JP6006406B2 - オブジェクトホルダ及びリソグラフィ装置 - Google Patents

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Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は２０１２年５月２９日出願の米国仮出願第６１／６５２，６０２号の利益を主張し、及び本出願は２０１２年１０月３日出願の米国仮出願第６１／７４４，７４０号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、オブジェクトホルダ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、連続してパターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
[0004] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかしながら、別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。
[0005] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
[0006] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体への障壁を形成することができ、それにより、流体閉じ込め構造などの障壁部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを支援することができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。
[0007] リソグラフィ装置における液浸液のハンドリングには、液体ハンドリングの１つ以上の問題が伴う。基板及び／センサなどのオブジェクトとオブジェクトの縁部の周囲のテーブル（例えば基板テーブル又は測定テーブル）との間には通常、ギャップが存在する。米国特許出願公開ＵＳ２００５−０２６４７７８号は、ギャップが液体供給システムの下を通過する際の気泡の含有を回避し、及び／又はギャップに浸入する液体を除去するために、そのギャップを材料で満たすか、又はギャップを意図的に液体で満たすため液体源又は低圧源を設けることを開示している。
[0008] 例えば、オブジェクトの縁部とオブジェクトが配置されるテーブルとの間のギャップから液体を除去することが望ましい。オブジェクトは、基板、センサ、閉鎖プレートなどでよい。
[0009] 一態様によれば、オブジェクトを支持するオブジェクトテーブルであって、オブジェクトを保持するオブジェクトホルダを備える支持体と、オブジェクトホルダの縁部に隣接する開口と、通路を経て開口と流体連通するチャネルであって、該チャネルが通路を画定する第２の材料とは異なる第１の材料によって画定されるチャネルとを備えるオブジェクトテーブルが提供される。
[0010] 一態様によれば、テーブルに囲まれたオブジェクト上に液体を供給するステップと、通路を経てチャネルと流体連通する開口を通してオブジェクトの縁部から液体を除去するステップであって、チャネルが通路を画定する第２の材料とは異なる第１の材料によって画定されるステップとを含む、液浸リソグラフィ装置の動作方法が提供される。
[0011] 一態様によれば、オブジェクトを保持するオブジェクトテーブルが設けられ、オブジェクトテーブルは、オブジェクトを保持するオブジェクトホルダを備える支持体と、オブジェクトホルダの縁部に隣接する開口と流体連通し、オブジェクトホルダの外縁部の少なくとも一部に沿って延在するチャネルと、チャネル内に液体を保持するチャネル内の液体保持部とを備え、液体保持部は、チャネル上の底面上に画定されるくぼみ部、又はチャネルの底面に存在する突起部又は要素を備える。
[0012] 一態様によれば、オブジェクトを支持するオブジェクトテーブルが設けられ、オブジェクトテーブルは、オブジェクトを保持するオブジェクトホルダを備える支持体と、オブジェクトホルダの縁部に隣接する開口と流体連通し、オブジェクトホルダの外縁部の少なくとも一部に沿って延在するチャネルと、チャネル内に液体を保持するチャネル内の液体保持部とを備え、液体保持部はチャネルが延伸する方向にチャネルに沿った液体の通過を少なくとも部分的に遮断する突起部又は要素を備える。
[0013] 一態様によれば、オブジェクトを支持するオブジェクトテーブルが設けられ、オブジェクトテーブルは、オブジェクトを保持するオブジェクトホルダを備える支持体と、オブジェクトホルダの縁部に隣接する開口と流体連通し、オブジェクトホルダの外縁部の少なくとも一部に沿って延在するチャネルと、チャネル内に液体を保持するチャネル内の液体保持部とを備え、液体保持部はチャネルの側壁上に画定されるくぼみ部、又はチャネルの側壁に存在する突起部又は要素を備える。
[0014] 一態様によれば、テーブルによって支持されるオブジェクト上に液体を供給するステップと、オブジェクトの縁部からオブジェクトの縁部の少なくとも一部に沿って延在するチャネルを通して液体を除去するステップであって、液体がテーブル内の熱調整流体通路からチャネルに供給されるステップとを含む、液浸リソグラフィ装置の動作方法が提供される。
[0015] 一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の動作方法であって、テーブルによって支持されるオブジェクト上に液体を供給するステップと、オブジェクトの縁部からオブジェクトの縁部の少なくとも一部に沿って延在するチャネルを通して液体を除去するステップであって、液体がチャネルの底面上に画定されたくぼみ部、又はそこに存在する突起部又は要素によって保持されるステップとを含む動作方法が提供される。
[0016] 一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の動作方法であって、テーブルによって支持されるオブジェクト上に液体を供給するステップと、オブジェクトの縁部からオブジェクトの縁部の少なくとも一部に沿って延在するチャネルを通して液体を除去するステップであって、液体が、チャネルが延伸する方向にチャネルに沿った液体の通過を少なくとも部分的に遮断する突起部又は要素によってチャネル内に保持されるステップとを含む動作方法が提供される。
[0017] 一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の動作方法であって、テーブルによって支持されるオブジェクト上に液体を供給するステップと、オブジェクトの縁部からオブジェクトの縁部の少なくとも一部に沿って延在するチャネルを通して液体を除去するステップであって、液体が、チャネルの側壁上に画定されたくぼみ部、又は側面に存在する突起部又は要素によってチャネル内に保持されるステップとを含む動作方法が提供される。
[0018] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0019]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0020]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示す。 [0020]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示す。 [0021]リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを示す。 [0022]リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0023]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0024]本発明のある実施形態の利点を示すグラフである。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。 [0025]ある実施形態の基板テーブルの一部の断面図を示す。
[0026] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコート基板）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って例えば基板Ｗなどのテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された１つ以上のセンサ又は基板テーブルＷＴを支持する例えばセンサテーブルなどの支持テーブルと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
[0027] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
