する被加工物の要部拡大平面図であって、往路切断工程を経た状態を示している。 本発明方法における復路切断工程についての説明図であって、図５(1) は被加工物の要部を示す平面図、図５(2) はその要部拡大平面図である。 図５に対応する被加工物の要部拡大平面図であって、復路切断工程を経た状態を示している。 従来のレーザ加工方法を用いて基板表面に多数の凹凸部が配置された被加工物をレーザ加工した場合の技術的な問題点の説明図であって、図７(1) は被加工物の要部を示す平面図、図７(2) はその要部拡大平面図である。

以下、本発明を実施例図に基づいて説明する。

図１はレーザ加工装置におけるレーザ加工部50の概略を示している。
このレーザ加工部50には、吸着パッド51ａを介して基板10（被加工物Ｗ）を吸着保持する吸着テーブル51とを備えている。
また、このレーザ加工部50には、吸着テーブル51上に保持させた被加工物Ｗにおける加工部（切断予定線20）にレーザ光Ｌを照射するためのレーザ光照射手段52とアルゴン等のアシストガス90を吹き付けて供給するためのアシストガス供給手段53とを備えている。
なお、該加工部から飛散した加工飛散物80をアシストガス90の流れに乗せて基板表面の外部に吸引して排出させるための加工飛散物排出手段54等を備えることができる。

また、図１には、被加工物Ｗの表面に対向して配置されるレーザ加工ヘッド55の部分を示している。
また、図２に示すように、レーザ加工ヘッド55には、レーザ光Ｌの照射口及びアシストガス90の吹付口を兼ねる開口部55ａが設けられている。
また、レーザ加工装置には、吸着テーブル51上に保持させた被加工物Ｗの撮像手段及びその制御手段（図示なし）等を備えており、該吸着テーブル51と撮像手段とを相対的に移動させて基板10（被加工物Ｗ）の表面に設定した加工部（切断予定線20）を検出すると共に、該加工部におけるレーザ加工部位を決定するためのアライメント（切断部位の位置決め）工程を行うことができるように設けられている。
なお、レーザ加工ヘッド55には、該開口部55ａの外方周囲に開口させたアシストガス90及び加工飛散物80の吸引排出口55ｂが設けられている（図２参照）。

また、上記した被加工物Ｗは、次のように構成されている。
即ち、図３に示すように、被加工物Ｗは、基板10の表面に格子状の切断予定線20を設定して設けた多数の区画30内に光半導体素子を封止する多数の透明樹脂レンズ体40（半導体デバイス封止体）が突設されている。従って、該基板10の表面には、該基板10の表面と透明樹脂レンズ体40とによって、多数の凹凸部が配置された形状として形成されている（図１参照）。

また、吸着テーブル51上に保持させた被加工物Ｗを、上記レーザ加工装置を用いてレーザ加工する手法は、従来の方法と基本的には同様である。
即ち、まず、上記したアライメント工程により被加工物Ｗの加工部（切断予定線20）を検出して該加工部におけるレーザ加工部位を決定する。
次に、レーザ光照射手段52を介して、集光レンズ52ａにより集光したレーザ光Ｌを上記被加工物Ｗのレーザ加工部位に照射する。
また、このレーザ加工部位へのレーザ光Ｌの照射時において、アシストガス供給手段53を介して、アシストガス90を被加工物Ｗの該レーザ加工部位に吹き付けて供給する。
なお、このとき、上記したレーザ光Ｌの照射とアシストガス90の吹き付けによってレーザ加工を行いながら、加工飛散物排出手段54を介して、該加工部から飛散した加工飛散物80をアシストガス90の流れに乗せて基板表面の外部へ吸引して排出させても良い（図２参照）。

