JP5989455B2 - リーク電流検出回路、半導体装置、led照明装置、車両 - Google Patents
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Description
<LED照明装置>
図1は、本発明の第1の実施形態に係るドライバIC10(半導体装置)、及びこのドライバIC10を有するLED照明装置の一構成例を示す回路図である。
図2は、本発明の第1の実施形態に係るドライバIC10の回路構成を示す回路図である。なお図2において、ドライバIC10に外部接続される装置の構成は図1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
Vth2=(R19+RON)×IIN×R16/(R15+R16)
上記で説明した実施の形態1では、リーク電流を検出してこれを吸収することはできるが、リーク電流が長時間に渡って発生した場合、電力が大量に消費されてバッテリが消耗する可能性があった。また、各トランジスタのオン抵抗の個体差により、各閾値電圧にばらつきが生じる可能性があった。そこで本発明の第2の実施形態は、以下の構成をとるものとする。
図4は、本発明の第2の実施形態に係るドライバIC20(半導体装置)、及びこのドライバIC20を備えるLED照明装置の一構成例を示す回路図である。
図5は、本発明の第2の実施形態に係るリーク電流検出回路21の回路構成を示す回路図である。なお図5において、電流検出回路21に外部接続される装置の構成は図4と同様であるため、ここでは説明を省略する。また、駆動回路22の詳細については、実施の形態1の駆動回路12と同様の構成を用いることが可能であるため、ここでは説明を省略する。
スイッチSW2とリーク抵抗値RSWはいずれもハイインピーダンスとなる。従って検出信号SdetはHighとなるので、駆動回路12は動作しない。
スイッチSW2はハイインピーダンスであるが、リーク抵抗がローインピーダンスとなる。ただしリーク抵抗値RSWは閾値抵抗値Rth以上であるため、検出信号SdetはHighとなり、駆動回路12は動作しない。
スイッチSW2がローインピーダンス(閾値抵抗値Rth未満)となるので、リークの有無に関わらず、検出信号SdetはLowとなり、駆動回路12は動作する。
図7は、第2の実施形態に係るLED照明装置を搭載したオートバイ(車両)の外観を示す外観図である。図8は、第2の実施形態に係る、複数のスイッチ及びライトに接続されたドライバIC20の一構成例を示すブロック図である。
上記で説明した実施の形態2では、経年劣化等によりスイッチSW2の表面に酸化被膜が形成された場合、その除去が難しいという問題があった。スイッチSW2に酸化被膜が形成されると、スイッチSW2のオン時の抵抗値が上がるため、これを除去することが望ましい。しかしながらスイッチSW2は、オン時においても流れる電流I2が数mAから数十mAと微量であるため、大電流による酸化被膜の除去を行うことができない。そこで本発明の第3の実施形態は、以下の構成をとるものとする。
図9は、本発明の第3の実施形態に係るドライバIC30(半導体装置)、及びこのドライバIC30を備えるLED照明装置の一構成例を示す回路図である。
なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
11 リーク電流検出回路
12 駆動回路(制御対象回路)
13 基準電源
14 定電流生成回路
15 ヒステリシス電圧生成回路
16 論理回路
20 ドライバIC(半導体装置)
21 リーク電流検出回路
22 駆動回路(制御対象回路)
23 定電圧源
30 ドライバIC(半導体装置)
31 CRタイマ
32 カレントミラー回路
33 論理回路
34 駆動回路(制御対象回路)
100 オートバイ(車両)
101 ヘッドライト
102 リアライト
103 ウィンカライト
104 ウィンカライト
105 スイッチ
B1、B2、B4 バッテリ
B3、B5 定電圧源
SW1、SW2、SW3 スイッチ
D1、D2 ダイオード
LED1、LED2、LED3 発光ダイオード(負荷)
L1 コイル
IN1、IN2、IN3 外部端子
OUT1、OUT2、OUT3 外部端子
SE1、SE2 外部端子
VCC1 外部端子
STIN、THSET、SINKSET 外部端子
CVCC、CVIN キャパシタ
N1、N2 Nチャンネル型MOS電界効果トランジスタ
P3 Pチャンネル型MOS電界効果トランジスタ
P11 Pチャンネル型MOS電界効果トランジスタ
N12〜N14 Nチャンネル型MOS電界効果トランジスタ(第1トランジスタ、第2トランジスタ)
N31 Nチャンネル型MOS電界効果トランジスタ
CMP1、CMP2、CMP3 比較器
OPA1、OPA2 オペアンプ
CS1 定電流源
R1 抵抗
R11〜R19 抵抗(第1抵抗〜第4抵抗)
RTHSET、RSINKSET 抵抗
RSW リーク抵抗値
Rth 閾値抵抗値
V1〜V6 電圧(入力電圧)
VIN、VCC、VSE 電圧(入力電圧)
Vth1〜Vth4 閾値電圧
VREG 定電圧
Vst 動作可能電圧
I1、I2 電流(スイッチ電流)
IIN 電流(スイッチ電流)
Ith 閾値電流
IDET、ITHSET、ISINKSET、ILED 電流
INV1、INV2 インバータ
S0〜S6 制御信号
Sdet 検出信号
Claims (7)
- リーク監視対象となるスイッチに流れるスイッチ電流を検出し、前記スイッチ電流が予め定められた閾値に達していない時には、制御対象とされている制御対象回路の動作を禁止するように検出信号を生成するリーク電流検出回路において、
前記スイッチ電流に応じた入力電圧を検出し、
前記入力電圧が予め定められた閾値電圧に達していない時には、前記制御対象回路の動作を禁止するように前記検出信号を生成し、
前記入力電圧は、前記制御対象回路の駆動電圧として供給されるものであり、前記閾値電圧は、前記制御対象回路の動作可能電圧よりも低く設定されており、
第1端が前記入力電圧の印加端に接続された第1抵抗、第2抵抗、及び第3抵抗と、
ソースが接地端に接続され、ドレインが前記第1抵抗の第2端に接続され、ゲートが前記第2抵抗の第2端に接続されたNチャンネル型の第1トランジスタと、
ソースが前記接地端に接続され、ドレインが前記第1トランジスタのゲートに接続され、ゲートが前記第3抵抗の第2端に接続されたNチャンネル型の第2トランジスタと、
第1端が前記第2トランジスタのゲートに接続され、第2端が前記接地端に接続された第4抵抗と、
前記第1抵抗の第2端と前記第1トランジスタのドレインとの間に現れる電圧を前記検出信号として出力する出力端と、を有すること
を特徴とするリーク電流検出回路。 - 前記スイッチは、前記制御対象回路により駆動される負荷と、前記負荷に電圧を印加する電源と、の電流経路上に設けられていること
を特徴とする請求項1に記載のリーク電流検出回路。 - 請求項1または請求項2に記載のリーク電流検出回路と、前記制御対象回路とを集積化したこと
を特徴とする半導体装置。 - 前記制御対象回路は、負荷を駆動する駆動回路であること
を特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記負荷は、LED(Light Emitting Diode)であること
を特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - LEDと、
前記LEDの駆動制御を行う請求項5に記載の半導体装置と、を有すること
を特徴とするLED照明装置。 - ヘッドライト、リアライト、及びウィンカライトの少なくとも一つとして請求項6に記載のLED照明装置を有すること
を特徴とする車両。
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