[0028] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0029] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0030] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0031] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折型光学システム、反射型光学システム、反射屈折型光学システム、磁気型光学システム、電磁型光学システム及び静電型光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0032] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
[0033] リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又は、１つ又は複数のステージ若しくは１つ又は複数の支持体）、例えば、２つ以上の基板テーブル又は１つ又は複数の基板テーブルと１つ又は複数のセンサ若しくは測定テーブルの組合せを有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」機械では、複数のテーブルを並列に使用でき、あるいは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用しながら、１つ又は複数のテーブル上で準備ステップを実行することができる。リソグラフィ装置は、基板、センサ及び測定テーブルと同様に並列に使用できる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又は、１つ又は複数のステージ若しくは１つ又は複数の支持体）を有していてもよい。
[0034] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0035] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
[0036] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0037] 図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0038] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0039] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作（及び露光フィールドのサイズ）の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
[0040] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0041] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0042] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、３つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、浴槽タイプの構成、いわゆる局所液浸システムと、オールウェット液浸システムである。浴槽タイプの構成では、実質的に基板Ｗの全体と、任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体の浴槽に浸される。
[0043] 局所液浸システムは、液体が基板の局所区域にのみ提供される液体供給システムを使用する。液体によって充填された空間は、基板の上面より平面視で小さく、液体によって充填される容積は、その容積の下を基板Ｗが移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止している。図２〜図５は、そのようなシステムで使用することができる異なった供給デバイスを示す。液体を局所区域に封止する封止フィーチャが存在する。提案されているこれを配置する方法の１つが、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。
[0044] オールウェット構成では、液体は閉じ込められない。基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。液浸液は、投影システムと投影システムに対向する対向面（そのような対向面は基板及び／又は基板テーブルの表面であってもよい）に、又はその領域内に供給することができる。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかしながら、封止フィーチャが存在しないか、活性化されていないか、通常より効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所区域にのみ封止する効果がない場合がある。
[0045] 図２及び図３に図示されているように、液体は、少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を有する４組の入口が最終要素の周囲に規則的パターンで設けられる。液体のフローの方向は、図２及び図３に矢印で示されていることに留意されたい。
[0046] 局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィの別の解決法が図４に示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。流体のフローの方向と基板の方向は図４に矢印で示されていることに留意されたい。
[0047] 提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板又は基板テーブルあるいはその両方との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図５に示す。
[0048] 図５は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造ＩＨを有する局所的液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを概略的に示している。（以下の文面で基板Ｗの表面と言及する場合は、別途明確に記載されない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も指すことに留意されたい。）ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの表面との間にシールが形成され、これは（欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示のガスシールによるシステムなど）ガスシールなどの非接触シール、又は液体シールでよい。
[0049] 液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を含んでいる。空間１１は少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終要素の下に、これを囲んで位置する液体閉じ込め構造ＩＨによって形成される。液体は液体入口１３によって投影システムＰＳの下の、液体閉じ込め構造ＩＨ内の空間に供給される。液体は液体出口１３によって排出されてもよい。
[0050] 使用中に、障壁部材ＩＨの底面と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって液体が空間１１内に閉じ込められてもよい。ガスシール内のガスは、加圧されて入口１５を介して障壁部材ＩＨと基板Ｗとの間のギャップに提供される。ガスは出口１４を介して抽出される。ガス入口１５での過圧、出口１４での真空レベル、及びギャップの形状は、液体を閉じ込める内側への高速度のガスのフロー１６が生じるように構成される。障壁部材ＩＨと基板Ｗとの間で液体に加わるガスの力が液体を空間１１内に閉じ込める。このようなシステムは、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨはガスシールを有していない。
[0051] 本発明のある実施形態は、例えば参照により全内容が全体として本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１５８６２７号、ＵＳ２００６−００３８９６８号、ＵＳ２００８−０２１２０４６号、ＵＳ２００９−０２７９０６０号、ＵＳ２００９−０２７９０６２号、ＵＳ２００４−０２０７８２４号、ＵＳ２０１０−０３１３９７４号、及びＵＳ２０１２−０１２０３７６号に開示されているような流体ハンドリング構造を含むどの流体ハンドリング構造にも適用し得る。
