JP6000680B2 - 放射線検出装置、その製造方法及び撮像システム - Google Patents
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Description
図1乃至5を参照しながら、第1実施形態の放射線検出装置11を説明する。図1は、放射線検出装置11の構造を模式的に示したものである。図1(a)は、放射線検出装置11の上面図を模式的に示したものである。図1(b)は、図1(a)に示されたカットラインX−X’の放射線検出装置11の断面構造を模式的に示し、図1(c)は、カットラインY−Y’の放射線検出装置11の断面構造を模式的に示している。放射線検出装置11は、放射線(X線、α線、β線、γ線等の電磁波を含む。)を検出する複数のセンサユニット20が配列されたセンサパネル30を備える。図1(a)には4つのセンサユニット20を示したが、センサユニット20の数は4つに限られず、2つ又は3つでもよいし、5つ以上でもよい。複数のセンサユニット20は、例えば、第1センサユニット201及び第2センサユニット202を含み、これらは互いに隣接して配されている。また、各センサユニット20は、例えば、接着層32を介して基台35の上に配列されうる。基台35は、各センサユニット20が接着層32によって固定され、各センサユニット20を支持し得る。
図6及び7を参照しながら、第2実施形態の放射線検出装置12を説明する。本実施形態は、図6に示されるように、裏面照射型の放射線検出装置である点で、第1実施形態と異なる。図6(a)は、図1(b)と同様にして、放射線検出装置12の断面構造を模式的に示し、図6(b)は、図1(c)は、放射線検出装置12の断面構造を模式的に示している。放射線検出装置12においては、反射層50が設けられた基台35の上に、接着層32を介して、センサユニット20の個々が配列されうる。接着層32には、反射層50の反射効率を確保するために透過性の高い材料が用いられ、その厚さは、例えば、25μm以下、より好ましくは10μm以下であるとよい。
上述の各実施形態の放射線検出装置は、撮像システムに適用されうる。撮像システムは、例えば、放射線検出装置と、イメージプロセッサ等を含む信号処理部と、ディスプレイ等を含む表示部と、放射線を発生させるための放射線源と、を備える。例えば、図8に示されるように、X線チューブ6050で発生したX線6060は、患者等の被験者6061の胸部6062を透過し、放射線検出装置6040に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。入射したX線に応じてシンチレータが発光し、この光をセンサパネルが検出して、電気的情報を得る。その後、この情報はデジタル変換され、イメージプロセッサ6070(信号処理部)により画像処理され、制御室のディスプレイ6080(表示部)により表示されうる。また、この情報は電話、LAN、インターネット等のネットワーク6090等を含む伝送処理手段により遠隔地へ転送することもできる。これにより、別の場所のドクタールーム等のディスプレイ6081に表示して、遠隔地の医師が診断することが可能である。また、この情報は、例えば、光ディスク等に保存することもできるし、フィルムプロセッサ6100によってフィルム6210等の記録部に記録することもできる。
第1実施形態の手順(図5参照)にしたがって、比較例1のための放射線検出装置を形成した。画素のピッチpは50μmとした。センサアレイの上には酸化ケイ素(SiNx)を形成し、その上に保護膜25(厚さ7μm)を形成した。保護膜25は、ポリイミド樹脂をスピンコート法により塗布し、その後、加熱し硬化させることによって形成された。また、シンチレータ層40については、真空蒸着法によってCsI:Tlのシンチレータ層40(厚さ200μm)を形成した。第1シンチレータ保護層41は、厚さt1が25μmになるように形成した。第1シンチレータ保護層41を形成する工程(センサユニット20形成工程)では、信号入出力部70において第1シンチレータ保護層41が形成されないようにマスク処理が為され、ポリパラキシリレン(パリレン)を用いた真空蒸着法により為された。また、配列工程の後には、間隙60を紫外線硬化型のエポキシ樹脂で埋設し、その後、紫外線(UV)照射を行って樹脂を硬化させた。この工程により第1シンチレータ保護層41の上面を平坦化することができる。その後、蒸着法によって第1シンチレータ保護層41の上に、アルミニウム(Al)の反射層50(厚さ200nm)を形成した。第2シンチレータ保護層42には、第1シンチレータ保護層41と同様にポリパラキシリレン(パリレン)を用い、蒸着法により第2シンチレータ保護層42(厚さ50μm)を形成した。ここでも同様に、信号入出力部70において第2シンチレータ保護層41が形成されないようにマスク処理を行い、第2シンチレータ保護層42を形成した。最終的に得られた放射線検出装置において、距離gは50μmであり、距離Lは100μmであった。画素のピッチpは50μmであり、互いに隣接するセンサユニット20の境界領域においては画素を配置できない部分があるため、この場合、画素1列分(50μm)の画像情報が消失してしまうことになる。
