JP5996381B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
まず、ウエハWを周縁膜除去装置10に搬入する。搬入に先立ち、カップ20が下降位置に下降し、天板30が退避位置に上昇する。この状態で、ウエハWを保持した搬送アーム104が開口15(図1にのみ表示)を介してケーシング12内に進入し、ウエハWを基板保持部16上に置く。バキュームチャックとして形成された基板保持部16がウエハWを吸着した後、搬送アーム104はケーシング12内から退出する。ウエハWの搬入に先立ち、電力供給源52からヒータ51に給電がされてヒータ51は150℃程度に既に加熱されており、上部周縁部材50のガス通流空間に面する表面は高温になっている。その後、図2に示されるように、カップ20が上昇位置に上昇するとともに天板30が処理位置に下降する。このカップ20および天板30の位置はウエハ搬出の開始前まで維持される。前述したようにカップ20の内部空間は排出口22を介して常時吸引されているため、吸入口55から引き込まれたエアは上部周縁部材50により加熱されながら図2中黒塗り矢印で示すようにガス通流空間53内を流れる。100℃程度になったエア(第1ガス)は流出口56から吐出され、ウエハWの周縁部分に衝突し、ウエハWの周縁部分を加熱する。なお、このときには、加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガスは供給されていない。
次に、回転駆動部18によりウエハWを回転させる。そして、第1薬液ノズル61の吐出口近傍部分を上部周縁部材50の下面に形成された切除部57内に進入させ、ウエハWの周縁部分に60℃程度に加熱されたSC−1液(相対的に高い温度の処理液)を吐出させる(図3(a)のSC−1の矢印を参照)。これにより周縁部分のAl膜がエッチングされて除去される(図3(b)を参照)。このとき、ウエハWの周縁部分が高温のエアにより加熱されているため、エッチング反応が促進される。また、ウエハWの外側に向かうエアの流れにより、SC−1液がウエハWの中央部分に浸入することが防止される。なお、このときには、加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガスは供給されていない。
次に、第1薬液ノズル61を切除部57内から退出させ、リンス液ノズル63を切除部57内に進入させる。また、加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガス(第2ガス)を供給し、ウエハWと天板30との間の空間内に図2中白抜き矢印で示す気流を形成する。これにより、前述したように図2中黒塗り矢印で示す加熱されたエアの気流は無くなるか或いは無視できる程度に低減されるので、ウエハWの周縁部分が冷却される。また、ウエハWの周縁部分だけでなくウエハWの全体も冷却される。そして、引き続きウエハWを回転させた状態で、リンス液ノズル63から常温のDIWをウエハ周縁部分に吐出させる。これにより、SC−1処理のエッチング残渣および残留するSC−1液などがウエハWの周縁部分から除去される。なお、リンス液ノズル63から供給される常温のDIWによってもウエハWの周縁部分は冷却される。また、このとき、ウエハWの外側に向かうN2ガスの流れ(図2の白抜き矢印参照)により、処理液(DIW)がウエハWの中央部分に浸入することが防止される(以下のDHF処理、DIWリンス処理時においても同じである)。
次に、リンス液ノズル63を切除部57内から退出させ、第2薬液ノズル62を切除部57内に進入させる。引き続き加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガスを供給するとともにウエハWを回転させた状態で、第2薬液ノズル62から常温のDHF液(相対的に低い温度の処理液)をウエハWの周縁部分に吐出させる。これにより、Alで汚染されたSiO2膜の最表面層(図3(b)の太い実線で示す部分)が除去される。なおこのDHF処理をウエハWが高温の状態のまま行うと、オーバーエッチング等の不具合が生じる可能性があるが、本実施形態においては、ウエハWの周縁部分に常温のN2ガスが吹き付けられた状態でDHF処理が行われるのでそのような不具合は生じるおそれはない。
さらに、前工程のDIWリンス処理においても、ウエハWの温度を低減する措置がとられているため、上記の不具合をより確実に防止することができる。
次に、第2薬液ノズル62を切除部57内から退出させ、リンス液ノズル63を切除部57内に進入させる。引き続き加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガスを供給するとともにウエハWを回転させた状態で、リンス液ノズル63から常温のDIWをウエハWの周縁部分に吐出させる。これによりDHF処理のエッチング残渣および残留するDHF液などがウエハWの周縁部分から除去される。
次に、リンス液ノズル63を切除部57内から退出させ、引き続き加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガスを供給するとともに、ウエハWの回転速度を増す。これにより、ウエハWの周縁部分が振り切り乾燥される。このとき、図2中の白抜き矢印で示す常温のN2ガスの流れにより、乾燥が促進される。このとき、更に乾燥効率を上げるために、加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガスの供給を停止することにより、第1ガス(加熱されたガス)を流出口56からウエハWの周縁部分に吐出させてもよい。
