JP5988372B2

JP5988372B2 - Wiring board and mounting structure thereof

Info

Publication number: JP5988372B2
Application number: JP2012254888A
Authority: JP
Inventors: 林　桂; 桂林
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2012-11-21
Filing date: 2012-11-21
Publication date: 2016-09-07
Anticipated expiration: 2032-11-21
Also published as: JP2014103285A

Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）に使用される配線基板およびその実装構造体に関するものである。 The present invention relates to a wiring board used for electronic devices (for example, various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices, and peripheral devices thereof) and a mounting structure thereof.

従来、電子部品を配線基板に実装してなる実装構造体が、電子機器に用いられている。 Conventionally, a mounting structure in which an electronic component is mounted on a wiring board is used in an electronic device.

この配線基板として、例えば、特許文献１には、セラミック層（無機絶縁層）と、該セラミック層の主面の一部に配された導体パターン（導電層）と、セラミック層の他の部分に配された樹脂層とを備えた複合多層基板（配線基板）が記載されている。 As this wiring board, for example, Patent Document 1 discloses a ceramic layer (inorganic insulating layer), a conductor pattern (conductive layer) disposed on a part of the main surface of the ceramic layer, and other parts of the ceramic layer. A composite multilayer board (wiring board) provided with an arranged resin layer is described.

ところで、無機絶縁層と導電層とは熱膨張率が異なるため、電子部品の実装時や作動時に熱が配線基板に加わると、無機絶縁層と導電層との間に熱応力が加わり、無機絶縁層と導電層とが剥離することがある。その結果、導電層に断線が生じ、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。 By the way, since the thermal expansion coefficient differs between the inorganic insulating layer and the conductive layer, if heat is applied to the wiring board during mounting or operation of the electronic component, a thermal stress is applied between the inorganic insulating layer and the conductive layer, and the inorganic insulating layer The layer and the conductive layer may peel off. As a result, the conductive layer is disconnected, and the electrical reliability of the wiring board is likely to decrease.

したがって、電気的信頼性に優れた配線基板を提供することが望まれている。 Therefore, it is desired to provide a wiring board having excellent electrical reliability.

特開２００５−２２３２２６号公報JP 2005-223226 A

本発明は、電気的信頼性に優れた配線基板およびその実装構造体を提供することによって上記要求を解決する。 The present invention solves the above-described demand by providing a wiring board having excellent electrical reliability and a mounting structure thereof.

本発明の一実施形態に係る配線基板は、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子を有する無機絶縁層と、該無機絶縁層の一主面の一部に配された導電層と、前記無機絶縁層の前記一主面の他の部分に配されているとともに前記導電層の側面および前記無機絶縁層と反対側の一主面を被覆した第１樹脂層と、前記無機絶縁層の他主面に配された第２樹脂層とを備え、該第１樹脂層の一部は、前記複数の無機絶縁粒子同士の間隙に入り込み、前記第２樹脂層の一部は、前記複数の無機絶縁粒子同士の間隙に入り込み、前記第１樹脂層は、第１樹脂と該第１樹脂中に分散した複数の第１フィラー粒子とを有しており、前記第２樹脂層は、第２樹脂と該第２樹脂中に分散した複数の第２フィラー粒子とを有しており、前記第１樹脂層の前記無機絶縁層に近接した領域における前記第１フィラー粒子の含有割合は、前記第２樹脂層の前記無機絶縁層に近接した領域における前記第２フィラー粒子の含有割合よりも小さい。 A wiring board according to an embodiment of the present invention includes an inorganic insulating layer having a plurality of inorganic insulating particles partially connected to each other, a conductive layer disposed on a part of one main surface of the inorganic insulating layer, A first resin layer disposed on another portion of the one main surface of the inorganic insulating layer and covering the side surface of the conductive layer and the one main surface opposite to the inorganic insulating layer; and a second resin layer disposed on the main surface, the portion of the first resin layer, seen write enters the plurality of gaps between the inorganic insulating particles, a portion of the second resin layer, said plurality of enters the gap between the inorganic insulating particles, wherein the first resin layer has a plurality of first filler particles dispersed in the first resin and the first resin, the second resin layer, the 2 resin and a plurality of second filler particles dispersed in the second resin, the inorganic insulation of the first resin layer Content of the first filler particles in the area proximate to the is smaller than the content ratio of the second filler particles in the area adjacent to the inorganic insulating layer of the second resin layer.

本発明の一形態にかかる実装構造体は、上記配線基板と、該配線基板に実装され、前記導電層に電気的に接続された電子部品とを備える。 A mounting structure according to an aspect of the present invention includes the above wiring board and an electronic component that is mounted on the wiring board and electrically connected to the conductive layer.

本発明の一形態にかかる配線基板によれば、第１樹脂層によって無機絶縁層と導電層との接着強度を高めることができる。したがって、導電層の断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。 According to the wiring board according to one aspect of the present invention, the first resin layer can increase the adhesive strength between the inorganic insulating layer and the conductive layer. Therefore, it is possible to obtain a wiring substrate that reduces the disconnection of the conductive layer and thus has excellent electrical reliability.

本発明の一形態にかかる実装構造体によれば、上記配線基板を備えるため、電気的信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。 According to the mounting structure according to one aspect of the present invention, since the wiring board is provided, a mounting structure having excellent electrical reliability can be obtained.

（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示した断面図である。(A) is sectional drawing which cut | disconnected the mounting structure concerning one Embodiment of this invention in the thickness direction, (b) is sectional drawing which expanded and showed R1 part of Fig.1 (a). . （ａ）は、図１（ｂ）のＲ２部分を拡大して示した断面図であり、（ｂ）は、図１（ｂ）のＲ３部分を拡大して示した断面図である。(A) is sectional drawing which expanded and showed R2 part of FIG.1 (b), (b) is sectional drawing which expanded and showed R3 part of FIG.1 (b). （ａ）は、図１（ｂ）のＲ４部分を拡大して示した断面図であり、（ｂ）は、図１（ｂ）のＲ５部分を拡大して示した断面図である。(A) is sectional drawing which expanded and showed R4 part of FIG.1 (b), (b) is sectional drawing which expanded and showed R5 part of FIG.1 (b). （ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ａ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。(A) And (b) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a), (c) demonstrates the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a). FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a portion corresponding to a portion R2 in FIG. 図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ａ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。It is sectional drawing which expanded and showed the part corresponded to R2 part of Fig.2 (a) explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a). （ａ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図２（ａ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。(A) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a), (b) demonstrates the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a), FIG. It is sectional drawing which expanded and showed the part corresponded to R2 part of (a), (c) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a). （ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。(A) And (b) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a). （ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。(A) And (b) is sectional drawing explaining the manufacturing process of the mounting structure shown to Fig.1 (a).

以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図面を参照しつつ詳細に説明する。 Hereinafter, a mounting structure including a wiring board according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１（ａ）に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、電子部品２が実装された配線基板３とを含んでいる。 The mounting structure 1 shown in FIG. 1A is used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices or peripheral devices thereof. The mounting structure 1 includes an electronic component 2 and a wiring board 3 on which the electronic component 2 is mounted.

電子部品２は、例えばＩＣまたはＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電材料からなるバンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。また、電子部品２の主面方向（ＸＹ平面方向）および厚み方向（Ｚ方向）への熱膨張率は、例えば２ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下である。なお、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ（Thermo-Mechanical Analysis）装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７−１９９１に準じた測定方法により測定される。以下、各部材の熱膨張率は、電子部品２と同様に測定される。 The electronic component 2 is a semiconductor element such as an IC or LSI, and is flip-chip mounted on the wiring substrate 3 via bumps 4 made of a conductive material such as solder. The electronic component 2 is made of a semiconductor material such as silicon, germanium, gallium arsenide, gallium arsenide phosphorus, gallium nitride, or silicon carbide. The thickness of the electronic component 2 is, for example, not less than 0.1 mm and not more than 1 mm. The coefficient of thermal expansion in the main surface direction (XY plane direction) and the thickness direction (Z direction) of the electronic component 2 is, for example, 2 ppm / ° C. or more and 7 ppm / ° C. or less. In addition, the thermal expansion coefficient of the electronic component 2 is measured by a measuring method according to JIS K7197-1991 using a commercially available TMA (Thermo-Mechanical Analysis) apparatus. Hereinafter, the coefficient of thermal expansion of each member is measured in the same manner as the electronic component 2.

配線基板３は、電子部品２を支持するとともに、電子部品２を駆動もしくは制御するための電源や信号を電子部品２へ供給する機能を有するものである。この配線基板３は、コア基板５と、コア基板５の上下面に形成された一対のビルドアップ層６とを含んでいる。 The wiring board 3 has functions of supporting the electronic component 2 and supplying power and signals for driving or controlling the electronic component 2 to the electronic component 2. The wiring substrate 3 includes a core substrate 5 and a pair of buildup layers 6 formed on the upper and lower surfaces of the core substrate 5.

コア基板５は、配線基板３の剛性を高めつつ一対のビルドアップ層６間の導通を図るものである。このコア基板５は、ビルドアップ層６を支持する基体７と、基体７を厚み方向に貫通したスルーホール内に配された筒状のスルーホール導体８と、スルーホール導体８に取り囲まれた柱状の絶縁体９とを含んでいる。 The core substrate 5 is intended to enhance electrical connection between the pair of buildup layers 6 while increasing the rigidity of the wiring substrate 3. The core substrate 5 includes a base body 7 that supports the buildup layer 6, a cylindrical through-hole conductor 8 that is disposed in a through hole that penetrates the base body 7 in the thickness direction, and a columnar shape that is surrounded by the through-hole conductor 8. The insulator 9 is included.

基体７は、配線基板３を高剛性かつ低熱膨張率とするものである。この基体７は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂と樹脂に被覆されたガラスクロス等の基材と樹脂中に分散した
酸化珪素等からなるフィラー粒子とを含む。基体７の厚みは、例えば０．０４ｍｍ以上２ｍｍ以下である。 The base 7 makes the wiring board 3 highly rigid and has a low coefficient of thermal expansion. The base 7 includes, for example, a resin such as an epoxy resin, a base material such as a glass cloth coated with the resin, and filler particles made of silicon oxide or the like dispersed in the resin. The thickness of the substrate 7 is, for example, 0.04 mm or more and 2 mm or less.

スルーホール導体８は、一対のビルドアップ層６同士を電気的に接続するものである。このスルーホール導体８は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料によって形成することができる。 The through-hole conductor 8 electrically connects the pair of buildup layers 6 to each other. The through-hole conductor 8 can be formed of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium.

