JP6001412B2 - Wiring board and mounting structure using the same - Google Patents
Wiring board and mounting structure using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP6001412B2 JP6001412B2 JP2012238635A JP2012238635A JP6001412B2 JP 6001412 B2 JP6001412 B2 JP 6001412B2 JP 2012238635 A JP2012238635 A JP 2012238635A JP 2012238635 A JP2012238635 A JP 2012238635A JP 6001412 B2 JP6001412 B2 JP 6001412B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inorganic insulating
- resin
- resin layer
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）などに使用される配線基板およびそれを用いた実装構造体に関するものである。 The present invention relates to a wiring board used for electronic devices (for example, various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices and peripheral devices thereof), and a mounting structure using the same.
従来、電子機器には、配線基板の上面に電子部品が実装された実装構造体が使用されている。 Conventionally, a mounting structure in which an electronic component is mounted on an upper surface of a wiring board is used for an electronic device.
特許文献１には、樹脂材料を主成分とする複数の絶縁基板を積層した積層体と、この積層体内に配置された内部配線層と、積層体の上面に配置された電子部品と電気的に接続される第１導電パッドと、絶縁基体を貫通して内部配線層および第１導電パッドを接続している第１ビア導体とを備えた配線基板が記載されている。
In
ところで、一般的に、配線基板の各配線層の配線パターンの違いや、絶縁基体内に含まれる材料分布のばらつきなどが原因となり、配線基板の上面側の領域と下面側の領域とで平面方向への熱膨張量にばらつきが生じる。その結果、例えば、電子部品の実装時に配線基板に熱が加わると、配線基板の上面側の領域の熱膨張量と配線基板の下面側の領域の熱膨張量とが異なることから、配線基板が反りやすく、ひいては配線基板の平坦性の確保が困難になるため、電子部品の実装信頼性が低下しやすくなるという問題点があった。 By the way, in general, due to the difference in the wiring pattern of each wiring layer of the wiring board and the variation in the distribution of the material contained in the insulating base, the plane direction in the area on the upper surface side and the area on the lower surface side of the wiring board Variations in the amount of thermal expansion to As a result, for example, when heat is applied to the wiring board during mounting of an electronic component, the amount of thermal expansion in the region on the upper surface side of the wiring substrate is different from the amount of thermal expansion in the region on the lower surface side of the wiring substrate. There is a problem that the mounting reliability of the electronic component is likely to be lowered because it is easy to warp and it is difficult to ensure the flatness of the wiring board.
本発明は、配線基板における電子部品の実装信頼性が低下しやすいという問題点を受けて、電子部品の実装信頼性を向上させることができる配線基板を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the problem that the mounting reliability of electronic components on a wiring board tends to be lowered, and an object of the present invention is to provide a wiring board that can improve the mounting reliability of electronic components.
本発明の一形態にかかる配線基板は、最上層に配置された第１無機絶縁層と最下層に配置された第２無機絶縁層と前記第１無機絶縁層の下面に配置された第１樹脂層を具備しているとともに前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層との間に配置された複数の樹脂層とを具備している積層体と、該積層体内に配置された少なくとも１層の内部配線層と、前記第１無機絶縁層の上面に配置された、電子部品と電気的に接続される第１導電パッドと、少なくとも前記第１無機絶縁層および前記第１樹脂層を貫通して前記内部配線層および前記第１導電パッドを接続している第１ビア導体とを備えており、前記第１樹脂層は、樹脂部と該樹脂部中に分散した複数の第１無機フィラー粒子とを有しており、前記第１樹脂層における前記複数の第１無機フィラー粒子の含有割合は、前記第１無機絶縁層側から反対側に向かって小さくなっている。
A wiring board according to an embodiment of the present invention includes a first inorganic insulating layer disposed as an uppermost layer, a second inorganic insulating layer disposed as a lowermost layer, and a first resin disposed on a lower surface of the first inorganic insulating layer. A laminate including a plurality of resin layers disposed between the first inorganic insulating layer and the second inorganic insulating layer, and at least one disposed in the laminate. An internal wiring layer of the layer, a first conductive pad disposed on the upper surface of the first inorganic insulating layer and electrically connected to the electronic component, and penetrating at least the first inorganic insulating layer and the first resin layer And a first via conductor connecting the internal wiring layer and the first conductive pad , wherein the first resin layer includes a resin portion and a plurality of first inorganic fillers dispersed in the resin portion. A plurality of first inorganic layers in the first resin layer. Content of filler particles is smaller toward the opposite side from said first inorganic insulating layer side.
本発明の一形態にかかる実装構造体は、前記配線基板と、該配線基板の上面に実装されて前記第１導電パッドに電気的に接続された電子部品とを備える。 A mounting structure according to an aspect of the present invention includes the wiring board and an electronic component that is mounted on an upper surface of the wiring board and electrically connected to the first conductive pad.
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、積層体は、その最上層および最下層に無機絶縁層が配置されていることから、配線基板の反りを低減することができる。したがって、平坦性を向上させることができ、電子部品の実装信頼性に優れた配線基板を得ることができる。 According to the wiring substrate according to one embodiment of the present invention, the laminated body can reduce the warpage of the wiring substrate because the inorganic insulating layers are disposed in the uppermost layer and the lowermost layer. Accordingly, the flatness can be improved, and a wiring board excellent in mounting reliability of electronic components can be obtained.