以下、透明樹脂レンズ体40への加工飛散物80による衝突或は付着作用を抑制して該透明樹脂レンズ体40の焼損若しくは傷損を防止することについて詳述する。
即ち、図３に示すように、まず、基板10の切断予定線20に沿って第一列目の区画31における始端側の位置30ａからその中心位置Ｃまでレーザ光Ｌを照射して該切断予定線20の区間60を切断する。
そして、第一列目の区画31における中心位置Ｃから第二列目の区画32における始端側の位置30ａまでレーザ光Ｌの照射を停止することにより、該切断予定線20の区間70は切断しない。
更に、最終列目の区画に至るまで該切断予定線20上における上記したレーザ光Ｌの照射と停止とを（間欠的に）繰り返すことにより、該切断予定線20に沿って各列の区画30における始端側の位置30ａからその中心位置Ｃまでレーザ光Ｌを照射して該切断予定線20の各区間60についてのみ夫々切断する往路切断工程を行う。

また、上記した往路切断工程における少なくとも基板10の切断予定線20へのレーザ光Ｌ照射時において、切断予定線20の部位（レーザ光Ｌと同軸）にアシストガス90を吹き付けるアシストガス吹付工程を行う。
この往路切断工程において、基板表面の切断予定線20に照射したレーザ光Ｌ及びその切断予定線20に吹き付けたアシストガスを該切断予定線20に沿って走査させると、各区画30における始端側の位置30ａからその中心位置Ｃまでの区間60においては、図３(2) に示すように、アシストガスとこれに捕捉された加工飛散物80とはレーザ光Ｌの走査方向とは逆方向（図例では、上方向）へ流動する。
この往路切断工程における各区画３の透明樹脂レンズ体40に対する加工飛散物80の衝突作用、或は、加工飛散物80の付着作用は、従来例と同様に、各区画30における始端側の位置30ａからその中心位置Ｃまでの区間60においては少ない。

また、図４に示すように、上記した往路切断工程においては、基板10には往路切断部60ａが形成される。この往路切断部60ａは、切断予定線20に沿った始端側の位置30ａからその中心位置Ｃまでの長さを有し且つ所要幅を有する細長い孔部（貫通孔）である。
なお、後述するが、復路切断工程において、往路切断部60ａに加工飛散物８を含むアシストガスが流入して基板の表側から裏側に抜けていくことになる。

次に、上記往路切断工程を経た切断予定線20の最終列目の区画30における終端側の位置30ｂから第一列目の区画31におけるその中心位置Ｃまでレーザ光Ｌを照射して、この間における切断されていない切断予定線20の各区間70を夫々切断する復路切断工程を行う。
また、上記した往路切断工程及び復路切断工程における少なくとも基板10の切断予定線20へのレーザ光Ｌ照射時において、切断予定線20の部位（レーザ光Ｌと同軸）にアシストガス90を吹き付けるアシストガス吹付工程が行なうことができる。
なお、上記した往路切断工程及び復路切断工程における少なくとも基板10の切断予定線20へのレーザ光Ｌ照射時及びアシストガス90供給時において、加工飛散物排出手段54による加工飛散物80の吸引排出工程を行なうことができる。
このとき、加工飛散物排出手段54にて吸引排出口55ｂから加工飛散物80を吸引して排出することができる。

即ち、本発明によれば、基板10上に設定した全ての切断予定線20に沿って上記往路切断工程を行い、次に、該往路切断工程を経た全ての切断予定線20に沿って上記復路切断工程を行うことによって、基板10における各区画30を各別に切断して分離することができる。

