JP5985899B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
半導体レーザモジュールは、ファースト軸に直交する面が発光素子を搭載する搭載面とされ、かつ、搭載面に対して垂直に延びる第2ねじ孔が形成された光学マウントと、スロー軸コリメータレンズが固定され、厚さ方向に第2貫通孔が形成されたレンズマウントと、第2貫通孔及び第2ねじ孔に挿入される第2ねじと、を備え、スロー軸調整機構は、第2ねじを第2貫通孔及び第2ねじ孔に挿入してレンズマウントを光学マウントに取り付ける取付機構である。このため、スロー軸コリメータレンズを所望の向きにした状態で、第2ねじ孔及び第2ねじでスロー軸コリメータレンズを光学マウントに締結することができるので、容易にレーザ光に対するスロー軸コリメータレンズの向きをスロー軸方向に調整することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体レーザ装置1の斜視図である。図1に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置1は、ベース10、3個の半導体レーザモジュール20A〜20C、及び集光レンズ40を備えている。半導体レーザ装置1は、半導体レーザモジュール20A〜20Cから出射されたレーザ光を結合させて、光ファイバ50に導光する装置である。なお、説明の便宜上、半導体レーザモジュール20A〜20Cから出射されるレーザ光のファースト取付位置軸方向をX軸方向と、スロー軸方向をY軸方向と、X軸方向及びY軸方向に垂直な方向をZ軸方向とする。また、本明細書では、レーザ光の出射方向を前方といい、その反対方向を後方という。
次に、図9を参照して本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態に係る半導体レーザ装置1Aは、半導体レーザモジュール20の寸法及び設置位置が第1実施形態と異なり、その他の点は半導体レーザ装置1と同じである。
Claims (3)
- 主面を有するベースと、
前記ベースの主面上に配置された集光レンズと、
レーザ光を出射する活性層をそれぞれ有する半導体レーザモジュールであって、前記ベースの主面上に、スロー軸が前記ベースの主面と直交し、かつ、前記集光レンズに向けて出射したレーザ光が互いに干渉しないように取り付けられた複数の半導体レーザモジュールと、
前記半導体レーザモジュールの向きを前記ベースに対してファースト軸方向に調整するファースト軸調整機構と、
を備え、
前記半導体レーザモジュールは、
ファースト軸に直交した搭載面を有し、スロー軸方向に第1貫通孔が形成された光学マウントと、
前記光学マウントの搭載面に搭載された、前記活性層を含む発光素子と、
前記光学マウント及び前記発光素子に対して固定され、前記発光素子から出射されたレーザ光を、ファースト軸方向でコリメートするファースト軸コリメータレンズと、
前記光学マウントに取り付けられ、ファースト軸方向に第2貫通孔が形成されたレンズマウントと、
前記レンズマウントに固定され、前記ファースト軸コリメータレンズを通過したレーザ光を、スロー軸方向でコリメートするスロー軸コリメータレンズと、
前記スロー軸コリメータレンズの向きを前記半導体レーザモジュールに対してスロー軸方向に調整するスロー軸調整機構と、
を有し、
前記複数の半導体レーザモジュールは、隣接する前記半導体レーザモジュールから出力されるレーザ光に対して所定の間隔で離間するレーザ光が出力されるように配置されており、
前記ファースト軸調整機構は、前記ベースの主面に対して垂直方向に設けられた第1ねじ孔と、前記第1貫通孔及び前記第1ねじ孔に挿入される第1ねじと、を含み、前記第1ねじを前記第1貫通孔及び前記第1ねじ孔に挿入して前記半導体レーザモジュールを前記ベースに取り付ける取付機構であり、
前記スロー軸調整機構は、前記光学マウントの前記搭載面に対して垂直方向に設けられた第2ねじ孔と、前記第2貫通孔及び前記第2ねじ孔に挿入される第2ねじと、を含み、前記第2ねじを前記第2貫通孔及び前記第2ねじ孔に挿入して前記レンズマウントを前記光学マウントに取り付ける取付機構である、
半導体レーザ装置。 - 前記第1ねじ孔は、前記レーザ光の光軸方向に沿って一直線上に設けられており、
前記半導体レーザモジュールから出力されるレーザ光の出射方向を前方としたときに、
第1の前記半導体レーザモジュールの前記第1貫通孔と第1の前記半導体レーザモジュールの前記発光素子との間隔は、前記第1の前記半導体レーザモジュールの後段に配置される第2の前記半導体レーザモジュールの前記第1貫通孔と前記第2の前記半導体レーザモジュールの前記発光素子との間隔よりも、所定の間隔だけ短く形成されている、請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザモジュールから出力されるレーザ光の出射方向を前方としたときに、
第1の前記半導体レーザモジュールの前記第1貫通孔と第1の前記半導体レーザモジュールの前記発光素子との間隔は、前記第1の前記半導体レーザモジュールの後段に配置される第2の前記半導体レーザモジュールの前記第1貫通孔と前記第2の前記半導体レーザモジュールの前記発光素子との間隔と、同じ長さで形成されており、
第1の前記半導体レーザモジュールの前記第1貫通孔は、前記第2の前記半導体レーザモジュールの前記第1貫通孔よりも、所定の間隔だけファースト軸方向にずれて前記ベースに取り付けられている、請求項1に記載の半導体レーザ装置。
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