以下に、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含む実装構造体について図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, a mounting structure including a wiring board according to a first embodiment of the present invention will be described in detail based on the drawings.
＜第１実施形態＞
（実装構造体）
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用される。この実装構造体１は、電子部品２および電子部品２が実装された配線基板３を含んでおり、外部回路４に実装されている。
<First Embodiment>
(Mounting structure)
The
（電子部品）
電子部品２は、例えばＩＣまたはＬＳＩなどの半導体素子であり、はんだなどの導電材料からなる第１バンプ５Ａを介して配線基板３にフリップチップ実装されている。この電子部品２は、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素などの半導体材料からなる。また、電子部品２の熱膨張率は、配線基板３の熱膨張率および外部回路４の熱膨張率よりも小さく設定されている。
(Electronic parts)
The
電子部品２の平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法によって測定される。
The coefficient of thermal expansion in the plane direction (XY plane direction) of the
（外部回路）
外部回路４は、例えばマザーボードなどであり、その一主面には、はんだなどの導電材料からなる第２バンプ５Ｂを介して、実装構造体１が実装されている。また、外部回路４の熱膨張率は、電子部品２の熱膨張率および配線基板３の熱膨張率よりも大きく設定されている。外部回路４の平面方向への熱膨張率は、１７ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
(External circuit)
The
（配線基板）
配線基板３は、電子部品２と外部回路４との間に配置され、電子部品２を駆動もしくは制御するための電源や信号を外部回路４から電子部品２へ供給するものである。この配線基板３は、積層体６と、積層体６の上下面および積層体６の内部に厚み方向（Ｚ方向）に離れて配置された複数の配線層７と、厚み方向に離れた配置された複数の配線層７同士を接続する複数のビア導体８とを含んでいる。また、配線基板３の熱膨張率は、電子部品２の熱膨張率よりも大きく、外部回路４の熱膨張率よりも小さく設定されている。
(Wiring board)
The wiring board 3 is disposed between the
配線基板３の厚みは、例えば０．０６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下に設定されている。また、配線基板３の平面方向への熱膨張率は、例えば５ｐｐｍ／℃以上１７ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、配線基板３の厚みは、配線基板３の厚み方向に沿った長さを１０箇所以上測定し、その平均値を算出することによって求められる。また、配線基板３の熱膨張率は、電子部品２の熱膨張率と同様に測定される。
The thickness of the wiring board 3 is set to 0.06 mm or more and 0.8 mm or less, for example. The coefficient of thermal expansion in the plane direction of the wiring board 3 is set to, for example, 5 ppm / ° C. or more and 17 ppm / ° C. or less. In addition, the thickness of the wiring board 3 is calculated | required by measuring the length along the thickness direction of the wiring board 3, ten or more places, and calculating the average value. Further, the thermal expansion coefficient of the wiring board 3 is measured in the same manner as the thermal expansion coefficient of the
なお、本実施形態の配線基板３は、一般的なビルドアップ基板に用いられるコア基板を有さない配線基板、すなわちコアレス基板である。また、以下、配線基板３の各構成要件の配置について、「上」とは厚み方向において電子部品２側を指し、「下」とは厚み方向において外部回路４側を指す。
In addition, the wiring board 3 of this embodiment is a wiring board which does not have a core board used for a general build-up board, that is, a coreless board. In the following, regarding the arrangement of the constituent elements of the wiring board 3, “upper” refers to the
（積層体）
積層体６は、配線基板３の主要部をなすものであり、複数の絶縁層９が厚み方向に積層されてなる。前述した配線基板３は、複数の配線層７と複数の絶縁層９とが交互に積層されてなり、ビア導体８は絶縁層９を厚み方向に貫通して複数の配線層７同士を接続している。
(Laminate)
The
（絶縁層）
絶縁層９は、複数の配線層７同士間および複数のビア導体８同士間の絶縁を確保するものである。また、絶縁層９は、積層体６の最上層に配置された第１絶縁層９Ａと、積層体６の最下層に配置された第２絶縁層９Ｂと、第１絶縁層９Ａと第２絶縁層９Ｂとの間に配置された複数の第３絶縁層９Ｃとを具備している。また、第１絶縁層９Ａおよび第２絶縁層９Ｂは樹脂層１０および無機絶縁層１１からなり、複数の第３絶縁層９Ｃそれぞれは樹脂層１０のみからなる。また、第３絶縁層９Ｃの厚みは、第１絶縁層９Ａの厚みおよび第２絶縁層９Ｂの厚みよりも小さい。
(Insulating layer)
The insulating
（樹脂層）
樹脂層１０は、樹脂部１２と樹脂部１２中に分散された複数の第１無機フィラー粒子１３とを含んでいる。また、積層体６に含まれた複数の樹脂層１０は、第１絶縁層９Ａに含まれた第１樹脂層１０Ａと、第２絶縁層９Ｂに含まれた第２樹脂層１０Ｂと、第３絶縁層９Ｃに含まれた第３樹脂層１０Ｃとを具備する。
(Resin layer)
The
また、図２に示したように、第１樹脂層１０Ａにおける複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、後述する第１無機絶縁層１１Ａ側から第１無機絶縁層１１Ａの反対側に向かって小さくなっており、第２樹脂層１０Ｂにおいても、第２樹脂層１０Ｂにおける複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、後述する第２無機絶縁層１１Ｂ側から第２無機絶縁層１１Ｂの反対側に向かって小さくなっている。
Further, as shown in FIG. 2, the content ratio of the plurality of first
樹脂層１０の厚みは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。また、樹脂層１０のヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定されている。また、樹脂層１０の平面方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、樹脂層１０における樹脂部１２の含有割合は、３５体積％以上９０体積％以下に設定されている。また、樹脂層１０における第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、１０体積％以上６５体積％以下に設定されている。
The thickness of the
なお、樹脂層１０の厚みは、電子部品２と同様に測定される。また、樹脂層１０のヤング率は、ナノインデンターを用いて、ＩＳＯ５２７−１：１９９３に準じた測定方法によって測定される。また、樹脂層１０における樹脂部１２の含有割合および樹脂層１０における第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、樹脂層１０の厚み方向に沿った断面について、ＳＥＭによる撮影画像から画像解析装置などを用いてそれぞれの面積比率（面積％）を測定し、この測定値を体積比率（体積％）とみなすことで求められる。
The thickness of the
（樹脂部）
樹脂部１２は、樹脂層１０の主要部をなすものである。この樹脂部１２は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはシアネート樹脂などの樹脂材料からなる。
(Resin part)
The
（第１無機フィラー粒子）
第１無機フィラー粒子１３は、樹脂層１０の熱膨張率を低減するとともに樹脂層１０のヤング率を向上させるものである。この第１無機フィラー粒子１３は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウムまたは水酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。
(First inorganic filler particles)
The first
第１無機フィラー粒子１３の粒径は、例えば０．３μｍ以上５μｍ以下に設定されている。なお、第１無機フィラー粒子１３の粒径は、樹脂層１０の厚み方向に沿った断面について、ＳＥＭまたは透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて２０個以上５０個以下の第１無機絶縁粒子を含むように拡大した断面を観察し、この拡大した断面において各粒子の最大径を測定し、その最大径の平均値を算出することによって求められる。
The particle diameter of the first
（無機絶縁層）
無機絶縁層１１は、積層体６の熱膨張率を低減するとともに積層体６のヤング率を向上させるものである。この無機絶縁層１１は、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子１４と、互いの一部で複数の第１無機絶縁粒子１４と接続し、かつ第１無機絶縁粒子１４よりも粒径が大きい複数の第２無機絶縁粒子１５とを含んでいる。そして、無機絶縁層１１には、複数の第１無機絶縁粒子１４同士および複数の第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とに囲まれてなる間隙Ｇが形成されており、この間隙Ｇには、樹脂層１０の一部が入り込んでいる。