また、前述したように、レーザ加工ヘッド55から被加工物Ｗのレーザ加工部位にレーザ光Ｌを照射するとき、アシストガス90を被加工物Ｗの該レーザ加工部位に吹き付けて供給することができる。このとき、前記往路切断工程においては、レーザ切断されることによって長さが伸長しつつある往路切断部60ａ（長い穴）内を、アシストガスとレーザ光とが一緒に抜けてゆくことになる。
また、このとき、先に、レーザ加工ヘッド55からアシストガスが被加工物Ｗ（基板10）上の封止体40間の狭い間隔（中心位置Ｃの近傍）に流れているため、後から、レーザ切断して発生する加工飛散物80を含むアシストガスが封止体40間の狭い間隔を通り抜けていくことが難しくなってレーザの切断方向とは反対側に流れ易くなり〔図３（２）に示す加工飛散物80の矢印などを参照〕、加工飛散物80を含むアシストガスが往路切断部60ａ内を抜けてゆくことになる。このため、被加工物Ｗ（基板）における区間60の往路切断部60ａの上方位置近傍に（レーザ加工ヘッド55の下方位置近傍に）、アシストガスの効果範囲（空間部）が形成されることになる。
また、前記した復路切断工程においても、前記往路切断工程と同様に、レーザ切断されることによって長さが伸長しつつある復路切断部70ａ（長い穴）内を、アシストガスとレーザ光とが一緒に抜けてゆくことになる。
また、このとき、アシストガスは封止体40に当たって跳ね返り、この跳ね返ったアシストガスは、レーザの切断方向とは反対側に流れ、復路切断部70ａ内を抜けてゆくことになる。このため、被加工物Ｗ（基板）における区間70の復路切断部70ａの上方位置近傍に（レーザ加工ヘッド55の下方位置近傍に）、アシストガスの効果範囲（空間部）が形成されることになる。

また、本発明によれば、まず、図３に示すように、上記往路切断工程において各区画30における始端側の位置30ａからその中心位置Ｃまでの区間60のレーザ加工を行うと、アシストガス90とこれに捕捉された加工飛散物80とはレーザ光Ｌの走査方向とは逆方向（図では、上方向）へ流動することになる（図３(2) 参照）。
従って、アシストガス90とこれに捕捉された加工飛散物80とは切断予定線20の両側に突設されている透明樹脂レンズ体40から離れる方向（上方の始端側位置30ａの方向）へ流動するので、これらが該透明樹脂レンズ体40に衝突或は付着する作用を防止し若しくは抑制することができる。
往路切断工程を経た基板10には、図４に示すように、その各区間60に往路切断部60ａが夫々形成されることになる。

次に、図５に示すように、上記した復路切断工程において切断予定線20の最終列目の区画30における終端側の位置30ｂから第一列目の区画31におけるその中心位置Ｃまでレーザ光Ｌを照射して、この間における切断されていない切断予定線20の各区間70をレーザ加工すると、アシストガス90とこれに捕捉された加工飛散物80とはレーザ光Ｌの走査方向とは逆方向（図では、下方向）へ流動することになる（図５(2) 参照）。
従って、基本的に、アシストガス90とこれに捕捉された加工飛散物80とは切断予定線20の両側に突設されている透明樹脂レンズ体40から離れる方向（下方の始端側位置30ａの方向）へ流動するので、これらが該透明樹脂レンズ体40に衝突或は付着する作用を防止し若しくは抑制することができる。
また、復路切断工程を経た基板10には、図６に示すように、その各区間70に復路切断部70ａが夫々形成されることになる。
即ち、切断予定線20における上記往路切断工程と該切断予定線20における上記復路切断工程を行うことにより、該切断予定線20に沿って基板10を切断することができる。

また、上記した復路切断工程において、推測ではあるが、切断予定線20の区間70のレーザ走査方向の前方位置（区間60）にある往路切断部60ａに、加工飛散物８を含むアシストガスを流入させて基板の表側から裏側に抜けさせることができると推測される。
このため、上記した復路切断工程において、加工飛散物80を基板表面の外部へ排出することに関し、加工飛散物80を含むアシストガス90をレーザ光Ｌの走査方向とは逆方向に流動させる作用と、往路切断部60ａに加工飛散物80を含むアシストガス90を流入させる作用とを併用させることができる。

以上のように、上記往路切断工程及び復路切断工程におけるレーザ光Ｌ照射は切断予定線20の全区間（各区間60及び各区間70）を連続して行うものではない。
即ち、このレーザ光Ｌ照射は、該切断予定線20における各区間60・70のみを間欠的に行うと共に、該各区間のレーザ光Ｌ照射は各区画30の中心位置Ｃまで行うものであって、その中心位置Ｃを超えて行うものではない。
従って、切断予定線の全区間を連続して照射する従来のレーザ光照射の場合のように、各区画(30)の中心位置(C)を通過した位置に多量の加工飛散物(80)が衝突し或は付着することにより、その表面を焼損若しくは傷損し易い部位（図７の符号９参照）が発生するのを効率良く防止することができる。