比較例2は、第1シンチレータ保護層41の厚さt1を12.5μmとした点を除いて、比較例1と同様である。このようにして得られた放射線検出装置においては、距離gは25μmであり、距離Lは75μmであった。この場合、画素のピッチpは50μmであるため、互いに隣接するセンサユニット20の境界領域においては、画素2分の1列分の画像情報が消失してしまう。
実施例1−1は、第1シンチレータ保護層41の厚さt1を6.25μmとした点を除いて、比較例1と同様である。このようにして得られた放射線検出装置においては、距離gは12.5μmであり距離Lは62.5μmであった。この場合、画素のピッチpは50μmであるため、互いに隣接するセンサユニット20の境界領域において消失する画像情報は、画素4分の1列分に留まり、画像ムラ、出力変動等の画素の異常や欠陥もなかった。また、このようにして得られた放射線検出装置は、湿度耐久試験(温度50℃、湿度90%RH)の結果、10日間を経過してもシンチレータ層40の発光量及び鮮鋭度の低下が見られなかった。
実施例1−2は、第1シンチレータ保護層41の厚さt1を5μmとした点を除いて、実施例1−1と同様である。このようにして得られた放射線検出装置においては、距離gは10μmであり、距離Lは60μmであった。この場合、画素のピッチpは50μmであるため、互いに隣接するセンサユニット20の境界領域において消失する画像情報は、画素5分の1列分に留まり、また、実施例1−1と同様の湿度耐性を有する信頼性の高い放射線検出装置が得られた。
実施例1−3は、第1シンチレータ保護層41の厚さt1を2.5μmとした点を除いて、実施例1−1と同様である。このようにして得られた放射線検出装置においては、距離gは5μmであり、距離Lは55μmであった。この場合、画素のピッチpは50μmであるため、互いに隣接するセンサユニット20の境界領域において消失する画像情報は、画素10分の1列分に留まり、また、実施例1−1と同様の湿度耐性を有する信頼性の高い放射線検出装置が得られた。
比較例3では、第2シンチレータ保護層42を形成しない放射線検出装置について、湿度耐久試験(温度50℃、湿度90%RH)を行った。試験を3日間行った後のMTF(Modulation Transfer Function)は、2LP/mm(LinePair/mm)の値が約30%低下し、発光量は約10%低下した。
実施例2は、実施例1−1に記載の放射線検出装置において、第2シンチレータ保護層42を形成した後に、図4(a)に例示されるように、封止樹脂90を設けた場合の結果を示す。封止樹脂90は、熱硬化型接着剤(味の素ファインテクノ社製 AE−901T−DA)を塗布し、硬化(60℃、30分)することによって形成した。この方法によると、実施例1−1と同様に、互いに隣接するセンサユニット20の境界領域において消失する画像情報は、画素4分の1列分に留まり、また、湿度耐性を有する信頼性の高い放射線検出装置が得られた。
実施例2は、実施例1−1に記載の放射線検出装置において、反射層50及び第2シンチレータ保護層42の代わりに、図4(b)に例示されるように、これらの両方の機能を有するシート95を設けた場合の結果を示す。シート95は、厚さ20μmのAl箔をPETシートに貼りつけたものを用いた。また、シート95は、厚さ10μmの接着層(不図示)を介して貼りつける。この方法によると、実施例1−1と同様の効果に加え、さらに第2シンチレータ保護層42を形成する工程を削減できコストの低減を図ることができた。
実施例4では、第2実施形態の手順(図7参照)にしたがって、放射線検出装置を形成した。各センサユニット20を形成する工程までは、実施例1−1と同様にして行った(図7(a)乃至(d)参照)。次に、反射層50が形成された基台35の上に、接着層32(アクリル製粘着シート、厚さ10μm)を介して、センサユニット20を貼りつけた(図7(e))。その後、センサユニット20の基板15(シリコン基板)の研磨を行い、その後、エアブローによって研磨による残骸の除去を行った(図7(f))。この研磨工程は、乾式のドライポリッシングによって為され、基板15は厚さが0.2mmになった。最後に、第2シンチレータ保護層42が形成され、放射線検出装置が得られた(図7(g))。この放射線検出装置は裏面照射型であり、実施例1乃至3で述べた効果に加えて、裏面側からの放射線入射による画像鮮鋭度向上の効果も得られた。
Claims (9)
- 放射線を検出する複数のセンサユニットが配列されたセンサパネルを備える放射線検出装置であって、
前記複数のセンサユニットのそれぞれは、
光を検出する複数の画素がアレイ状に配された画素アレイを有する基板と、
前記基板の前記画素アレイの上に配され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を覆うように配された第1シンチレータ保護層であって、該第1シンチレータ保護層と前記基板とにより前記シンチレータ層を取り囲む第1シンチレータ保護層と、
を有し、
前記放射線検出装置は、前記複数のセンサユニットがそれぞれ有する複数の前記第1シンチレータ保護層をそれらのそれぞれの少なくとも一部に密着固定しながらそれらの境界を跨いで一体に覆うように配された第2シンチレータ保護層をさらに備える、
ことを特徴とする放射線検出装置。 - 前記複数のセンサユニットは、互いに隣接する第1センサユニットと第2センサユニットとを含み、
各画素アレイにおける前記画素のピッチをpとし、前記第1シンチレータ保護層の厚さをt1とし、前記第1センサユニットの前記画素アレイと前記第2センサユニットの前記画素アレイとの距離をgとし、
前記第1センサユニットの前記画素アレイにおいて前記第2センサユニットに最も近い位置に配されている前記画素の中心から、前記第2センサユニットの前記画素アレイにおいて当該画素に最も近い位置に配されている前記画素の中心までの距離をLとしたときに、
t1≦1/2×g、かつ、L≦3/2×pの関係が成り立つ、
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。 - 前記第1シンチレータ保護層は、その厚さが前記第2シンチレータ保護層よりも薄い、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出装置。 - 前記センサユニットとそれに隣接する前記センサユニットとは、それらの側面の全体において、それらの前記第1シンチレータ保護層のそれぞれが互いに接触するように配されており、それらの側面の全体の間で前記第2シンチレータ保護層が挟持されていない、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線検出装置。 - 前記センサパネルと前記第2シンチレータ保護層との間に配された反射層をさらに備え、
前記反射層は、前記複数のセンサユニットの上面の全体にわたって一体に形成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線検出装置。 - 前記複数のセンサユニットを支持する基台と、前記複数のセンサユニットを前記基台に固定する接着層と、を備え、
前記第2シンチレータ保護層は、少なくとも、前記接着層と前記センサユニットとの間の界面、前記接着層、前記接着層と前記基台との間の界面、前記第1シンチレータ保護層、及び、前記第1シンチレータ保護層と前記反射層との間の界面、を覆うように配される
ことを特徴とする請求項5に記載の放射線検出装置。 - 前記基板の信号入出力部であって前記画素アレイに信号を入力し又は前記画素アレイからの信号を出力するための信号入出力部を前記基板の外部に接続するための配線をさらに備えており、
前記第1シンチレータ保護層および前記第2シンチレータ保護層は、前記配線を露出するように配されている
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の放射線検出装置。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理部と、
前記信号処理部からの信号を表示するための表示部と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、
を備えることを特徴とする撮像システム。 - 光を検出する複数の画素がアレイ状に配された画素アレイを有する基板と、前記基板の前記画素アレイの上に配され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を覆うように配された第1シンチレータ保護層であって該第1シンチレータ保護層と前記基板とにより前記シンチレータ層を取り囲む第1シンチレータ保護層と、をそれぞれが有する複数のセンサユニットを取得する第1工程と、
前記第1工程で得られた前記複数のセンサユニットによって構成されるセンサパネルを形成する第2工程と、
前記第2工程で得られた前記センサパネルに、それを構成する前記複数のセンサユニットがそれぞれ有する複数の前記第1シンチレータ保護層をそれらのそれぞれの少なくとも一部に密着固定しながらそれらの境界を跨いで一体に覆うように第2シンチレータ保護層を形成する第3工程と、を含む、
ことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
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