[0052] コントローラ５００は、リソグラフィ装置の全体的動作を制御し、特に以下でさらに説明する動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央処理装置、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボード及び画面のような１つ以上の入出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続、及びリソグラフィ装置の様々な部品との１つ以上のインターフェイスを備えた適切にプログラムされた汎用コンピュータとして実施することができる。制御するコンピュータとリソグラフィ装置との間に１対１の関係は必要ないことが理解される。本発明のある実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明のある実施形態では、ネットワークで接続した複数のコンピュータを使用して、１つのリソグラフィ装置を制御することができる。コントローラ５００は、リソグラフィ装置が一部を形成するリソセル又はクラスタ内で１つ以上の関連するプロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成することもできる。コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム及び／又は工場の全体的な制御システムに従属するように構成することもできる。ある実施形態では、コントローラは本発明のある実施形態を実施する装置を動作させる。ある実施形態では、コントローラ５００は、本明細書に記載のステップ１の結果を後にステップ２で用いるために記憶するメモリを有している。
[0053] 局所区域の液体供給システムでは、基板Ｗは投影システムＰＬ及び液体供給システムの下で移動する。例えば、基板Ｗの縁部が結像される場合、又は基板テーブル（又は測定テーブル）上のセンサを結像する場合、又は基板テーブルを移動して、ダミーの基板、すなわちいわゆる閉鎖プレートを液体供給システムの下に配置して、例えば基板交換を可能にする場合は、基板Ｗ（又はその他のオブジェクト）は空間１１の下を通過する。液体が基板Ｗと基板テーブルＷＴとのギャップ内に漏れることがある。この液体は、静水圧、又は動水圧下に、又はガスナイフ又はその他のガスフロー生成デバイスに押し込まれる。
[0054] 本発明の１つ以上の実施形態を基板Ｗの縁部の周囲にドレンを設けることに関連して以下に記載するが、１つ以上の実施形態は、例えば基板交換中に液体供給システムの底面に取り付けることによって液体供給システム内に液体を維持する閉鎖プレート、及び／又は基板テーブル又は測定テーブル上のセンサなどを含む、テーブル上に載置されるか、又は支持される１つ以上のその他のオブジェクトにも同様に適用されるが、それに限定されない。したがって、以下の基板Ｗへの言及は、センサ又は閉鎖プレートなどのその他のいずれかのオブジェクトと同義であると見なされたい。以下での基板テーブルＷＴへの言及は、測定テーブルなどのその他のいずれかのテーブルと同義であると見なされたい。
[0055] 図６は、本発明のある実施形態を示している。図６は、基板テーブルＷＴと基板Ｗの断面図である。基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部との間にはギャップ５が存在する。基板Ｗの縁部が結像される際、又は基板Ｗが（上述のように）最初に投影システムＰＳの下を移動する場合などのその他の時間に、（例えば）液体供給システムＩＨによって液体で満たされる空間１１は、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部とのギャップ５を少なくとも部分的に通り越す。その結果、空間１１からの液体はギャップ５に流入する。
[0056] 基板Ｗは、１つ以上の突起部３２（バール）を設けた基板ホルダ３０（例えばピンプル又はバールテーブル）によって保持される。基板ホルダ３０によって基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に加えられる負圧は、基板Ｗが確実に適所にしっかりと保持されるのを支援する。しかしながら、液体が基板Ｗと基板ホルダ３０との間に達すると、特に基板Ｗを取外す際に困難が生じることがある。
[0057] ギャップ５に浸入する液体に対処するため、ギャップ５に浸入した液体を除去する少なくとも１つのドレン１０、２０が基板Ｗの縁部に設けられる。図６の実施形態では、２つのドレン１０、２０が示されているが、１つだけのドレンでもよく、又は２つ以上のドレンがあってもよい。ある実施形態では、各ドレン１０、２０は、基板Ｗの周囲全体が囲まれるように環状である。
[0058] 第１のドレン１０（基板Ｗ／基板ホルダ３０の縁部の半径方向外側にある）は、気泡が液体供給システムＩＨの液体１１から入り込むことを防止するのを支援する。このような気泡は基板Ｗの結像に悪影響を及ぼすことがある。第１のドレン１０は、ギャップ５内のガスが液体ハンドリング構造ＩＨ内の液リザーバ１１内に漏れることを防止するのを支援するためにある。ガスが液リザーバ１１内に漏れると、リザーバ１１内に気泡が浮遊することがある。このような気泡が投影ビームの経路内にあると、結像誤差を生じることがある。第１のドレン１０は、基板Ｗの縁部と、基板Ｗが位置する基板テーブルＷＴ内の凹部の縁部との間のギャップ５からガスを除去するように構成されている。基板テーブルＷＴ内の凹部の縁部は、基板テーブルＷＴの支持体１００とは離間したカバーリング１３０によって画定されてもよい。カバーリング１３０は、平面図で見てリングの形状でよく、基板Ｗの外縁部を囲む。第１のドレン１０は、ほとんどのガス（すなわち毎分２０から１００ノルマルリットル（ＮＬ／分）と、少量の液浸液（すなわち約１０〜２０ｍＬ／分）を抽出する。このような二相フローで、液浸液は蒸発し、それにより基板Ｗの縁部を囲む基板テーブルＷＴを冷却する。その結果、基板Ｗが変形し、最終的にはオーバーレイ性能の低下を生じることがある。
[0059] 第２のドレン２０（基板Ｗ／基板ホルダ３０の縁部の半径方向内側にある）は、ギャップ５から基板Ｗの下を通る液体が、結像後に基板Ｗが基板テーブルＷＴから効率的に解放されることを妨げられるのを防止するのを支援するために設けられる。第２のドレン２０を設けることによって、液体が基板Ｗの下を流れることにより生じることがあるいずれかの問題を軽減し、又は取り除く。
[0060] 第１及び第２のドレン１０、２０は両方とも負圧によって液体を除去する。すなわち、両方のドレンは１つ以上の出口（図示せず）を介して負圧源に接続されている。負圧源はそれぞれのドレン１０、２０に流入する液体を効率的に除去する。しかしながら、負圧源は、基板テーブルＷＴの上のギャップ５の外側から（又は、第２のドレン２０の場合は基板ホルダ３０からも）それぞれのドレン１０、２０を通ってガスを引き込み、又は出口を通ってガスを引き抜くにも有効である。この液体とガスのフローは液浸装置の動作中にドレン１０、２０の周囲で一定、又は均一ではない。液体がギャップ５に流入する機会がある場合に、出口だけを負圧源に接続する１つ以上の手段を講じてもよいが、ドレン１０、２０を通るガス及び／又は液体の量が変化するため、基板テーブルＷＴにガスと液体の不均一な熱負荷がかかる恐れが依然としてある。ガス及び液体のこれらの時間的及び／又は位置的な不均一なフローによりドレン１０、２０内の液体の蒸発速度が異なり、そのため基板バッチの露光中にドレン１０、２０によって生じる熱損失が変動する。その理由は基板テーブルＷＴが、基板Ｗの縁部が露光ルーティングに依存するある時間帯に空間１１の下にあるようにのみ位置決めされるからである。したがって、基板バッチの最初の基板の場合、蒸発負荷は後続の基板の場合とは異なる基板周囲の位置にある（その理由は、最初の基板の場合は、不均一な蒸発負荷がセットアップされる間に先行の基板が投影システムＰＳの下を移動していないからである）。さらに、新たなバッチの開始時のトラックからの基板給送の時間遅延により、ドレン１０、２０の乾燥で蒸発負荷の変化（及びそれにより蒸発の低減）が生じる。熱負荷が実質的に一定である場合でも、結果として基板テーブルＷＴの均一な温度を確保するのを支援することが困難なことがある。
[0061] 各ドレンの構造上の細部を以下に詳細に記載する。しかしながら、本明細書の原理は、液浸装置を使用することによってこれを通って流れる液体及び／又はガスのフローが提供され、それによって特に変化する蒸発量を、それにより変化する熱負荷を生じることがあるどのタイプのドレンをも液浸装置に適用できることを理解されたい。
[0062] 基板テーブルＷＴは、支持体１００を備える。ある実施形態では、ある（例えば所定の）温度及び／又は均一性に支持体１００の温度を保持するのを支援するため、熱調整液が通過するための少なくとも１つのチャネル１２０が設けられる。第１及び第２のドレン１０、２０には、各々、開口１２、２２とチャネル１６、２６とが設けられる。チャネル１６、２６は、通路１４、２４を経てそれぞれの開口１２、２２と流体連通している。開口１２、２２を基板Ｗの縁部の周囲の１つ以上の別個の位置に設けてもよく、平面図で見てスリット、又は円形の開口、又はその他の任意の形状でもよい。ある実施形態では、例えば別個の３つの開口が基板Ｗの縁部の周辺に設けられる。開口１２、２２は基板Ｗの周囲の、例えば直径２ｍｍｎ小さい開口であってもよい。