(Inorganic insulating layer)
The inorganic insulating
具体的には、図３に示したように、複数の第１無機絶縁粒子１４同士が互いの一部で接続しているとともに、複数の第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とが互いの一部で接続しており、複数の第１無機絶縁粒子１４が複数の第２無機絶縁粒子１５同士の間に配置されている。そして、無機絶縁層１１の間隙Ｇは、複数の第１無機絶縁粒子１４同士に囲まれた間隙Ｇ１と、複数の第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５に囲まれた間隙Ｇ２とを具備しており、間隙Ｇ１および間隙Ｇ２それぞれには、樹脂層１０に含まれた樹脂部１２の一部が入り込んでいる。
Specifically, as shown in FIG. 3, the plurality of first inorganic insulating
また、積層体６に含まれた複数の無機絶縁層１１は、第１絶縁層９Ａに含まれた第１無機絶縁層１１Ａと、第２絶縁層９Ｂに含まれた第２無機絶縁層１１Ｂとを具備している。また、第１無機絶縁層１１Ａは第１樹脂層１０Ａの上面に配置されており、第２無機絶縁層１１Ｂは第２樹脂層１０Ｂの下面に配置されている。また、第１無機絶縁層１１Ａは積層体６の上面を構成しており、第２無機絶縁層１１Ｂは積層体６の下面を構成している。また、第１無機絶縁層１１Ａの厚みと第２無機絶縁層１１Ｂの厚みの和は、第１無機絶縁層１１Ａと第２無機絶縁層１１Ｂとの間に配された第１樹脂層１０Ａ、第２樹脂層１０Ｂおよび第３樹脂層１０Ｃのそれぞれの厚みの和よりも小さい。
The plurality of inorganic insulating
無機絶縁層１１の厚みは、例えば３μｍ以上２５μｍ以下に設定されている。また、無機絶縁層１１の平面方向への熱膨張率は、例えば０．６ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、無機絶縁層１１のヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下に設定されている。また、無機絶縁層１１における、第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを含めた体積比率（体積％）は、例えば６２体積％以上７５体積％以下に設定されており、そのうち第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５における第１無機絶縁粒子１４の含有割合は、２０体積％以上９０体積％以下に設定されており、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５における第２無機絶縁粒子１５の含有割合は、１０体積％以上８０体積％以下に設定されている。また、厚み方向に沿った断面視において、無機絶縁層１１の間隙Ｇの幅は、例えば１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定されている。
The thickness of the inorganic insulating
なお、無機絶縁層１１の厚み、熱膨張率およびヤング率は、樹脂層１０と同様に測定される。また、無機絶縁層１１の厚み、熱膨張率およびヤング率は、無機絶縁層１１の間隙Ｇ内に樹脂層１０の一部が入り込んだ状態での測定値である。また、厚み方向に沿った断面視において、無機絶縁層１１の間隙Ｇの幅は、無機絶縁層１１の厚み方向に沿った断面について、ＳＥＭまたはＴＥＭを用いて、２０箇所以上５０箇所以下の間隙Ｇを含むように拡大した断面を撮影し、この拡大した断面にて各間隙Ｇの最大径の平均値を間隙Ｇの幅とみなすことで求められる。
The thickness, thermal expansion coefficient, and Young's modulus of the inorganic insulating
（第１無機絶縁粒子）
第１無機絶縁粒子１４は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。第１無機絶縁粒子１４の粒径は、例
えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されている。なお、第１無機絶縁粒子１４の粒径は、第１無機フィラー粒子１３の粒径と同様に測定される。
(First inorganic insulating particles)
The first inorganic insulating
（第２無機絶縁粒子）
第２無機絶縁粒子１５は、例えば第１無機絶縁粒子１４と同様の材料からなる。また、第２無機絶縁粒子１５の粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されている。なお、第２無機絶縁粒子１５は、第１無機フィラー粒子１３の粒径と同様に測定される。
(Second inorganic insulating particles)
The second inorganic insulating
（配線層）
配線層７は、絶縁層９の主面に部分的に配置されており、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの金属材料からなる。また、配線基板３に含まれた複数の配線層７は、積層体６の上面すなわち第１無機絶縁層１１Ａの上面に配置された第１導電パッド７Ａと、積層体６の下面すなわち第２無機絶縁層１１Ｂの下面に配置された第２導電パッド７Ｂと、積層体６の内部すなわち第１樹脂層１０Ａの下面、第２樹脂層１０Ｂの上面または第３樹脂層１０Ｃの上下面に配置された複数の内部配線層７Ｃとを具備している。
(Wiring layer)
The
なお、第１導電パッド７Ａは、第１バンプ５Ａを介して電子部品２に接続され、電子部品２と配線基板３とを電気的に接続するものである。また、第２導電パッド７Ｂは、第２バンプ５Ｂを介して外部回路４と接続され、外部回路４と配線基板３とを電気的に接続するものである。また、内部配線層７Ｃは、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものである。
The first
配線層７の厚みは、例えば１．５μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。また、配線層７の平面方向への熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、配線層７のヤング率は、例えば５０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下に設定されている。なお、配線層７の厚み、ヤング率および熱膨張率は、絶縁層９と同様に測定される。
The thickness of the
（ビア導体）
ビア導体８は、厚み方向に離れて配置された一対の配線層７同士を電気的に接続するものである。このビア導体８は、絶縁層９を厚み方向に貫通しており、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電性材料からなる。
(Via conductor)
The via
また、配線基板３に含まれた複数のビア導体８は、第１絶縁層９Ａ（第１樹脂層１０Ａおよび第１無機絶縁層１１Ａ）を貫通して第１導電パッド７Ａおよび内部配線層７Ｃと接続した複数の第１ビア導体８Ａと、第２絶縁層９Ｂ（第２樹脂層１０Ｂおよび第２無機絶縁層１１Ｂ）を貫通して第２導電パッド７Ｂおよび内部配線層７Ｃと接続した複数の第２ビア導体８Ｂと、第３絶縁層９Ｃ（第３樹脂層１０Ｃ）を貫通して複数の内部配線層７Ｃと接続した複数の第３ビア導体８Ｃとを具備している。また、厚み方向に沿った断面視において、第１ビア導体８Ａの幅は上側から下側に向かって小さくなっており、第２ビア導体８Ｂの幅は下側から上側に向かって小さくなっている。
The plurality of via
ここで、本実施形態において、積層体６は、無機絶縁材料からなる第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５を含んだ第１無機絶縁層１１Ａおよび第２無機絶縁層１１Ｂを含んでいる。その結果、無機絶縁材料は樹脂材料よりもヤング率が大きく変形しにくいため、積層体６が樹脂層１０のみからなる場合と比較して、例えば、配線基板の各配線層の配線パターンに違いがあっても、積層体６の変形を低減することができる。また、第１無機絶縁層１１Ａと第２無機絶縁層１１Ｂは積層体の最上層および最下層に配置されていることから、積層体６の上面側の領域および下面側の領域における熱膨張量のバランスを容易にとることができ、積層体６の反りを低減することができる。したがって、配線基板３の反りを低減することができることから、配線基板３の平坦性を向上させることができ、電子部品２の配線基板３への実装信頼性を向上させることができる。
Here, in the present embodiment, the
また、積層体６において第１無機絶縁層１１Ａと第２無機絶縁層１１Ｂとの間には複数の樹脂層１０のみが配置されており、積層体６における複数の樹脂層１０の厚みの和は、第１無機絶縁層１１Ａの厚みと第２無機絶縁層１１Ｂの厚みとの和よりも大きい。すなわち、積層体６における複数の無機絶縁層１１の含有割合は、積層体６における複数の樹脂層１０の含有割合よりも小さい。その結果、配線基板３の熱膨張率が過度に小さくなることを抑制でき、配線基板３の熱膨張量と外部回路４の熱膨張量との差を小さくすることができるため、配線基板３と外部回路４との接続部に加わる応力を低減することができ、ひいては配線基板３と外部回路４との接続信頼性を向上させることができる。
In addition, only the plurality of resin layers 10 are disposed between the first inorganic insulating
また、第１樹脂層１０Ａにおける複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、第１無機絶縁層１１Ａ側から第１無機絶縁層１１Ａの反対側に向かって小さくなっている。その結果、第１樹脂層１０Ａの第１無機絶縁層１１Ａ側の領域における複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合が大きくなることから、第１樹脂層１０Ａの熱膨張率と第１無機絶縁層１１Ａの熱膨張率との差を低減することができる。また、第１樹脂層１０Ａの第１無機絶縁層１１Ａと反対側の領域における複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合が小さくなることから、第１樹脂層１０Ａの熱膨張率と第３樹脂層１０Ｃの熱膨張率との差を低減することができる。したがって、第１樹脂層１０Ａと第１無機絶縁層１１Ａとの剥離および第１樹脂層１０Ａと第３樹脂層１０Ｃとの剥離を低減することができる。よって、第１樹脂層１０Ａと第１無機絶縁層１１Ａとの剥離および第１樹脂層１０Ａと第３樹脂層１０Ｃとの剥離に起因して、隣り合う配線層７同士または隣り合うビア導体８同士のイオンマイグレーションを抑制することができ、ひいては配線基板３の電気的信頼性を向上させることができる。
Further, the content ratio of the plurality of first