絶縁体９は、スルーホール導体８に取り囲まれた空間を埋めるものである。この絶縁体９は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料によって形成することができる。 The insulator 9 fills the space surrounded by the through-hole conductor 8. The insulator 9 can be formed of a resin material such as an epoxy resin.

一方、コア基板５の上下面には、上述した如く、一対のビルドアップ層６が形成されている。一対のビルドアップ層６のうち、一方のビルドアップ層６は、バンプ３を介して電子部品２と接続し、他方のビルドアップ層６は、例えば半田ボール（図示せず）を介して外部回路と接続する。 On the other hand, as described above, a pair of buildup layers 6 are formed on the upper and lower surfaces of the core substrate 5. Of the pair of buildup layers 6, one buildup layer 6 is connected to the electronic component 2 via the bump 3, and the other buildup layer 6 is connected to an external circuit via, for example, a solder ball (not shown). Connect with.

ビルドアップ層６は、基体７上に積層された複数の絶縁層１０と、基体７上または絶縁層１０上に部分的に配された複数の導電層１１と、絶縁層１０を厚み方向に貫通した複数のビア導体１２とを含んでいる。 The build-up layer 6 penetrates the insulating layer 10 in the thickness direction, a plurality of insulating layers 10 stacked on the substrate 7, a plurality of conductive layers 11 partially disposed on the substrate 7 or on the insulating layer 10. The plurality of via conductors 12 are included.

絶縁層１０は、厚み方向または主面方向に離れた導電層１１同士の絶縁部材や主面方向に離れたビア導体１２同士の絶縁部材として機能するものである。絶縁層１０の詳細については後述する。 The insulating layer 10 functions as an insulating member between the conductive layers 11 separated in the thickness direction or the main surface direction and an insulating member between the via conductors 12 separated in the main surface direction. Details of the insulating layer 10 will be described later.

導電層１１は、厚み方向または主面方向に互いに離れており、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線等の配線として機能するものである。導電層１１は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料からなる。また、導電層１１の厚みは、３μｍ以上２０μｍ以下であり、導電層１１の厚み方向および主面方向への熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下である。また、導電層１１のヤング率は、例えば７０ＧＰａ以上１５０以下ＧＰａである。なお、導電層１１のヤング率は、ＭＴＳ社製ナノインデンターＸＰを用いて、ＩＳＯ１４５７７−１：２００２に準じた方法で測定される。以下、各部材のヤング率は、導電層１１と同様に測定される。 The conductive layers 11 are separated from each other in the thickness direction or main surface direction, and function as wiring such as ground wiring, power supply wiring, or signal wiring. The conductive layer 11 is made of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium. The thickness of the conductive layer 11 is 3 μm or more and 20 μm or less, and the coefficient of thermal expansion in the thickness direction and the main surface direction of the conductive layer 11 is, for example, 14 ppm / ° C. or more and 18 ppm / ° C. or less. The Young's modulus of the conductive layer 11 is, for example, 70 GPa or more and 150 or less GPa. In addition, the Young's modulus of the conductive layer 11 is measured by a method according to ISO14577-1: 2002 using a nanoindenter XP manufactured by MTS. Hereinafter, the Young's modulus of each member is measured in the same manner as the conductive layer 11.

ビア導体１２は、厚み方向に互いに離れた導電層１１同士を電気的に接続するものである。このビア導体１２は、導電層１１と同様の材料からなり、同様の特性を有する。また、ビア導体１２は、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１２の幅は、例えば１０μｍ以上７５μｍ以下である。 The via conductor 12 electrically connects the conductive layers 11 separated from each other in the thickness direction. The via conductor 12 is made of the same material as that of the conductive layer 11 and has the same characteristics. The via conductors 12 are formed in a columnar shape that becomes narrower toward the core substrate 5. The width of the via conductor 12 is, for example, 10 μm or more and 75 μm or less.

次に、絶縁層１０について詳細に説明する。 Next, the insulating layer 10 will be described in detail.

絶縁層１０は、コア基板５側に配された樹脂層１３と、コア基板５と反対側に配された無機絶縁層１４とを含んでいる。無機絶縁層１４のコア基板５と反対側の一主面の一部には、導電層１１が配されており、無機絶縁層１４の一主面の他の部分には、隣接する絶縁層１０の樹脂層１３の一部が配されている。 The insulating layer 10 includes a resin layer 13 disposed on the core substrate 5 side and an inorganic insulating layer 14 disposed on the side opposite to the core substrate 5. A conductive layer 11 is disposed on a part of one main surface of the inorganic insulating layer 14 opposite to the core substrate 5, and an adjacent insulating layer 10 is disposed on the other main surface of the inorganic insulating layer 14. A part of the resin layer 13 is disposed.

樹脂層１３は、絶縁層１０において接着部材として機能するものである。また、樹脂層１３は、その一部がコア基板５側に配された導電層１１同士の間に配されており、主面方向に離れた導電層１１同士の絶縁部材として機能するものである。また、樹脂層１３は、無機絶縁層１４よりもヤング率が小さく弾性変形しやすいため、配線基板３におけるクラックの発生を抑制するものである。樹脂層１３の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下である。樹脂層１３のヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。樹脂
層１３の厚み方向および主面方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。 The resin layer 13 functions as an adhesive member in the insulating layer 10. The resin layer 13 is partly disposed between the conductive layers 11 disposed on the core substrate 5 side, and functions as an insulating member between the conductive layers 11 separated in the main surface direction. . Further, since the resin layer 13 has a Young's modulus smaller than that of the inorganic insulating layer 14 and is easily elastically deformed, the generation of cracks in the wiring board 3 is suppressed. The thickness of the resin layer 13 is, for example, 3 μm or more and 30 μm or less. The Young's modulus of the resin layer 13 is, for example, not less than 0.2 GPa and not more than 20 GPa. The thermal expansion coefficient in the thickness direction and main surface direction of the resin layer 13 is, for example, 20 ppm / ° C. or more and 50 ppm / ° C. or less.

この樹脂層１３は、図１（ｂ）に示すように、樹脂１５と樹脂１５中に分散した複数のフィラー粒子１６とを含んでいる。 As shown in FIG. 1B, the resin layer 13 includes a resin 15 and a plurality of filler particles 16 dispersed in the resin 15.

樹脂１５は、樹脂層１３において接着部材として機能するものである。この樹脂１５は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。樹脂１５のヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。樹脂１５の厚み方向および主面方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。 The resin 15 functions as an adhesive member in the resin layer 13. As the resin 15, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a cyanate resin, a polyphenylene ether resin, a wholly aromatic polyamide resin, or a polyimide resin can be used. The Young's modulus of the resin 15 is, for example, not less than 0.1 GPa and not more than 5 GPa. The thermal expansion coefficient in the thickness direction and the main surface direction of the resin 15 is, for example, 20 ppm / ° C. or more and 50 ppm / ° C. or less.

フィラー粒子１６は、樹脂層１３を高剛性かつ低熱膨張率とするものである。このフィラー粒子１６は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウム等の無機絶縁材料からなる。フィラー粒子１６の平均粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下である。フィラー粒子１６の熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。樹脂層１３におけるフィラー粒子１６の含有割合は、例えば３体積％以上６０体積％以下である。なお、フィラー粒子１６の平均粒径は、配線基板３の厚み方向への断面において、各粒子の粒径の平均値を算出することによって測定することができる。また、樹脂層１３におけるフィラー粒子１６の含有割合は、配線基板３の厚み方向への断面において、樹脂層１３においてフィラー粒子１６が占める面積の割合を含有割合（体積％）とみなすことによって測定することができる。以下、各部材の平均粒径および含有割合は、フィラー粒子１６と同様に測定される。 The filler particles 16 make the resin layer 13 highly rigid and have a low coefficient of thermal expansion. The filler particles 16 are made of an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum hydroxide, or calcium carbonate. The average particle diameter of the filler particles 16 is, for example, not less than 0.5 μm and not more than 5 μm. The thermal expansion coefficient of the filler particles 16 is, for example, 0 ppm / ° C. or more and 15 ppm / ° C. or less. The content ratio of the filler particles 16 in the resin layer 13 is, for example, 3% by volume or more and 60% by volume or less. The average particle size of the filler particles 16 can be measured by calculating the average value of the particle size of each particle in the cross section in the thickness direction of the wiring board 3. Further, the content ratio of the filler particles 16 in the resin layer 13 is measured by regarding the ratio of the area occupied by the filler particles 16 in the resin layer 13 in the cross section in the thickness direction of the wiring substrate 3 as the content ratio (volume%). be able to. Hereinafter, the average particle diameter and the content ratio of each member are measured in the same manner as the filler particles 16.

無機絶縁層１４は、コア基板５と反対側の一主面の一部に導電層１１が配されており、導電層１１の支持部材として機能するものである。また、無機絶縁層１４は、絶縁層１３を高剛性かつ低熱膨張率とすることによって、電子部品２と配線基板３との熱膨張率の差を低減し、電子部品２の実装時や作動時に実装構造体１に熱が加わった際に、電子部品２と配線基板３との熱膨張率の違いに起因した反りを低減するものである。無機絶縁層１４の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下である。無機絶縁層１４のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下である。また、無機絶縁層１４の厚み方向および主面方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である。 The inorganic insulating layer 14 has a conductive layer 11 disposed on a part of one main surface opposite to the core substrate 5, and functions as a support member for the conductive layer 11. In addition, the inorganic insulating layer 14 reduces the difference in thermal expansion coefficient between the electronic component 2 and the wiring board 3 by making the insulating layer 13 highly rigid and has a low thermal expansion coefficient. When heat is applied to the mounting structure 1, warping due to the difference in coefficient of thermal expansion between the electronic component 2 and the wiring board 3 is reduced. The thickness of the inorganic insulating layer 14 is, for example, 3 μm or more and 30 μm or less. The Young's modulus of the inorganic insulating layer 14 is, for example, 10 GPa or more and 50 GPa or less. Further, the thermal expansion coefficient in the thickness direction and the main surface direction of the inorganic insulating layer 14 is, for example, 0 ppm / ° C. or more and 10 ppm / ° C. or less.