スピン乾燥が終了したら、ウエハWの回転を停止させ、加圧ガス供給源44からの加圧された常温のN2ガスの供給を停止する。次いで、カップ20を下降位置に下降させるともに、天板30を退避位置に上昇させる。搬送アーム104が、開口15(図1にのみ表示)を介してケーシング12内に進入してウエハWを基板保持部16から取り去った後、ケーシング12内から退出する。以上により、ウエハに対する一連の処理が終了する。
例えば、図4に概略的に示すように、第1ガス(温度の高いガス)を供給する通路に第1ガスの供給、供給停止を切り替える切替手段としての開閉弁70を設けてもよい。この構成によれば、温度の低い第2ガスを供給している際に温度の高い第1ガスがウエハW周縁部分の近傍の空間に流れ込むことを完全に防止することができるため、より迅速にウエハWの温度を下げることが可能となる。この構成は、第1処理液(第1薬液)と第2処理液(第2薬液)との温度差が大きいとき(例えば第1処理液の温度が100℃以上で、第2処理液の温度が室温であるとき)に特に有利である。なお、この場合、周縁膜除去装置10の他の部分の構成は図2に示した実施形態の構成を援用することができる。開閉弁70に代えて、吸入口55を開閉する開閉機構を設けることもできる。
18 回転駆動部
30 天板
38 (天板の)下面
41 第2ガス吐出口(開口)
42 ガス通流管(第2ガス供給手段)
44 加圧ガス供給源
45 切換手段(開閉弁)
51 ヒータ(第1ガス供給手段)
53 第1ガス通流空間(第1ガス供給手段)
56 開口(流出口)
61 第1薬液(処理液)ノズル
62 第2薬液(処理液)ノズル
72 切替機構
300 カバー部材
304 第1ガス吐出口(第1ガス供給手段)
316 第2ガスノズル(第2ガス供給手段)
341,341 第1ガス吐出口(第1ガス供給手段)
360 第2ガス吐出口(第2ガス供給手段)
Claims (6)
- 基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部により保持された前記基板の周縁部分に第1処理液を供給する第1処理液ノズルと、
前記基板保持部により保持された前記基板の周縁部分に第1処理液より低い温度の第2処理液を供給する第2処理液ノズルと、
前記基板保持部により保持された前記基板の周縁部分に第1温度の第1ガスを供給する第1ガス供給手段と、
前記基板保持部により保持された前記基板に対して前記第1ガスの供給位置よりも半径方向中心側に第1温度より低い第2温度の第2ガスを供給する第2ガス供給手段と、
を備え、
前記第1ガス供給手段および前記第2ガス供給手段は、前記基板保持部により保持された前記基板の下方から、前記基板の下面に前記第1ガス及び前記第2ガスを供給し、
前記第1処理液ノズルから第1処理液を供給するとき前記第1ガス供給手段が前記第1ガスを供給し、前記第2処理液ノズルから第2処理液を供給するとき前記第2ガス供給手段が前記第2ガスを供給する、
基板処理装置。 - 前記第1ガス供給手段は、前記第1ガスの供給および供給停止を切り替える第1切替手段を有し、前記第2ガス供給手段は、前記第2ガスの供給および供給停止を切り替える第2切替手段を有し、
前記第1処理液ノズルから第1処理液を供給するとき前記第1切替手段が前記第1ガスを供給するよう切替えるとともに前記第2切替手段が前記第2ガスを供給停止するよう切替え、前記第2処理液ノズルから第2処理液を供給するとき前記第1切替手段が前記第1ガスを供給停止するよう切替えるとともに前記第2切替手段が前記第2ガスを供給するよう切替える、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第2ガス供給手段は、加圧ガス供給源に接続されている、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記第1ガス供給手段の前記開口は、円周に沿って設けられている請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を水平に保持して回転させることと、
回転する前記基板の下方から前記基板の下面の周縁部分に第1ガスを供給しつつ、前記基板の周縁部分に第1温度の第1処理液を供給することと、
回転する前記基板の下方から前記基板の下面の前記第1ガスの供給位置よりも半径方向中心側に前記第1温度より低い第2温度の第2ガスを供給しつつ、前記基板の周縁部分に第1処理液よりも低い温度の第2処理液を供給することと、
を備えた基板処理方法。 - 前記第1ガスの供給および供給停止の切り替えが、第1ガスの供給手段に設けられた切替手段を用いて行われ、前記第2ガスの供給および供給停止の切り替えが、第2ガスの供給手段に設けられた切替手段を用いて行われ、
前記第1処理液を供給するとき前記第1ガスを供給するよう切替えるとともに前記第2ガスを供給停止するよう切替え、前記第2処理液を供給するとき前記第1ガスを供給停止するよう切替えるとともに前記第2ガスを供給するよう切替える、請求項5に記載の基板処理方法。
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