[0063] 熱負荷は、例えば、疎水性のコーティング及び／又は第１のドレン１０の周囲に配置されたヒータなどを使用して緩和してもよい。しかしながら、このような措置はオーバーレイエラー（以前に形成されたパターンに対する後で形成されたパターンの位置の誤差）を十分に除去し、又は許容差内で最小限にすることができないことがある。
[0064] 本発明のある実施形態は、以下に記載の実施形態では第１のドレン１０に適用されるものとして図示される。しかしながら、本発明のある実施形態は、第２のドレン２０、又は第１のドレン１０と第２のドレン２０の両方にも同様に適用することができる。
[0065] 第１のドレン１０内の液体蒸発の９０％以上が通路１４内ではなくチャネル１６内で行われてもよい。チャネル１６内の大きい熱負荷によって、最良の収縮が生じ、それによって支持体１００を変形させ、基板Ｗの変形を引き起こすことがある。さらに、チャネル１６内に加わる冷却熱負荷が、支持体１００の中央部を冷却し、これも基板Ｗの変形を引き起こすことがある。本発明のある実施形態では、上記問題点は、通路１４を画定する第２の材料とは異なる第１の材料でチャネルを画定することによって軽減し、又は除去される。ある実施形態では、使用時に、通路１４を画定するために使用される材料と同じ材料がチャネル１６を画定するために使用される場合よりも低い熱負荷及び／又は低い熱変形負荷が支持体１００に加わるように、第１のドレン１０のチャネル１６を画定するために異なる材料が使用される。
[0066] したがって、ある実施形態では、ドレンのチャネルが基板テーブルの残りの部分とは異なる材料から製造されること以外は、従来の基板テーブルを使用してもよい。
[0067] ある実施形態では、図６を参照すると、チャネル１６の側壁及び底面を画定する部材１６０は、通路１４を画定する第２の材料とは異なる第１の材料から製造されている。図６の実施形態では、通路は基板テーブルＷＴの支持体１００の材料と同じ第２の材料によって画定される。
[0068] ある実施形態では、支持体１００の材料（及び通路１４を画定する材料）は、シリコナイズ処理した炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）、炭化ケイ素、石英、又は窒化アルミニウムである。このような材料の熱膨張率は１〜６×１０−６／Ｋであり、熱伝導率は約５０〜５００Ｗ／ｍＫである。
[0069] ある実施形態では、要素１６０の材料は、例えば自重による湾曲を避けるための支持体を必要としない自己支持型構造要素などの構造要素である。すなわち、ある実施形態では、第１の材料はコーティングではない。ある実施形態では、第１の材料は基板テーブルＷＴの構造要素によって支持されず、実質的に撓みなく自己支持できるような材料と設計のものである。
[0070] ある実施形態では、要素１６０の第１の材料の熱膨張率は第２の材料とは異なっている。例えば、第１の材料の熱膨張率は、第２の材料の熱膨張率とは少なくとも一桁低い。ある実施形態では、第１の材料の熱膨張率は１×１０−６／Ｋ以下である。ある実施形態では、第１の材料の熱膨張率は０．５×１０−６／Ｋ以下、又は０．２５×１０−６／Ｋ以下である。ある実施形態では、第１の材料の熱膨張率は１０〜１００×１０−９／Ｋの範囲である。第１の材料の熱膨張率が低いことは、チャネル１６に加わる熱負荷が要素１６０の大幅な膨張／収縮を生じないことを意味している。したがって、熱変形は実質的に支持体１００に伝達されない。ある実施形態では、要素１６０は、ガラスセラミックである第１の材料製である。特定のタイプのガラスセラミックは、ショットガラステクノロジー社から市販されているＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）などのアルミノケイ酸ガラスセラミックである。このような材料の熱膨張率は２５℃で３０×１０−９／Ｋであり、熱伝導率は１．５Ｗ／ｍＫである。ある実施形態では、要素１６０は２５℃での熱伝導率が約１．７×１０−６／Ｋであり、熱伝導率が約３．０Ｗ／ｍＫであるコーディエライトから製造される。
[0071] 代替の又は追加の実施形態では、要素１６０は、剛性が（例えばヤング率が１００×１０９Ｐａ以下、５０×１０９Ｐａ以下、又は１０×１０９Ｐａ以下の）極めて低い材料から製造される。ある実施形態では、要素１６０の材料は、支持体１００への熱伝達を低減し、又は最小限にする低い熱伝導率を有している。例えば、熱伝導率は図１４を参照して以下に記載する範囲内でよい。
[0072] 図６の実施形態では、ヒータ１８０が通路１４に隣接して備えられ、第２の材料に結合され（例えば取り付けられ）ている。ヒータ１８０は基板テーブルＷＴに熱負荷をかけ、第１のドレン１０内の蒸発による熱負荷を補償するために使用される。コントローラ５００の制御下によるものでよいヒータ１８０の制御を補助するために温度センサ１９０が備えられる。ヒータ１８０の位置は、有利にはいずれかの熱負荷を補償して、要素１６０と支持体１００との間の温度差をさらに低減する手段を提供する。ヒータ１８０は例えば、温度センサ１９０からの信号に基づいてフィードバック式に駆動されてもよい。ヒータ１８０は通路１４の半径方向外側にある。ヒータ１８０はチャネル１６の半径方向内側にある。ヒータ１８０はチャネル１６の上方にある。温度センサ１９０はチャネル１６の半径方向内側にある。温度センサ１９０はチャネル１６の下にある。ある実施形態では、２つのヒータ１８０があってもよい。ある実施形態では、１つ又は複数のヒータ１８０は、薄膜ヒータの形態でもよい。このようなヒータは、熱負荷をより良好に熱補償し、わずかな容積しか占めないことが有利なことがある。ある実施形態では、ヒータは第１の材料に設けられたギャップ１４０内に配置され、及び／又はヒータは第２の材料に設けられたギャップ１４０内に配置される。
[0073] ある実施形態では、要素１６０は支持体１００から機械的に離脱される。これは、第１の材料と第２の材料との間に接着層１７０を設けて、要素１６０を第２の材料に接着することによって達成可能である。接着層１７０はチャネル１６の上方にある。接着層１７０の利点は、熱伝導率が低く、したがって熱障壁として機能する可能性があることである。さらに、接着剤のヤング率が低いため、支持体１００の熱膨張又は収縮は実質的に要素１６０に伝達されない。図１１〜図１３の場合は、接着層１７０を使用することの利点は、要素１６０の熱変形が実質的に支持体１００に伝達されないことである。ある実施形態では、接着層のヤング率は１０×１０９Ｐａであり、熱膨張率は１０Ｗ／ｍＫ以下、５Ｗ／ｍＫ以下、又は２Ｗ／ｍＫ以下である。ある実施形態では、接着層１７０はヤング率が２×１０９Ｐａで、熱膨張率が０．２２Ｗ／ｍＫであるアラルダイトである。
[0074] ある実施形態では、要素１６０は、例えば陽極接合によって接着剤なしで支持体１００に接合される。
[0075] ある実施形態では、第１の材料製の要素１６０と支持体１００との間にギャップ１４０が設けられる。ギャップ１４０はチャネル１６の半径方向内側にある。ギャップには絶縁材料が充填されてもよく、又はガス又は真空で満たされるように開放されたままでもよい。ギャップ１４０は、第１の材料製の要素１６０を支持体１００から機械的及び／又は熱的に絶縁する役割を果たす。ある実施形態では、ギャップ１４０の幅は少なくとも０．２ｍｍである。ある実施形態では、ギャップ１４０の幅は少なくとも０．５ｍｍである。
[0076] 図７の実施形態は、ヒータ１８０及び温度センサ１９０の位置が第１の材料製の要素１６０上に位置する（例えば結合される）ように変更されたこと以外は図６の実施形態と同一である。図７の実施形態では、ヒータ１８０はチャネル１６と同じレベルにある。温度センサ１９０はチャネル１６の下にありチャネル１６の半径方向内側にある。図７の実施形態では、図６の実施形態と比較してヒータ１８０の位置を下げることで、要素１６０が冷却される結果、支持体１００の熱的外乱を低減し得る。
[0077] 図８は、以下に記載すること以外は図６と同一である。図８の実施形態では、ヒータ１８０はチャネル１６の半径方向内側に支持体１００上に位置している。したがって、これによって、チャネル１６内の蒸発による有害な熱負荷が支持体１００に作用する位置でヒータ１８０によって加えられる熱負荷を補償することが可能になる。センサ１９０は支持体１００内に位置している。これは、支持体１００の熱的な均一性／一貫性が望ましいため有利である。ある実施形態では、センサ１９０は第２のドレン２０のチャネル２６の下に位置している。図８の実施形態は、支持体１００上の熱負荷を軽減し、またヒータ１８０とセンサ１９０とを備える熱制御システムが確実に支持体１００の温度を制御するのを補助する上でより効果的であろう。
[0078] 図９の実施形態は、以下に記載すること以外は図６と同一である。図９の実施形態では、要素１６０は断面がＵ形ではなくＬ形である。したがって、要素１６０と第１の材料とがチャネル１６の内壁と下壁とを画定する。第２の材料は通路１４の半径方向外側に下方に延在し、チャネル１６の半径方向外側の壁を画定する。これは図６の実施形態よりも容易に製造できるため有利であろう。ある実施形態では、ヒータ１８０はチャネル１６と同じレベルでチャネル１６の半径方向外側に位置している。ヒータ１８０は、チャネル１６の半径方向外側部分を画定する第２の材料上に位置している。