無機絶縁層１４は、図１（ｂ）ないし図３（ｂ）に示すように、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子１７を含んでおり、複数の無機絶縁粒子１７の間には間隙１８が形成されている。すなわち、無機絶縁層１４は、多孔質体であり、無機絶縁粒子１７同士が互いに接続した三次元網目状構造をなしている。また、複数の無機絶縁粒子１７同士の接続部１９は、括れ状であり、また、ネック構造をなしている。無機絶縁層１４においては、複数の無機絶縁粒子１７同士が互いに接続して拘束し合うことから、樹脂層１３中に分散したフィラー粒子１６のように流動しないため、無機絶縁層１４を高剛性かつ低熱膨張率とすることができる。 As shown in FIGS. 1B to 3B, the inorganic insulating layer 14 includes a plurality of inorganic insulating particles 17 that are partially connected to each other, and a gap is provided between the plurality of inorganic insulating particles 17. 18 is formed. That is, the inorganic insulating layer 14 is a porous body and has a three-dimensional network structure in which the inorganic insulating particles 17 are connected to each other. Moreover, the connection part 19 between the plurality of inorganic insulating particles 17 is constricted and has a neck structure. In the inorganic insulating layer 14, since the plurality of inorganic insulating particles 17 are connected to each other and restrained, the inorganic insulating layer 14 does not flow like the filler particles 16 dispersed in the resin layer 13. A low coefficient of thermal expansion can be obtained.

複数の無機絶縁粒子１７は、一部が互いに接続した複数の第１無機絶縁粒子１７ａと、第１無機絶縁粒子１７ａよりも粒径が大きく、一部が第１無機絶縁粒子１７ａと接続しているとともに、第１無機絶縁粒子１７ａを挟んで互いに離れた複数の第２無機絶縁粒子１７ｂとを含んでいる。複数の無機絶縁粒子１７における第１無機絶縁粒子１７ａの含有割合は、例えば２０体積％以上９０体積％以下であり、複数の無機絶縁粒子１７における第２無機絶縁粒子１７ｂの含有割合は、例えば１０体積％以上８０体積％以下である。 The plurality of inorganic insulating particles 17 have a plurality of first inorganic insulating particles 17a partially connected to each other, a particle size larger than that of the first inorganic insulating particles 17a, and a part connected to the first inorganic insulating particles 17a. And a plurality of second inorganic insulating particles 17b that are separated from each other with the first inorganic insulating particles 17a interposed therebetween. The content ratio of the first inorganic insulating particles 17a in the plurality of inorganic insulating particles 17 is, for example, 20% by volume or more and 90% by volume or less, and the content ratio of the second inorganic insulating particles 17b in the plurality of inorganic insulating particles 17 is, for example, 10%. The volume is 80% by volume or more.

第１無機絶縁粒子１７ａは、無機絶縁層１４において接続部材として機能するものである。この第１無機絶縁粒子１７ａは、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等の無機絶縁材料からなり、中でも、低熱膨張率および低誘電正接の観点から、酸化ケイ素を用いることが望ましい。この場合、第１無機絶縁粒子１７ａは、酸化ケイ素を９０質量％以上含んでいればよい。また、酸化ケイ素は、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減するため、アモルファス（非晶質）状態であることが望ましい。 The first inorganic insulating particles 17 a function as a connection member in the inorganic insulating layer 14. The first inorganic insulating particles 17a are made of, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, boron oxide, magnesium oxide, or calcium oxide. Among these, silicon oxide is used from the viewpoint of low thermal expansion coefficient and low dielectric loss tangent. Is desirable. In this case, the 1st inorganic insulating particle 17a should just contain 90 mass% or more of silicon oxides. In addition, silicon oxide is desirably in an amorphous state in order to reduce anisotropy of the thermal expansion coefficient due to the crystal structure.

第１無機絶縁粒子１７ａは、例えば球状である。また、第１無機絶縁粒子１７ａの平均粒径は、３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。このように第１無機絶縁粒子１７ａの粒径が微小であるため、無機絶縁層１４を緻密なものとして高剛性かつ低熱膨張率とすることができるとともに、後述するように、無機絶縁層１４を作製する際に第１無機絶縁粒子１７ａ同士を容易に接続することができる。 The first inorganic insulating particles 17a are, for example, spherical. The average particle size of the first inorganic insulating particles 17a is 3 nm or more and 110 nm or less. As described above, since the first inorganic insulating particles 17a have a very small particle size, the inorganic insulating layer 14 can be made dense so as to have high rigidity and a low thermal expansion coefficient. When producing, the first inorganic insulating particles 17a can be easily connected to each other.

第２無機絶縁粒子１７ｂは、その粒径が大きいことから、無機絶縁層１４に生じたクラックが迂回するためのエネルギーを増加させるため、このクラックの伸長を抑制するものである。第２無機絶縁粒子１７ｂは、第１無機絶縁粒子１７ａと同様の材料を用いることができ、中でも、第１無機絶縁粒子１７ａと材料特性を近づけるため、第１無機絶縁粒子１７ａと同じ材料を用いることが望ましい。この第２無機絶縁粒子１７ｂは、例えば球状である。また、第２無機絶縁粒子１７ｂの平均粒径は、０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である。このように第２無機絶縁粒子１７ｂの粒径が大きいため、無機絶縁層１４に生じたクラックの伸長を良好に抑制できる。 Since the second inorganic insulating particle 17b has a large particle size, the second inorganic insulating particle 17b increases energy for bypassing the crack generated in the inorganic insulating layer 14, and thus suppresses the extension of the crack. The second inorganic insulating particles 17b can be made of the same material as that of the first inorganic insulating particles 17a. Among them, the same material as that of the first inorganic insulating particles 17a is used in order to bring the material properties closer to those of the first inorganic insulating particles 17a. It is desirable. The second inorganic insulating particles 17b are, for example, spherical. The average particle size of the second inorganic insulating particles 17b is not less than 0.5 mm and not more than 5 mm. Thus, since the particle size of the 2nd inorganic insulating particle 17b is large, the expansion | extension of the crack which arose in the inorganic insulating layer 14 can be suppressed favorably.

間隙１８は、開気孔であり、無機絶縁層１４の一主面および他主面に開口２０を有する。また、無機絶縁層１４が多孔質体であり、また、三次元網目状構造であることから、間隙１８の少なくとも一部は、無機絶縁層１４の厚み方向への断面において、無機絶縁粒子１７に取り囲まれている。この間隙１８には、樹脂層１３の一部が入り込んでおり、特に、樹脂１５の一部が入り込んでいる。その結果、弾性変形しやすい樹脂１５によって無機絶縁層１４に加わった応力が緩和されるため、無機絶縁層１４におけるクラックの発生を抑制できる。なお、無機絶縁層１４および間隙１８のうち間隙１８が占める割合は、例えば１０体積％以上５０体積％以下である。 The gap 18 is an open pore and has an opening 20 on one main surface and the other main surface of the inorganic insulating layer 14. Further, since the inorganic insulating layer 14 is a porous body and has a three-dimensional network structure, at least a part of the gap 18 is formed on the inorganic insulating particles 17 in the cross section in the thickness direction of the inorganic insulating layer 14. Surrounded. A part of the resin layer 13 enters the gap 18, and in particular, a part of the resin 15 enters. As a result, since the stress applied to the inorganic insulating layer 14 is relaxed by the resin 15 that is easily elastically deformed, the occurrence of cracks in the inorganic insulating layer 14 can be suppressed. In addition, the ratio for which the space | gap 18 accounts among the inorganic insulating layers 14 and the space | gap 18 is 10 volume% or more and 50 volume% or less, for example.

ここで、図１（ｂ）に示すように、便宜上、１つの無機絶縁層１４について、コア基板５と反対側の一主面に配された樹脂層１３を第１樹脂層１３ａとし、コア基板５側の他主面に配された樹脂層１３を第２樹脂層１３ｂとする。また、第１樹脂層１３ａの樹脂１５を第１樹脂１５ａとし、第２樹脂層１３ｂの樹脂１５を第２樹脂１５ｂとする。また、第１樹脂層１３ａのフィラー粒子１６を第１フィラー粒子１６ａとし、第２樹脂層１３ｂのフィラー粒子１６を第２フィラー粒子１６ｂとする。 Here, as shown in FIG. 1B, for convenience, for one inorganic insulating layer 14, the resin layer 13 disposed on one main surface opposite to the core substrate 5 is referred to as a first resin layer 13a, and the core substrate. The resin layer 13 disposed on the other main surface on the 5th side is referred to as a second resin layer 13b. The resin 15 of the first resin layer 13a is referred to as a first resin 15a, and the resin 15 of the second resin layer 13b is referred to as a second resin 15b. The filler particles 16 of the first resin layer 13a are referred to as first filler particles 16a, and the filler particles 16 of the second resin layer 13b are referred to as second filler particles 16b.

ところで、無機絶縁層１４と導電層１１とは熱膨張率が異なるため、電子部品２の実装時や作動時に配線基板３に熱が加わると、無機絶縁層１４と導電層１１との間に熱応力が加わることがある。 By the way, since the thermal expansion coefficient differs between the inorganic insulating layer 14 and the conductive layer 11, if heat is applied to the wiring board 3 during mounting or operation of the electronic component 2, heat is generated between the inorganic insulating layer 14 and the conductive layer 11. Stress may be applied.

一方、本実施形態の配線基板３は、図２（ａ）に示すように、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子１７を有する無機絶縁層１４と、無機絶縁層１４の一主面の一部に配された導電層１１と、無機絶縁層１４の一主面の他の部分に配されているとともに導電層１１の側面および無機絶縁層１４と反対側の一主面を被覆した第１樹脂層１３ａとを備え、第１樹脂層１３ａの一部は、複数の無機絶縁粒子１７同士の間隙１８に入り込んでいる。 On the other hand, as shown in FIG. 2A, the wiring substrate 3 of the present embodiment has an inorganic insulating layer 14 having a plurality of inorganic insulating particles 17 partially connected to each other, and one main surface of the inorganic insulating layer 14. The conductive layer 11 disposed in part and the other portion of the inorganic insulating layer 14 that is disposed on the other main surface and covers the side surface of the conductive layer 11 and the main surface opposite to the inorganic insulating layer 14. 1 resin layer 13a, and a part of the first resin layer 13a enters the gap 18 between the plurality of inorganic insulating particles 17.