また、第２樹脂層１０Ｂにおける複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、第２無機絶縁層１１Ｂ側から第２無機絶縁層１１Ｂの反対側に向かって小さくなっている。したがって、第１樹脂層１０Ａと同様に、第２樹脂層１０Ｂと第２無機絶縁層１１Ｂとの剥離および第２樹脂層１０Ｂと第３樹脂層１０Ｃとの剥離を低減することができる。
The content ratio of the plurality of first
また、第１樹脂層１０Ａの第１無機絶縁層１１Ａ側における第１無機フィラー粒子１３の含有割合が大きくなっており、第２樹脂層１０Ｂの第２無機絶縁層１１Ｂ側における第１無機フィラー粒子１３の含有割合が大きくなっていることから、積層体６において積層体６の中心から積層体６の上下面に向かってヤング率を大きくすることができる。その結果、一般的に、積層体６の中心から積層体６の上下面に向かって積層体６の変形を誘発する力は大きくなるが、その力が大きくなるにつれてヤング率が大きくなるため、積層体６の変形を効果的に低減することができるため、ひいては配線基板３の反りを低減することができる。
In addition, the content ratio of the first
また、第１ビア導体８Ａの幅は、第１導電パッド７Ａ側から第１導電パッド７Ａの反対側に向かって小さくなっている。すなわち、第１ビア導体８Ａが貫通した第１無機絶縁層１１Ａにおいて、第１ビア導体８Ａが下面に向かってテーパー状に形成されていることから、第１無機絶縁層１１Ａの上面と第１無機絶縁層１１Ａに形成された貫通孔の内壁とからなる第１角部Ｃ１は鈍角となる。その結果、第１無機絶縁層１１Ａは第１樹脂層１０Ａよりもヤング率が大きいため、第１無機絶縁層１１Ａで形成された第１角部Ｃ１には応力が集中しやすいが、第１角部Ｃ１は鈍角であることから、第１角部Ｃ１が鋭角である場合と比較して第１角部Ｃ１における応力の集中を低減することができる。したがって、第１第１角部Ｃ１を覆って接続した第１導電パッド７Ａと第１ビア導体８Ａとの剥離を低減することができ、ひいては配線基板３の電気的信頼性を向上させることができる。
Further, the width of the first via
また、第２ビア導体８Ｂの幅は、第２導電パッド７Ｂ側から第２導電パッド７Ｂの反対側に向かって小さくなっている。すなわち、第２ビア導体８Ｂが貫通した第２無機絶縁層１１Ｂにおいて、第２ビア導体８Ｂが上面に向かってテーパー上に形成されていることから、第２無機絶縁層１１Ｂの下面と第２無機絶縁層１１Ｂに形成された貫通孔の内壁とからなる第２角部Ｃ２は鈍角となる。その結果、第１角部Ｃ１と同様に、第２角部Ｃ２における応力の集中を低減することができ、第２導電パッド７Ｂと第２ビア導体８Ｂとの剥離を低減することができる。
Further, the width of the second via
また、第１樹脂層１０Ａにおける第１無機フィラー粒子１３の含有割合および第２樹脂層１０Ｂにおける第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、第３樹脂層１０Ｃにおける第１無機フィラー粒子１３の含有割合よりも大きい。その結果、積層体６の中心から上下面に向かってヤング率が大きくなり、積層体６の変形を低減でき、ひいては配線基板３の反りを低減することができる。なお、この場合には、第１樹脂層１０Ａにおける第１無機フィラー粒子１３の含有割合および第２樹脂層１０Ｂにおける第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、第３樹脂層１０Ｃにおける第１無機フィラー粒子１３の含有割合の例えば１．０４倍以上１．２倍以下に設定されている。
Further, the content ratio of the first
ところで、一般的に、複数の配線層７同士間に配置された絶縁層９の厚み方向への熱膨張量は、複数の配線層７同士と接続したビア導体８の厚み方向への熱膨張量よりも大きくなる。それゆえ、例えば、電子部品２の作動時に電子部品２が発熱すると、絶縁層９がビア導体８よりも大きく熱膨張することから、配線層７とビア導体８との接続部に応力が加わり、配線層７とビア導体８とが剥離しやすい。そして、上面に電子部品２が配置された積層体６の最上層の第１絶縁層９Ａは、他の絶縁層９よりも大きい熱が加わることから、厚み方向への熱膨張量が大きくなりやすい。一方、本実施形態においては、第１ビア導体８Ａは第１樹脂層１０Ａおよび第１無機絶縁層１１Ａを貫通していることから、樹脂材料のみからなる第１絶縁層９Ａを貫通している場合と比較して、第１絶縁層９Ａの厚み方向への熱膨張率が小さくなる。その結果、第１ビア導体８Ａと第１導電パッド７Ａおよび第１ビア導体８Ａと内部配線層７Ｃとの接続部に加わる応力を低減することができ、第１ビア導体８Ａと第１導電パッド７Ａとの剥離および第１ビア導体８Ａと内部配線層７Ｃとの剥離を低減することができる。したがって、配線基板３の電気的信頼性を向上させることができる。
By the way, generally, the thermal expansion amount in the thickness direction of the insulating
また、第３絶縁層９Ｃの厚みは、第１絶縁層９Ａの厚みよりも小さい。すなわち、第３樹脂層１０Ｃの厚みは、第１樹脂層１０Ａの厚みと第１無機絶縁層１１Ａの厚みとの和よりも小さい。その結果、第３絶縁層９Ｃは無機絶縁層１１を含まないことから、第１絶縁層９Ａよりも熱膨張率が大きくなりやすいが、第３絶縁層９Ｃの厚みを第１絶縁層９Ａの厚みよりも小さくすることによって、第３絶縁層９Ｃの熱膨張量を小さくし、第３ビア導体８Ｃと内部配線層７Ｃとの剥離を低減することができる。なお、第１絶縁層９Ａの厚みは、第３絶縁層９Ｃの厚みの例えば、１．０４倍以上１．２倍以下に設定されている。
The thickness of the third insulating
また、第１樹脂層１０Ａの下面に配置された内部配線層７Ｃは、第１樹脂層１０Ａに埋設されていることが望ましい。その結果、第１ビア導体８Ａと第１導電パッド７Ａ、または第１ビア導体８Ａと内部配線層７Ｃとの剥離を低減することができる。
Further, it is desirable that the
また、全ての絶縁層９は、例えば、ガラス繊維または樹脂繊維などからなる基材を含まないことが望ましい。その結果、絶縁層９の厚みを小さくできることから、配線基板３を薄型化することができる。
Moreover, it is desirable that all the insulating
また、全ての絶縁層９は、樹脂部１２および第１無機フィラー粒子１３のみからなるこ
とが望ましい。その結果、絶縁層９の厚みを小さくすることができることから、配線基板３を薄型化することができる。
Moreover, it is desirable that all the insulating
また、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５は、酸化ケイ素からなることが望ましい。酸化ケイ素は他の無機絶縁材料と比較して誘電正接および誘電率が低いため、配線基板３の信号伝送特性を向上させることができる。
The first inorganic insulating
また、第１無機絶縁層１１Ａの厚みは、第２無機絶縁層１１Ｂの厚みと同一であってもよい。この場合には、第１無機絶縁層１１Ａの熱膨張量と第２無機絶縁層１１Ｂの熱膨張量とのばらつきを小さくすることができ、配線基板３の上面側の領域および下面側の領域における熱膨張量のバランスをとることができ、配線基板３の反りを低減することができる。なお、ここで「同一」とは数値の差が３％以下であることを指す。また、以下の記載における値の「同一」も同様とする。
The thickness of the first inorganic insulating
また、全ての樹脂層１０の樹脂部１２および第１無機フィラー粒子１３の材料は同じであってもよい。この場合には、複数の樹脂層１０同士の熱膨張率のばらつきを小さくすることができることから、複数の樹脂層１０同士の平面方向への熱膨張量のばらつきを小さくすることができる。したがって、配線基板３全体の熱膨張率のバランスをとることができることから、配線基板３の反りを低減することができる。
Moreover, the
（実装構造体の製造方法）
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図４から図１１に基づいて説明する。
(Manufacturing method of mounting structure)
Next, the manufacturing method of the mounting
（積層シートの作製）
（１）図４（ａ）および図４（ｂ）に示したように、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５を含む固形分１１´と、この固形分１１´が分散した溶剤１６とを有する無機絶縁ゾル１１ｘを準備する。無機絶縁ゾル１１ｘは、例えば、固形分１１´を１０体積％以上５０体積％以下含み、溶剤１６を５０％体積以上９０体積％以下含む。また、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分１１´は、例えば、第１無機絶縁粒子１４を２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１５を１０体積％以上８０体積％以下含む。
(Production of laminated sheet)
(1) As shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), a
第１無機絶縁粒子１４は、酸化ケイ素からなる場合であれば、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液（水ガラス）などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることによって作製することができる。
If the first inorganic insulating
第２無機絶縁粒子１５は、酸化ケイ素からなる場合であれば、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液（水ガラス）などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することによって作製することができる。
If the second inorganic insulating
溶剤１６は、例えば、メタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドまたはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。 The solvent 16 is, for example, selected from methanol, isopropanol, n-butanol, ethylene glycol, ethylene glycol monopropyl ether, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, xylene, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide or the like. An organic solvent containing a mixture of two or more kinds can be used.