[0079] 図１０の実施形態は、以下に記載すること以外は図９と同一である。図１０の実施形態では、チャネル１６の底面も第２の材料によって画定される。したがって、要素１６０の第１の材料はチャネル１６の半径方向内側の壁だけを画定する。この実施形態では、温度センサ１９０はチャネル１６の下に位置し、第２の材料と結合されている。図１０の実施形態は製造が最も簡単である上になお、チャネル１６内の熱負荷により支持体１００の機械的及び熱的外乱を飛躍的に低減する。
[0080] 図６〜図１０の実施形態では、チャネル１６が実質的に熱変形しないため、チャネル１６は蒸発による大きい冷却負荷を受けることが許容される。その結果、機械的変形は実質的に支持体１００に伝達されない。それに加え、第１の材料１６０の熱伝導率が比較的低い場合（例えば１０Ｗ／ｍＫ以下、又は５Ｗ／ｍＫ以下、又はさらには（１．５Ｗ／ｍＫ以下である）Ｚｅｒｏｄｕｒのように）２Ｗ／ｍＫ以下である場合は、支持体１００の熱的外乱が最小限になり、これはヒータ１８０によって補償可能である。さらに、ギャップ１４０及び接着層１７０は支持体１００への熱伝達を低減する。
[0081] 図６〜図１０のすべての実施形態は、基板テーブルＷＴ上で現行の設計以外の空間を用いないことが有利である。さらに、基板テーブルのわずかな部分しか変更されないため、古い基板テーブルを改造して本発明のある実施形態を組み込むことができる。
[0082] 図１１の実施形態は、以下に記載すること以外は図６の実施形態と同一である。図１１では、チャネル１６を画定する要素１６０は、熱伝導率が第２の材料とは異なる材料から製造される。第１の材料製の要素１６０の熱伝導率は第２の材料の熱伝導率よりも高い。このようにして、基板Ｗの周囲全体を囲む要素１６０の温度の均一性を保つことができる。したがって、要素１６０の数ケルビンの温度の非均一性を引き起こす局所熱負荷を不均一に分配することができる。したがって、図１１の実施形態では、支持体１００と比較した要素１６０の温度低下を許容し、（且つギャップ１４０、接着層１７０、及びヒータ／温度センサ１８０／１９０を使用することによって緩和する）ことができる。
[0083] ある実施形態では、第１の材料の熱伝導率は少なくとも５００Ｗ／ｍＫである。ある実施形態では、第１の材料の熱伝導率は少なくとも８００Ｗ／ｍＫ、又は少なくとも１０００Ｗ／ｍＫである。ある実施形態では、要素１６０を製造する第１の材料の熱伝導率は第２の材料の熱伝導率よりも少なくとも一桁高い。第２の材料の熱伝導率は通常は約１００Ｗ／ｍＫであるのに対して、要素１６０の第１の材料１０００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することができる。材料の一例は、熱伝導率が１０００Ｗ／ｍＫである熱分解グラファイト、又は熱伝導率が約２０００Ｗ／ｍＫである工業用ダイアモンドである。
[0084] 熱伝導率が高い第１の材料の付加的な利点は、ヒータ１８０を要素１６０の底面に移動し、第１の材料と結合し得ることにある。これは、チャネル１６の底面に側面と比較してより多くの空間があるためである。温度センサ１９０も、温度が最も重要なチャネル１６の半径方向内側に配置することができる。
[0085] 図１２の実施形態は、以下に記載すること以外は図１１の実施形態と同一である。図１２の実施形態では、熱絶縁のために接着層１７０及びギャップ１４０に完全に依存するのではなく、第１の材料の要素１６０の上方及び／又は半径方向内側に別の要素１６５を配置してもよい。別の要素１６５を、（要素１６０の）第１の材料と（支持体１００の）第２の材料との間の熱障壁であると見なすことができる。ある実施形態では、別の要素１６５は要素１６０及び／又は支持体１００に接着される。ある実施形態では、別の要素１６５は支持体１００に陽極接合される。
[0086] ある実施形態では、別の要素１６５の材料は、液体との相互作用の可能性が低いように選択される。それによって、液体と接着層１７０との相互作用の潜在的な困難さが軽減される。例えば、第２の要素１６５の材料は、低い熱伝導率及び／又は低い熱膨張率を有してもよい。このような材料の１つは、Ｚｅｒｏｄｕｒなどのアルミノケイ酸ガラスセラミックである。可能な別の材料は、マグネシウム、鉄、アルミニウム、シクロケイ酸塩であるコーディエライトである。
[0087] 別の要素１６５の厚さは、材料の熱伝導率が接着剤又はガスよりも高い可能性があるため、図１１の対応する接着層１７０及びギャップ１４０の熱伝導率よりも高いことが必要であろう。この潜在的な困難さは、以下に記載すること以外は図１２と同一である図１３の実施形態によって部分的に軽減される。図１３の実施形態では、別の要素１６５に置き換えられるのは図１１の接着層１７０だけである。図１１のギャップ１４０は保持される。その結果、図１３の実施形態が基板テーブルＷＴに占める容積は図１２の実施形態よりも小さくてよい。
[0088] 別の要素１６５の材料は、通路１４を画定する支持体１００の材料とは異なるため第１の材料であると見なすことができる。別の要素１６５を有する図１２及び図１３の実施形態は、別の要素１６５の熱伝導率が低く、別の要素１６５がチャネル１６の少なくとも一部を画定することで図６〜図１０の実施形態と同様であると見なすことができる。図１２の実施形態では、別の要素１６５はチャネル１６の上面及び半径方向内側の壁を画定する。図１３の実施形態では、別の要素１６５はチャネル１６の上面だけを画定する。
[0089] 図６〜図１３に示す実施形態では、要素１６０は自己支持構造要素として記載されている。しかしながら、必ずしもそうでなくてもよく、要素１６０はその代りに、第１の材料をコーディングした第１の材料以外の材料の要素でもよい。ある実施形態では、第１の材料は構造要素１６０によって支持される。その実施形態では、構造要素１６０は、支持体１００と同一、又は同様の材料でよい。図１４の実施形態は、この着想を用いている。第１の材料はコーティングではないが、これは自己支持型ではなく（すなわち、自重で大幅に変形し）、構造要素によって支持される。構造要素は支持体１００と同じ材料製でよい。
[0090] 図１４の実施形態は、以下に記載すること以外は図６の実施形態と同一である。図１４には、第１のドレン１０の細部だけが示されている。しかしながら、その他のすべての実施形態と同様に、第２のドレン２０があってもよく、この実施形態又はその他のいずれかの実施形態のように、第１のドレン１０と同じ設計でもよく、そうでなくてもよい。ある実施形態では、要素１６０は遮熱材であり、支持体１００の材料とは異なる材料から製造される。ある実施形態では、要素１６０の第１の材料の熱伝導率は第２の材料の熱伝導率よりも少なくとも一桁低い。ある実施形態では、第１の材料の熱伝導率は第２の材料の熱伝導率よりも少なくとも二桁低い。ある実施形態では、要素１６０の第１の材料の熱伝導率は１０Ｗ／ｍＫ以下であり、又は５Ｗ／ｍＫ以下である。ある実施形態では、第１の材料の熱伝導率は２Ｗ／ｍＫ以下である。ある実施形態では、第１の材料の熱伝導率は１Ｗ／ｍＫ以下である。第１の材料はガラス又はポリマーでよい。ある実施形態では、第１の材料はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。ある実施形態では、第１の材料は高密度ポリウレタン（ＨＤＰＥ）である。ある実施形態では、第１の材料はポリプロピレン（ＰＰ）である。ある実施形態では、第１の材料は塩化ポリビニル（ＰＶＣ）である。ある実施形態では、第１の材料はゴムである。ある実施形態では、第１の材料はコルクである。ガラスの熱伝導率は２５℃で１．０５Ｗ／ｍＫである。ＰＴＦＥの熱伝導率は２５℃で０．２５Ｗ／ｍＫである。ＨＤＰＥの熱伝導率は２５℃で０．４５Ｗ／ｍＫである。ＰＰの熱伝導率は２５℃で０．１５Ｗ／ｍＫである。ＰＶＣの熱伝導率は２５℃で０．１９Ｗ／ｍＫである。ゴムの熱伝導率は２５℃で０．１３Ｗ／ｍＫである。コルクの熱伝導率は２５℃で０．０７Ｗ／ｍＫである。これは、支持体１００を製造するタイプの材料の１００Ｗ／ｍＫの熱伝導率に匹敵する。したがって、チャネル１６は熱伝導率が低い材料で支持体１００から局所的に隔離される。図１５の結果が示すように、ＰＴＦＥ要素１６０の厚さが０．５ｍｍの場合、全体で約５０％の熱負荷の改善を達成できる。
[0091] 図１４の実施形態では、要素１６０は例えば、自己支持型ではなく、（例えば支持体１００内に形成されたチャネルの表面上に支持される）第２の材料によって支持される例えばパイプなどのインサートの形態を取っている。ある実施形態では、要素１６０は、例えばガラスコーティングなどのコーティングの形態を取ってもよい。ある実施形態では、要素１６０は支持体１００内に形成されたチャネル内に挿入されるパイプの形態でもよい。ある実施形態では、第１の要素１６０は上述のように図６〜図１３のどの形態を取ってもよい。
[0092] 要素１６０の熱伝導率が低い場合、熱が実質的に冷液へと伝導されないためチャネル１６内の液体の温度が低くなる。これによって有利に蒸気圧が低くなり（及びそれにより蒸発が少なくなる）。それに加え、所定量の液体の除去によって、（液体の温度がより低いため）除熱が高まる。熱振動における時定数が大きくなるため、遮熱要素１６０は低域フィルタとして機能する。さらに、特に第１の要素がＰＴＦＥ製である場合は、（例えば疎水性の）この要素と液体との接触角が大きくなり、その結果、チャネル１６内の液体の滞留時間が少なくなる。ヒータ１８０及び／又はセンサ１９０を図１４の実施形態と共に使用してもよい。しかしながら、支持体１００にかかる熱負荷が低いため、力率が低いヒータ１８０で十分であろう。
[0093] 別の改良形態が図１４に示されている。別の改良は、その他のどの実施形態に行ってもよい。別の改良は、第１のドレン１０だけ、第２のドレン２０だけ、又は第１及び第２のドレン１０、２０の両方に行ってもよい。改良は、内容全体が参照として本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００８／０２９７７４４号に記載の改良と同一である。基板テーブルＷＴの位置に関わりなく第２の液体をドレン１０、２０に能動的に供給するように構成された液体供給デバイスが備えられる。（チャネル１６を経た）第２の液体の供給によって、ドレン１０、２０内での蒸発量を低減することができる。これが達成される方法は２つの別個の態様で見ることができる。第１に、そうしなければ蒸発を引き起こす筈のガスが液体供給デバイスＩＨによって用いられるものと同じ（タイプの）液体で確実に飽和、又はほぼ飽和するのを支援して、液体を通過するこのガスが大幅な蒸発を引き起こさないようにするものと見なすことができる。第２に、ドレン１０、２０を通る（液浸）液の連続的なフローを提供することによって、経時と共に熱負荷を一定にするものと見なすことができる。
[0094] 本明細書の原理を、液浸装置を使用することによって、これを通る液体及び／又はガスの可変的なフローがもたらされる液浸装置内の任意のタイプのドレンにも適用でき、これにより蒸発量が変化し熱負荷が変化することを理解されたい。また、上記の機能を達成する限り、また、装置の別のコンポーネントと有害な相互作用を起こさない限り、ドレンに液体を供給する手段、又はドレン内でガスを飽和させる手段を任意の位置に備えることができることを理解されたい。
[0095] 液体チャネル２００にはチャネル１６への入口が設けられる。この液体チャネル２００は、図示のように液体の噴霧を提供することができ、又は液体の連続的なフロー、又はその間のいずれか（例えば一定の液滴の滴下）を提供することができる。そのようにして、それぞれのチャネル内のガスを飽和（又はほぼ飽和）させることができ、又は各チャネルを通る連続的な液体のフローが提供される。
[0096] チャネル１６、２６の一方だけに液体チャネル２００を設けることができ、又は代替的に又は追加的に、通路１４、２４、又はさらにはギャップ５内に液体入口を設けることができよう。ギャップ５内に液体チャネルが設けられる場合は、第１及び第２のドレン１０、２０の両方用に１つの液体入口で十分であろう。本明細書で単一の液体チャネルが言及される場合、それは断面で見た単一の液体チャネルを意味する。もちろん、液体チャネル２００を連続的な（環状の）溝として設けることができ、又はドレンの周囲を囲む別個の入口として設けることができよう。
[0097] 図１５は、ｙ軸上の支持体１００への流束変動とｘ軸に沿った流量との対比を示す実験又はシミュレーションの結果を示している。３つのドレンが比較された。１つのドレンはシリコナイズ処理した炭化ケイ素によって画定された遮熱されていないチャネル１６を有し（直交断面）、他のドレンは図１４に示されている厚さ０．９ｍｍのＰＴＦＥの挿入以外は同じチャネル１６を有し（横／縦断面）、もう１つのドレンはＰＴＦＥ管を有し、ドレン１０の周囲の１／１０あたりの流量が約１０ｍＬの水がチャネル２００を通って付与される（星形）。図１５に示されるように、非遮熱チャネルが支持体１００に最大の流束を付与し、その後に遮熱チャネルが続く。最良の性能を発揮するのは遮熱チャネルとチャネル２００を通って供給される水との組合せである。
[0098] いずれの実施形態でも、第１の材料にコーティングを施してもよい。このような実施形態では、第１の材料はチャネル１６の実際の表面を画定しない。コーティングは例えば、蒸発による熱負荷を低減するのを支援する疎水性コーティングである。付加的にコーティングを通路１４の表面に施して、第２の材料が通路１４の実際の表面を画定せず、その一般的な形状だけを画定するようにしてもよい。
[0099] 任意の実施形態のフィーチャを別の実施形態のフィーチャと組み合わせてもよい。例えば、図１４の実施形態を図６〜図１３の任意の実施形態と組み合わせることができる。さらに、図１４に示すようなチャネル内のインサートを含めて、又は含めずに図６〜図１０と図１１〜図１３の実施形態（例えば、高熱伝導率及び低熱膨張率）を組む合わせることができよう。任意の実施形態を図１４の液体チャネル２００／液体供給デバイスと組み合わせてもよい。
[00100] 図１６〜図２６は、別の実施形態を断面図で示している。これらの図では、第１のドレン１０の細部だけが示されている。しかしながら、その他のすべての実施形態と同様に、第２のドレン２０があってもよく、第１のドレン及び／又は第２のドレンを第１のドレン１０について記載した態様で設計してもよい。記載するその他のドレンは別のどの実施形態と同様でもよく、又は本明細書に記載したもの以外でもよく、又は存在しなくてもよい。
[00101] 図１６〜図２６の実施形態は、通路１４を画定する第２の材料とは異なる第１の材料によって画定されるチャネル１６に言及せずに記載する。これはそうであっても、そうでなくてもよく、また、図１６〜図２６の実施形態は、上記実施形態の１つ以上のフィーチャを組み込んでもよく、又は組み込まなくてもよい。
[00102] 図１６〜図２６の実施形態は、液体（例えば、水）がチャネル１６内に確実に残るのを支援するように構成される。チャネル１６内に連続的に液体があるため、蒸発速度、及びそれによりオブジェクトテーブルＷＴ上の冷負荷の変化はそれ以外の場合よりも少ない。
[00103] 図１６の実施形態では、図１４の実施形態の場合のようにオブジェクトテーブルＷＴに液体チャネル２００が設けられる。チャネル１６内の開口３００が示されている。開口３００は、（ページの内外の）チャネル１６の延伸方向の長さに沿った１つ以上の別個の開口でよく、又は半連続的な、又は不連続のスロットでもよい。通路３１０は開口３００から負圧源に通じている。
[00104] ある実施形態では、通路３１０に接続された負圧源はコントローラ５００の制御下にある。コントローラ５００は、チャネル１６からの液体の抽出が液体３５０をチャネル１６内に保持するように動作する。したがって、これは能動的な解決策である。ある実施形態では、コントローラ５００はそれに加えて、又はその代りに同じ目的のために液体チャネル２００を通る液体の流量を制御する。
[00105] ある実施形態では、液体チャネル２００は存在せず、チャネル１６内に継続的に存在する液体３５０が開口１２及び通路１４だけを通して供給される。
[00106] 別の能動的な実施形態が図１７に示されている。図１７の実施形態は、以下に記載すること以外は図１６の実施形態と同一である。図１７の実施形態では、支持体１００内に熱調整流体通路３７０が設けられている。支持体１００（及びオプションとしてオブジェクトテーブルによって支持されるオブジェクト（例えば基板））の温度を実質的に一定に保つために熱調整流体通路３７０を通って流れる。熱調整流体通路３７０を通って流れる流体は、熱調整された流体である。熱調整流体通路３７０とチャネル１６との間に液体チャネル２００が設けられることによって、熱調整流体通路３７０はチャネル１６と流体連通される。このようにして、流体は熱調整流体通路３７０からチャネル１６へと供給されてもよい。これは、コントローラ５００の制御下で行われてもよく、又は例えばポンプ及び／又はバルブを使用して行われてもよい。
[00107] 図１６及び図１７の実施形態は、存在する液体を実質的に常にチャネル１６内に保持するための能動的な解決策である。図１８〜図２６の実施形態は、能動的制御を必要としない受動的な解決策である。
[00108] 図１８の実施形態は、以下に記載すること以外は図１６の実施形態と同一である。図１８〜図２６の実施形態と同様に、図１６又は図１７に示すような液体チャネル２００を設けてもよく、設けなくてもよい。すべての実施形態のフィーチャの任意の組合せを単一の実施形態で組み合わせてもよい。例えば、図１７及び図２０及び／又は図２１の実施形態のフィーチャを単一の例で組み合わせてもよい。
[00109] 図１８〜図２６の実施形態では、液体をチャネル１６内に保持するために液体保持部がチャネル１６内に設けられる。液体保持部はどのような形態を取ってもよい。液体保持部の機能は、液体がチャネル１６内の開口３００を通ってチャネル１６から流出することを実質的に防止することである。ある実施形態では、液体保持部は１つ以上の部材を備え、又はコーティング又は表面の粗さなどの表面仕上げが施される。
[00110] ある実施形態では、液体保持部はチャネル１６内の液リザーバを形成する。リザーバの上面を流れる液体だけが開口３００から抽出される。図１８、図２１、図２２及び図２４〜図２６の実施形態は、チャネル１６内に液リザーバを形成するものと見なすことができる。液体は重力でリザーバ内に留まる。