この第１樹脂層１３ａは、導電層１１の側面および無機絶縁層１４と反対側の一主面を
被覆することによって導電層１１を無機絶縁層１４に固定することができ、さらに、第１樹脂層１３ａが複数の無機絶縁粒子１７同士の間隙１８に入り込んでいることから、第１樹脂層１３ａと無機絶縁層１４との接着強度を高め、ひいては第１樹脂層１３ａによって導電層１１を固定する力を高めることができる。その結果、導電層１１と無機絶縁層１４との接着強度を高めることができ、導電層１１と無機絶縁層１４との剥離を抑制することができる。したがって、導電層１１の断線を抑制し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。 The first resin layer 13a can fix the conductive layer 11 to the inorganic insulating layer 14 by covering the side surface of the conductive layer 11 and one main surface opposite to the inorganic insulating layer 14, and further, the first resin layer 13a can be fixed. Since the layer 13a enters the gap 18 between the plurality of inorganic insulating particles 17, the adhesive strength between the first resin layer 13a and the inorganic insulating layer 14 is increased, and the conductive layer 11 is fixed by the first resin layer 13a. You can increase your power. As a result, the adhesive strength between the conductive layer 11 and the inorganic insulating layer 14 can be increased, and peeling between the conductive layer 11 and the inorganic insulating layer 14 can be suppressed. Therefore, it is possible to obtain the wiring board 3 that suppresses the disconnection of the conductive layer 11 and that is excellent in electrical reliability.

また、第２樹脂層１３ｂの一部は、図２（ｂ）に示すように、複数の無機絶縁粒子１７同士の間隙１８に入り込んでいる。その結果、第２樹脂層１３ｂが複数の無機絶縁粒子１７同士の間隙１８に入り込んでいるため、第２樹脂層１３ｂと無機絶縁層１４との接着強度を高めることができる。したがって、第２樹脂層１３ｂと無機絶縁層１４との剥離を抑制することができるため、電子部品２の実装時や作動時に配線基板３に熱が加わった際に、配線基板３内部に含まれる水分がこの剥離した箇所で膨張することを抑制し、剥離部分におけるこの膨張に起因したクラック発生を抑制することができる。その結果、このクラックに起因した導電層１１の断線やイオンマイグレーションによる短絡を抑制することができる。 A part of the second resin layer 13b enters the gap 18 between the plurality of inorganic insulating particles 17 as shown in FIG. As a result, since the second resin layer 13b enters the gap 18 between the plurality of inorganic insulating particles 17, the adhesive strength between the second resin layer 13b and the inorganic insulating layer 14 can be increased. Therefore, since peeling between the second resin layer 13b and the inorganic insulating layer 14 can be suppressed, the heat is applied to the wiring board 3 during mounting or operation of the electronic component 2 and is included in the wiring board 3. It is possible to suppress the expansion of moisture at the peeled portion, and to suppress the generation of cracks due to the expansion at the peeled portion. As a result, disconnection of the conductive layer 11 due to this crack and short circuit due to ion migration can be suppressed.

また、無機絶縁層１４は、図１（ｂ）および図３（ａ）に示すように、第１樹脂層１３ａの一部が入り込んだ第１層領域２１ａと、第２樹脂層１３ｂの一部が入り込んだ第２層領域２１ｂとを含んでおり、第１層領域２１ａの厚みは、第２層領域２１ｂの厚みよりも小さい。その結果、第１樹脂層１３ａの一部を充填する前の第１層領域２１ａの間隙１８にめっき液、エッチング液または界面活性剤等の薬液が侵入して残存することを低減することができるため、残存した薬液に含まれる塩素などが配線の金属材料を溶解することに起因した、主面方向に離れた導電層１１同士のイオンマイグレーションを低減することができる。なお、第１層領域２１ａの厚みは、例えば無機絶縁層１４の厚みの１％以上３０％以下であり、第２層領域２１ｂの厚みは、例えば無機絶縁層１４の厚みの７０％以上９９％以下である。 In addition, as shown in FIG. 1B and FIG. 3A, the inorganic insulating layer 14 includes a first layer region 21a into which a part of the first resin layer 13a enters and a part of the second resin layer 13b. And the thickness of the first layer region 21a is smaller than the thickness of the second layer region 21b. As a result, it is possible to reduce the invasion and remaining of a chemical solution such as a plating solution, an etching solution, or a surfactant into the gap 18 of the first layer region 21a before filling a part of the first resin layer 13a. Therefore, ion migration between the conductive layers 11 separated in the principal surface direction due to the chlorine contained in the remaining chemical solution dissolving the metal material of the wiring can be reduced. The thickness of the first layer region 21a is, for example, 1% to 30% of the thickness of the inorganic insulating layer 14, and the thickness of the second layer region 21b is, for example, 70% to 99% of the thickness of the inorganic insulating layer 14. It is as follows.

また、図３（ａ）に示すように、無機絶縁層１４の内部において、第１樹脂層１３ａの一部および第２樹脂層１３ｂの一部が接している。その結果、無機絶縁層１４と第１樹脂層１３ａとの接着強度および無機絶縁層１４と第２樹脂層１３ｂとの接着強度の双方を高めることができる。また、第１樹脂層１３ａと第２樹脂層１３ｂとの界面が無機絶縁層１４の内部に位置するため、無機絶縁層１４と導電層１１との角部に集中しやすい応力に起因した第１樹脂層１３ａと第２樹脂層１３ｂとの剥離を抑制できる。 Further, as shown in FIG. 3A, a part of the first resin layer 13 a and a part of the second resin layer 13 b are in contact with each other inside the inorganic insulating layer 14. As a result, both the adhesive strength between the inorganic insulating layer 14 and the first resin layer 13a and the adhesive strength between the inorganic insulating layer 14 and the second resin layer 13b can be increased. Further, since the interface between the first resin layer 13 a and the second resin layer 13 b is located inside the inorganic insulating layer 14, the first is caused by stress that tends to concentrate on the corners of the inorganic insulating layer 14 and the conductive layer 11. The peeling between the resin layer 13a and the second resin layer 13b can be suppressed.

また、第１樹脂層１３ａの無機絶縁層１４に近接した領域（第１近接領域２２ａ）における第１フィラー粒子１６ａの含有割合は、第２樹脂層１３ｂの無機絶縁層１４に近接した領域（第２近接領域２２ｂ）における第２フィラー粒子１６ｂの含有割合よりも小さい。その結果、第１近接領域２２ａにおいては、第１フィラー粒子１６ａの含有割合を小さくすることによって、主面方向で隣接した導電層１１同士の間における樹脂１５の充填効率を高め、導電層１１同士の間における絶縁性を高め、さらには導電層１１同士の短絡を抑制しつつ導電層１１のピッチを小さくして配線を高密度化することができる。また、第２近接領域２２ｂにおいては、第２フィラー粒子１６ｂの含有割合を大きくすることによって、無機絶縁層１４との熱膨張率の差を低減して、第２樹脂層１３ｂと無機絶縁層１４との間に加わる熱応力を低減し、ひいては第２樹脂層１３ｂと無機絶縁層１４との剥離を低減できる。 Further, the content ratio of the first filler particles 16a in the region of the first resin layer 13a adjacent to the inorganic insulating layer 14 (first adjacent region 22a) is the region of the second resin layer 13b adjacent to the inorganic insulating layer 14 (first Smaller than the content ratio of the second filler particles 16b in the two adjacent regions 22b). As a result, in the first proximity region 22a, by reducing the content ratio of the first filler particles 16a, the filling efficiency of the resin 15 between the conductive layers 11 adjacent in the main surface direction is increased, and the conductive layers 11 It is possible to increase the wiring density by reducing the pitch of the conductive layers 11 while improving the insulation between them and further suppressing the short circuit between the conductive layers 11. Further, in the second proximity region 22b, by increasing the content ratio of the second filler particles 16b, the difference in the thermal expansion coefficient with the inorganic insulating layer 14 is reduced, and the second resin layer 13b and the inorganic insulating layer 14 are reduced. The thermal stress applied between the second resin layer 13b and the inorganic insulating layer 14 can be reduced.

第１近接領域２２ａは、無機絶縁層１４の一主面から第１樹脂層１３ａの厚みの２０％以内の領域であり、第２近接領域２２ｂは、無機絶縁層１４の他主面から第２樹脂層１３
ｂの厚みの２０％以内の領域である。この第１近接領域２２ａの厚みは、導電層１１の厚みよりも小さく、第２近接領域２２ｂの厚みは第１近接領域２２ａの厚みと同じである。第１近接領域２２ａにおける第１フィラー粒子１６ａの含有割合は、例えば７０体積％以上８５体積％以下である。また、第２近接領域２２ｂにおける第２フィラー粒子１６ｂの含有割合は、例えば８０体積％以上９０体積％以下である。 The first proximity region 22a is a region within 20% of the thickness of the first resin layer 13a from one main surface of the inorganic insulating layer 14, and the second proximity region 22b is second from the other main surface of the inorganic insulating layer 14. Resin layer 13
It is an area within 20% of the thickness of b. The thickness of the first proximity region 22a is smaller than the thickness of the conductive layer 11, and the thickness of the second proximity region 22b is the same as the thickness of the first proximity region 22a. The content ratio of the first filler particles 16a in the first proximity region 22a is, for example, 70% by volume or more and 85% by volume or less. Moreover, the content rate of the 2nd filler particle | grains 16b in the 2nd proximity | contact area | region 22b is 80 volume% or more and 90 volume% or less, for example.

また、第１近接領域２２ａにおける第１フィラー粒子１６ａの含有割合は、第１樹脂層１３ａのコア基板５と反対側に配された他の無機絶縁層１４に近接した領域（第３近接領域２２ｃ）における第１フィラー粒子１６ａの含有割合よりも小さい。その結果、上述した第１近接領域２２ａおよび第２近接領域２２ｂにおける場合と同様の効果が得られる。なお、第３近接領域２２ｃの厚みは、第２近接領域２２ｂの厚みと同じである。また、第３近接領域２２ｃにおける第１フィラー粒子１６ａの含有割合は、第２近接領域２２ｂにおける第２フィラー粒子１６ｂの含有割合と同様である。 Further, the content ratio of the first filler particles 16a in the first proximity region 22a is a region close to another inorganic insulating layer 14 disposed on the opposite side of the first resin layer 13a to the core substrate 5 (third proximity region 22c). ) Is smaller than the content ratio of the first filler particles 16a. As a result, the same effect as that in the first proximity region 22a and the second proximity region 22b described above can be obtained. The thickness of the third proximity region 22c is the same as the thickness of the second proximity region 22b. The content ratio of the first filler particles 16a in the third proximity region 22c is the same as the content ratio of the second filler particles 16b in the second proximity region 22b.