なお、上記した往路切断工程及び復路切断工程におけるレーザ光Ｌ照射は切断予定線20の全区間（各区間60及び各区間70）を連続して行うものではないが、該復路切断工程におけるレーザ光Ｌ照射についてはこれを連続して行うようにしても差し支えない。
上述したように、切断予定線20の各区間60には、上記往路切断工程において、既に、往路切断部60ａが夫々形成されることにより切断された状態にある。従って、上記復路切断工程においては、未だ切断されていない切断予定線20の各区間70のみにレーザ光Ｌ照射を行って復路切断部70ａを夫々形成すればよい。
即ち、復路切断工程においては、切断されていない各区間70に対して間欠的なレーザ加工を行えばよいことになるが、例えば、切断予定線20の最終列目の区画30における終端側の位置30ｂから第一列目の区画31における始端側位置30ａまでの全区間に対してレーザ光Ｌを連続して照射するようにしてもよい（図５(2) 参照）。
この場合は、切断予定線20の各区間60は既に切断されているので、結局、切断予定線20の各区間70のみのレーザ加工が行われることになる。
また、上記復路切断工程においてレーザ光Ｌ照射を連続して行っても切断予定線20における各区間60のレーザ加工は行われない。従って、各区画30の中心位置Ｃを超えてレーザ加工を行うものではない。
このため、上述したような各区画30の中心位置Ｃを通過した位置に多量の加工飛散物80が衝突し或は付着してその表面を焼損若しくは傷損し易い部位（図７の符号９参照）が発生するようなことはない。

また、基板10の表面に設定した格子状の各切断予定線20に沿って上記した往路切断工程及び復路切断工程を行うことにより、該基板10における各区画30を各別に切断して分離することができる。

また、上記した往路切断工程及び復路切断工程における少なくともレーザ光Ｌ照射時とアシストガス90供給時に、加工飛散物排出手段54を介して、切断予定線20の部位（レーザ加工部位）から飛散した加工飛散物80をアシストガス90の流れに乗せて外部へ吸引して排出させることにより、加工飛散物80が透明樹脂レンズ体40に衝突或は付着して該透明樹脂レンズ体40を焼損若しくは傷損する作用を、より効率良く防止することができる。

なお、図２には、レーザによる熱加工時において溶けた物質が基板10の裏面に残留した状態を概略的に示している。
この基板裏面に付着する溶融残留物（ドロス）81は、レーザ光Ｌと同軸に流すアシストガス90（図１参照）の流量や圧力等を調節することによって、該基板裏面への付着を防止することが可能である。

本発明は、前述した実施例のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができる。
例えば、レーザ加工においては、所謂、ＣＷ発振（連続発振）によるＣＷレーザ加工、或は、パルス発振によるパルスレーザ加工のいずれを採用してもよい。

なお、本発明においては、図示はしていないが、被加工物Ｗ（基板）の下面（基板の非レンズ体形成面）側となる吸着テーブル51側に、空気を強制的に吸引排出する強制吸引排出手段を補助的に設けて構成することができる。
即ち、レーザ切断加工にて被加工物Ｗ（基板）に形成される区間60の往路切断部60ａ（長穴）内を、或いは、区間70の復路切断部70ａ（長穴）内を、基板10の上面側（基板の半導体デバイス封止体形成面側又はレーザ光の照射側）から基板の下面側（基板の非半導体デバイス封止体形成面側又はレーザ光の照射側とは反対側)に、空気を強制的に吸引排出することができる。このため、強制吸引排出手段にて、被加工物Ｗ（基板）の往路切断部60ａから、或いは、被加工物Ｗ（基板）の復路切断部70ａから、加工飛散物80を含むアシストガス90を基板の表面からその外部に排出することができる。