（２）図５（ａ）に示したように、銅などの金属材料からなる金属箔１７を準備し、金属箔１７の一主面に無機絶縁ゾル１１ｘを層状に塗布する。無機絶縁ゾル１１ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷機を用いて行なうことができる。
(2) As shown in FIG. 5A, a
（３）図５（ｂ）および図５（ｃ）に示したように、溶剤１６を蒸発させて無機絶縁ゾル１１ｘを乾燥させ、固形分１１´を残存させる。無機絶縁ゾル１１ｘの乾燥は、例えば、加熱および風乾によって行なわれる。乾燥温度が、例えば２０℃以上溶剤１６の沸点（２種類以上の溶剤１６を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤１６の沸点）未満に設定され、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下に設定される。
(3) As shown in FIGS. 5B and 5C, the solvent 16 is evaporated to dry the inorganic insulating
（４）図６（ａ）および図６（ｂ）に示したように、固形分１１´を加熱し、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを互いの一部で接続させ、無機絶縁層１１を作製する。なお、固形分１１´の加熱は、温度が例えば１００℃以上３００℃未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定される。
(4) As shown in FIG. 6 (a) and FIG. 6 (b), the solid content 11 'is heated, and the first inorganic insulating
ここで、本実施形態における固形分１１´は、粒径が例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小な値に設定された第１無機絶縁粒子１４を含んでいる。その結果、固形分１１´の加熱温度が比較的低温、例えば第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５の結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１４同士を強固に接続させることができる。
Here, solid content 11 'in this embodiment contains the 1st inorganic insulating
また、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５が粒子の形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを互いの一部で接続させることができ、間隙Ｇを容易に形成することができる。
In addition, by heating at such a low temperature, the first inorganic insulating
（５）図７（ａ）〜図７（ｃ）に示したように、未硬化の樹脂１２ｘに第１無機フィラー粒子１３を分散させた樹脂前駆体層１０ｘを準備し、無機絶縁層１１の主面に樹脂前駆体層１０ｘを塗布または積層する。次いで、樹脂前駆体層１０ｘが含む未硬化の樹脂１２ｘの一部を無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込ませる。具体的には、例えば以下のように行なう。
(5) As shown in FIGS. 7A to 7C, a
まず、未硬化の樹脂１２ｘと第１無機フィラー粒子１３を含む樹脂前駆体層１０ｘを無機絶縁層１１の金属箔１７の反対側の主面に積層する。次いで、金属箔１７、無機絶縁層１１および樹脂前駆体層１０ｘを上下方向に加熱加圧することによって、無機絶縁層１１の間隙Ｇの一部に未硬化の樹脂１２ｘを入り込ませる。金属箔１７、無機絶縁層１１および樹脂前駆体層１０ｘの加熱加圧は、未硬化の樹脂１２ｘの熱硬化開始温度未満で行なう。具体的には、加熱温度が例えば６０℃以上１６０℃以下に設定され、圧力が例えば０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下に設定され、加熱加圧時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定される。なお、未硬化とは、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージまたはＢ−ステージの状態である。
First, the
以上のようにして、金属箔１７、無機絶縁層１１および樹脂前駆体層１０ｘを含む積層シート１８を作製する。なお、本工程において、樹脂前駆体層１０ｘの未硬化の樹脂１２ｘの一部が無機絶縁層１１の空隙Ｇに充填されることから、複数の第１無機フィラー粒子１３の一部は、無機絶縁層１１の一主面上にろ過されるように集まる。
As described above, the
（配線基板の作製）
（６）図８（ａ）に示したように、支持体１９を準備し、支持体１９の上面に金属箔１７、樹脂層１０（第２樹脂層１０Ｂ）および無機絶縁層１１（第２無機絶縁層１１Ｂ）を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。
(Production of wiring board)
(6) As shown in FIG. 8A, a
まず、図８（ａ）に示したように、積層シート１８の金属箔１７が露出した主面に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂またはこれらの混合物などの樹脂材料からなる接着剤（不図示）を塗布した後、金属箔１７と支持体１９とが接着するように、積層シート１８を支持体１９の上面に積層する。次いで、積層シート１８および支持体１９を厚み方向に加熱加圧して樹脂前駆体層１０ｘを硬化させることによって、図８（ｂ）に示したように、第２樹脂層１０Ｂを形成し、支持体１９の上面に第２樹脂層１０Ｂをおよび第２無機絶縁層１１Ｂを積層する。
First, as shown to Fig.8 (a), the adhesive agent (for example) which consists of resin materials, such as an epoxy resin, an acrylic resin, a methacryl resin, or a mixture thereof, on the main surface where the
なお、積層シート１８および支持体１９の加熱加圧は、温度が未硬化の樹脂１２ｘの硬化開始温度以上で熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、温度が例えば１７０℃以上２３０℃以下に設定され、圧力が例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に設定され、時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂材料が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ−ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
In addition, as for the heat pressurization of the
（７）図８（ｃ）に示したように、第２樹脂層１０Ｂの上面に配線層７（第３配線層７Ｃ）を形成する。具体的に、例えば以下のように行なう。
(7) As shown in FIG. 8C, the wiring layer 7 (
まず、例えば無電解めっき法などを用いて第２樹脂層１０Ｂの上面に導電材料を被着させる。次いで、例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング技術などを用いて第２樹脂層１０Ｂの上面に被着した導電材料をパターニングすることにより、図８（ｃ）に示したように、第２樹脂層１０Ｂの上面に配線層７（内部配線層７Ｃ）を形成することができる。
First, a conductive material is deposited on the upper surface of the
（８）図８（ｄ）に示したように、１層の樹脂前駆体層１０ｘを第２樹脂層１０Ｂおよび内部配線層７Ｃの上面に積層し、（６）の工程と同様に、第２樹脂層１０Ｂおよび内部配線層７Ｃの上面に積層した１層の樹脂前駆体層１０ｘを加熱加圧することによって熱硬化させ、樹脂層１０（第３樹脂層１０Ｃ）を形成する。
(8) As shown in FIG. 8D, a single
（９）図９（ｂ）に示したように、第３樹脂層１０Ｃを厚み方向に貫通するビア導体８（第３ビア導体８Ｃ）を形成し、第３樹脂層１０Ｃおよび第３ビア導体８Ｃの上面に配線層７（第３配線層７Ｃ）をさらに形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。
(9) As shown in FIG. 9B, the via conductor 8 (third via
まず、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置を用いて第３樹脂層１０Ｃの上面にレーザー光を照射することによって、図９（ａ）に示したように、（７）の工程で形成した内部配線層７Ｃの少なくとも一部が露出するように、第３樹脂層１０Ｃを貫通する貫通孔を形成する。次いで、例えば無電解めっき法などを用いて貫通孔の内壁および第３樹脂層１０Ｃの上面に導電材料を被着させる。次いで、例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング技術などを用いて第３樹脂層１０Ｃの上面に被着した導電材料をパターニングすることにより、図９（ｂ）に示したように、第３樹脂層１０Ｃを貫通する第３ビア導体８Ｃと第３樹脂層１０Ｃの上面に配置された第３配線層７Ｃとを形成することができる。
First, for example, by using a YAG laser device or a carbon dioxide gas laser device to irradiate the upper surface of the
（１０）図９（ｃ）〜図９（ｄ）に示したように、（８）および（９）の工程を繰り返すことによって、複数の第３樹脂層１０Ｃおよび複数の内部配線層７Ｃを形成する。なお、本実施形態においては、第１樹脂層１０Ａ、第２樹脂層１０Ｂおよび第３樹脂層１０Ｃを、同一の樹脂前駆体層１０ｘによって形成しており、各樹脂前駆体層１０ｘそれぞれにおける複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合が同一である。そして、（９）の工程および本工程において、第３樹脂層１０Ｃの一部は、第１樹脂層１０Ａおよび第２樹脂層１０Ｂの一部と異なり、無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込むことがないため、第３樹脂層１０Ｃにおける複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、後述する第１樹脂層１０Ａにおける複数の第１無機フィラー粒子１３の含有割合および第２樹脂層１０Ｂにおける複数の第２無機フィラー粒子１３の含有割合よりも小さくなる。
(10) As shown in FIGS. 9C to 9D, by repeating the steps (8) and (9), a plurality of
（１１）図１０（ａ）に示したように、第３樹脂層１０Ｃおよび内部配線層７Ｃの上面に、樹脂前駆体層１０ｘが内部配線層７Ｃを被覆するように、積層シート１８を積層する。次いで、図１０（ｂ）に示したように、樹脂前駆体層１０ｘを熱硬化させて樹脂層１０（第１樹脂層１０Ａ）を形成する。次いで、積層シート１８の金属箔１７を剥離した後、金属箔１７を剥離することによって露出した積層シート１８の無機絶縁層１１（第１無機絶縁層１１Ａ）の上面にレーザー光を照射し、第１無機絶縁層１１Ａに貫通孔を形成する。次いで、（９）の工程と同様に、ビア導体８（第１ビア導体８Ａ）および配線層７（第１導電パッド７Ａ）を形成する。
(11) As shown in FIG. 10A, the
なお、本工程において、第１ビア導体８Ａは、積層シート１８の一主面にレーザー光を照射することにより形成しているため、このレーザー光の照射量または照射時間を適宜調整することにより、第１ビア導体８Ａを第１無機絶縁層１１Ａから第１無機絶縁層１１Ａの反対側に向かって幅が小さくなるように形成することができる。
In this step, since the first via
（１２）図１０（ｃ）に示したように、支持体１９の上面に配置された金属箔１７と支持体１９とを剥離する。次いで、図１０（ｄ）に示したように、（９）の工程と同様の工程によって、第２ビア導体８Ｂおよび第２配線層７Ｂを形成する。
(12) As shown in FIG. 10C, the
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。 The wiring board 3 can be produced as described above.