また、第１樹脂層１３ａの第１近接領域２２ａおよび第３近接領域２２ｃ以外の領域（残部領域２２ｄ）における第１フィラー粒子１６ａの含有割合は、第１近接領域２２ａにおける第１フィラー粒子１６ａの含有割合よりも小さい。その結果、残部領域２２ｄにおける第１フィラー粒子１６ａの含有割合が小さいことから、第１樹脂層１３ａを形成する際に後述する樹脂層前駆体が流動しやすくなるため、第１樹脂層１３ａの平坦性を高めることができる。また、第１近接領域２２ａにおける第１フィラー粒子１６ａの含有割合が大きいことから、第１近接領域２２ａと無機絶縁層１４との熱膨張率の差を低減して、第１樹脂層１３ａと無機絶縁層１４との間に加わる熱応力を低減することができる。なお、残部領域２２ｄにおける第１フィラー粒子１６ａの含有割合は、例えば５５体積％以上８０体積％以下である。 In addition, the content ratio of the first filler particles 16a in the region (the remaining region 22d) other than the first proximity region 22a and the third proximity region 22c of the first resin layer 13a is the amount of the first filler particles 16a in the first proximity region 22a. Less than the content ratio. As a result, since the content ratio of the first filler particles 16a in the remaining region 22d is small, a resin layer precursor described later easily flows when the first resin layer 13a is formed, so that the first resin layer 13a is flat. Can increase the sex. Moreover, since the content rate of the 1st filler particle 16a in the 1st proximity area | region 22a is large, the difference of the thermal expansion coefficient of the 1st proximity area | region 22a and the inorganic insulating layer 14 is reduced, and the 1st resin layer 13a and inorganic Thermal stress applied between the insulating layer 14 and the insulating layer 14 can be reduced. In addition, the content rate of the 1st filler particle | grains 16a in 22 d of remaining area | regions is 55 volume% or more and 80 volume% or less, for example.

一方、導電層１１は、図１（ｂ）および図３（ｂ）に示すように、複数の無機絶縁粒子１７同士の間隙１８に入り込んだ第１部分２３ａと、無機絶縁層１４上に配された第２部分２３ｂとを含んでいる。その結果、第１部分２３ａにおいてアンカー効果が生じるため、導電層１１と無機絶縁層１４との接着強度を高めることができる。また、無機絶縁層１４の間隙１８に配される第１部分２３ａよりも電気抵抗を低減できる第２部分２３ｂによって、導電層１１の電気抵抗を低減して信号伝送特性を高めることができる。 On the other hand, as shown in FIGS. 1B and 3B, the conductive layer 11 is disposed on the first portion 23 a that has entered the gap 18 between the plurality of inorganic insulating particles 17 and the inorganic insulating layer 14. And a second portion 23b. As a result, an anchor effect is generated in the first portion 23a, so that the adhesive strength between the conductive layer 11 and the inorganic insulating layer 14 can be increased. Moreover, the electric resistance of the conductive layer 11 can be reduced and the signal transmission characteristics can be improved by the second portion 23b which can reduce the electric resistance as compared with the first portion 23a disposed in the gap 18 of the inorganic insulating layer 14.

第１部分２３ａの厚みは、第２部分２３ｂの厚みよりも小さい。その結果、表皮効果によって電流密度が高くなりやすい導電層１１の表面部分において、電気抵抗が第２部分２３ｂよりも大きい第１部分２３ａが占める割合を小さくできるため、導電層１１における信号伝送特性を高めることができる。また、導電層１１において、電気抵抗が第１部分２３ａよりも小さい第２部分２３ｂの占める割合を大きくすることによって、導電層１１の電気抵抗を低減して信号伝送特性を高めることができる。なお、第１部分２３ａの厚みは、第１層領域２１ａの厚みと同じである。また、第１部分２３ａの厚みは、導電層１１の厚みの例えば５％以上３０％以下である。 The thickness of the first portion 23a is smaller than the thickness of the second portion 23b. As a result, in the surface portion of the conductive layer 11 where the current density is likely to increase due to the skin effect, the proportion of the first portion 23a having a larger electrical resistance than the second portion 23b can be reduced, so that the signal transmission characteristics in the conductive layer 11 are improved. Can be increased. Further, in the conductive layer 11, by increasing the proportion of the second portion 23b whose electric resistance is smaller than that of the first portion 23a, the electric resistance of the conductive layer 11 can be reduced and the signal transmission characteristics can be improved. The thickness of the first portion 23a is the same as the thickness of the first layer region 21a. Further, the thickness of the first portion 23 a is, for example, 5% or more and 30% or less of the thickness of the conductive layer 11.

無機絶縁層１４の内部において、第１部分２３ａと第２層領域２１ｂとは接しており、第１部分２３ａの厚みは、第２層領域２１ｂの厚みよりも小さい。その結果、表皮効果によって電流密度が高くなりやすい導電層１１の表面部分において第１部分２３ａが占める割合を小さくできるため、導電層１１における信号伝送特性を高めることができる。また、導電層１１よりもヤング率が小さく弾性変形しやすい第２樹脂層１３ｂの一部が間隙１８に入り込んだ第２層領域２１ｂの厚みを大きくすることによって、無機絶縁層１４におけるクラックの発生を良好に低減できる。 Inside the inorganic insulating layer 14, the first portion 23a and the second layer region 21b are in contact with each other, and the thickness of the first portion 23a is smaller than the thickness of the second layer region 21b. As a result, since the proportion of the first portion 23a in the surface portion of the conductive layer 11 where the current density tends to be high due to the skin effect can be reduced, the signal transmission characteristics in the conductive layer 11 can be improved. Further, by increasing the thickness of the second layer region 21b in which a part of the second resin layer 13b having a Young's modulus smaller than that of the conductive layer 11 and easily elastically deformed enters the gap 18, the generation of cracks in the inorganic insulating layer 14 occurs. Can be reduced satisfactorily.

無機絶縁層１４の内部において、第１部分２３ａと第２層領域２１ｂとは接している。
その結果、無機絶縁層１４の厚み方向において、第１部分２３ａ以外の領域において第２樹脂層１３ｂの一部を入り込ませることで、無機絶縁層１４に加わった応力を良好に緩和することができる。 Inside the inorganic insulating layer 14, the first portion 23a and the second layer region 21b are in contact with each other.
As a result, in the thickness direction of the inorganic insulating layer 14, the stress applied to the inorganic insulating layer 14 can be relieved satisfactorily by allowing a part of the second resin layer 13b to enter in a region other than the first portion 23a. .

第１部分２３ａは、第２部分２３ｂよりも主面方向に張り出した張出部２４を有する。その結果、張出部２４によって厚み方向（Ｚ方向）にアンカー効果が生じ、厚み方向における導電層１１と無機絶縁層１４との接着強度を高めることができるため、例えばビア導体１２と絶縁層１０との厚み方向における熱膨張率の違いに起因した熱応力が導電層１１に加わった際に、導電層１１と無機絶縁層１４との剥離を低減できる。なお、張出部２４の張出量は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下である。 The first portion 23a has a protruding portion 24 that protrudes in the main surface direction from the second portion 23b. As a result, an anchor effect is produced in the thickness direction (Z direction) by the overhanging portion 24, and the adhesive strength between the conductive layer 11 and the inorganic insulating layer 14 in the thickness direction can be increased. When the thermal stress resulting from the difference in thermal expansion coefficient in the thickness direction is applied to the conductive layer 11, peeling between the conductive layer 11 and the inorganic insulating layer 14 can be reduced. The overhanging amount of the overhanging portion 24 is not less than 0.5 μm and not more than 5 μm, for example.

張出部２４の張出量は、第２部分２３ｂ側から反対側に向かって小さくなっている。その結果、張出部２４の張出量が第２部分２３ｂ側で大きいため、張出部２４による厚み方向（Ｚ方向）へのアンカー効果を高めることができる。なお、張出部２４の第２部分２３ｂ側における張出量と、張出部２４の第２部分２３ｂと反対側における張出量との差は、例えば０．５μｍ以上２μｍ以下である。 The overhang amount of the overhang portion 24 decreases from the second portion 23b side toward the opposite side. As a result, since the overhang amount of the overhang portion 24 is large on the second portion 23b side, the anchor effect in the thickness direction (Z direction) by the overhang portion 24 can be enhanced. The difference between the overhang amount on the second portion 23b side of the overhang portion 24 and the overhang amount on the side opposite to the second portion 23b of the overhang portion 24 is, for example, not less than 0.5 μm and not more than 2 μm.

次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図４ないし図８に基づいて説明する。 Next, a method for manufacturing the mounting structure 1 described above will be described with reference to FIGS.

（１）図４（ａ）に示すように、コア基板５を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。 (1) As shown in FIG. 4A, the core substrate 5 is produced. Specifically, for example, the following is performed.

プリプレグを硬化させてなる基体７と基体７の上下に配された銅等の金属箔とからなる積層板を準備する。次に、サンドブラスト加工、レーザー加工またはドリル加工を用いて、積層板にスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等を用いて、スルーホール内に導電材料を被着させてスルーホール導体８を形成する。次に、スルーホール導体８の内側に未硬化樹脂を充填して硬化させることによって、絶縁体９を形成する。次に、例えば無電解めっき法、電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等を用いて、絶縁体９上に導電材料を被着させた後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法等を用いて、基体７上の金属箔および導電材料をパターニングして導電層１１を形成する。その結果、コア基板５を作製することができる。 A laminated plate made of a base 7 formed by curing the prepreg and a metal foil such as copper disposed above and below the base 7 is prepared. Next, through-holes are formed in the laminate using sandblasting, laser processing, or drilling. Next, the through-hole conductor 8 is formed by depositing a conductive material in the through-hole using, for example, an electroless plating method, an electrolytic plating method, a vapor deposition method, a CVD method, or a sputtering method. Next, the insulator 9 is formed by filling the inside of the through-hole conductor 8 with an uncured resin and curing it. Next, a conductive material is deposited on the insulator 9 using, for example, an electroless plating method, an electrolytic plating method, a vapor deposition method, a CVD method, a sputtering method, or the like, and then a photolithography method, an etching method, or the like. Then, the metal foil and conductive material on the substrate 7 are patterned to form the conductive layer 11. As a result, the core substrate 5 can be manufactured.

（２）図４（ｂ）ないし図６（ｃ）に示すように、銅箔等の金属箔またはＰＥＴフィルム等の樹脂シートからなる支持体２５と、支持体２５上に配された無機絶縁層１４と、無機絶縁層１４上に配された未硬化の樹脂層前駆体２６とを含む積層シート２７を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。 (2) As shown in FIGS. 4B to 6C, a support 25 made of a metal foil such as copper foil or a resin sheet such as a PET film, and an inorganic insulating layer disposed on the support 25 14 and an uncured resin layer precursor 26 disposed on the inorganic insulating layer 14 are produced. Specifically, for example, the following is performed.