[00111] 一般に、液体保持部が液リザーバを形成する実施形態は、チャネル１６の底面にある１つ以上の突起部又は要素内に、又はその上に画定された１つ以上のくぼみ部を備え、及び／又はチャネル１６が延伸する方向にチャネル１６に沿って液体が通ることを少なくとも部分的に遮断する１つ以上の突起部又は要素を設けている。チャネル１６は図１８〜図２６のページの内外に延伸している。チャネル１６は一般に平面図で見てオブジェクト（例えば基板）ホルダ３０の縁部に沿って延伸している。
[00112] くぼみ部は、例えば溝の形態でよい。突起部は、通常はチャネル１６が画定される材料から形成される障壁の形態でよい。要素は、チャネルが画定される材料とは別個の部材でよく、チャネル１６が画定される材料に例えば接着、又はその他の方法で取り付けられてもよい。
[00113] ある実施形態では、液体は毛管作用によって、又は吸収されることによって、又は表面張力などの別の力によってチャネル１６内に液体が保持される。図１９、図２０、図２３及び図２４の実施形態は、このような例として見ることができる。
[00114] 液体が毛管作用によって液体が保持される実施形態は、チャネル１６の側壁、及び／又はチャネル１６の上壁にある１つ以上の突起部又は要素内に、又はその上に画定された１つ以上のくぼみ部によって形成される液体保持部を備えてもよい。幾つかの実施形態では、また、１つ以上のフィーチャがチャネル１６の上壁に画定される。
[00115] 図１８は、液体保持部４００が、チャネル１６の側面にある１つ以上の突起部内に、又はその上に画定された１つ以上のくぼみ部である実施形態を示している。液体保持部４００は、チャネル１６内に液リザーバ４０１を形成する。ある実施形態では、液体保持部４００は、上方に延在する１つ以上の部材を備えている。ある実施形態では、上方に延在する部材は平面図で見て、チャネル１６内の液体がそれを通って抽出されるチャネル１６の開口３００を少なくとも部分的に囲んでいる。開口３００が平面図で見て円形である場合は、液体保持部４００も円形でよい。しかしながら、液体保持部４００は、開口３００を囲んでいれば任意の形状でよい。ある実施形態では、液体保持部４００は開口３００を囲み、チャネル１６内に延在している。このようにして、ダムと同様に障壁が形成される。ダムによって保持されるリザーバ４０１内の液体は、液体保持部４００の上面を通過することによってのみ開口３００内に、ひいては開口３００内に流入することができる。このようにして、液体は実質的に常にチャネル１６内に保たれる。
[00116] 図１９の実施形態は、以下に記載すること以外は図１８実施形態と同一である。図１９の実施形態では、液体保持部はチャネル１６の側壁上に、又は側壁に画定された少なくとも１つの要素によって形成される液体保持部４１０の形態を取っている。図１９に示すようなある実施形態では、それに加えて、又はその代りに液体保持部の要素はチャネル１６の上壁及び／又は底壁上に画定され、又は存在する。
[00117] ある実施形態では、液体保持部４１０は液体吸収材料を含む。ある実施形態では、液体保持部４１０はスポンジ又は繊維又はストリング又はメッシュである。ある実施形態では、液体保持部４１０は複数の毛管通路を備えている。液体保持部４１０は例えば接着によってチャネル１６に取り付けられてもよい。図１９の配置の利点は、チャネル内の液体の自由表面積が小さいため、チャネル１６内の液体のスロッシングが低減され、又は最小限になることである。すなわち、液体保持部４１０の材料のポケット内の液体／ガスメニスカスの毛管圧が液体のスロッシングを防止するのを支援する。オブジェクトテーブルＷＴと液体との間に大きな粘性カップリングもあってもよい。ある実施形態では、液体保持部４１０は実質的に、チャネルの延伸方向のチャネル１６の長さ全体に沿って延在している。ある実施形態では、液体保持部４１０はチャネル１６の延伸方向にチャネルの一部だけに沿って延在している。
[00118] 図２０の実施形態は、以下に記載すること以外は図１８の実施形態と同一である。図２０の実施形態では、液体保持部は、チャネル１６の底面上に画定された１つ以上のくぼみ部、又はチャネル１６の底面に存在する１つ以上の突起部又は要素を備える。図２０に示すようなある実施形態では、液体保持部は少なくとも１つの溝４２０を備える。ある実施形態では、溝４２０はチャネル１６の底面内にある。ある実施形態では、溝４２０のサイズはそれが毛管溝であるようなサイズである。すなわち、溝は毛管力で液体を溝内に保持する。液体は、オブジェクトテーブルＷＴが移動中であっても、毛管力によって溝４２０内に保持される。その結果、溝４２０内に液体が存在することにより生じる外乱力が低下し、オーバーレイエラーが減少する。ある実施形態では、溝４２０の幅は２０〜６００μｍの間、例えば５０〜２００μｍ、例えば１００μｍであり、これが製造可能性及び性能にとって良好なサイズである。
[00119] ある実施形態では、溝４２０の深さは５０〜５００μｍの間、例えば１００μｍの深さである。溝４２０のサイズと数は変更可能である。溝４２０の数とサイズは、液体とオブジェクトテーブルＷＴとの間の粘性カップリングを最適化するように決定されてもよい。溝４２０の寸法は、溝４２０の上縁部でのメニスカス固定用に最適化されてもよい（例えば溝４２０は１つ以上の鋭角の角部を有している）。ある実施形態では、延伸方向の溝４２０の長さ、及び溝４２０の数は、熱負荷の所望の安定性を達成するために液体が十分に蒸発することを確実にするのを支援するため、十分な面積の液体がチャネル１６に曝されるような長さ及び数である。ある実施形態では、溝４２０は液体／ガスのフロー方向と実質的に平行である。ある実施形態では、溝４２０は液体／ガスのフロー方向と実質的に垂直である。
[00120] 図２１の実施形態は、以下に記載すること以外は図１８の実施形態と同一である。図２１の実施形態では、液体保持部は、チャネル１６の底面上に画定された１つ以上のくぼみ部、又はチャネル１６の底面に存在する１つ以上の突起部又は要素を備える。この場合は、液体保持部４３０は、チャネル１６が延伸する方向にチャネル１６に沿って液体が通ることを少なくとも部分的に遮断する１つ以上の突起部又は要素の形態を取っている。すなわち、液体のフローは、図１８の実施形態で液体のフローが遮断される方向に実質的に垂直な方向で遮断される。したがって、チャネル１６内の隣接する開口３００の間に、チャネル１６が延伸する方向にチャネル１６の底面に沿って液体が通ることを遮断する少なくとも１つの液体保持部４３０がある。したがって、２つの液体保持部４３０の間に液リザーバが形成され、１つの液体保持部４３０が開口３００の両側にある。液体が液体保持部４３０の上面を越えて流れる場合だけ、開口３００を通ってその液体を抽出可能である。したがって、図２１の実施形態では、液体保持部は、チャネルが延伸する方向にチャネルに沿って液体が通ることを少なくとも部分的に遮断する１つ以上の突起部又は要素を設けている。したがって、液体保持部は障壁であると見なすことができる。図２１の実施形態では、障壁はチャネル１６をその延伸方向で完全には遮断しない。ある実施形態では、チャネル１６の底面が障壁によって遮断される。障壁は任意の材料、望ましくは耐液性のから製造される。ある実施形態では、障壁は、チャネル１６がその内部に画定される材料と同じ材料から製造される。ある実施形態では、障壁はプラスチック又は金属（例えばステンレス鋼）、又はセラミック又はガラスセラミックである。
[00121] ある実施形態では、障壁は不浸液性であり、それによって液体がそれを通って流れることを防止する。ある実施形態では、障壁はチャネル１６内で半液浸性である。したがって、障壁は（むしろ図１９の実施形態のように）液体自体を含んでいる。
[00122] 図２２の実施形態は図１８の実施形態と同様である。ここで差異を記載する。差異は、液体保持部が図１８のような突起部４００ではなく溝４４０の形態にあると見なしてもよいことにある。溝４４０は液リザーバ３５０を形成する小さい樋又はバケットであると見なしてもよい。溝４４０の幅は１ｍｍ程度である。溝４４０は、チャネル１６の延伸方向にチャネル１６の全長に沿って延在するか、又は複数の別個の位置に配置してもよい。ある実施形態では、溝４２０の深さは５０〜５００μｍの間、例えば１００μｍの深さである。
[00123] 図２３の実施形態は、以下に記載すること以外は図１９の実施形態と同一である。図２３の実施形態では、液体保持部は液体を吸収する材料の形態ではなく、表面仕上げ４５０の形態である。表面仕上げ４５０は、支持体１００の材料の表面仕上げ、又は支持体１００の材料上のコーティングである。ある実施形態では、表面仕上げ４５０は液体を引き付けるような表面仕上げである。ある実施形態では、表面仕上げはコーティングである。ある実施形態では、コーティングは親液性コーティングである。これは、液体がチャネル１６の側壁及び／又は上壁及び／又は底壁に付着するように液体を引き付ける。液体とコーティングとの接触角は、例えば３０°未満である。
[00124] ある実施形態では、表面仕上げ４５０はチャネル１６の側壁及び／又は上壁及び／又は底壁の粗面化である。壁の粗面は液体を引き付ける、開口３００から流出する可能性を低減する。表面仕上げ４５０の粗度Ｒａは１０μｍ以上であってもよい。ある実施形態では、粗度は０．５〜１ｍｍである。ある実施形態では、粗度は、例えばねじ山などに類するチャネル１６の１つ又は複数の壁の１つ以上の溝であると見なしてもよい。液体はこのような溝内に保持される。