10 基板
10ａ 加工飛散物
20 切断予定線
30 区画
30ａ 始端側の位置
30ｂ 終端側の位置
31 第一列目の区画
32 第二列目の区画
40 透明樹脂レンズ体
50 レーザ加工部
51 吸着テーブル
51ａ 吸着パッド
52 レーザ光照射手段
53 アシストガス供給手段
54 加工飛散物排出手段
55 レーザ加工ヘッド
55ａ 開口部
55ｂ 吸引排出口
60 区間
60ａ 往路切断部
70 区間
70ａ 復路切断部
80 加工飛散物
81 溶融残留物
90 アシストガス
Ｃ 中心位置
Ｌ レーザ光
Ｓ 間隔
Ｗ 被加工物

Claims (4)

1. 基板の表面に格子状の切断予定線を設定し、前記切断予定線によって囲まれた複数の区画内に半導体素子を装着して、前記基板の表面から突出する封止体によって前記半導体素子を封止することにより形成される被加工物に対して、その前記切断予定線に沿ってレーザ光を照射することにより、前記基板を前記各区画毎に切断して分離することによって前記区画にそれぞれ対応する半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、
   前記基板の切断予定線に沿って前記複数の区画のうち第一列目の区画における始端側の位置から前記第一列目の区画の中心位置までレーザ光を照射して走査することによってこの切断予定線の区間を連続して切断し、前記第一列目の区画における中心位置から前記複数の区画のうち第二列目の区画における始端側の位置までレーザ光の照射を停止してこの切断予定線の区間を切断しないようにし、更に、最終列目の区画に至るまで前記切断予定線上におけるレーザ光の照射と停止とを繰り返すことにより、前記切断予定線におけるそれぞれの前記区間に沿って前記各列の区画における始端側の位置からその中心位置までレーザ光を照射して走査することによってこの切断予定線におけるそれぞれの前記区間を連続して切断する往路切断工程と、
   前記往路切断工程を経た前記切断予定線の前記最終列目の区画における終端側の位置から第一列目の区画におけるその中心位置まで、少なくともこの間における未切断個所に向かってレーザ光を照射して走査することによって前記未切断個所である前記切断予定線の各区間を連続して切断する復路切断工程と、
   前記往路切断工程及び前記復路切断工程における少なくとも前記基板の切断予定線へのレーザ光照射時において前記切断予定線の部位にアシストガスを吹き付けて供給するアシストガス吹付工程とを含み、
   前記往路切断工程及び前記復路切断工程において、前記レーザ光によって切断されることによって長さが伸長しつつある連続する穴からなる切断部を形成し、前記アシストガスと前記切断予定線の部位から発生した加工飛散物とが前記レーザ光が走査する方向とは逆方向に流動し、前記加工飛散物を含む前記アシストガスが前記切断部内を抜けてゆき、
   前記切断予定線を挟んで隣接する区画における前記基板の表面から突出する前記封止体の下端同士の間隔は、前記切断予定線における前記始端及び前記終端から前記中心位置に向かって移動するにつれて狭まり、
   更に、前記基板の各切断予定線に沿って前記往路切断工程を行い、次に、前記往路切断工程を経た前記切断予定線の前記復路切断工程を行うことによって前記基板における前記各区画を各別に切断して分離することによって前記半導体デバイスを製造する、半導体デバイスの製造方法。
2. 前記半導体素子が光半導体素子であり、
   前記半導体デバイスが、前記光半導体素子が透明樹脂レンズ体から成る封止体に封止成形された光半導体デバイスであることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
3. 前記アシストガス吹付工程時において、切断予定線の部位に吹き付けたアシストガス及び前記加工飛散物を外部へ吸引して排出する吸引排出工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
4. 前記往路切断工程において切断予定線に沿って形成される往路切断部内において、レーザ光の照射側からその反対側に空気を強制的に排出することにより、前記切断予定線の部位に吹き付けたアシストガス及び前記加工飛散物を排出する工程を行い、
   前記復路切断工程において切断予定線に沿って形成される復路切断部内を、レーザ光の照射側からその反対側に空気を強制的に排出することにより、前記切断予定線の部位に吹き付けたアシストガス及び前記加工飛散物を排出する工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。

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