まず、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、無機絶縁粒子１７と無機絶縁粒子１７が分散した溶剤２８とを有する無機絶縁ゾル２９を準備し、無機絶縁ゾル２９を支持体２５の一主面に塗布する。次に、図５に示すように、無機絶縁ゾル２９から溶剤２８を蒸発させて、支持体２５上に無機絶縁粒子１７を残存させる。この残存した無機絶縁粒子１７は、近接箇所で互いに接触している。次に、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、この無機絶縁粒子１７を加熱して、隣接する無機絶縁粒子１７同士を近接箇所で接続させることによって、無機絶縁層１４を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、無機絶縁層１４上に樹脂層前駆体２６を積層し、積層された無機絶縁層１４および樹脂層前駆体２６を厚み方向に加熱加圧することによって、樹脂層前駆体２６の一部を間隙１８内に充填する。その結果、積層シート２７を作製することができる。 First, as shown in FIGS. 4B and 4C, an inorganic insulating sol 29 having inorganic insulating particles 17 and a solvent 28 in which the inorganic insulating particles 17 are dispersed is prepared, and the inorganic insulating sol 29 is supported on the support. 25 applied to one main surface. Next, as shown in FIG. 5, the solvent 28 is evaporated from the inorganic insulating sol 29 to leave the inorganic insulating particles 17 on the support 25. The remaining inorganic insulating particles 17 are in contact with each other at close locations. Next, as shown in FIG. 6A and FIG. 6B, the inorganic insulating layer 14 is heated by connecting the adjacent inorganic insulating particles 17 at adjacent locations, thereby forming the inorganic insulating layer 14. Form. Next, as shown in FIG. 6C, a resin layer precursor 26 is laminated on the inorganic insulating layer 14, and the laminated inorganic insulating layer 14 and resin layer precursor 26 are heated and pressed in the thickness direction. A part of the resin layer precursor 26 is filled in the gap 18. As a result, the laminated sheet 27 can be produced.

無機絶縁ゾル２９における無機絶縁粒子１７の含有割合は、例えば１０％体積以上５０
体積％以下であり、無機絶縁ゾル２９における溶剤２８の含有割合は、例えば５０％体積以上９０体積％以下である。溶剤２８は、例えばメタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドまたはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤等を用いることができる。 The content ratio of the inorganic insulating particles 17 in the inorganic insulating sol 29 is, for example, 10% volume or more and 50
The content ratio of the solvent 28 in the inorganic insulating sol 29 is, for example, 50% to 90% by volume. The solvent 28 is, for example, methanol, isopropanol, n-butanol, ethylene glycol, ethylene glycol monopropyl ether, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, xylene, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide or 2 selected from these An organic solvent containing a mixture of seeds or more can be used.

無機絶縁ゾル２９の乾燥は、例えば加熱および風乾により行なわれる。乾燥温度は、例えば、２０℃以上溶剤２８の沸点未満であり、乾燥時間は、例えば２０秒以上３０分以下である。 The inorganic insulating sol 29 is dried by heating and air drying, for example. The drying temperature is, for example, 20 ° C. or more and less than the boiling point of the solvent 28, and the drying time is, for example, 20 seconds or more and 30 minutes or less.

無機絶縁粒子１７同士を接続させる際の加熱温度は、溶剤２８の沸点以上、無機絶縁粒子１７の結晶化開始温度未満であり、さらには、１００℃以上２５０℃以下である。また、加熱時間は、例えば０．５時間以上２４時間以下である。第１無機絶縁粒子１７ａは、上述した如く、平均粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小であるため、このような低温であっても、第１無機絶縁粒子１７ａ同士および第１無機絶縁粒子１７ａと第２無機絶縁粒子１７ｂとを強固に接続することができる。これは、第１無機絶縁粒子１７ａが微小であることから、第１無機絶縁粒子１７ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、このような低温下でも第１無機絶縁粒子１７ａ同士および第１無機絶縁粒子１７ａと第２無機絶縁粒子１７ｂとが強固に接続すると推測される。 The heating temperature at the time of connecting the inorganic insulating particles 17 is not less than the boiling point of the solvent 28 and lower than the crystallization start temperature of the inorganic insulating particles 17, and is not less than 100 ° C. and not more than 250 ° C. The heating time is, for example, 0.5 hours or more and 24 hours or less. As described above, the first inorganic insulating particles 17a have a small average particle size of 3 nm or more and 110 nm or less. Therefore, even at such a low temperature, the first inorganic insulating particles 17a and the first inorganic insulating particles 17a The second inorganic insulating particles 17b can be firmly connected. This is because, since the first inorganic insulating particles 17a are very small, the atoms of the first inorganic insulating particles 17a, especially the atoms on the surface, actively move. Therefore, even at such a low temperature, the first inorganic insulating particles 17a and It is presumed that the first inorganic insulating particles 17a and the second inorganic insulating particles 17b are firmly connected.

さらに、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子１７ａおよび第２無機絶縁粒子１７ｂの粒子形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子１７ａ同士および第１無機絶縁粒子１７ａと第２無機絶縁粒子１７ｂとを近接領域のみで接続することができる。その結果、接続部１９においてネック構造を形成するとともに、開気孔の間隙１８を容易に形成することができる。なお、第１無機絶縁粒子１７ａ同士を強固に接続することができる温度は、例えば、第１無機絶縁粒子１７ａの平均粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、第１無機絶縁粒子１７ａの平均粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。 Further, by heating at such a low temperature as described above, the first inorganic insulating particles 17a and the first inorganic insulating particles 17a and the second inorganic insulating particles 17a and the second inorganic insulating particles 17b and the second inorganic insulating particles 17b are maintained while maintaining the shape of the particles. The inorganic insulating particles 17b can be connected only in the proximity region. As a result, a neck structure can be formed in the connecting portion 19 and the open pore gap 18 can be easily formed. Note that the temperature at which the first inorganic insulating particles 17a can be firmly connected is, for example, about 250 ° C. when the average particle size of the first inorganic insulating particles 17a is set to 110 nm or less. When the average particle diameter of the particles 17a is set to 15 nm or less, it is about 150 ° C.

ここで、本実施形態においては、積層された無機絶縁層１４および樹脂層前駆体２６を加熱加圧することによって、樹脂層前駆体２６の一部を開気孔である間隙１８内に入り込ませる。この際、加熱加圧の条件を適宜調節することによって、樹脂層前駆体２６側に位置する領域の間隙１８には樹脂層前駆体２６の一部を入り込ませるが、支持体２５側に位置する領域の間隙１８には樹脂層前駆体２６の一部を入り込ませない。このような加熱加圧の条件としては、加圧圧力が小さく、加圧時間が短く、加熱温度が小さいことが望ましい。具体的には、加圧圧力は、例えば０．０５ＭＰａ以上０.５ＭＰａ以下であり、加圧
時間は、例えば２０秒以上５分以下であり、加熱温度は、例えば５０℃以上１００℃以下である。なお、この加熱温度は、樹脂層前駆体２６の硬化開始温度未満であるため、樹脂層前駆体２６を未硬化の状態で維持することができる。 Here, in the present embodiment, the laminated inorganic insulating layer 14 and the resin layer precursor 26 are heated and pressurized so that a part of the resin layer precursor 26 enters the gaps 18 that are open pores. At this time, by appropriately adjusting the heating and pressing conditions, a part of the resin layer precursor 26 is allowed to enter the gap 18 in the region located on the resin layer precursor 26 side, but located on the support 25 side. A part of the resin layer precursor 26 does not enter the gap 18 in the region. As conditions for such heating and pressing, it is desirable that the pressing pressure is small, the pressing time is short, and the heating temperature is low. Specifically, the pressurization pressure is, for example, 0.05 MPa or more and 0.5 MPa or less, the pressurization time is, for example, 20 seconds or more and 5 minutes or less, and the heating temperature is, for example, 50 ° C. or more and 100 ° C. or less. . In addition, since this heating temperature is less than the curing start temperature of the resin layer precursor 26, the resin layer precursor 26 can be maintained in an uncured state.

また、樹脂層前駆体２６の一部を間隙１８内に充填する際に、第１無機絶縁粒子１７ａの平均粒径がフィラー粒子１６の平均粒径よりも大きいと、間隙１８にフィラー粒子１６が入り込みにくいため、樹脂層前駆体２６と無機絶縁層１４との境界に近接した領域でフィラー粒子１６が濃縮される。 Further, when a part of the resin layer precursor 26 is filled in the gap 18, if the average particle diameter of the first inorganic insulating particles 17 a is larger than the average particle diameter of the filler particles 16, the filler particles 16 are formed in the gap 18. Since it is difficult to enter, the filler particles 16 are concentrated in a region close to the boundary between the resin layer precursor 26 and the inorganic insulating layer 14.

（３）図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、コア基板５上に積層シート２７を積層して絶縁層１０を形成し、絶縁層１０に導電層１１およびビア導体１２を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。 (3) As shown in FIGS. 7A and 7B, a laminated sheet 27 is laminated on the core substrate 5 to form the insulating layer 10, and the conductive layer 11 and the via conductor 12 are formed on the insulating layer 10. Form. Specifically, for example, the following is performed.

まず、図７（ａ）に示すように、樹脂層前駆体２６をコア基板５に接しつつ、コア基板５上に積層シート２７を積層し、積層されたコア基板５および積層シート２７を厚み方向に加熱加圧することによって、コア基板５に積層シート２７を接着させた後、積層シート２７の樹脂層前駆体２６を硬化開始温度以上、熱分解温度未満の温度で加熱することによって、樹脂層前駆体２６を硬化させて樹脂層１３とする。その結果、この樹脂層１３と積層シート２７に含まれていた無機絶縁層１４とを有する絶縁層１０をコア基板５上に形成することができる。次に、図７（ｂ）に示すように、無機絶縁層１４から支持体１５を機械的または化学的に剥離した後、レーザー加工等を用いて、絶縁層１０を厚み方向に貫通するとともに導電層１１を露出したビア孔を形成する。次に、無電解めっき法および電解めっき法等を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等によって、絶縁層１０上に所望のパターンの導電層１１を形成するとともに、ビア孔内にビア導体１２を形成する。この際、導電層１１は、絶縁層１０における無機絶縁層１４の一主面の一部に配される。 First, as shown in FIG. 7A, a laminated sheet 27 is laminated on the core substrate 5 while the resin layer precursor 26 is in contact with the core substrate 5, and the laminated core substrate 5 and laminated sheet 27 are arranged in the thickness direction. After the laminated sheet 27 is adhered to the core substrate 5 by heating and pressurizing, the resin layer precursor 26 of the laminated sheet 27 is heated at a temperature not lower than the curing start temperature and lower than the thermal decomposition temperature. The body 26 is cured to form the resin layer 13. As a result, the insulating layer 10 having the resin layer 13 and the inorganic insulating layer 14 included in the laminated sheet 27 can be formed on the core substrate 5. Next, as shown in FIG. 7B, after the support 15 is mechanically or chemically peeled from the inorganic insulating layer 14, the insulating layer 10 is penetrated in the thickness direction by using laser processing or the like and conductive. A via hole exposing the layer 11 is formed. Next, a conductive layer 11 having a desired pattern is formed on the insulating layer 10 by a semi-additive method, a subtractive method, a full additive method, or the like using an electroless plating method, an electrolytic plating method, or the like. A via conductor 12 is formed. At this time, the conductive layer 11 is disposed on a part of one main surface of the inorganic insulating layer 14 in the insulating layer 10.