（実装構造体の作製）
（１３）図１１に示したように、第１バンプ５Ａを介して配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することによって実装構造体１を作製することができる。
(Production of mounting structure)
(13) As shown in FIG. 11, the mounting
＜第２実施形態＞
（実装構造体）
次に、本発明の第２実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図１２を参照しつつ詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省略する。
Second Embodiment
(Mounting structure)
Next, a mounting structure including a wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. In addition, description is abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment mentioned above.
第２実施形態の配線基板３は、第１実施形態と異なり、図１２に示したように、第１無機絶縁層１１Ａと第１導電パッド７Ａとの間に配置された１層の第１接着樹脂層２０Ａと、第２無機絶縁層１１Ｂと第２導電パッド７Ｂとの間に配置された１層の第２接着樹脂層２０Ｂとを含んでいる。
Unlike the first embodiment, the wiring substrate 3 according to the second embodiment has a first layer of first adhesive disposed between the first inorganic insulating
この接着樹脂層２０（第１接着樹脂層２０Ａおよび第２接着樹脂層２０Ｂ）は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、芳香族ポリアミドイミド、ブタジエンゴムまたはポリイミド樹脂など、あるいはこれらの混合物などの樹脂材料からなり、樹脂層１０および無機絶縁層１１よりも厚みおよびヤング率が小さく設定されている。
The adhesive resin layer 20 (the first
ここで、本実施形態において、第１接着樹脂層２０Ａおよび第２接着樹脂層２０Ｂは無機絶縁層１１よりも厚みおよびヤング率が小さいことから、電子部品２の実装時に接着樹脂層２０が変形した場合に、第１無機絶縁層１１Ａおよび第２無機絶縁層１１Ｂへの影響を小さくすることができる。その結果、積層体６の最上層に第１接着樹脂層２０Ａが配置
されるとともに積層体６の最下層に第２接着樹脂層２０Ｂが配置されていても、第１無機絶縁層１１Ａおよび第２無機絶縁層１１Ｂは、積層体６の変形を良好に低減することができる。また、第１接着樹脂層２０Ａおよび第２接着樹脂層２０Ｂはそれぞれ１層の接着樹脂層２０であることから、積層体６の上面側の領域および下面側の領域における熱膨張量のバランスを容易にとることができる。したがって、電子部品２の配線基板３への実装信頼性を向上させることができる。
Here, in this embodiment, since the first
また、本実施形態において、第１無機絶縁層１１Ａと第１導電パッド７Ａとの間に、第１無機絶縁層１１Ａおよび第１導電パッド７Ａよりもヤング率が小さい第１接着樹脂層２０Ａが介在していることから、例えば、配線基板３に熱が加わった際、第１無機絶縁層１１Ａの熱膨張率と第１導電パッド７Ａの熱膨張率との差に起因して、第１無機絶縁層１１Ａと第１導電パッド７Ａとの境界面に熱応力が印加されたとしても、第１接着樹脂層２０Ａがその熱応力を緩和することから、第１無機絶縁層１１Ａと第１導電パッド７Ａとが剥離することを低減することができる。
In the present embodiment, the first
接着樹脂層２０の厚みは、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下、中でも０．５μｍ以上３μｍ以下に設定されることが望ましい。また、接着樹脂層２０の厚みは、樹脂層１０の厚みの例えば０．１％以上１０％以下に設定され、中でも０．５％以上７．５％以下に設定されることが望ましい。また、接着樹脂層２０の厚みは、無機絶縁層１１の厚みの例えば０．５％以上４０％以下に設定され、中でも１％以上５％以下に設定されることが望ましい。なお、第１接着樹脂層２０Ａの厚みと第２接着樹脂層２０Ｂの厚みとは同一であることが望ましい。
The thickness of the
接着樹脂層２０のヤング率は、例えば０．０５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、中でも０．５ＧＰａ以上５ＧＰａに設定されることが望ましい。接着樹脂層２０のヤング率は、無機絶縁層１１のヤング率の例えば５％以上８０％以下に設定され、中でも１０％以上６０％以下に設定されることが望ましい。接着樹脂層２０の平面方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第１接着樹脂層２０Ａのヤング率と第２接着樹脂層２０Ｂのヤング率とは同一であることが望ましい。
The Young's modulus of the
また、接着樹脂層２０は、接着樹脂層２０の難燃性を向上させるために、例えば酸化ケイ素などの無機絶縁材料からなる複数の第２無機フィラー粒子を含んでもよい。第２無機フィラー粒子は、粒径が、例えば０．０５μｍ以上０．７μｍ以下に設定されている。接着樹脂層２０における複数の第２無機フィラー粒子の含有量は、例えば１体積％以上１０体積％以下に設定されている。
In addition, the
（実装構造体の製造方法）
次に、上述した第２実施形態の実装構造体１の製造方法を説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の方法に関しては説明を省略する。
(Manufacturing method of mounting structure)
Next, the manufacturing method of the mounting
上述した第１実施形態の（２）の工程と同様の工程において、金属箔１７の接着樹脂前駆体層を塗布または積層した後、接着樹脂前駆体層の金属箔１７とは反対側の主面に無機絶縁ゾル１１ｘを塗布する。次いで、（５）の工程と同様に、金属箔１７、接着樹脂前駆体層、無機絶縁層１１および樹脂前駆体層１０ｘを含む積層シート１８を形成する。次いで、（６）の工程と同様の工程において、積層シート１８を支持体１９に積層した後、未硬化の樹脂１２ｘを熱硬化させて樹脂前駆体層１０ｘを第２樹脂層１０Ｂにすると同時に、接着樹脂前駆体層を熱硬化させて接着絶縁層２０（第２接着樹脂層２０Ｂ）を形成する。次いで（１０）の工程と同様の工程において、複数の第３樹脂層１０Ｃを形成した後、（１１）の工程と同様の工程において、樹脂前駆体層１０ｘを第１樹脂層１０Ａにすると同時に、接着樹脂前駆体層を熱硬化させて接着樹脂層２０（第１接着樹脂層２０Ａ）を形成し、第１接着樹脂層２０Ａの上面に第１導電パッド７Ａを形成する。以上のように、第１無機絶縁層１１Ａと第１導電パッド７Ａとの間に配置された１層の第１接着樹脂層２０Ａと、第２無機絶縁層１１Ｂと第２導電パッド７Ｂとの間に配置された１層の第２接着樹脂層２０Ｂとを含んだ配線基板３が作製される。
In the same process as the process (2) of the first embodiment described above, after applying or laminating the adhesive resin precursor layer of the
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せなどが可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the spirit of the present invention.
また、前述した本発明の実施形態は、ソルダーレジスト層についての説明を省略したが、配線基板は両主面に樹脂材料を含むソルダーレジスト層を有していても構わない。 Moreover, although description about the soldering resist layer was abbreviate | omitted in embodiment of this invention mentioned above, the wiring board may have the soldering resist layer containing the resin material in both main surfaces.
また、前述した本発明の実施形態は、アンダーフィルについての説明を省略したが、配線基板と電子部品との間にアンダーフィルを有しても構わない。 Further, in the embodiment of the present invention described above, the description of the underfill is omitted, but an underfill may be provided between the wiring board and the electronic component.