[00125] 図２４の実施形態は、以下に記載すること以外は図２１の実施形態と同一である。図２４の実施形態では、液体保持部は、チャネル１６の延伸方向にチャネル１６に沿って通る液体を遮断する障壁４６０の形態である。すなわち、液体のフローは、図１８の実施形態で液体のフローが遮断される方向に実質的に垂直な方向で遮断される。図２４の実施形態では、液体保持部は、半液浸性の障壁４６０の形態である。これに対して、図２１の実施形態では、障壁は不液浸性である。それに加えて、図２１の実施形態とは異なり、図２４の障壁はチャネル１６の全体の断面を遮断する。適切な材料は図１９に関して記載した材料と同一であり、特にメッシュである。したがって、障壁４６０は、図１９の実施形態の液体保持部４１０と同様に液体を保持することによって、及び／又は図２１の実施形態のようにリザーバを障壁４６０の間に形成することによって動作する。
[00126] 図２５の実施形態は、以下に記載すること以外は図１８の実施形態と同一である。図２５の実施形態では、液体保持部はチャネル１６の底面上に画定された１つ以上のくぼみ部を備える。図２５の実施形態では、くぼみ部がチャネル１６の実質的に平坦な底面４７０を生じる。ある実施形態では、開口３００はチャネル１６の平坦な底面４７０内に形成される。チャネル１６の底面４７０が平坦であるため開口３００へと向かう液体の通過が重力によって補助されないので、図２５の実施形態では、チャネル１６の底面の実質的に平坦な底面４７０上で時間を費やす可能性はその他の実施形態よりも高い。したがって、連続的にチャネル１６内に液体がある可能性が高い。
[00127] 図２６の実施形態は、以下に記載すること以外は図１８の実施形態と同一である。図２６の実施形態では、液体保持部がチャネル１６の底面に形成される。液体保持部は溝４８０の形態である。溝４８０は、チャネル内の液体がそれを通って抽出されるチャネル１６の開口（図示せず）よりも低い底面を有している。したがって、溝４８０は液リザーバを形成する。ある実施形態では、溝４８０は、チャネル１６の延伸方向で互いに離散する２つの別個の開口３００間でチャネル１６の延伸方向に沿って延在している。溝４８０は、開口３００に至るまで延在していないので、溝４８０と通路３１０の間に材料があり、そのため開口３００は溝４８０の底面よりも高いレベルに画定されてもよい。その結果、溝４８０内の液体は抽出されない。液体は、開口３００よりも高いレベルにあって初めて抽出される。ある実施形態での溝４８０の寸法は、図２２の実施形態の溝４４０の寸法と同様である。
[00128] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[00129] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
[00130] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ以上の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
[00131] １つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み出されるときに、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
[00132] 本発明の１つ以上の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、又は閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
[00133] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ以上の構造、１つ以上の液体開口、１つ以上の気体開口あるいは２相流用の１つ以上の開口を含む１つ以上の流体開口の組み合わせを含んでもよい。これらの開口は、各々、液浸空間への入口（又は流体ハンドリング構造からの出口）あるいは液浸空間からの出口（又は流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、又は空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでもよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ以上の要素をさらに含むことができる。
[00134] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

  1. オブジェクトを支持するオブジェクトテーブルであって、該オブジェクトテーブルが、
    前記オブジェクトを保持するオブジェクトホルダを備える支持体と、
    前記オブジェクトホルダの縁部に隣接する開口と、
    通路を経て前記開口と流体連通するチャネルであって、該チャネルが前記通路を画定する第２の材料とは異なる第１の材料によって画定されるチャネルと、
    を備え、
    前記第１の材料により製造される要素と、前記支持体との間にギャップが設けられる、オブジェクトテーブル。
  2. 前記第１の材料が、前記第２の材料とは異なる熱伝導率を有する、及び／又は、前記第１の材料が、前記第２の材料とは異なる熱膨張率を有する、請求項１に記載のオブジェクトテーブル。
  3. 前記第１の材料の熱伝導率が、前記第２の材料の熱伝導率より少なくとも一桁高い、又は、前記第１の材料の前記熱伝導率が、前記第２の材料の熱伝導率よりも少なくとも一桁低いか、又は前記第２の材料の熱伝導率よりも少なくとも二桁低い、及び／又は、前記第１の材料の熱膨張率が、前記第２の材料の熱膨張率よりも少なくとも一桁低い、請求項１又は２に記載のオブジェクトテーブル。
  4. 前記第１の材料の熱膨張率が、１×１０−６／Ｋ以下、０．５×１０−６／Ｋ以下、又は０．２５×１０−６／Ｋ以下、１００×１０−９／Ｋ以下である、及び／又は、前記第１の材料の熱伝導率が、１０Ｗ／ｍＫ以下、５Ｗ／ｍＫ以下、２Ｗ／ｍＫ以下、又は１Ｗ／ｍＫ以下である、及び／又は、前記第１の材料のヤング率が、１００×１０９Ｐａ以下、又は５０×１０９Ｐａ以下である、請求項１，２又は３に記載のオブジェクトテーブル。
  5. 前記第１の材料と前記第２の材料との間に熱障壁をさらに備える、及び／又は、前記第１の材料を前記支持体から実質的に機械的に離脱させる機械的障壁をさらに備える、請求項１〜４のいずれかに記載のオブジェクトテーブル。
  6. 前記熱障壁及び／又は前記機械的障壁がギャップ又は接着剤を含む、請求項５に記載のオブジェクトテーブル。
  7. 前記熱障壁及び／又は前記機械的障壁が前記チャネルの半径方向内側及び／又は前記チャネルの上方にあり、及び／又は、
    前記ギャップにガス又は真空が満たされる、及び／又は、
    前記第１の材料がコーティング又は挿入物であり、前記第１の材料が第２の材料によって支持される、請求項５又は６に記載のオブジェクトテーブル。
  8. 前記第１の材料が、（ａ）前記チャネルの上面、（ｂ）前記チャネルの半径方向内側の部分、（ｃ）前記チャネルの半径方向外側の部分、（ｄ）前記チャネルの底部、及び（ｅ）上記のいずれかの組合せうちの少なくとも一部を画定する請求項１〜７のいずれかに記載のオブジェクトテーブル。
  9. 前記支持体及び／又は前記オブジェクトホルダが第２の材料を含む、請求項１〜８のいずれかに記載のオブジェクトテーブル。
  10. 前記チャネルに隣接するヒータ及び／又はセンサをさらに備える、請求項９に記載のオブジェクトテーブル。
  11. 前記ヒータ及び／又は前記センサが前記第１の材料に結合される、請求項１０に記載のオブジェクトテーブル。
  12. 前記第２の材料が、前記通路の表面を画定する、及び／又は、前記第１の材料が、前記チャネルの表面を画定する、請求項１１に記載のオブジェクトテーブル。
  13. 前記チャネルからの液体の抽出を制御して前記液体を前記チャネル内に保持するコントローラをさらに備える、及び／又は、前記液体を前記チャネルに保持するための液体保持部を前記チャネル内にさらに備える、請求項１〜１２のいずれかに記載のオブジェクトテーブル。
  14. 請求項１〜１３のいずれかに記載の前記オブジェクトテーブルを備えるリソグラフィ装置。
  15. 液浸リソグラフィ装置の動作方法であって、
    テーブルによって支持されるオブジェクト上に液体を供給するステップと、
    通路を経てチャネルと流体連通する開口を通して前記オブジェクトの縁部から液体を除去するステップであって、前記チャネルが前記通路を画定する第２の材料とは異なる第１の材料によって画定されるステップと、
    を含み、
    前記第１の材料により製造される要素と、前記支持体との間にギャップが設けられる、動作方法。
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