本工程で樹脂層前駆体２６が硬化してなる樹脂層１３は、積層シート２７に含まれていた無機絶縁層１４のコア基板５側の他主面に配された第２樹脂層１３ｂとなり、この無機絶縁層１４とコア基板５とを接着する。また、本工程で樹脂層前駆体２６が硬化して第２樹脂層１３ｂとなるため、工程（２）で間隙１８に入り込んでいた樹脂層前駆体２６の一部が本工程で間隙１８に入り込んだ第２樹脂層１３ｂの一部となり、さらに、工程（２）でフィラー粒子１６が濃縮されていた樹脂層前駆体２６と無機絶縁層１４との境界に近接した領域が本工程で第２近接領域２２ｂとなる。 The resin layer 13 formed by curing the resin layer precursor 26 in this step becomes the second resin layer 13b disposed on the other main surface on the core substrate 5 side of the inorganic insulating layer 14 included in the laminated sheet 27. The inorganic insulating layer 14 and the core substrate 5 are bonded. Further, since the resin layer precursor 26 is cured and becomes the second resin layer 13b in this step, a part of the resin layer precursor 26 that has entered the gap 18 in the step (2) enters the gap 18 in this step. In addition, the region adjacent to the boundary between the resin layer precursor 26 and the inorganic insulating layer 14 in which the filler particles 16 are concentrated in the step (2) is a second proximity in this step. It becomes area 22b.

また、本工程の加熱加圧の条件を適宜調節することによって、支持体２５側に位置する領域において樹脂層前駆体２６の一部が入り込んでいない間隙１８を残しつつ、樹脂層前駆体２６をコア基板５に接着させることができる。この樹脂層前駆体２６を硬化させることによって、第１層領域２１ａの間隙１８に第２樹脂層１３ｂの一部が入り込んでいない無機絶縁層１４を形成することができる。このような加熱加圧の条件としては、工程（２）と同様の条件を用いることができる。 Further, by appropriately adjusting the heating and pressing conditions in this step, the resin layer precursor 26 is removed while leaving a gap 18 where a part of the resin layer precursor 26 does not enter in the region located on the support 25 side. The core substrate 5 can be adhered. By curing the resin layer precursor 26, the inorganic insulating layer 14 in which a part of the second resin layer 13b does not enter the gap 18 of the first layer region 21a can be formed. As conditions for such heating and pressurization, the same conditions as in step (2) can be used.

第１層領域２１ａは、支持体２５を剥離すると無機絶縁層１４の一主面に露出することから、無機絶縁層１４の一主面に導電層１１を形成する際に、めっき液が第１層領域２１ａの間隙１８に入り込むため、導電層１１の第１部分２３ａが形成される。 Since the first layer region 21a is exposed on one main surface of the inorganic insulating layer 14 when the support 25 is peeled off, the plating solution is used when the conductive layer 11 is formed on one main surface of the inorganic insulating layer 14. A first portion 23a of the conductive layer 11 is formed to enter the gap 18 in the layer region 21a.

また、導電層１１を形成する際には、導電層１１を所望のパターンとするため、無機絶縁層１４上の一主面にはレジストが形成されているが、第１層領域２１ａ内にはレジストが形成されていないため、第１層領域２１ａの間隙１８に入り込んだめっき液が主面方向に広がって、張出部２４が形成される。このめっき液は無機絶縁層１４の一主面から離れるにつれて主面方向に広がりにくくなるため、張出部２４の張出量は、第２部分２３ｂ側から反対側に向かって小さくなる。 Further, when the conductive layer 11 is formed, a resist is formed on one main surface on the inorganic insulating layer 14 in order to make the conductive layer 11 have a desired pattern, but in the first layer region 21a. Since the resist is not formed, the plating solution that has entered the gap 18 of the first layer region 21a spreads in the main surface direction, and the overhang portion 24 is formed. Since this plating solution is less likely to spread in the main surface direction as it moves away from the one main surface of the inorganic insulating layer 14, the amount of overhang of the overhang portion 24 decreases from the second portion 23b side to the opposite side.

（４）図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、絶縁層１０上に積層シート２７を積層してさらに絶縁層１０を形成し、この絶縁層１０に導電層１１およびビア導体１２を形成することによって、コア基板５上にビルドアップ層６を形成し、配線基板３を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。なお、便宜上、本工程で形成する絶縁層１０を第１絶縁層１０ａとし、工程（３）で形成した絶縁層１０を第２絶縁層１０ｂとする。 (4) As shown in FIGS. 8A and 8B, a laminated sheet 27 is laminated on the insulating layer 10 to further form the insulating layer 10, and the conductive layer 11 and via conductors are formed on the insulating layer 10. By forming 12, the build-up layer 6 is formed on the core substrate 5, and the wiring substrate 3 is produced. Specifically, for example, the following is performed. For convenience, the insulating layer 10 formed in this step is referred to as a first insulating layer 10a, and the insulating layer 10 formed in step (3) is referred to as a second insulating layer 10b.

まず、図８（ａ）に示すように、樹脂層前駆体２６を第２絶縁層１０ｂに接しつつ、第２絶縁層１０ｂ上に積層シート２７を積層し、積層された第２絶縁層１０ｂおよび積層シート２７を厚み方向に加熱加圧することによって、第２絶縁層１０ｂに積層シート２７を接着させた後、積層シート２７の樹脂層前駆体２６を硬化開始温度以上、熱分解温度未満
の温度で加熱することによって、樹脂層前駆体２６を硬化させて樹脂層１３とする。その結果、この樹脂層１３と積層シート２７に含まれていた無機絶縁層１４とを有する第１絶縁層１０ａを第２絶縁層１０ｂ上に形成することができる。次に、図８（ｂ）に示すように、工程（３）と同様の方法で、第１絶縁層１０ａに導電層１１およびビア導体１２を形成する。 First, as shown in FIG. 8A, a laminated sheet 27 is laminated on the second insulating layer 10b while the resin layer precursor 26 is in contact with the second insulating layer 10b, and the laminated second insulating layer 10b and After the laminated sheet 27 is bonded to the second insulating layer 10b by heating and pressing the laminated sheet 27 in the thickness direction, the resin layer precursor 26 of the laminated sheet 27 is heated at a temperature higher than the curing start temperature and lower than the thermal decomposition temperature. By heating, the resin layer precursor 26 is cured to form the resin layer 13. As a result, the first insulating layer 10a having the resin layer 13 and the inorganic insulating layer 14 included in the laminated sheet 27 can be formed on the second insulating layer 10b. Next, as shown in FIG. 8B, the conductive layer 11 and the via conductor 12 are formed in the first insulating layer 10a by the same method as in the step (3).

本工程で樹脂層前駆体２６が硬化してなる樹脂層１３は、第２絶縁層１０ｂに含まれていた無機絶縁層１４のコア基板５と反対側の一主面に配された第１樹脂層１３ａとなる。また、第２絶縁層１０ｂに積層シート２７を接着させる際に、樹脂層前駆体２６は流動するため、樹脂層前駆体２６は無機絶縁層１４の一主面の他の部分に配されるとともに導電層１１の側面および一主面を被覆する。したがって、第１樹脂層１３ａは、無機絶縁層１４の一主面に配された導電層１１の側面および一主面を被覆する。 The resin layer 13 obtained by curing the resin layer precursor 26 in this step is a first resin disposed on one main surface of the inorganic insulating layer 14 opposite to the core substrate 5 included in the second insulating layer 10b. It becomes the layer 13a. Further, since the resin layer precursor 26 flows when the laminated sheet 27 is adhered to the second insulating layer 10b, the resin layer precursor 26 is disposed on the other main surface of the inorganic insulating layer 14 and the like. The side surface and one main surface of the conductive layer 11 are covered. Therefore, the first resin layer 13 a covers the side surface and one main surface of the conductive layer 11 disposed on one main surface of the inorganic insulating layer 14.

ここで、本実施形態においては、工程（３）にて上述した如く、第２絶縁層１０ｂにおいて無機絶縁層１４の一主面に露出した第１層領域２１ａでは、間隙１８に第２樹脂層１３ｂの一部が入り込んでいない。そして、本工程の加熱加圧は、条件を適宜調節することによって、樹脂層前駆体２６の一部を第１層領域２１ａの間隙１８に入り込ませることができる。この樹脂層前駆体２６を硬化させることによって、第１層領域２１ａの間隙１８に入り込んだ第１樹脂層１３ａの一部を形成することができる。このような加熱加圧の条件として、工程（２）と同様の条件を用いることができる。このように工程（２）と同様の条件であっても、樹脂層前駆体２６が第１層領域２１ａと接しているため、樹脂層前駆体２６の一部を第１層領域２１ａの間隙１８に良好に入り込ませることができる。 Here, in the present embodiment, as described above in the step (3), the second resin layer is formed in the gap 18 in the first layer region 21a exposed on one main surface of the inorganic insulating layer 14 in the second insulating layer 10b. Part of 13b does not enter. And the heat pressurization of this process can make a part of resin layer precursor 26 enter into the gap | interval 18 of the 1st layer area | region 21a by adjusting conditions suitably. By curing the resin layer precursor 26, a part of the first resin layer 13a entering the gap 18 of the first layer region 21a can be formed. As conditions for such heating and pressing, the same conditions as in step (2) can be used. Thus, even under the same conditions as in the step (2), since the resin layer precursor 26 is in contact with the first layer region 21a, a part of the resin layer precursor 26 is removed from the gap 18 in the first layer region 21a. Can get in.

この際に、第１無機絶縁粒子１７ａの平均粒径が第１フィラー粒子１６ａの平均粒径よりも大きいと、間隙１８に第１フィラー粒子１６ａが入り込みにくいため、第１樹脂層１３ａと無機絶縁層１４との境界に近接した領域で第１フィラー粒子１６ａが濃縮され、上述した第１近接領域２２ａが形成される。 At this time, if the average particle diameter of the first inorganic insulating particles 17a is larger than the average particle diameter of the first filler particles 16a, the first filler particles 16a are unlikely to enter the gap 18, so that the first resin layer 13a and the inorganic insulating particles The first filler particles 16a are concentrated in a region close to the boundary with the layer 14, and the first proximity region 22a described above is formed.

また、第１樹脂層１３ａの一部が間隙１８に入り込んだ第１層領域２１ａの厚みを、第２樹脂層１３ｂの一部が間隙１８に入り込んだ第２層領域２１ｂの厚みよりも小さくすると、第１近接領域２２ａにおいて濃縮される第１フィラー粒子１６ａの量が、第２近接領域２２ｂにおいて濃縮される第２フィラー粒子１６ｂの量よりも小さくなる。その結果、第１近接領域２２ａにおける第１フィラー粒子１６ａの含有割合が、第２近接領域２２ｂにおける第２フィラー粒子１６ｂの含有割合よりも小さくなる。 Further, when the thickness of the first layer region 21a in which a part of the first resin layer 13a enters the gap 18 is made smaller than the thickness of the second layer region 21b in which a part of the second resin layer 13b enters the gap 18. The amount of the first filler particles 16a concentrated in the first proximity region 22a is smaller than the amount of the second filler particles 16b concentrated in the second proximity region 22b. As a result, the content rate of the first filler particles 16a in the first proximity region 22a is smaller than the content rate of the second filler particles 16b in the second proximity region 22b.

なお、本工程を繰り返すことにより、ビルドアップ層６をより多層化することができる。 In addition, the build-up layer 6 can be multi-layered by repeating this process.

（５）配線基板３に対してバンプ４を介して電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１（ａ）に示した実装構造体１を作製する。なお、電子部品２は、ワイヤボンディングにより配線基板３と電気的に接続してもよいし、あるいは、配線基板３に内蔵させてもよい。 (5) The electronic component 2 is flip-chip mounted on the wiring board 3 via the bumps 4 to produce the mounting structure 1 shown in FIG. The electronic component 2 may be electrically connected to the wiring board 3 by wire bonding, or may be incorporated in the wiring board 3.

本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、改良、組合せ等が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the gist of the present invention.

また、上述した本発明の実施形態においては、本発明に係る配線基板３の例としてコア基板５およびビルドアップ層６からなるビルドアップ多層基板を挙げたが、本発明に係る配線基板３の例としては、ビルドアップ多層基板以外にも、例えば、コアレス基板も含まれる。 In the above-described embodiment of the present invention, the build-up multilayer substrate including the core substrate 5 and the build-up layer 6 is given as an example of the wiring substrate 3 according to the present invention. However, the example of the wiring substrate 3 according to the present invention. In addition to the build-up multilayer substrate, for example, a coreless substrate is also included.

また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層１４をビルドアップ層６に適用した構成を例に説明したが、無機絶縁層１４を基体７に適用しても構わない。この場合には、基体７は、第２樹脂層１３ｂおよび無機絶縁層１４を有しており、ビルドアップ層６は、無機絶縁層１４に配された第１樹脂層１３ａを有しており、無機絶縁層１４の間隙１８に第１樹脂層１３ａの一部が入り込んでいる。 In the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which the inorganic insulating layer 14 is applied to the buildup layer 6 has been described as an example. However, the inorganic insulating layer 14 may be applied to the base body 7. In this case, the base 7 has the second resin layer 13b and the inorganic insulating layer 14, and the buildup layer 6 has the first resin layer 13a disposed on the inorganic insulating layer 14, A part of the first resin layer 13 a enters the gap 18 of the inorganic insulating layer 14.

また、上述した本発明の実施形態においては、１つのビルドアップ層６が絶縁層１０を２層含む構成を例に説明したが、１つのビルドアップ層６は絶縁層１０を３層以上含んでいても構わない。この場合は、各絶縁層１０において、無機絶縁層１４の間隙１８に第１樹脂層１３ａの一部が入り込んでいても構わない。 Further, in the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which one buildup layer 6 includes two insulating layers 10 has been described as an example. It does not matter. In this case, in each insulating layer 10, a part of the first resin layer 13 a may enter the gap 18 of the inorganic insulating layer 14.

また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁粒子１７が第１無機絶縁粒子１７ａおよび第２無機絶縁粒子１７ｂを含んでいたが、無機絶縁粒子１７は第１無機絶縁粒子１７ａのみを含んでいてもよい。 In the embodiment of the present invention described above, the inorganic insulating particles 17 include the first inorganic insulating particles 17a and the second inorganic insulating particles 17b. However, the inorganic insulating particles 17 include only the first inorganic insulating particles 17a. You may go out.

また、上述した本発明の実施形態においては、工程（２）において溶剤２８の蒸発と無機絶縁粒子１７の加熱とを別々に行なっていたが、これらを同時に行なっても構わない。 Further, in the above-described embodiment of the present invention, the evaporation of the solvent 28 and the heating of the inorganic insulating particles 17 are performed separately in the step (2), but these may be performed simultaneously.

１実装構造体
２電子部品
３配線基板
４バンプ
５コア基板
６ビルドアップ層
７基体
８スルーホール導体
９絶縁体
１０絶縁層
１１導電層
１２ビア導体
１３樹脂層
１３ａ第１樹脂層
１３ｂ第２樹脂層
１４無機絶縁層
１５樹脂
１５ａ第１樹脂
１５ｂ第２樹脂
１６フィラー粒子
１６ａ第１フィラー粒子
１６ｂ第２フィラー粒子
１７無機絶縁粒子
１７ａ第１無機絶縁粒子
１７ｂ第２無機絶縁粒子
１８間隙
１９複数の無機絶縁粒子同士の接続部
２０開口
２１ａ第１層領域
２１ｂ第２層領域
２２ａ第１近接領域
２２ｂ第２近接領域
２２ｃ第３近接領域
２２ｄ残部領域
２３ａ第１部分
２３ｂ第２部分
２４張出部
２５支持体
２６樹脂層前駆体
２７積層シート
２８溶剤
２９無機絶縁ゾル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting structure 2 Electronic component 3 Wiring board 4 Bump 5 Core board 6 Buildup layer 7 Base body 8 Through-hole conductor 9 Insulator 10 Insulating layer 11 Conductive layer 12 Via conductor 13 Resin layer 13a 1st resin layer 13b 2nd resin layer DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 Inorganic insulating layer 15 Resin 15a 1st resin 15b 2nd resin 16 Filler particle 16a 1st filler particle 16b 2nd filler particle 17 Inorganic insulating particle 17a 1st inorganic insulating particle 17b 2nd inorganic insulating particle 18 Gap | interval 19 Several inorganic insulation Connection part of particle | grains 20 Opening 21a 1st layer area | region 21b 2nd layer area | region 22a 1st proximity area 22b 2nd proximity area 22c 3rd proximity area 22d Remaining area | region 23a 1st part 23b 2nd part 24 Overhang | projection part 25 Support body 26 resin layer precursor 27 laminated sheet 28 solvent 29 inorganic insulating sol

Claims

一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子を有する無機絶縁層と、該無機絶縁層の一主面の一部に配された導電層と、前記無機絶縁層の前記一主面の他の部分に配されているとともに前記導電層の側面および前記無機絶縁層と反対側の一主面を被覆した第１樹脂層と、前記無機絶縁層の他主面に配された第２樹脂層とを備え、
該第１樹脂層の一部は、前記複数の無機絶縁粒子同士の間隙に入り込み、前記第２樹脂層の一部は、前記複数の無機絶縁粒子同士の間隙に入り込み、
前記第１樹脂層は、第１樹脂と該第１樹脂中に分散した複数の第１フィラー粒子とを有しており、
前記第２樹脂層は、第２樹脂と該第２樹脂中に分散した複数の第２フィラー粒子とを有しており、
前記第１樹脂層の前記無機絶縁層に近接した領域における前記第１フィラー粒子の含有割合は、前記第２樹脂層の前記無機絶縁層に近接した領域における前記第２フィラー粒子の含有割合よりも小さいことを特徴とする配線基板。 An inorganic insulating layer having a plurality of inorganic insulating particles partially connected to each other, a conductive layer disposed on a part of one main surface of the inorganic insulating layer, and another portion of the one main surface of the inorganic insulating layer And a first resin layer covering the side surface of the conductive layer and one main surface opposite to the inorganic insulating layer, and a second resin layer disposed on the other main surface of the inorganic insulating layer Prepared,
The portion of the first resin layer, seen write enters the plurality of gaps between the inorganic insulating particles, wherein the portion of the second resin layer, enters into the plurality of gaps between the inorganic insulating particles,
The first resin layer has a first resin and a plurality of first filler particles dispersed in the first resin,
The second resin layer has a second resin and a plurality of second filler particles dispersed in the second resin,
The content ratio of the first filler particles in the region of the first resin layer close to the inorganic insulating layer is greater than the content ratio of the second filler particles in the region of the second resin layer close to the inorganic insulating layer. A wiring board characterized by being small .

請求項１に記載の配線基板において、
前記無機絶縁層の内部において、前記第１樹脂層の一部および前記第２樹脂層の一部が接していることを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1 ,
A wiring board, wherein a part of the first resin layer and a part of the second resin layer are in contact with each other inside the inorganic insulating layer.

請求項１に記載の配線基板において、
前記導電層は、前記複数の無機絶縁粒子同士の間隙に入り込んだ第１部分と、前記無機絶縁層上に配された第２部分とを含んでいることを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1,
The wiring substrate, wherein the conductive layer includes a first portion that enters a gap between the plurality of inorganic insulating particles, and a second portion that is disposed on the inorganic insulating layer.

請求項３に記載の配線基板において、
前記第１部分は、前記第２部分よりも主面方向に張り出した張出部を有することを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 3 ,
The wiring board according to claim 1, wherein the first portion has a protruding portion that protrudes in a principal surface direction from the second portion.

請求項４に記載の配線基板において、
前記張出部の張出量は、前記第２部分側から反対側に向かって小さくなっていることを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 4 ,
The wiring board according to claim 1, wherein a protruding amount of the protruding portion decreases from the second part side toward the opposite side.

請求項１に記載された配線基板と、該配線基板に実装され、前記導電層に電気的に接続された電子部品とを備えたことを特徴とする実装構造体。 A mounting structure comprising: the wiring board according to claim 1; and an electronic component mounted on the wiring board and electrically connected to the conductive layer.