また、上述した本発明の実施形態は、積層体６が第１無機絶縁層１１Ａと第２無機絶縁層１１Ｂとの間に２層の第３樹脂層１０Ｃを含んでいる構成を例に説明したが、積層体６は、第１無機絶縁層１１Ａと第２無機絶縁層１１Ｂとの間に３層以上の第３樹脂層１０Ｃとを含んでいてもよい。
Further, the above-described embodiment of the present invention has been described by taking as an example a configuration in which the
また、上述した本発明の実施形態は、積層体６が第３絶縁層９Ｃを含んでいる構成を例に説明したが、図１３に示したように、第１絶縁層９Ａと第２絶縁層９Ｂとからなってもよい。
Moreover, although embodiment mentioned above demonstrated the structure in which the
また、上述した本発明の実施形態は、積層体６における複数の絶縁層９それぞれの厚みが異なる構成を例に説明したが、絶縁層９の厚みは、その他全ての絶縁層９の厚みと同一でもよい。
Moreover, although embodiment of this invention mentioned above demonstrated to the example the structure from which the thickness of each of the some insulating
また、上述した本発明の実施形態は、第１樹脂層１０Ａの厚みと第３樹脂層１０Ｃの厚みとの関係については特に限定していないが、図１４に示したように、第１樹脂層１０Ａの厚みは第３樹脂層１０Ｃの厚みよりも小さくてもよい。
Further, in the embodiment of the present invention described above, the relationship between the thickness of the
また、上述した本発明の実施形態は、第２樹脂層１０Ｂの厚みと第３樹脂層１０Ｃの厚みとの関係については特に限定していないが、図１４に示したように、第２樹脂層１０Ｂの厚みは第３樹脂層１０Ｃの厚みよりも小さくてもよい。
Further, in the embodiment of the present invention described above, the relationship between the thickness of the
また、上述した本発明の実施形態は、第１ビア導体８Ａの幅は上側から下側に向かって小さくなっており、第２ビア導体８Ｂの幅は下側から上側に向かって小さくなっている構成を例に説明したが、図１５に示したように、全てのビア導体８の幅は下側から上側に向かって小さくなっていてもよい。
In the embodiment of the present invention described above, the width of the first via
また、上述した本発明の実施形態は、複数の絶縁層９において、絶縁層９における樹脂部１２の含有割合および絶縁層９における第１無機フィラー粒子１３の含有割合が異なる構成を例に説明したが、絶縁層９における樹脂部１２の含有割合および絶縁層９における第１無機フィラー粒子１３の含有割合は、全ての絶縁層９において同一でもよい。その結果、複数の絶縁層９それぞれの熱膨張率のばらつきを小さくすることができることから、配線基板３全体の熱膨張率のバランスをとることができ、配線基板３の反りを低減することができる。
Moreover, embodiment of this invention mentioned above demonstrated in the some insulating
また、上述した本発明の実施形態は、（２）の工程において無機絶縁ゾル１１ｘを金属箔１７の一主面に塗布しているが、無機絶縁ゾル１１ｘの塗布は、例えば、ポリエチレン
、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料からなる支持シートの一主面に塗布してもよい。この場合には、配線層７の形成の前に、機械的に支持シートを剥離すればよい。
In the embodiment of the present invention described above, the inorganic insulating
また、上述した本発明の実施形態は、（３）の工程において溶剤１６を蒸発させた後に固形分１１´を加熱する構成を例に説明したが、溶剤１６の蒸発と固形分１１´の加熱とを同時に行なっても構わない。 Moreover, although embodiment of this invention mentioned above demonstrated the structure which heats solid content 11 'after evaporating the solvent 16 in the process of (3) as an example, evaporation of the solvent 16 and heating of solid content 11' were demonstrated. Can be performed simultaneously.
１ 実装構造体
２ 電子部品
３ 配線基板
４ 外部回路
５Ａ 第１バンプ
５Ｂ 第２バンプ
６ 積層体
７ 配線層
７Ａ 第１導電パッド
７Ｂ 第２導電パッド
７Ｃ 内部配線層７Ｃ
８ ビア導体
８Ａ 第１ビア導体
８Ｂ 第２ビア導体
８Ｃ 第３ビア導体
９ 絶縁層
９Ａ 第１絶縁層
９Ｂ 第２絶縁層
９Ｃ 第３絶縁層
１０ 樹脂層
１０Ａ 第１樹脂層
１０Ｂ 第２樹脂層
１０Ｃ 第３樹脂層
１０ｘ 樹脂前駆体層
１１ 無機絶縁層
１１´ 固形分
１１Ａ 第１無機絶縁層
１１Ｂ 第２無機絶縁層
１１ｘ 無機絶縁ゾル
１２ 樹脂部
１２ｘ 未硬化の樹脂
１３ 第１無機フィラー粒子
１４ 第１無機絶縁粒子
１５ 第２無機絶縁粒子
１６ 溶剤
１７ 金属箔
１８ 積層シート
１９ 支持体
２０ 接着樹脂層
２０Ａ 第１接着樹脂層
２０Ｂ 第２接着樹脂層
Ｃ１ 第１角部
Ｃ２ 第２角部
Ｇ 間隙
Ｇ１ 第１間隙
Ｇ２ 第２間隙
DESCRIPTION OF
8 via
Claims (10)
該積層体内に配置された少なくとも１層の内部配線層と、
前記第１無機絶縁層の上面に配置された、電子部品と電気的に接続される第１導電パッドと、少なくとも前記第１無機絶縁層および前記第１樹脂層を貫通して前記内部配線層および前記第１導電パッドを接続している第１ビア導体とを備えており、
前記第１樹脂層は、樹脂部と該樹脂部中に分散した複数の第１無機フィラー粒子とを有しており、
前記第１樹脂層における前記複数の第１無機フィラー粒子の含有割合は、前記第１無機絶縁層側から反対側に向かって小さくなっていることを特徴とする配線基板。 A first inorganic insulating layer disposed on the uppermost layer; a second inorganic insulating layer disposed on the lowermost layer; and a first resin layer disposed on a lower surface of the first inorganic insulating layer and the first inorganic insulating layer. A laminate comprising a plurality of resin layers disposed between an insulating layer and the second inorganic insulating layer;
At least one internal wiring layer disposed in the laminate;
A first conductive pad disposed on an upper surface of the first inorganic insulating layer and electrically connected to an electronic component; the internal wiring layer penetrating at least the first inorganic insulating layer and the first resin layer; and A first via conductor connecting the first conductive pad ,
The first resin layer has a resin part and a plurality of first inorganic filler particles dispersed in the resin part,
The wiring board , wherein a content ratio of the plurality of first inorganic filler particles in the first resin layer decreases from the first inorganic insulating layer side toward the opposite side .
前記複数の樹脂層は、前記第２無機絶縁層の上面に配置された第２樹脂層を具備しており、
該第２樹脂層は、樹脂部と該樹脂部中に分散した複数の第１無機フィラー粒子とを有しており、
前記第２樹脂層における前記複数の第１無機フィラー粒子の含有割合は、前記第２無機絶縁層側から反対側に向かって小さくなっていることを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1 ,
The plurality of resin layers include a second resin layer disposed on an upper surface of the second inorganic insulating layer,
The second resin layer has a resin part and a plurality of first inorganic filler particles dispersed in the resin part,
The wiring board, wherein a content ratio of the plurality of first inorganic filler particles in the second resin layer decreases from the second inorganic insulating layer side to the opposite side.
前記第１ビア導体の幅は、前記第１導電パッド側から反対側に向かって小さくなっていることを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1,
The width of the first via conductor decreases from the first conductive pad side toward the opposite side.
前記第２無機絶縁層の下面に配置された、外部回路と電気的に接続される第２導電パッドと、前記第２導電パッドに接続した第２ビア導体とを備え、
前記複数の樹脂層は、前記第２無機絶縁層の上面に配置された第２樹脂層を具備しており、
前記第２ビア導体は、少なくとも前記第２無機絶縁層および前記第２樹脂層を貫通しており、
前記第２ビア導体の幅は、前記第２導電パッド側から反対側に向かって小さくなっている
ことを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 3 ,
A second conductive pad disposed on the lower surface of the second inorganic insulating layer and electrically connected to an external circuit; and a second via conductor connected to the second conductive pad;
The plurality of resin layers include a second resin layer disposed on an upper surface of the second inorganic insulating layer,
The second via conductor penetrates at least the second inorganic insulating layer and the second resin layer,
The width of the second via conductor decreases from the second conductive pad side toward the opposite side.
前記第１無機絶縁層は、互いの一部で接続した複数の無機絶縁粒子を有しているとともに、該複数の無機絶縁粒子に囲まれてなる間隙が形成されており、
前記第１無機絶縁層の前記間隙には、前記第１樹脂層の一部が入り込んでいることを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1,
The first inorganic insulating layer has a plurality of inorganic insulating particles connected to each other, and a gap surrounded by the plurality of inorganic insulating particles is formed,
A wiring board, wherein a part of the first resin layer enters the gap of the first inorganic insulating layer.
前記複数の樹脂層は、それぞれ樹脂部と該樹脂部中に分散した複数の第１無機フィラー粒子とを有しているとともに、前記第２無機絶縁層の上面に配置された第２樹脂層と、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に配置された少なくとも１層の第３樹脂層とを具備しており、
前記第１樹脂層における前記複数の第１無機フィラー粒子の含有割合および前記第２樹脂層における前記複数の第１無機フィラー粒子の含有割合は、前記第３樹脂層における前記複数の第１無機フィラー粒子の含有割合よりも大きいことを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1,
The plurality of resin layers each include a resin portion and a plurality of first inorganic filler particles dispersed in the resin portion, and a second resin layer disposed on the upper surface of the second inorganic insulating layer; And at least one third resin layer disposed between the first resin layer and the second resin layer,
The content ratio of the plurality of first inorganic filler particles in the first resin layer and the content ratio of the plurality of first inorganic filler particles in the second resin layer are the plurality of first inorganic fillers in the third resin layer. A wiring board characterized by being larger than the content ratio of particles.
前記複数の樹脂層は、前記第２無機絶縁層の上面に配置された第２樹脂層と、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に配置された少なくとも１層の第３樹脂層とを具備しており、
前記第１樹脂層のヤング率および前記第２樹脂層のヤング率は、前記第３樹脂層のヤング率よりも大きいことを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1,
The plurality of resin layers include a second resin layer disposed on an upper surface of the second inorganic insulating layer, and at least one third resin disposed between the first resin layer and the second resin layer. A layer,
The wiring board, wherein the Young's modulus of the first resin layer and the Young's modulus of the second resin layer are larger than the Young's modulus of the third resin layer.
前記積層体内に厚み方向に離れて配置された複数の前記内部配線層と、前記積層体内に配置されて前記複数の内部配線層に接続した第３ビア導体とを備えており、
前記複数の樹脂層は、前記第１樹脂層の下面に配置された少なくとも１層の第３樹脂層を具備しており、
前記内部配線層は、前記第３樹脂層の両主面に配置されており、
前記第１ビア導体は、前記第３樹脂層の上面に配置された前記内部配線層に接続しており、
前記第３ビア導体は、少なくとも前記第３樹脂層を貫通しており、
前記第３樹脂層の厚みは、前記第１無機絶縁層の厚みと前記第１樹脂層の厚みとの和よりも小さいことを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1,
A plurality of the internal wiring layers disposed apart in the thickness direction in the multilayer body, and a third via conductor disposed in the multilayer body and connected to the plurality of internal wiring layers,
The plurality of resin layers include at least one third resin layer disposed on a lower surface of the first resin layer,
The internal wiring layer is disposed on both main surfaces of the third resin layer,
The first via conductor is connected to the internal wiring layer disposed on the upper surface of the third resin layer,
The third via conductor penetrates at least the third resin layer,
The wiring board, wherein the thickness of the third resin layer is smaller than the sum of the thickness of the first inorganic insulating layer and the thickness of the first resin layer.
前記第２無機絶縁層の下面に、外部回路と電気的に接続するための第２導電パッドを備え、前記第１無機絶縁層と前記第１導電パッドとの間に第１接着樹脂層を、
前記第２無機絶縁層と前記第２導電パッドとの間に第２接着樹脂層を、
それぞれ有してなるとともに、
前記第１接着樹脂層の厚みが、前記第１無機絶縁層の厚みよりも薄く、
前記第２接着樹脂層の厚みが、前記第２無機絶縁層の厚みよりも薄いことを特徴とする配線基板。 The wiring board according to claim 1,
A second conductive pad for electrically connecting to an external circuit is provided on the lower surface of the second inorganic insulating layer, and a first adhesive resin layer is provided between the first inorganic insulating layer and the first conductive pad.
A second adhesive resin layer between the second inorganic insulating layer and the second conductive pad;
As each has ,
The thickness of the first adhesive resin layer, rather thin than a thickness of the first inorganic insulating layer,
The thickness of the second adhesive resin layer, a wiring substrate, wherein the thin Ikoto than a thickness of the second inorganic insulating layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012238635A JP6001412B2 (en) | 2012-10-30 | 2012-10-30 | Wiring board and mounting structure using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012238635A JP6001412B2 (en) | 2012-10-30 | 2012-10-30 | Wiring board and mounting structure using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014090047A JP2014090047A (en) | 2014-05-15 |
| JP6001412B2 true JP6001412B2 (en) | 2016-10-05 |
Family
ID=50791733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012238635A Active JP6001412B2 (en) | 2012-10-30 | 2012-10-30 | Wiring board and mounting structure using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6001412B2 (en) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5164403B2 (en) * | 2006-09-13 | 2013-03-21 | 富士通株式会社 | Coreless multilayer wiring board, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP5734860B2 (en) * | 2009-09-28 | 2015-06-17 | 京セラ株式会社 | Structure and manufacturing method thereof |
| JP5361680B2 (en) * | 2009-11-26 | 2013-12-04 | 京セラ株式会社 | Wiring board |
| JP5343164B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-11-13 | 京セラ株式会社 | Interposer and electronic device using the same |
| JP4669908B2 (en) * | 2010-07-12 | 2011-04-13 | 新光電気工業株式会社 | Multilayer wiring board |
-
2012
- 2012-10-30 JP JP2012238635A patent/JP6001412B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014090047A (en) | 2014-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5635657B2 (en) | Manufacturing method of interposer | |
| JP5582944B2 (en) | Wiring board, laminated board and laminated sheet | |
| JP6133432B2 (en) | Wiring board and mounting structure using the same | |
| JP5961703B2 (en) | Wiring board and mounting structure thereof | |
| JP6117790B2 (en) | Wiring board and mounting structure including the same | |
| JP5361680B2 (en) | Wiring board | |
| JP6258347B2 (en) | Wiring board and mounting structure using the same | |
| JP6294024B2 (en) | Wiring board and mounting structure using the same | |
| JP5933989B2 (en) | Component built-in board | |
| JP2015213199A (en) | Component built-in substrate | |
| JP5988372B2 (en) | Wiring board and mounting structure thereof | |
| JP5897956B2 (en) | Component built-in board and mounting structure | |
| JP6096538B2 (en) | Wiring board, mounting structure using the same, and method of manufacturing wiring board | |
| JP6001412B2 (en) | Wiring board and mounting structure using the same | |
| JP2012178392A (en) | Wiring board, mounting structure of the same, insulation sheet, and method for manufacturing wiring board using insulation sheet | |
| JP2016167637A (en) | Laminated wiring board and laminate | |
| JP5952153B2 (en) | Multilayer wiring board and mounting structure using the same | |
| JP6133689B2 (en) | Wiring board and mounting structure using the same | |
| JP6001439B2 (en) | Wiring board and mounting structure | |
| JP5783837B2 (en) | Laminated board with metal foil and wiring board | |
| JP5902559B2 (en) | Wiring board and manufacturing method thereof | |
| JP5960533B2 (en) | Wiring board and mounting structure including the same | |
| JP2015012082A (en) | Wiring board and mounting structure using the same | |
| JP5909528B2 (en) | Wiring board, laminated board and laminated sheet | |
| JP2018039158A (en) | Wound body |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150415 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160202 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160309 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160802 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160901 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6001412 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |